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高阻低漏電流運(yùn)算放大器組件的制作方法

文檔序號(hào):111015閱讀:581來源:國知局
專利名稱:高阻低漏電流運(yùn)算放大器組件的制作方法
本發(fā)明屬于電子基本元件。
高阻低漏電流運(yùn)算放大器在弱信號(hào)測量中有極廣泛的用途。國內(nèi)用量亦較大。在目前已有產(chǎn)品中,其兩個(gè)關(guān)鍵性指標(biāo)-輸入阻抗和輸入漏電流-總徘徊在1011Ω和10-11A左右,影響了應(yīng)用范圍。如美國產(chǎn)的集成運(yùn)放8500A雖具有漏電流10-13A,但其指標(biāo)仍不夠。還存在難買和售價(jià)太高(100美元/只)的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有高性能、低成本的高阻低漏電運(yùn)算放大器組件。
附圖為本組件電原理圖。
電路中采用兩個(gè)3C02B為MOS型P溝道增強(qiáng)型高阻場效應(yīng)晶體管,其作用是作為源跟隨器使用。在基本電路中,跟隨器的頻率響應(yīng)等電特性往往是最完美的,因而它為后面配用的運(yùn)放器件帶來了很大的靈活性,使得本組件產(chǎn)品易于系列化。例如器件Ao為低漂移型,則該組件也為低漂移型;Ao為高增益型,則該組件亦為高增益型;Ao為高速型,則該組件亦為高速型。
圖中虛線部分為外接調(diào)零電位器,圖中電阻Rs(現(xiàn)為22K)的取值應(yīng)保證3cO2進(jìn)入工作區(qū)。采用兩個(gè)繼電器處于常閉狀態(tài),不通電時(shí)將柵源短路,達(dá)到保護(hù)3CO2B的目的。而在通電運(yùn)行時(shí),則處于常開狀態(tài),不影響其低漏電流和高阻的優(yōu)良特性。在通電運(yùn)行時(shí),由于電路中必然有各種電通路,故不會(huì)損壞組件。
由于3C02B本身漏電流在10-14~10-15A,考慮到用戶大都將電路設(shè)計(jì)在虛地狀態(tài)或同向輸入狀態(tài)運(yùn)行,故Rs選得較大,使工作中VGS值在3V左右,這樣,漏電流將減少一個(gè)數(shù)量級(jí),故實(shí)際組件的漏電流可達(dá)3×10-15~3×10-16A。
本組件由于加了保護(hù)措施,不易損壞??砂踩赜|摸、運(yùn)輸或用電烙鐵焊接,也不會(huì)因環(huán)境或人體的靜電感應(yīng)而損壞。
該組件管腳與其它同類產(chǎn)品兼容,可以方便地在整機(jī)中取代其它產(chǎn)品,使整機(jī)產(chǎn)品指標(biāo)得以較大的提高。
本組件全部采用國內(nèi)元器件研制。
該組件的缺點(diǎn)是由于采用了常閉小型繼電器作保護(hù),故功耗比其它產(chǎn)品稍大。
權(quán)利要求
一種高阻低漏電流運(yùn)算放大器組件,由場效應(yīng)管、繼電器、運(yùn)算放大器、電阻、電容等組成。其特征是1、采用兩個(gè)3C02BMOS型P溝道增強(qiáng)型高阻場效應(yīng)晶體管作為源跟隨器。
2.采用兩個(gè)繼電器,在不通電時(shí)處于常閉狀態(tài)將柵源短路,達(dá)到保護(hù)3C02B的作用;在通電運(yùn)行時(shí)處于常開狀態(tài),以保證其低漏電流和高阻的優(yōu)良特性。
專利摘要
本發(fā)明屬于電子基本元件。
文檔編號(hào)H03F1/56GK87102520SQ87102520
公開日1988年10月12日 申請(qǐng)日期1987年3月31日
發(fā)明者王仁道 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院近代物理研究所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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