往燒瓶中通氮?dú)馀趴諝饧s30min后;將燒瓶加 熱到120°C進(jìn)行Suzuki耦合反應(yīng)36h。降溫后停止聚合反應(yīng)，向燒瓶中滴加40ml甲醇中進(jìn)行 沉降；通過索氏提取器過濾之后依次用甲醇和正己烷抽提24h。然后以氯仿為溶劑抽提至無(wú) 色，收集氯仿溶液并旋干得到紅色粉末，得到聚{N-正丁烷基-3，7-二基-吩噻嗪-2，7-二基 咔唑- co-2,6-二基-吡啶}有機(jī)半導(dǎo)體材料，最后真空下50°C干燥24h。產(chǎn)率為82%。
[0075] 上述制備有機(jī)半導(dǎo)體材料P4的反應(yīng)式如下：
[0076]
[0077] 分子量測(cè)試結(jié)果為:Mo 1 ecu 1 ar we ight (GPC，THF，R · I): Mn=43 · 4kDa，Mw/Mn = 2 · 1 〇
[0078] 本實(shí)施例4制備的有機(jī)半導(dǎo)體材料P4的差示掃描量熱曲線，差示掃描量熱曲線測(cè) 試在Perkin Elmer DSC-7上進(jìn)行，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為126°C。
[0079] 實(shí)施例4中制備的有機(jī)半導(dǎo)體材料P4的紫外-可見吸收光譜圖，紫外-可見吸收光 譜在Jasco-570紫外分析儀上測(cè)量。由圖可以看出：本發(fā)明聚合物的在300nm~700nm之間有 較大較寬的吸收，其中最大吸收峰位于586nm，寬的吸收光譜表明P4是一種光伏材料。
[0080] 通過測(cè)試低溫磷光光譜，儀器為FS組合式熒光/磷光光譜儀，以考察有機(jī)半導(dǎo)體材 料P4三線態(tài)發(fā)射特性。在77K的液氮下，有機(jī)半導(dǎo)體材料P4表現(xiàn)出很強(qiáng)的磷光發(fā)射，發(fā)射峰 在438nm，相應(yīng)的三線態(tài)能量為2.82eV，大大高于磷光材料雙(4,6_二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥（III)FIrpic的三線態(tài)能量(2.65eV)，測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果表明我們的材料可作為藍(lán) 光磷光主體材料。
[0081 ] 實(shí)施例5:
[0082] 本實(shí)施例公開了結(jié)構(gòu)式如下的聚{N-正十二烷基-3，7_二基-吩噻嗪-c〇-2,6-二 基-吡啶}(有機(jī)半導(dǎo)體材料P5):
[0083]
[0084] 在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將N-正十二烷基-3，7_二頻哪醇硼酸酯吩噻嗪（186mg，0.3mmol)、 2，6-二溴-吡啶（7lmg，0 · 36mmo 1)、四三苯基膦鈀（8mg，0 · 006mmol)加入到盛有15mL甲苯加 入50mL的雙口燒瓶中，充分溶解后加入碳酸鉀(3mL，2mo 1/L)溶液。隨后往燒瓶中通氮?dú)馀?空氣約lOmin后;將燒瓶加熱到90°C進(jìn)行Suzuki親合反應(yīng)60h。降溫后停止聚合反應(yīng)，向燒瓶 中滴加40ml甲醇中進(jìn)行沉降;通過索氏提取器過濾之后依次用甲醇和正己烷抽提24h。然后 以氯仿為溶劑抽提至無(wú)色，收集氯仿溶液并旋干得到紅色粉末，得到聚{N-正十二烷基-3， 7-二基-吩噻嗪-c〇-2,6-二基-吡啶}有機(jī)半導(dǎo)體材料，最后真空下50°C干燥24h。產(chǎn)率為 76% 〇
[0085]上述制備有機(jī)半導(dǎo)體材料P5的反應(yīng)式如下：
[0086]
[0087] 分子量測(cè)試結(jié)果為:Mo 1 ecu 1 ar we ight (GPC，THF，R · I): Mn = 22 · 6kDa，Mw/Mn = 2 · 3 〇
[0088] 本實(shí)施例5制備的有機(jī)半導(dǎo)體材料P5的差示掃描量熱曲線，差示掃描量熱曲線測(cè) 試在Perkin Elmer DSC-7上進(jìn)行，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為105°C。
[0089] 實(shí)施例5中制備的有機(jī)半導(dǎo)體材料P5的紫外-可見吸收光譜圖，紫外-可見吸收光 譜在Jasco-570紫外分析儀上測(cè)量。由圖可以看出：本發(fā)明聚合物的在300nm~700nm之間有 較大較寬的吸收，其中最大吸收峰位于585nm，寬的吸收光譜表明P5是一種光伏材料。
[0090] 通過測(cè)試低溫磷光光譜，儀器為FS組合式熒光/磷光光譜儀，以考察有機(jī)半導(dǎo)體材 料P5三線態(tài)發(fā)射特性。在77K的液氮下，有機(jī)半導(dǎo)體材料P5表現(xiàn)出很強(qiáng)的磷光發(fā)射，發(fā)射峰 在444nm，相應(yīng)的三線態(tài)能量為2.79eV，大大高于磷光材料雙(4,6_二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥（III)FIrpic的三線態(tài)能量(2.65eV)，測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果表明我們的材料可作為藍(lán) 光磷光主體材料。
[0091] 應(yīng)用實(shí)施例
[0092]有機(jī)電致發(fā)光器件300，其結(jié)構(gòu)如圖1其包括基底301，陽(yáng)極302，空穴注入層303，空 穴傳輸層304，發(fā)光層305，電子傳輸層306，電子注入緩沖層307，陰極308。
[0093]本實(shí)施例中基底301的材質(zhì)為玻璃，在基底301上依次真空鍍膜陽(yáng)極302,空穴注入 層303，空穴傳輸層304，發(fā)光層305，電子傳輸層306，電子注入緩沖層307，陰極308，陽(yáng)極302 采用方塊電阻為10~20 Ω/□的氧化銦錫，厚度為150nm，空穴注入層303采用聚（3，4_乙烯 二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，厚度為30nm，空穴傳輸層304采用N，Y-二苯基-N，g-(1-萘基)-1，1 /-聯(lián)苯-4,4/-二胺，厚度為2〇11111，發(fā)光層305主體發(fā)光材料采用本發(fā)明實(shí)施1制備的化合 物聚{N-正己烷基_3，7_二基-吩噻嘆_co_2，6_二基-吡啶}，并以主體材料為基準(zhǔn)慘雜質(zhì)量 百分?jǐn)?shù)為10%的客體發(fā)光材料雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（III )，發(fā)光層 305厚度為20nm，電子傳輸層306采用5(4,7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為30nm，電子注入緩 沖層307采用氟化鋰，厚度為lnm，陰極308采用金屬鋁，厚度為100nm 〇
[0094] 有機(jī)層和金屬層均采用熱蒸發(fā)工藝沉積完成，真空度為10-3~l(T5pa，薄膜的厚度 采用膜厚監(jiān)控儀器監(jiān)視，除客體材料外所有有機(jī)材料的蒸發(fā)速率為3人/秒，氟化鋰的蒸發(fā) 速率為1A/秒，金屬鋁的蒸發(fā)速率為1〇人/秒。
[0095] 該電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率，可廣泛應(yīng)用在藍(lán)色或白色等發(fā)光領(lǐng)域。器 件的電流-亮度-電壓特性是由帶有校正過得硅光電二極管的Keithley源測(cè)量系統(tǒng) (Keithley 2400Sourcemeter、Keithley 2000〇11；[1^6111：1116七61')完成的所有測(cè)量均在室溫大 氣中完成。結(jié)果表明：器件的最大電效率為l0.8cd/A，最大亮度為24710cd/m 2。
[0096] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的具有陽(yáng)極的襯底、發(fā)光層W及陰極 層，所述發(fā)光層為主體材料和客體材料的混合物，其中主體材料如下所示的有機(jī)半導(dǎo)體材 料：庚中，R為Cl~C20的烷基，η為10~100的整數(shù)，客體材 料為S[ 1-苯基異哇嘟-C2，Ν]銀、雙(4，6-二氣苯基化晚-Ν，C2川比晚甲酯合銀、[二(2/，少- 二氣苯基)郵晚][四（1-化挫基)棚]合銀或者[二(2/，少-二氣苯基)郵晚](四挫化晚)合銀。2. 如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述主體材料與所述客體材料的質(zhì) 量百分比為5%~20%。3. 如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極材料為氧化銅鋒或氧化鋒 侶，陰極為金屬侶、銀、金或儀。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的具有陽(yáng)極的襯底、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層為主體材料和客體材料的混合物，其中主體材料如下所示的有機(jī)半導(dǎo)體材料，所述有機(jī)半導(dǎo)體材料的化學(xué)式如下所示：其中，R為C1～C20的烷基，n為10～100的整數(shù)，本發(fā)明提供有機(jī)半導(dǎo)體材料同時(shí)具有空穴傳輸性質(zhì)和電子傳輸性質(zhì)，使在發(fā)光層中空穴和電子的傳輸平衡，還具有較高的三線態(tài)能級(jí)，三線態(tài)能級(jí)大于2.78eV，有效的防止發(fā)光過程中能量回傳給主體材料，大大提高發(fā)光效率。
【IPC分類】H01L51/50, C08G61/12, C07D417/14, H01L51/54
【公開號(hào)】CN105566614
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610101019
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】王莎莎
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2013年1月31日
【公告號(hào)】CN103965440A