專利名稱：：有機存儲器之位單元的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種利用有機材料所制造的有機存儲器，且特別涉及一種有機存儲器之位單元陣列中的位單元。
背景技術：
：近年來，一種雙穩(wěn)態(tài)(bistable)材料被應用于制造存儲元件以及開關切換器等，此種雙穩(wěn)態(tài)材料包括無機材料以及有機材料(organicmaterial)，且此種雙穩(wěn)態(tài)材料隨著施加于其上之電壓的不同，而在高阻抗狀態(tài)與低阻抗狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。值得注意的是，將這種有機材料設置于兩個電極之間而制造出的多穩(wěn)態(tài)存儲元件具有成為新一代的非易失存儲元件的潛力。相對于硅基元件(silicon-baseddevice)，以有機材料所制造的有機元件具有較佳之延展性與可彎曲性等優(yōu)點，且由于有機材料幾乎可以涂布于任何表面上，因此，使得在具有彈性的塑料基底上形成有機存儲器陣列成為可能，另外，有機材料可在硅工藝完成后才來制造與處理，更進一步簡化了整個工藝。故由于上述優(yōu)點與特性，將來必定有愈來愈多的印刷工藝(printingmanufacturingprocess)被發(fā)展來應用于有機元件的量產(chǎn)上，而使得有機元件的成本顯著降低，且應用更為廣泛。圖1為一種有機存儲器內(nèi)有機存儲單元之理想化特性曲線圖，此有機存儲單元使用有機材料來制造，請參照圖1。此有機存儲單元至少具有雙穩(wěn)態(tài)特性，亦即，至少可處于高阻抗狀態(tài)或低阻抗狀態(tài)。當有機存儲單元處于高阻抗狀態(tài)時，其偏壓電壓與傳導電流之間的關系如路徑110所示，故當有機存儲單元處于高阻抗狀態(tài)，然后施加偏壓電壓VR于此有機存儲單元，則流經(jīng)此有機存儲單元之傳導電流為I0。當施加的偏壓電壓超過VT1后，則此有機存儲單元從處于高阻抗狀態(tài)轉(zhuǎn)為處于低阻抗狀態(tài)，而后，其偏壓電壓與傳導電流之間的關系如路徑120所示，故當有機存儲單元處于低阻抗狀態(tài)，且所施加之偏壓電壓為VR，則流經(jīng)有機存儲單元之傳導電流為I1，其中I1＞＞I0。而后，當施加的偏壓電壓低過VT0后，則此有機存儲單元又從處于低阻抗狀態(tài)轉(zhuǎn)為處于高阻抗狀態(tài)。請注意，圖1之特性曲線明顯地被理想化了，隨著有機存儲單元所使用之有機材料的不同，其特性曲線或有些不同，但基本上有機存儲器所利用的特性，并不超出上述解釋圖1之理想化特性曲線的范疇。由上述可知，使用具有至少雙穩(wěn)態(tài)特性之有機材料所制造的有機存儲器將具有彎曲包容的能力，而可以被應用在具有軟電子元件的有彈性可彎曲系統(tǒng)中，更重要的是成本不高，故必將成為現(xiàn)代電子應用中一種最重要的電子存儲元件之一。因此，發(fā)展出一種實用可行且完整的有機存儲器刻不容緩，而其中，發(fā)展出一種讀寫存取快速的有機存儲器的位單元更是重要關鍵。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是提供一種有機存儲器之位單元，其可以同時兼顧寫入時有較大的傳導電流而讀出時有較快的處理時間，達到讀寫存取快速的目的，并且與鄰近位單元互相干擾的抵抗較佳，進而組成一種量產(chǎn)且實用可行的存儲器元件。從一種觀點來看，本發(fā)明提出一種有機存儲器之位單元，此位單元連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，此位單元包括有機存儲單元、第一晶體管、以及第二晶體管。其中，位信息是存儲在有機存儲單元中，而第一晶體管之第一源/漏極連接至數(shù)據(jù)線，第一晶體管之柵極連接至寫入選擇線，且第一晶體管之第二源/漏極連接至有機存儲單元，另外，第二晶體管之第一源/漏極也連接至數(shù)據(jù)線，第二晶體管之柵極連接至讀出選擇線，且第二晶體管之第二源/漏極連接至有機存儲單元。依照本發(fā)明的實施例所述，上述有機存儲器之位單元中之第一晶體管的尺寸大于第二晶體管的尺寸。當寫入選擇線之信號致動時，第一晶體管將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線，以寫入位信息至有機存儲單元；當讀出選擇線之信號致動時，第二晶體管將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線，以根據(jù)流經(jīng)有機存儲單元之傳導電流，來感測有機存儲單元之位信息。從另一種觀點來看，本發(fā)明另提出一種有機存儲器之位單元，此位單元連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，此位單元包括有機存儲單元、第一晶體管、電流鏡、以及第二晶體管。位信息是存儲在有機存儲單元中，而第一晶體管之第一源/漏極連接至數(shù)據(jù)線，第一晶體管之柵極連接至寫入選擇線，且第一晶體管之第二源/漏極連接至有機存儲單元。上述電流鏡具有第一端及第二端，此第二端連接至數(shù)據(jù)線，且流經(jīng)第二端之電流為流經(jīng)第一端之電流的N倍，N大于等于1。第二晶體管之第一源/漏極連接至電流鏡之第一端，第二晶體管之柵極連接至讀出選擇線，第二晶體管之第二源/漏極連接至有機存儲單元。依照本發(fā)明的實施例所述，上述有機存儲器之位單元中的電流鏡包括第三晶體管以及第四晶體管，第三晶體管之第一源/漏極連接至電源，第三晶體管之柵極連接至第三晶體管之第二源/漏極，第三晶體管之第二源/漏極連接至電流鏡之第一端，而第四晶體管之第一源/漏極也連接至電源，第四晶體管之柵極連接至第三晶體管之柵極，第四晶體管之第二源/漏極連接至電流鏡之第二端。上述有機存儲器之位單元中之第一晶體管的尺寸大于第二晶體管的尺寸。當寫入選擇線之信號致動時，第一晶體管將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線，以寫入位信息至有機存儲單元，當讀出選擇線之信號致動時，第二晶體管將有機存儲單元連接至電流鏡之第一端，則可從數(shù)據(jù)線上電流的大小來感測有機存儲單元之位信息。從再一種觀點來看，本發(fā)明再提出一種有機存儲器之位單元，此位單元連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，此位單元包括有機存儲單元、第一開關元件、以及第二開關元件。位信息是存儲在有機存儲單元中，而第一開關元件具有第一端、第二端及控制端，第一開關元件之第一端連接至數(shù)據(jù)線，第一開關元件之控制端連接至寫入選擇線，且第一開關元件之第二端連接至有機存儲單元，另外，第二開關元件也具有第一端、第二端及控制端，第二開關元件之第一端連接至數(shù)據(jù)線，第二開關元件之控制端連接至讀出選擇線，第二開關元件之第二端連接至有機存儲單元。其中，當寫入選擇線之信號致動時，第一開關元件將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線，以寫入位信息至有機存儲單元，當讀出選擇線之信號致動時，第二開關元件將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線，以感測有機存儲單元之位信息。依照本發(fā)明的實施例所述，其中是根據(jù)流經(jīng)有機存儲單元之傳導電流，來感測有機存儲單元之位信息。另外，為增加讀取時信號強度，上述有機存儲器之位單元還可包括介于第二開關元件與數(shù)據(jù)線之間的電流鏡，此電流鏡具有第一端及第二端，電流鏡之第一端連接至第二開關元件之第一端，電流鏡之第二端連接至數(shù)據(jù)線，且流經(jīng)第二端之電流為流經(jīng)第一端之電流的N倍，N大于等于1。依照本發(fā)明的實施例所述，上述三種觀點的有機存儲器之位單元中的有機存儲單元包括兩個電極以及設置于兩個電極之間的有機材料混合層。值的注意的是，本發(fā)明所提供之有機存儲器之位單元可以用來組合成非易失存儲器。綜上所述，本發(fā)明所提出之有機存儲器之位單元，至少包括了寫入時致動的第一晶體管及讀出時致動的第二晶體管，且第一晶體管的尺寸可以大于第二晶體管的尺寸，因此，可以同時兼顧寫入時有較大的傳導電流而讀出時有較快的處理時間。另外，還可包括電流鏡，來放大讀取時的傳導電流，增加與鄰近位單元互相干擾的抵抗能力，進而組成一種量產(chǎn)且實用可行的存儲器元件。為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。圖1為一種有機存儲器內(nèi)有機存儲單元之理想化特性曲線圖。圖2為本發(fā)明一實施例之一種有機存儲器的電路方框圖。圖3為本發(fā)明一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖。圖4為本發(fā)明另一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖。圖5為圖3之有機存儲器之位單元的運行時序圖。圖6為本發(fā)明再一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖。主要元件標記說明110有機存儲單元處于高阻抗狀態(tài)時之特性路徑120有機存儲單元處于低阻抗狀態(tài)時之特性路徑210位單元陣列220_1，220_2，...，220_j數(shù)字感測電路310有機存儲單元320第一開關元件322，332，432，442，444，612，614，616晶體管324，326，328，334，336，338，446，448端點330第二開關元件440電流鏡BL_1，BL_2，BL_j，BL_m數(shù)據(jù)線M(1，1)，M(2，1)，M(j，1)，M(1，i)，M(2，i)，M(j，i)位單元RWL_1，RWL_i，RWL_n讀出選擇線WWL_1，WWL_i，WWL_n寫入選擇線具體實施方式圖2為本發(fā)明一實施例之一種有機存儲器的電路方框圖，請參照圖2。本發(fā)明所提出之一種有機存儲器包括i個寫入選擇線WWL_1，...，WWL_i、i個讀出選擇線RWL_1...，RWL_i、j個數(shù)據(jù)線BL_1，BL_2...，BL_j、位單元陣列210、以及j個數(shù)字感測電路220_1，220_2，...，220_j。而位單元陣列210中包括多個位單元M(1，1)，M(2，1)...，M(j，1)，...，M(1，i)，M(2，i)，...，M(j，i)。為了容易表示，將一組寫入選擇線WWL_n與讀出選擇線RWL_n稱之為第n對選擇線，由圖中可知，每一數(shù)據(jù)線與每一對選擇線間至少連接有這些位單元中的一個，而每一數(shù)字感測電路220_1，220_2...，220_j分別連接至對應的這些數(shù)據(jù)線BL_1，BL_2，...，BL_j。其中，為了容易清楚地表達，故定義位單元列B(n)為連接至第n對選擇線之所有位單元M(1，n)，M(2，n)，...，M(j，n)，且定義位單元M(m，n)為連接至第m個數(shù)據(jù)線與第n對選擇線之位單元，上述i、j、m、n皆為大于零的正整數(shù)(自然數(shù))，且n＜＝i，m＜＝j。圖3為本發(fā)明一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖，請參照圖3。圖中表示出有機存儲器之位單元M(m，n)，此位單元M(m，n)連接至數(shù)據(jù)線BL_m、寫入選擇線WWL_n、以及讀出選擇線RWL_n，此位單元M(m，n)包括有機存儲單元310、第一開關元件320、以及第二開關元件330。有機存儲單元310例如是將有機材料設置于兩個電極之間而制造出的多穩(wěn)態(tài)存儲元件，也就是說，此例中的有機存儲單元至少包括兩個電極以及設置于兩個電極之間的有機材料混合層，故有機存儲單元310可用來存儲位信息，當然，一個有機存儲單元并不限定只能存儲一個位的信息。請繼續(xù)參照圖3，第一開關元件320具有第一端324、第二端326及控制端328，第一開關元件320之第一端324連接至數(shù)據(jù)線BL_m，第一開關元件320之控制端328連接至寫入選擇線WWL_n，且第一開關元件320之第二端326連接至有機存儲單元310，另外，第二開關元件330也具有第一端334、第二端336及控制端338，第二開關元件330之第一端334連接至數(shù)據(jù)線BL_m，第二開關元件330之控制端338連接至讀出選擇線RWL_n，第二開關元件330之第二端336連接至有機存儲單元310。當寫入選擇線WWL_n上之信號致動時，第一開關元件320將有機存儲單元310連接至數(shù)據(jù)線BL_m，以寫入位信息至有機存儲單元310中；當讀出選擇線RWL_n上之信號致動時，第二開關元件330將有機存儲單元310連接至數(shù)據(jù)線BL_m，以感測有機存儲單元310所存儲之位信息。第一開關元件320與第二開關元件330在此實施例中分別為第一晶體管322與第二晶體管332，則第一晶體管322之第一源/漏極連接至數(shù)據(jù)線BL_m，而第一晶體管322之柵極連接至寫入選擇線WWL_n，第一晶體管322之第二源/漏極連接至有機存儲單元310；第二晶體管332之第一源/漏極也連接至數(shù)據(jù)線BL_m，而第二晶體管332之柵極連接至讀出選擇線RWL_n，第二晶體管332之第二源/漏極也連接至有機存儲單元310。此實施例中的第一及第二晶體管322，332都是使用N型晶體管，但并非限定本發(fā)明，也可以使用各種金屬氧化物半導體(MOS)晶體管等，當然，也可使用其它如P型晶體管，或是一個使用P型晶體管一個使用N型晶體管。較佳地，本實施例之有機存儲器的位單元中之第一晶體管322的尺寸大于第二晶體管332的尺寸。當寫入選擇線WWL_n上之信號致動時，第一晶體管322將有機存儲單元連接至數(shù)據(jù)線BL_m，以寫入位信息至有機存儲單元310，因為第一晶體管322的尺寸較大，所以寫入時可以通過較大的電流，以減少改變有機存儲單元310之狀態(tài)所需的時間；當讀出選擇線RWL_n上之信號致動時，第二晶體管332將有機存儲單元310連接至數(shù)據(jù)線，以根據(jù)流經(jīng)有機存儲單元310之傳導電流，來感測有機存儲單元310之位信息，又因為第二晶體管332的尺寸較小，所以第二晶體管332的寄生電容同樣較小，而減少了柵極負載，增快讀取處理的時間。請同時參照圖2與圖3，當讀出選擇線RWL_n上之信號致動時，位單元列B(n)內(nèi)之第二開關元件330會將位單元列B(n)內(nèi)之有機存儲單元310連接至各自的數(shù)據(jù)線上，而這些數(shù)字感測電路220_1，220_2，...，220_j通過各自連接的數(shù)據(jù)線BL_1，BL_2，...，BL_j，來感測并讀出位單元列B(n)內(nèi)之有機存儲單元310所存儲的位信息。圖4為本發(fā)明另一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖，請參照圖4。圖中表示出有機存儲器之位單元M(m，n)，此位單元M(m，n)連接至數(shù)據(jù)線BL_m、寫入選擇線WWL_n、以及讀出選擇線RWL_n，此位單元M(m，n)包括有機存儲單元310、第一開關元件320、電流鏡440、以及第二開關元件330。圖4中的有機存儲單元310、第一開關元件320、第一晶體管322、以及第二開關元件330都與圖3中的相同，故不再贅述。而不一樣地，此實施例中的第二開關元件330是以P型晶體管做為第二晶體管432，且介于第二開關元件330與數(shù)據(jù)線BL_m之間還裝置有電流鏡440，此電流鏡440具有第一端446及第二端448，電流鏡440之第一端446連接至第二開關元件330之第一端334，電流鏡440之第二端448連接至數(shù)據(jù)線BL_m。換句話說，第二晶體管432之第一源/漏極連接至電流鏡440之第一端446，第二晶體管432之柵極連接至讀出選擇線RWL_n，第二晶體管432之第二源/漏極連接至有機存儲單元310。電流鏡440之主要作用在于將讀取時流經(jīng)有機存儲單元310的傳導電流放大，使流經(jīng)數(shù)據(jù)線BL_m的讀取電流為傳導電流的N倍，以增加讀取信號強度及與鄰近位單元互相干擾的抵抗能力，因此，流經(jīng)第二端448之電流為流經(jīng)第一端446之電流的N倍，且N大于等于1。請繼續(xù)參照圖4，電流鏡440包括第三晶體管442以及第四晶體管444，第三晶體管442之第一源/漏極連接至電源，第三晶體管442之柵極連接至第三晶體管442之第二源/漏極，且第三晶體管442之第二源/漏極連接至電流鏡440之第一端446，而第四晶體管444之第一源/漏極也連接至電源，第四晶體管444之柵極連接至第三晶體管442之柵極，第四晶體管444之第二源/漏極連接至電流鏡440之第二端448。因為第三晶體管442以及第四晶體管444之布局尺寸與設計等因素，使得流經(jīng)第四晶體管444之第二源/漏極的電流為流經(jīng)第三晶體管442之第二源/漏極的電流的N倍。當讀出選擇線RWL_n上之信號致動時，第二晶體管432將有機存儲單元310連接至電流鏡440之第一端446，則可從數(shù)據(jù)線BL_m上讀取電流的大小來感測有機存儲單元310之位信息。圖5為圖3之有機存儲器之位單元的運行時序圖，請參照圖5。標記510，520，530分別表示寫入1、寫入0、及讀取三種時序狀態(tài)。本實施例中，當要寫入1時，于數(shù)據(jù)線BL_m上提供高電位，例如是12V，并致動寫入選擇線WWL_n上的信號，例如提供12V的高電位，且不致動讀出選擇線RWL_n上的信號，使得有機存儲單元上OM節(jié)點的電壓超過轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥杩範顟B(tài)的電壓，例如是5V；當要寫入0時，于數(shù)據(jù)線BL_m上提供負電位，例如是-5V，并致動寫入選擇線WWL_n上的信號，例如提供12V的高電位，且不致動讀出選擇線RWL_n上的信號，使得有機存儲單元上OM節(jié)點的電壓低過轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦杩範顟B(tài)的電壓，例如是-5V；當要讀取時，于數(shù)據(jù)線BL_m上提供高電位，例如是12V，并致動讀出選擇線RWL_n上的信號，例如提供8V的高電位，且不致動寫入選擇線WWL_n上的信號，使得有機存儲單元上OM節(jié)點的電壓保持在一個中間電位，例如是1V，以判斷流經(jīng)有機存儲單元的傳導電流之大小。圖6為本發(fā)明再一實施例之一種有機存儲器之位單元的電路圖，請參照圖6。圖中除了電流鏡440內(nèi)的電路外，其余被表示出的各構(gòu)件都與圖4中的相同，故不再贅述。此電流鏡440同樣具有第一端446及第二端448，且流經(jīng)第二端448之電流為流經(jīng)第一端446之電流的N倍，N大于等于1。不同于圖4中的電流鏡，此電流鏡440為Wilsoncurrentmirror結(jié)構(gòu)形式，由3個晶體管612，614，616組成，其優(yōu)點為此結(jié)構(gòu)可增加輸出阻抗，不會因為晶體管的源極與漏極間電壓變動，而使得輸出之復制電流不準確。值的注意的是，由于有機材料并不會隨著偏壓電壓消失，而改變其所處的狀態(tài)，故本發(fā)明所提供之有機存儲器之位單元可以用來組合成非易失存儲器。從另一種觀點來看，本發(fā)明所提出之位單元的電路結(jié)構(gòu)并不限定于僅使用于有機存儲器，其它如相變存儲器(簡稱PCM)或磁性隨機存取存儲器(簡稱MRAM)都應可利用上述中相同的電路結(jié)構(gòu)，僅需把有機存儲單元換成相對應不同種類的存儲單元即可。綜上所述，本發(fā)明所提出了之有機存儲器之位單元，至少包括了寫入時致動的第一晶體管及讀出時致動的第二晶體管，且第一晶體管的尺寸可以大于第二晶體管的尺寸，因此，可以同時兼顧寫入時有較大的傳導電流而讀出時有較快的處理時間。另外，還可包括電流鏡，來放大讀取時的傳導電流，增加與鄰近位單元互相干擾的抵抗能力，進而組成一種可量產(chǎn)且實用可行的存儲器元件。雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
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的技術人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與改進，因此本發(fā)明之保護范圍當視權利要求所界定者為準。權利要求1.一種有機存儲器之位單元，其特征是連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，該位單元包括有機存儲單元，用以存儲至少一位信息；第一晶體管，該第一晶體管之第一源/漏極連接至該數(shù)據(jù)線，該第一晶體管之柵極連接至該寫入選擇線，該第一晶體管之第二源/漏極連接至該有機存儲單元；以及第二晶體管，該第二晶體管之第一源/漏極連接至該數(shù)據(jù)線，該第二晶體管之柵極連接至該讀出選擇線，該第二晶體管之第二源/漏極連接至該有機存儲單元。2.根據(jù)權利要求1所述之有機存儲器之位單元，其特征是該第一晶體管的尺寸大于該第二晶體管的尺寸。3.根據(jù)權利要求1所述之有機存儲器之位單元，其特征是，當該寫入選擇線之信號致動時，該第一晶體管將該有機存儲單元連接至該數(shù)據(jù)線，以寫入該位信息至該有機存儲單元，當該讀出選擇線之信號致動時，該第二晶體管將該有機存儲單元連接至該數(shù)據(jù)線，以感測該有機存儲單元之該位信息。4.根據(jù)權利要求3所述之有機存儲器之位單元，其特征是感測該有機存儲單元之該位信息根據(jù)流經(jīng)該有機存儲單元之傳導電流來決定。5.根據(jù)權利要求1所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲單元包括兩個電極以及設置于兩個電極之間的有機材料混合層。6.根據(jù)權利要求1所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲器為非易失存儲器。7.一種有機存儲器之位單元，其特征是連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，該位單元包括有機存儲單元，用以存儲至少一位信息；第一晶體管，該第一晶體管之第一源/漏極連接至該數(shù)據(jù)線，該第一晶體管之柵極連接至該寫入選擇線，該第一晶體管之第二源/漏極連接至該有機存儲單元；電流鏡，具有第一端及第二端，該第二端連接至該數(shù)據(jù)線，且流經(jīng)該第二端之電流為流經(jīng)該第一端之電流的N倍，N大于等于1；以及第二晶體管，該第二晶體管之第一源/漏極連接至該電流鏡之該第一端，該第二晶體管之柵極連接至該讀出選擇線，該第二晶體管之第二源/漏極連接至該有機存儲單元。8.根據(jù)權利要求7所述之有機存儲器之位單元，其特征是該第一晶體管的尺寸大于該第二晶體管的尺寸。9.根據(jù)權利要求7所述之有機存儲器之位單元，其特征是該電流鏡包括第三晶體管，該第三晶體管之第一源/漏極連接至電源，該第三晶體管之柵極連接至該第三晶體管之第二源/漏極，該第三晶體管之第二源/漏極連接至該電流鏡之該第一端；以及第四晶體管，該第四晶體管之第一源/漏極連接至該電源，該第四晶體管之柵極連接至該第三晶體管之柵極，該第四晶體管之第二源/漏極連接至該電流鏡之該第二端。10.根據(jù)權利要求7所述之有機存儲器之位單元，其特征是，當該寫入選擇線之信號致動時，該第一晶體管將該有機存儲單元連接至該數(shù)據(jù)線，以寫入該位信息至該有機存儲單元，當該讀出選擇線之信號致動時，該第二晶體管將該有機存儲單元連接至該電流鏡之該第一端，則可從該數(shù)據(jù)線上電流的大小來感測該有機存儲單元之該位信息。11.根據(jù)權利要求7所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲單元包括兩個電極以及設置于兩個電極之間的有機材料混合層。12.根據(jù)權利要求7所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲器為非易失存儲器。13.一種有機存儲器之位單元，其特征是連接至數(shù)據(jù)線、寫入選擇線、以及讀出選擇線，包括有機存儲單元，用以存儲至少一位信息；第一開關元件，具有第一端、第二端及控制端，該第一開關元件之第一端連接至該數(shù)據(jù)線，該第一開關元件之控制端連接至該寫入選擇線，該第一開關元件之第二端連接至該有機存儲單元；以及第二開關元件，具有第一端、第二端及控制端，該第二開關元件之第一端連接至該數(shù)據(jù)線，該第二開關元件之控制端連接至該讀出選擇線，該第二開關元件之第二端連接至該有機存儲單元，其中，當該寫入選擇線之信號致動時，該第一開關元件將該有機存儲單元連接至該數(shù)據(jù)線，以寫入該位信息至該有機存儲單元，當該讀出選擇線之信號致動時，該第二開關元件將該有機存儲單元連接至該數(shù)據(jù)線，以感測該有機存儲單元之該位信息。14.根據(jù)權利要求13所述之有機存儲器之位單元，其特征是感測該有機存儲單元之該位信息根據(jù)流經(jīng)該有機存儲單元之傳導電流來決定。15.根據(jù)權利要求13所述之有機存儲器之位單元，其特征是還包括介于該第二開關元件與該數(shù)據(jù)線之間的電流鏡，其具有第一端及第二端，該第一端連接至該第二開關元件之第一端，該第二端連接至該數(shù)據(jù)線，且流經(jīng)該第二端之電流為流經(jīng)該第一端之電流的N倍，N大于等于1。16.根據(jù)權利要求13所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲單元包括兩個電極以及設置于兩個電極之間的有機材料混合層。17.根據(jù)權利要求13所述之有機存儲器之位單元，其特征是該有機存儲器為非易失存儲器。全文摘要本發(fā)明提供一種有機存儲器之位單元，其包括有機存儲單元、第一晶體管、電流鏡、以及第二晶體管。寫入時第一晶體管致動而讀出時第二晶體管致動，以導通數(shù)據(jù)線與有機存儲單元，且第一晶體管的尺寸大于第二晶體管的尺寸，因此，可以同時兼顧寫入時有較大的傳導電流而讀出時有較快的處理時間。另外，電流鏡放大讀取時的傳導電流，增加與鄰近位單元互相干擾的抵抗能力。文檔編號G11C7/00GK1996495SQ20051013590公開日2007年7月11日申請日期2005年12月31日優(yōu)先權日2005年12月31日發(fā)明者張維仁,許世玄,林展瑞申請人:財團法人工業(yè)技術研究院