蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及核電領(lǐng)域，尤其設(shè)計一種蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在核電站中，針對蒸汽發(fā)生器主給水接管內(nèi)圓角的檢測方法主要是采用常規(guī)超聲脈沖反射法，該方法是將探頭置于接管與蒸汽發(fā)生器的筒體外壁的過渡圓弧面上，然后采用特定角度的橫波進行檢測。由于接管與筒體內(nèi)壁的交貫面是一個三維立體形式的曲面，其缺陷的取向各有不同，某一取向的缺陷對于超聲波聲束方向較敏感，探頭位置稍有變化，則缺陷的回波幅度變化明顯，甚至信號消失，這樣導致現(xiàn)場檢測的覆蓋范圍較小，且缺陷的檢出率低。另外，由于蒸汽發(fā)生器主給水接管內(nèi)圓角結(jié)構(gòu)復雜，實施超聲脈沖反射法進行檢測時，結(jié)構(gòu)信號較多，缺陷信號難以識別，發(fā)現(xiàn)有信號顯示后，只能采用與1:1對比試塊上相同位置的人工脈沖反射體進行信號比對，從而對缺陷位置和當量大小進行判斷，其具有很大的局限性。因此，需要一種能夠提高蒸汽發(fā)生器主給水接管內(nèi)圓角缺陷檢出率的設(shè)備。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題在于提供一種檢測效果好，識別率高，進而有效提高蒸汽發(fā)生器主給水接管內(nèi)圓角缺陷檢出率的檢測設(shè)備，以克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測設(shè)備，包括周向檢測器和徑向檢測器，所述周向檢測器包括第一底座和線陣相控陣探頭，所述第一底座設(shè)有向下傾斜的第一斜面，所述第一斜面上設(shè)有按照線陣排列的多個晶片，所述線陣相控陣探頭安裝在第一斜面上并且線陣相控陣探頭的底面覆蓋在所述晶片上，所述第一底座的底面為向內(nèi)凹進的曲面；所述徑向檢測器包括第二底座和面陣相控陣探頭，所述第二底座設(shè)有向下傾斜的第二斜面，所述第二斜面上設(shè)有按照面陣排列的多個晶片，所述面陣相控陣探頭安裝在第二斜面上并且面陣相控陣探頭的底面覆蓋在所述晶片上，所述第二底座的底面為向內(nèi)凹進的曲面。
[0005]優(yōu)選地，所述線陣相控陣探頭設(shè)有兩個，兩個線陣相控陣探頭并列安裝在第一斜面上。
[0006]進一步地，所述第一斜面從上到下形成凸起，所述凸起將第一斜面分為左右兩個對稱的次斜面，所述兩個次斜面上分別設(shè)有按照線陣排列的多個晶片，兩個次斜面上分別安裝一個線陣相控陣探頭。
[0007]優(yōu)選地，所述第二斜面下端的一側(cè)向上翹起，所述翹起的高度低于第二斜面上端的高度。
[0008]優(yōu)選地，所述線陣相控陣探頭通過螺栓安裝在第一底座上。
[0009]優(yōu)選地，所述面陣相控陣探頭通過螺栓安裝在第二底座上。
[0010]如上所述，本實用新型蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測設(shè)備，具有以下有益效果:
[0011]本實用新型利用相控陣技術(shù)中的扇形掃查面，可改善由于缺陷取向復雜，信號識別率低、缺陷檢出率低的問題。
[0012]經(jīng)過試驗驗證，本實用新型能夠很好實現(xiàn)對核電站蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測工作，能夠有效檢測出接管內(nèi)圓角缺陷區(qū)域(ASME規(guī)范要求)的周向缺陷和徑向缺陷，且能發(fā)現(xiàn)的最小缺陷尺寸為長25mmX寬1.5mmX高4.2mm，因此具有很高的使用價值。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型中的周向檢測器。
[0014]圖2為圖1中周向檢測器上的第一底座不意圖。
[0015]圖3為本實用新型中的徑向檢測器。
[0016]圖4為圖3中徑向檢測器上的第二底座示意圖。
[0017]圖5為蒸汽發(fā)生器的筒體和接管的連接示意圖。
[0018]圖6為圖5中A處放大后放置周向檢測器的工作示意圖。
[0019]圖7為本實用新型中徑向檢測器的工作狀態(tài)示意圖。
[0020]圖中:1、周向檢測器11、第一底座
[0021]12、線陣相控陣探頭13、第一斜面
[0022]14、晶片15、曲面
[0023]16、凸起131、次斜面
[0024]132、次斜面2、徑向檢測器
[0025]21、第二底座22、面陣相控陣探頭
[0026]23、第二斜面24、晶片
[0027]25、曲面3、接管
[0028]31、接管中線32、缺陷區(qū)域
[0029]4、筒體51、第一掃查面
[0030]52、第二掃查面53、第三掃查面
【具體實施方式】
[0031]說明書附圖所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容所能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“前”、“后”、“中間”等用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0032]如圖1-圖4所示，本實用新型一種蒸汽發(fā)生器接管內(nèi)圓角檢測設(shè)備，包括周向檢測器1和徑向檢測器2，所述周向檢測器1包括第一底座11和線陣相控陣探頭12，所述第一底座11設(shè)有向下傾斜的第一斜面13，所述第一斜面13上設(shè)有按照線陣排列的多個晶片14，所述線陣相控陣探頭12安裝在第一斜面13上并且線陣相控陣探頭12的底面覆蓋在所述晶片14上，所述第一底座11的底面為向內(nèi)凹進的曲面15。所述徑向檢測器2包括第二底座21和面陣相控陣探頭22，所述第二底座21設(shè)有向下傾斜的第二斜面23，所述第二斜面23上設(shè)有按照面陣排列的多個晶片24，所述面陣相控陣探頭22安裝在第二斜面23上并且面陣相控陣探頭22的底面覆蓋在所述晶片24上，所述第二底座21的底面為向內(nèi)凹進的曲面25。在實際使用時，周向檢測器1和徑向檢測器2交替使用，使用時通過人工將周向檢測器1和徑向檢測器2繞著接管和蒸汽發(fā)生器筒體外壁的過渡圓弧面周向運動一圈。因為周向檢測器1和徑向檢測器2上均設(shè)有曲面15、25，所以在具體操作時，周向檢測器1和徑向檢測器2上的曲面15、25