專利名稱：摻鎵cz硅棒及配料中硼、磷的分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法。
背景技術(shù)：
目前在生產(chǎn)摻鎵CZ硅棒時(shí)，尤其在太陽(yáng)能領(lǐng)域，常出現(xiàn)配料過(guò)程中既存在含硼硅 料，又存在含磷硅料的情況，生產(chǎn)出硅棒后，如不進(jìn)行元素分析測(cè)試，就無(wú)法知道原料中的 硼磷含量，而做元素分析，成本一般在2000-3000元，周期約1周，這給對(duì)于硅材料的質(zhì)量鑒 定增加了成本，拖延了分析時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能快速分析出摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷含量的分 析方法。本方法的方案如下1、根據(jù)CZ硅棒測(cè)量的頭部和一定長(zhǎng)度上電阻率、極性，求出對(duì)應(yīng)的施主、受主濃 度；2、根據(jù)晶體生長(zhǎng)的分凝理論，得出摻一定量的鎵在晶體一定長(zhǎng)度上的溶質(zhì)濃度分 布；3、根據(jù)晶體補(bǔ)償原理，以及1、2中已知的信息，求出硅棒頭部和一定長(zhǎng)度上硼磷 混合后的濃度；4、根據(jù)1、2、3中已知信息，求解出硅棒各點(diǎn)的硼磷含量、電阻率以及配料中的硼 磷濃度；應(yīng)用本方法分析出的數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)單、快速、可靠，可以減少硅材料的質(zhì)量鑒定成本，提 高工藝水平。


圖1深色部分為可變數(shù)據(jù)。投料量為此爐晶體的配料重量，摻鎵重量為此爐吊肩 測(cè)電阻率后，投入鎵的重量等等。圖2為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計(jì)算出的硅棒各點(diǎn)的電阻率和極性情況。圖3為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計(jì)算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻硼和摻磷情況下的電阻率和 極性。圖4為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計(jì)算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻磷時(shí)的磷的等效電阻率。圖5為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計(jì)算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻硼時(shí)的硼的等效電阻率。
具體實(shí)施例方式本方法如下一、根據(jù)測(cè)量的硅棒的頭部和一定長(zhǎng)度上的極性和電阻率，然后根據(jù)GB/T13389-1992摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程中的公式計(jì)算出對(duì)應(yīng)的頭部和 一定長(zhǎng)度上等效摻雜劑濃度N頭總和NL總，如公式(1)和公式O)；計(jì)算P型摻雜劑濃度的公式
權(quán)利要求
1. 一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法，其特征由以下步驟組成一、根據(jù)測(cè)量的硅棒的頭部和一定長(zhǎng)度上的極性和電阻率，然后根據(jù)GB/T13389-1992 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程中的公式計(jì)算出對(duì)應(yīng)的頭部和一定長(zhǎng)度上 等效摻雜劑濃度N頭總和Nl總；二、根據(jù)晶體生長(zhǎng)理論，結(jié)合已知的一定量的鎵以及阿伏加德羅常數(shù)、硅棒生長(zhǎng)參數(shù)，得出關(guān)于晶棒投料量W、目標(biāo)長(zhǎng)度L、平均直徑D的濃度分凝公式
全文摘要
一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法。該方法首先計(jì)算出鎵在硅棒的頭部摻雜濃度和一定長(zhǎng)度上的摻雜濃度，以及只考慮硼磷時(shí)CZ硅棒的頭部摻雜濃度和一定長(zhǎng)度上的摻雜濃度，根據(jù)公式(5)、(6)，推導(dǎo)出此摻鎵CZ硅棒配料中的硼、磷含量，轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的電阻率，并用EXCEL制成表格。本發(fā)明是摻鎵太陽(yáng)能級(jí)CZ硅單晶中必不可少的質(zhì)量控制方法，通過(guò)本發(fā)明將使太陽(yáng)能硅片的生產(chǎn)處于可控狀況下，提高產(chǎn)品質(zhì)量和企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。
文檔編號(hào)G01N27/04GK102087239SQ200910155179
公開(kāi)日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2009年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月3日
發(fā)明者石堅(jiān) 申請(qǐng)人:王正園