用于euv掩模的薄膜及其制造方法
【專利說明】
[0001] 優(yōu)先權數(shù)據(jù)
[0002] 本申請要求于2014年11月26日提交的標題為"Pellicle for EUV Mask and F油rication化ereof"的臨時專利申請第62/084, 729號的優(yōu)先權，其全部內容通過引用結 合于此作為參考。
技術領域
[0003] 本發(fā)明實施例設及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
【背景技術】
[0004] 半導體集成電路（1C)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)式發(fā)展。1C材料和設計中的技術進步已經(jīng) 產(chǎn)生了數(shù)代的1C，其中每代1C都具有比上一代1C更小和更復雜的電路。在1C發(fā)展過程 中，部件密度（即，每一忍塊面積上互連器件的數(shù)量）通常已經(jīng)增加而幾何尺寸（即，使用 制造工藝可W制造的最小的組件（或線））卻已減小。通常運種按比例縮小工藝通過提高 生產(chǎn)效率和降低相關成本而帶來益處。運種按比例縮小已經(jīng)增加了處理和制造1C的復雜 度。為了實現(xiàn)運些進步，需要1C處理和制造中的類似發(fā)展。例如，對實施更高分辨率光刻 工藝的需要增長了。一種光刻技術是極紫外光刻巧UVL)。其他技術包括X-射線光刻、離子 束投影光刻、電子束投影光刻和多個電子束無掩模光刻。
[0005] EUVL采用使用極紫外巧UV)區(qū)中的光的掃描儀，極紫外巧UV)區(qū)中的波長為約 1-lOOnm。一些EUV掃描儀提供4X縮小投影印刷，類似于一些光學掃描儀，除了 EUV掃描儀 使用反射而不是折射光學器件，即，反射鏡代替透鏡。EUV掃描儀在形成于反射掩模上的吸 收層（"EUV"掩模吸收件）上提供期望的圖案。目前，在用于制造集成電路的EUVL中采用 二元強度掩模度IM)。除了 EWL采用EUV區(qū)中的光（即，在13.5nm處）之外，EWL非常類 似于光學光刻，類似之處在于其需要掩模W印刷晶圓。在13. 5nm左右的波長處，所有材料 都高度吸收。因此，使用反射光學器件而不是折射光學器件。多層（ML)結構作為EUV空白 掩模。
[0006] 然而，常規(guī)的EVU掩模及其制造仍具有缺陷。例如，EVU掩模具有吸收層。傳統(tǒng)的 EUV掩模吸收層可W導致較大的投影移位（aerial image shifts),運是不期望的。作為另 一個實例，EUV掩模通常需要薄膜，其可W用作保護罩W保護EUV掩模免受損壞和/或污染 粒子的影響。然而，根據(jù)特定的傳統(tǒng)制造工藝的薄膜的制造可能導致薄膜變得扭曲、損壞或 W其他方式受到破壞，從而使得薄膜不可用。
[0007] 因此，雖然抓V光刻系統(tǒng)和工藝通常已經(jīng)滿足它們的預期目的，但是它們沒有在 所有方面都盡如人意。需要一種EUV光刻方法系統(tǒng)W解決上述問題。

【發(fā)明內容】

[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種方法，包括：從背側研磨晶圓；將所述晶圓 插入到通過框架保持架限定的開口內，其中，通過臨時層將所述框架保持架附接至載體，其 中，實施所述插入從而使得所述晶圓的正側附接至所述臨時層；之后，從背側蝕刻所述晶圓 直到所述晶圓達到預定厚度；W及之后，將其中的所述框架保持架和所述晶圓從所述臨時 層和所述載體分離。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，還提供了一種方法，包括：從背側研磨晶圓的部分； 之后，將所述晶圓的部分插入到通過框架保持架限定的開口內，其中，通過臨時接合層將所 述框架保持架附接至載體，并且其中，將所述晶圓的部分的正側接合至所述臨時接合層；之 后，從所述背側蝕刻所述晶圓的部分，直到所述晶圓的部分達到介于約10納米至約100納 米的范圍內的預定厚度；W及之后，實施加熱工藝或者紫外固化工藝W將所述臨時接合層 與所述晶圓的部分分離，從而形成具有所述晶圓的分離部分的薄膜。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，還提供了一種方法，包括：提供晶圓，所述晶圓含有 襯底、設置在襯底上方的絕緣層和設置在所述絕緣層上方的外延層；將所述晶圓切割成多 個塊，其中，至少一個所述塊的橫向幾何結構與通過框架保持架限定的開口的橫向幾何結 構匹配W用于極紫外巧UV)光刻掩模；從背側研磨所述晶圓的至少一個所述塊；之后，將 研磨的所述晶圓的塊插入到通過所述框架保持架限定的所述開口內，其中，所述框架保持 架通過粘合層附接至載體，并且其中，實施所述插入，從而使得研磨的所述晶圓的塊的正側 附接至所述粘合層；之后，從背側蝕刻研磨的所述晶圓的塊，直到所述晶圓的塊達到預定厚 度；W及之后，實施加熱工藝或紫外固化工藝W將蝕刻的所述晶圓的塊與所述粘合層分離， 其中，蝕刻的所述晶圓的塊用作所述EUV掩模的薄膜。
【附圖說明】
[0011] 當結合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可W更好地理解本發(fā)明的方面。應 該強調的是，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討 論，各種部件的尺寸可W被任意地增大或減小。
[0012] 圖1是根據(jù)一些實施例構建的光刻系統(tǒng)的示意圖。
[001引圖2是根據(jù)一些實施例構建的抓V掩模的剖視圖。
[0014] 圖3至圖4是示出不同EUV掩模的投影移位的圖。
[0015] 圖5是根據(jù)一些實施例的制造抓V掩模的方法的流程圖。
[0016] 圖6是根據(jù)一些實施例的晶圓的簡化的頂視圖。
[0017] 圖7至圖14是根據(jù)一些實施例的示出EUV掩模薄膜的制造的各個器件的簡化的 截面?zhèn)纫晥D。
[0018] 圖15是根據(jù)一些實施例的形成EUV掩模薄膜的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0019] W下公開內容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或實例。W下 將描述組件和布置的具體實例W簡化本發(fā)明。當然，運些僅僅是實例并且不旨在限制。例 如，在W下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可W包括第一部件和第二部件直接 接觸的實施例，也可W包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第 二部件不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可W在各個實例中重復參考標號和字符。運種 重復是為了簡化和清楚的目的，并且其本身并不表示所論述多個實施例和/或配置之間的 關系。
[0020] 而且，為便于描述，在此可W使用諸如"在...之下"、"在...下方"、"下部"、 "在...之上"、"上部"等的空間相對術語，W描述如圖所示的一個元件或部件與另一（或另 一些）元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對位置術語旨在包括器件在使 用或操作中的不同方位。器件可其他方式定向（旋轉90度或在其他方位上），而本文 使用的空間相對描述符可W同樣地作相應的解釋。
[0021] 圖1是根據(jù)一些實施例構建的光刻系統(tǒng)10的示意圖。光刻系統(tǒng)10也可通常稱為 掃描儀，可操作掃描儀W利用相應的福射源和曝光模式實施光刻曝光工藝。在本實施例中， 光刻系統(tǒng)10是設計為通過EUV光曝光光刻膠層的極紫外巧UV)光刻系統(tǒng)。光刻膠層是對 EUV光敏感的材料。EUV光刻系統(tǒng)10采用福射源12產(chǎn)生W EUV光，諸如具有介于約Inm和 約lOOnm之間的范圍內的波長的EUV光。在一個特定的實例中，福射源12產(chǎn)生具有集中在 約13. 5皿的波長的EUV光。因此，福射源12也被稱為紫外福射源12。
[0022] 光刻系統(tǒng)10還采用了照明器14。在各個實施例中，該照明器14包括各種折射光 學組件，諸如單透鏡或具有多個透鏡的透鏡系統(tǒng)（波帶板）或者可選地反射光學器件（W 用于EUV光刻系統(tǒng)），諸如單反射鏡或具有多個反射鏡的反射鏡系統(tǒng)，W將光從福射源12導 向至掩模臺16,特別是導向至固定在掩模臺16上的掩模18。在本實施例中，其中，福射源 12產(chǎn)生EUV波長范圍內的光，照明器14采用反射光學器件。在一些實施例中，該照明器14 包括偶極照明組件。
[0023] 在一些實施例中，該照明器14是可操作的W配置反射鏡，從而向掩模18提供適當 的照明。在一個實例中，該照明器14的反射鏡是可切換的W將EUV光反射至不同的照明位 置。在一些實施例中，照明器14之前的工作臺可W額外地包括其他可切換的反射鏡，該其 他可切換的反射鏡是可控制的W利用照明器14的反射鏡將EUV光導向至不同的照明位置。 在一些實施例中，照明器14配置為向掩模18提供同軸照