專利名稱：薄膜磁頭、其制造方法和帶使用薄膜磁頭的滑動(dòng)器的磁盤裝置的制作方法
發(fā)明的背景本發(fā)明涉及薄膜磁頭、其制造方法和具有使用薄膜磁頭的滑動(dòng)器的磁盤裝置，尤其涉及使用磁阻薄膜的薄膜磁頭，例如，磁阻(MR)型，大磁阻(GMR)型，隧道連接磁阻(TMP)型和平面垂直電流(CCP)型，以及其制造方法和具有使用薄膜磁頭的滑動(dòng)器的磁盤裝置。
現(xiàn)有技術(shù)在磁性記錄領(lǐng)域，對更高密度的需求在增長，并且進(jìn)行了大量開發(fā)以滿足這種需求。達(dá)到了更高的密度后，研究并開發(fā)了幾種類型的硬盤磁頭，如一種薄膜磁頭，其中軟磁薄膜被用作磁極，一種MR磁頭，其中通過感應(yīng)式磁頭實(shí)現(xiàn)記錄并且利用磁阻效應(yīng)實(shí)現(xiàn)還原(reproduction)。
MR磁頭是利用帶磁性材料的讀出傳感器部分的阻抗的變化讀取外部磁信號的裝置。就MR磁頭來說，還原輸出取決于記錄媒介的磁信號但不取決于記錄媒介的相關(guān)速率。因此，即使是高線性存儲密度的磁性記錄的情況依然可以得到更高的輸出。在MR磁頭的情況下，磁阻薄膜(MR薄膜)通常夾在一對磁屏蔽薄膜中間，它被稱作屏蔽型MR磁頭，這是為了提高分辨率并且得到極佳的射頻特性。在這種情況下，MR磁頭僅僅是一個(gè)還原磁頭，因此使用MR感應(yīng)式組合磁頭，其中用于記錄的感應(yīng)式磁頭部分和MR磁頭部分被整合在一起。
通常，對于薄膜磁頭，CSS(接觸起止)型在薄膜磁頭利用空氣的支撐效應(yīng)懸浮于記錄媒介上的情況中被采用。磁頭通常在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤上方保持一個(gè)微小的距離(約0.2-2.0μm)。因此，表面強(qiáng)度和耐磨性是十分重要的，它們規(guī)定了對磁頭碰撞和CSS磨損的容限。為了提高耐磨性進(jìn)行了多種研究，例如揭示于日本特許公開4-276,367的一種，在其中在磁頭滑動(dòng)器的軌道上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜包括硅樹脂粘合劑層和含氫的無定形碳薄膜，它的總厚度小于或等于250。但是，由于在粘合劑層中使用了硅，薄膜具有很差的強(qiáng)度。此外，當(dāng)這樣的硅粘合劑層被用于磁性薄膜磁頭結(jié)構(gòu)中，薄膜磁頭和保護(hù)膜之間的粘合力或粘合性變得很弱，這導(dǎo)致膜剝落和耐磨性不足等問題，該結(jié)構(gòu)包括由氧化鋁和碳化鈦制成的燒結(jié)襯底、氧化鋁絕緣層、由軟磁材料(例如，透磁合金、鋁硅鐵粉、氮化鐵等等)等制成的薄膜。
日本專利2,571,957號揭示了包括無定形硅和無定形碳化硅的緩沖層形成于氧化物表面，并且隨后碳膜或主要含碳的膜進(jìn)一步形成于其上。但是，即使有緩沖層的保護(hù)膜被用于薄膜磁頭，仍不能達(dá)到足夠的耐久度。此外，不利的是除形成保護(hù)層的步驟之外還需要額外的步驟以形成緩沖層，這造成更長的制造周期和更高的制造成本。而且，緩沖層使膜更厚，這阻礙了用于硬盤的磁頭的諸如成本效率、大規(guī)模生產(chǎn)和更大存儲密度的需要。
在工業(yè)上常用的形成硅夾層的方法中，硅原子僅被濺射并且在硅原子間沒有形成化學(xué)鍵。所形成的層具有低硬度和低密度，這導(dǎo)致大量硅原子的形成。因此，當(dāng)保護(hù)膜被制作得更薄，就不能達(dá)到足夠的耐腐蝕性和耐磨性(CSS)。換句話說，當(dāng)薄的類金剛石碳膜通過濺射方法形成于硅緩沖層的表面，硅原子間沒有形成化學(xué)鍵，結(jié)果導(dǎo)致硅夾層的低密度和細(xì)粒物質(zhì)的形成，并且類金剛石碳膜僅僅覆蓋硅夾層。因此當(dāng)類金剛石碳膜變得更薄，濕氣等腐蝕性氣體很容易穿過硅夾層，隨后腐蝕層，并且類金剛石保護(hù)膜可能剝落。此外，產(chǎn)生另一個(gè)問題，即在薄膜磁頭側(cè)面的金屬被腐蝕并在硅中散開，這改變電阻值，并反過來使薄膜磁頭的特性退化。
另一方面，本發(fā)明者在日本特許公開10-289419和10-275308中提出一種用于薄膜磁頭的保護(hù)膜，它呈現(xiàn)薄膜磁頭的成分的強(qiáng)粘合力，極佳的耐腐蝕性和極佳的耐磨性。特別地，例如在日本特許公開10-275308中，提供了具有極佳耐久度的薄膜磁頭，它具有通式SiCXHYOZNW(任一X，Y，Z和W以原子比計(jì)，其中X＝3-26，Y＝0.5-13，Z＝0.5-6，W＝0-6)表示的保護(hù)膜。
本發(fā)明要解決的問題現(xiàn)今，廣泛使用大容量的記錄媒介，如超過80Gpsi容量的磁盤。在用如此大容量磁記錄的情況中，為了達(dá)到高存儲密度，必須減少磁頭和記錄媒介間的間距。但是，當(dāng)厚保護(hù)膜存在于磁頭上，由于厚度要提供更大的間距并且因此這樣的膜不適于更高密度的媒質(zhì)。
揭示于所述日本特許公開10-275308的保護(hù)膜具有大約70的厚度。當(dāng)厚度超過該值，則可以達(dá)到足夠的耐腐蝕性和耐磨性。另一方面，為了得到更高的密度，保護(hù)膜應(yīng)該盡可能的薄，以至于降低間距。但是，當(dāng)厚度小于該值，不能達(dá)到足夠的耐腐蝕性(原因被認(rèn)為是它包含了硅)并且使保護(hù)膜更薄是不合適的。
發(fā)明的概述本發(fā)明人瞄準(zhǔn)一個(gè)事實(shí)進(jìn)行了廣泛深入的研究，即就傳統(tǒng)磁阻型薄膜磁頭而言，單獨(dú)的一個(gè)類金剛石薄膜沒有足夠的耐久度(耐腐蝕性和耐磨性)，而應(yīng)當(dāng)有夾層。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，為了提高耐腐蝕性使用層厚大于等于70的相對厚層時(shí)增加了內(nèi)應(yīng)力，降低了粘合力，沒有夾層，如含硅夾層，就不能獲得具有高耐久度的保護(hù)層。如這里所示，還沒有人基于這樣的想法進(jìn)行過研究，即厚度低于70的單個(gè)類金剛石薄膜可以呈現(xiàn)高粘合性和耐用性。
基于該發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)呈現(xiàn)與傳統(tǒng)磁頭同樣水平的耐腐蝕性和耐磨性時(shí)，厚度小于等于40的類金剛石保護(hù)膜甚至提升了薄膜磁頭表面的粘合力。因此，在本發(fā)明中，夾層可以省去，可以獲得厚度小于等于40，甚至小于等于30的薄膜，從而減少生產(chǎn)步驟，并降低磁頭和媒介間的距離。
本發(fā)明提供磁阻型薄膜磁頭，其中具有以通式CHaObNcFdBePf(其中a＝0-0.7，b＝0-1，c＝0-1，d＝0-1，e＝0-1及f＝0-1)表示的組分作為保護(hù)膜的類金剛石薄膜至少形成于接觸記錄媒介的磁頭的表面。使用這種結(jié)構(gòu)，有可能得到小于等于40，或甚至小于等于30的總膜厚，這遠(yuǎn)薄于傳統(tǒng)的最小厚度70，而同時(shí)保持高耐腐蝕性和耐磨性。
在本發(fā)明中，由不定性類金剛石碳膜以預(yù)定組成比制成的單個(gè)保護(hù)膜至少形成于朝向媒介的薄膜磁頭表面，即，與媒介接觸的懸浮表面(floating surface)或滑動(dòng)器表面(slider surface)。保護(hù)膜可以通過應(yīng)用直流偏壓或自偏壓到薄膜磁頭，通過諸如等離子體化學(xué)氣相沉積(化學(xué)氣相沉積)法和電離氣相沉積氣相沉積法等氣相沉積法來形成。
由于如此形成的保護(hù)膜可以具有約40?；?0甚至更小的厚度，本發(fā)明的優(yōu)勢在于MR薄膜磁頭和媒介之間的距離可以減少，這適于高密度記錄。此外，甚至當(dāng)薄膜具有這樣小的厚度時(shí)，薄膜磁頭仍呈現(xiàn)幾乎與揭示于日本特許公開10-275308中保護(hù)膜厚度大于等于70同樣水平的耐腐蝕性和耐磨性。
在具有含硅夾層的傳統(tǒng)保護(hù)膜的情況中，由于上面所述的原因不能完全阻止諸如濕氣等腐蝕性氣體的侵透，因此，必須使保護(hù)膜更厚。另一方面，盡管比傳統(tǒng)的膜更薄，本發(fā)明的保護(hù)膜呈現(xiàn)出對要保護(hù)的表面具有極佳的粘合力。這可能是本發(fā)明的薄膜阻止腐蝕性氣體穿過并且耐腐蝕性的原因。
附圖的概述
圖1所示是本發(fā)明MR薄膜磁頭的橫截面圖。
圖2所示是安裝了采用本發(fā)明MR薄膜磁頭的磁頭裝置的磁盤裝置透視圖。
圖3所示是圖2的滑動(dòng)器部分放大透視圖。
本發(fā)明的較佳實(shí)施例用作保護(hù)膜的不定形類金剛石薄膜的成分由下式表示CHaObNcFdBePf其中C是必需的，而a＝0-0.7，b＝0-1，c＝0-1，d＝0-1，e＝0-1及f＝0-1，以原子比計(jì)。
通過等離子體化學(xué)氣相沉積法、電離氣相沉積法和ECR等離子體化學(xué)氣相沉積法等氣相沉積法形成的膜通常含a＝0.05-0.7的H，在這些方法中用烴作為原料。但是，通過由隨動(dòng)陰極法(FCVA)、濺射法等其中碳被用作標(biāo)靶的方法形成類金剛石薄膜，可以得到不含氫的層。
類金剛石碳(DLC)膜有時(shí)稱為“金剛石形碳膜”，“i-碳膜”等等。關(guān)于類金剛石碳膜，可以參考例如日本特許公開62-145646和62-145647，和New DiamondForum，Vol.4 No.4(出版于1988年10月25日)。正如上面所述文獻(xiàn)(New DiamondForum)所描述的，拉曼光譜分析表明DLC膜具有一個(gè)拉曼散射譜在1400-1700厘米-1的很寬的峰，它不同于具有在1333厘米-1的窄峰的金剛石和具有在1581厘米-1的窄峰的石墨，這反過來顯示DLC膜具有與石墨和金剛石不同的結(jié)構(gòu)。由于所包括的氫和碳之外的元素的變化，DLC膜的拉曼光譜分析譜中觀察到的寬峰會(huì)發(fā)生變化。DLC膜是不定形薄膜主要由碳原子和氫原子組成，其中碳原子隨機(jī)通過sp2和sp3鍵結(jié)合。
在本發(fā)明中，DLC膜的厚度通常為10-40，較佳的為15-30。當(dāng)膜增厚時(shí)，MR薄膜磁頭與記錄媒介的間距變大，因此，這樣的厚度對于用于高密度記錄的薄膜磁頭并非首選。
下面將解釋本發(fā)明的薄膜磁頭。圖1是本發(fā)明薄膜磁頭一個(gè)實(shí)施例的橫截面示意圖。圖中顯示的薄膜磁頭有由本發(fā)明的類金剛石薄膜制成的保護(hù)層1；保護(hù)層2；上磁極層3；縫隙4；下磁極層5；絕緣層6；上屏蔽層7；MR元件8；下屏蔽層9；基層10，襯底11；導(dǎo)電線圈12；和絕緣層13。圖中顯示的薄膜磁頭是所謂的MR感應(yīng)式組合磁頭，既具有用于還原的MR磁頭部分又有用于記錄的感應(yīng)式磁頭部分。用于記錄的感應(yīng)式磁頭部分包括上磁極層3、下磁極層5和縫隙4以及夾在其中的導(dǎo)電線圈12。MR磁頭部分包括上屏蔽層7、下屏蔽層9和絕緣層13以及夾在其中的MR元件8。在圖中，感應(yīng)式磁頭部分位于末端，MR磁頭部分位于前端。這種結(jié)構(gòu)是公知的，并可以參考例如日本特許公開10-275308。
通過層疊這些結(jié)構(gòu)形成薄膜磁頭單元，并且本發(fā)明的保護(hù)膜1至少形成于該單元的表面，在該表面上磁記錄媒介(磁盤)運(yùn)轉(zhuǎn)或媒介滑動(dòng)接觸該表面，換句話說，是朝向記錄媒介的表面(在圖中，位于圖的左側(cè)并垂直于紙平面的平面上)。
在圖1中，顯示了MR感應(yīng)式組合磁頭，應(yīng)該注意，也可以使用更靈敏的結(jié)構(gòu)，如GMR(大磁阻)結(jié)構(gòu)、TMR(隧道連接磁阻)結(jié)構(gòu)和CPP(平面垂直電流)結(jié)構(gòu)，而不是MR元件8。
圖2是磁盤裝置的全視圖。驅(qū)動(dòng)部分具有由它所支撐的多個(gè)磁頭裝置，每個(gè)磁頭裝置都有帶薄膜磁頭的滑動(dòng)器。圖3是具有薄膜磁頭的滑動(dòng)器的透視圖，該滑動(dòng)器在其末端(空氣流出端)有MR磁頭。
該實(shí)施例說明了一種磁盤裝置的類型，稱作CSS(接觸起止)作用型。如圖2所示，磁盤裝置具有多個(gè)磁記錄媒質(zhì)21和多個(gè)磁頭裝置22，每一個(gè)磁頭裝置都與對應(yīng)的磁記錄媒質(zhì)21相關(guān)聯(lián)。磁記錄媒質(zhì)21由固定于主體23的主軸電動(dòng)機(jī)24驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。磁頭裝置22可轉(zhuǎn)動(dòng)地固定于通過軸承26固定在主體23的固定軸25上。在此實(shí)施例中，多個(gè)磁頭裝置22通過同樣的軸承26被固定于固定軸25上，這種結(jié)構(gòu)使多個(gè)磁頭裝置22可以作為一個(gè)單元一起旋轉(zhuǎn)。磁頭裝置22在其頂端有磁頭滑動(dòng)器27。磁盤裝置在磁頭裝置22的另一端有驅(qū)動(dòng)部分28，用于將滑動(dòng)器27定位于磁記錄媒介21的磁軌上。驅(qū)動(dòng)部分28被用于以固定軸25為中心旋轉(zhuǎn)磁頭裝置22，用這種結(jié)構(gòu)，滑動(dòng)器27可以沿相對磁記錄媒介21的徑向移動(dòng)。
圖3是圖2滑動(dòng)器部分放大透視圖。例如，滑動(dòng)器27是由altic(AL2O3·TiC)制造的，具有總體上基本成六面體形狀的襯底100。在六個(gè)表面中，朝向磁記錄媒介21的表面是朝向記錄媒介表面或載氣表面(ABS)29。如圖3中所示，薄膜磁頭30形成于滑動(dòng)器27垂直于ABS29的一側(cè)。
參考圖2，下面對使用這種結(jié)構(gòu)的磁盤裝置的記錄-還原機(jī)制進(jìn)行解釋。在CSS(接觸起止)作用型的情況中，當(dāng)磁盤裝置不工作時(shí)，即當(dāng)主軸電動(dòng)機(jī)24不工作并且磁記錄媒介21不旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑動(dòng)器27的ABS29和磁記錄媒介21相互接觸。當(dāng)執(zhí)行記錄或還原操作時(shí)，磁記錄媒介22由主軸電動(dòng)機(jī)24以高速旋轉(zhuǎn)。這將產(chǎn)生氣流，并且隨后產(chǎn)生氣動(dòng)升力。利用該升力，滑動(dòng)器27從磁記錄媒介21被提起，與此同時(shí)，滑動(dòng)器通過驅(qū)動(dòng)部分28相對于磁記錄媒介21在水平方向上移動(dòng)。在運(yùn)動(dòng)過程中，通過形成于滑動(dòng)器27表面的薄膜磁頭30實(shí)施記錄或還原。
保護(hù)膜的制造類金剛石碳膜(在下文中，簡稱為“DLC膜”)可以通過例如等離子體化學(xué)氣相沉積法、電離氣相沉積法、隨動(dòng)陰極法和ECR等離子體化學(xué)氣相沉積法形成，此外，可以使用濺射法。
關(guān)于用于形成DLC膜的等離子體化學(xué)氣相沉積法，可以參考日本特許公開4-41672。等離子體化學(xué)氣相沉積法所用的等離子體可以是直流或交流，但最好是交流。交流可以在幾赫茲到微波的范圍。此外，可以使用描述于″Diamond thin-filmtechnique″(Technology Center出版)的ECR等離子體。而且，可以應(yīng)用偏壓。
當(dāng)使用等離子體化學(xué)氣相沉積法形成DLC膜，原料氣體優(yōu)選自下列化合物。
包括碳和氫的化合物實(shí)例包括烴，諸如甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、乙烯和丙烯。
包括C+H+O的化合物的實(shí)例包括CH3OH、C2H5OH、HCHO和CH3COCH3。
包括C+H+N的化合物的實(shí)例包括氰化銨、氫氰酸、甲胺、二甲胺、烯丙胺、苯胺、二乙胺、甲基氰、偶氮異丁烷、二烯丙基胺、乙胺、MMH、DMH、三烯丙基胺、三甲胺、三乙胺和三苯胺。
此外，上述化合物可以結(jié)合使用，或與氧源、ON源、氮源、氫源、氟源、硼源、磷源等等一起使用。
也可以使用O2，O3等等(作為O源)，CO，CO2等等(作為C+O源)，H2等等(如H的源)；H2O等等(如H+O的源)，N2(如N的源)，NH3等等(如N+H的源)，由NOX表示的N和O的化合物，如NO，NO2和N2O(如N+O的源)，(CN)2等等(如N+C的源)，NH4F等等(如N+H+F的源)，和O2+F2等等(如O+F的源)。
上述原料氣體的流速可以依照原料氣體的類型進(jìn)行選擇。通常，工作壓強(qiáng)為1-70Pa、輸入功率為10W-5kW是較佳的。
本發(fā)明中，電離氣相沉積法也可以用于形成DLC膜。關(guān)于電離氣相沉積法，可以參考日本特許公開59-174508。應(yīng)該注意，方法和裝置不限于所揭示的，如果能夠加速保護(hù)膜的原料電離氣體，其它類型的電離氣相沉積技術(shù)也可以應(yīng)用。在這種情況下，作為較佳裝置的一個(gè)實(shí)例，可以使用日本特許公開59-174508中描述的直線離子型或偏轉(zhuǎn)離子型裝置。
在電離氣相沉積法中，保持真空容器內(nèi)部低于10-4Pa左右的高真空。該真空容器安裝有燈絲，當(dāng)通過交流電源加熱時(shí)，它產(chǎn)生熱電子。該燈絲位于電極對之間，施加電壓Vd。此外，產(chǎn)生用于俘獲離子氣體的磁場的電磁線圈的設(shè)置使之包圍燈絲和電極對。原料氣體和來自燈絲的熱電子碰撞，并產(chǎn)生帶正電荷的熱解離子和電子。該正離子通過施加于網(wǎng)格的負(fù)電勢Va加速。通過調(diào)節(jié)Vd、Va和線圈的磁場，可以改變膜的成分和性質(zhì)。此外，可以應(yīng)用偏壓。
當(dāng)通過電離氣相沉積法形成DLC膜，可以使用如同等離子體化學(xué)氣相沉積方法的同樣的原料氣體。原料氣體的流速可以依照氣體的類型選擇。通常，工作壓強(qiáng)優(yōu)選為1-70Pa。
也可以通過濺射法形成DLC膜。在這種情況下，除了氬(Ar)和氪(Kr)等濺射氣體，可以引入O2，N2，NH3，CH4和H2等氣體作為反應(yīng)氣體。此外，C可以被用作靶，或包括C、N、O等混合靶或可以使用兩個(gè)以上靶。聚合物可以被用作靶。因?yàn)槭褂昧诉@種靶，可以施加射頻電源、交流電源或直流電源，濺射標(biāo)靶；濺射積聚于襯底上，由此形成DLC膜。射頻濺射功率通常為50W-2kW。通常，工作壓強(qiáng)優(yōu)選為10-3-0.1Pa。
這類靶的使用，施加射頻電源，由此濺射靶，濺射積聚于薄膜磁頭的預(yù)定表面，由此形成保護(hù)膜。這種情況下，負(fù)偏壓被施加到襯底或薄膜磁頭。該偏壓優(yōu)選為直流。而且，可以應(yīng)用自偏壓代替偏壓。偏壓優(yōu)選在-10到-2000V之間，-50到-1000V之間更佳。射頻濺射功率通常為50W-2kW。通常，工作壓強(qiáng)優(yōu)選為0.0013-0.13Pa。
在類金剛石保護(hù)膜形成之前，要求對薄膜磁頭的預(yù)定表面使用Ar和Kr等氣體進(jìn)行氣相蝕刻以清潔表面。由于上述蝕刻，在薄膜磁頭的表面形成良好的粗糙度，起到固定作用，可以獲得更好的粘合力。例如，在所述電離氣相沉積法中，Ar氣體的引入先于用于沉積的氣體，并且隨后對薄膜磁頭的預(yù)定表面實(shí)施蝕刻。
實(shí)施例保護(hù)膜的形成DLC的形成在用于記錄媒介的薄膜磁頭的接觸面(實(shí)例1-3用Ar蝕刻；實(shí)例4無蝕刻)，在以下條件下，通過自偏壓RF等離子體化學(xué)氣相沉積方法形成DLC1膜和DLC2膜。DLC1原料氣體C2H4(0.017Pa·m3·s-1)電源RF工作壓強(qiáng)66.5Pa輸入功率500W膜形成速率100nm/min膜成分CH0.21膜厚25DLC2原料氣體C2H4和N2(0.085Pa·m3·s-1)電源RF工作壓強(qiáng)66.5Pa輸入功率500W膜形成速率100nm/min膜成分CH0.2100.03N0.08膜厚15結(jié)果如表1所示。
比較例保護(hù)膜的形成比較例1-2為了比較，Si濺射在薄膜磁頭運(yùn)行面上的下層進(jìn)行，直到15-25的厚度。
在該層上，所述DLC1或DLC2結(jié)合形成，厚度如表1所示。
比較例3-5Si(CH3)4和C2H4作為包含Si、C和H的化合物的已知原料氣體被引入，流速分別為8SCCM和20SCCM。500W的RF被用作產(chǎn)生等離子體的交流電，并且6.66Pa的工作壓強(qiáng)和-400V的自偏壓被施加于MR薄膜磁頭的運(yùn)行面上，由此在比較例3、4和5中分別形成30、50和70的膜。
結(jié)果顯示于表1。顯示于CSS欄的值是在起止動(dòng)作重復(fù)100*104次之后有讀取故障(每1000)的故障率的平均數(shù)，由100次測試計(jì)算出該平均數(shù)。
使用加速測試得到耐腐蝕性，并且在欄中的值是在將樣品浸入加熱到80℃的純水中48小時(shí)后有讀取故障(每1000)的故障率的平均數(shù)，由100次測試計(jì)算出該平均數(shù)。
表1
本發(fā)明的效果表1結(jié)果顯示，在其中通過濺射Si形成下層的比較例1和2的情況下，DLC薄膜沒有足夠的耐久性和耐腐蝕性，盡管達(dá)到25的厚度。這樣的原因被認(rèn)為是，如上面所解釋的，當(dāng)Si被濺射，很容易形成細(xì)粒物質(zhì)。當(dāng)厚度為50，單獨(dú)的SiCxHyOzNw層沒有足夠的耐腐蝕性，如同在參考中描述的，需要70的厚度。當(dāng)厚度為30，耐久度和耐腐蝕性明顯地降低。
另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施例中，單獨(dú)的DLC膜展示足夠的耐久性和耐腐蝕性。甚至當(dāng)厚度為40?；蚋?，甚至小于等于30，膜仍可以被用作MR磁頭的保護(hù)膜。由于磁頭和媒介的間距明顯地減少，這種膜適合用于具有高壓縮密度的記錄媒介。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，它具有含磁阻元件的MR磁頭部分其特征在于，至少在朝向記錄媒介的所述MR磁頭部分的表面上形成有其組成由以下通式表示的保護(hù)膜CHaObNcFdBePf其中a＝0-0.7，b＝0-1，c＝0-1，d＝0-1，e＝0-1及f＝0-1，以原子比計(jì)，并且厚度等于或小于40。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述保護(hù)膜的厚度為10-30。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁頭，其特征在于，a＝0.05-0.7。
4.一種制造薄膜磁頭的方法，其特征在于，至少在朝向記錄媒介的所述薄膜磁頭的表面上進(jìn)行氣相沉積直到形成厚度小于等于40的膜，這是通過調(diào)整使用的原料氣體以形成具有以下通式表示的組成的類金剛石保護(hù)膜來進(jìn)行的CHaObNcFdBePf其中a＝0-0.7，b＝0-1，c＝0-1，d＝0-1，e＝0-1及f＝0-1。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在薄膜磁頭上形成類金剛石保護(hù)膜之前，進(jìn)行氣相蝕刻。
6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，通過應(yīng)用負(fù)偏壓于薄膜磁頭實(shí)施氣相沉積。
7.如權(quán)利要求4到6中的任意一個(gè)所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)膜的厚度為10-30。
8.如權(quán)利要求4到7中的任意一個(gè)所述的方法，其特征在于，其中a＝0.05-0.7。
9.一種磁盤裝置，具有至少一個(gè)滑動(dòng)器安裝有如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭。
全文摘要
通過提供具有小于等于40的厚度的保護(hù)膜提供抗耐腐蝕性高、用于大容量記錄媒介的磁阻薄膜磁頭。由于磁頭和媒介之間的間距明顯降低，薄膜適于具有高存儲密度的記錄媒介。提供了磁阻型薄膜磁頭，其中由具有如下通式表示的成分的類金剛石薄膜并且厚度小于等于40的保護(hù)膜CHaObNcFdBePf(其中a＝0－0.7，b＝0－1，c＝0－1，d＝0－1，e＝0－1及f＝0－1，以原子比計(jì))，至少形成于接觸記錄媒介的磁頭表面。還提供了其制造的方法，和使用薄膜磁頭的磁頭裝置。
文檔編號G11B5/10GK1490789SQ03145858
公開日2004年4月21日 申請日期2003年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月11日
發(fā)明者中山正俊 申請人:Tdk股份有限公司