專利名稱：熱聚合系引發(fā)劑體系和粘接劑組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種熱聚合系弓I發(fā)劑體系和粘接劑組合物。
背景技術：
近年來，在半導體、液晶顯示器等領域中，為了固定電子部件或為了進行電路連接，使用各種粘接材料。在這些用途中，高密度化、高精細化越來越得到發(fā)展，所以對于粘接劑也要求高的粘接力、可靠性。特別是作為用于液晶顯示器和TCP的連接、FPC和TCP的連接、或FPC和印刷線路板的連接的電路連接材料，使用在粘接劑中分散有導電性粒子的各向異性導電性粘接劑。 并且最近，在基板上安裝半導體硅芯片時，不采用以往的引線接合，而是進行將半導體硅芯片直接安裝在基板上的所謂C0G，其中也在適用各向異性導電性粘接劑。此外，近年來在精密電子設備領域中，電路的高密度化的的得到發(fā)展，使得電極寬度和電極間隔變得極為狹窄。因此，按照以往的使用環(huán)氧樹脂系的電路連接用粘接材料的連接條件，存在有線路脫落、剝離、位置偏離等問題，而在COG中，存在有因芯片和基板的熱膨脹差而產(chǎn)生翹曲的問題。為了進一步低成本化，必須提高生產(chǎn)量，要求一種能夠在低溫 (100 170°C )下短時間(10秒以內)內固化，即低溫快速固化的粘接劑。以往，作為陽離子聚合引發(fā)劑，已經(jīng)提出了例如以下述通式(II)所表示的锍鹽作為主成分的陽離子聚合性物質的聚合引發(fā)劑(專利文獻1)。[化1]
權利要求
1.一種熱聚合系引發(fā)劑體系，其中含有(A)下述通式(I)所表示的碘鐺鹽化合物和(B) 自由基聚合引發(fā)劑，R1-I+-R2 Y (I)式中，R1和R2各自獨立地表示取代或未取代的芳基，Y一表示陰離子殘基。
2.如權利要求1所述的熱聚合系引發(fā)劑體系，其中所述Y—為SbFp [P (R6)a (F)6 — J—、B (C6F5)4 一或C (CF3SO2) 3一，式中，R6表示至少部分氫原子被氟原子取代的烷基，a表示0 5的整數(shù)，當a為2以上的整數(shù)時，所存在的多個R6彼此相同或不同。
3.如權利要求1或2所述的熱聚合系引發(fā)劑體系，其中所述自由基聚合引發(fā)劑為有機過氧化物。
4.如權利要求3所述的熱聚合系引發(fā)劑體系，其中所述有機過氧化物的1分鐘半衰期溫度為80 170°C。
5.如權利要求1 4中任一項所述的熱聚合系引發(fā)劑體系，其用于陽離子聚合性物質的固化。
6.如權利要求1 5中任一項所述的熱聚合系引發(fā)劑體系，其用于通過加熱進行的固化。
7.一種粘接劑組合物，其中含有(A)下述通式(I)所表示的碘鐺鹽化合物、(B)自由基聚合引發(fā)劑和(C)陽離子聚合性物質，R1-I+-R2 Y (I)式中，R1和R2各自獨立地表示取代或未取代的芳基，Γ表示陰離子殘基。
8.如權利要求8所述的粘接劑組合物，其中所述τ為SbF6\[P (R6)a (F)“r、B (C6F5) 4-或C (CF3SO2)3-,式中，R6表示至少部分氫原子被氟原子取代的烷基，a表示0 5的整數(shù)， 當a為2以上的整數(shù)時，所存在的多個R6彼此相同或不同。
9.如權利要求7或8所述的粘接劑組合物，其中所述自由基聚合引發(fā)劑為有機過氧化物。
10.如權利要求9所述的粘接劑組合物，其中所述有機過氧化物的1分鐘半衰期溫度為 80 170 。
11.如權利要求7 10中任一項所述的粘接劑組合物，其中所述陽離子聚合性物質含有選自由環(huán)氧化合物、氧雜環(huán)丁烷化合物和乙烯基醚化合物組成的組中的至少一種。
12.如權利要求7 11中任一項所述的粘接劑組合物，其中進一步含有(D)成膜性聚合物。
13.如權利要求7 12中任一項所述的粘接劑組合物，其中進一步含有(E)導電性粒子。
14.如權利要求13所述的粘接劑組合物，其具有各向異性導電性。
15.如權利要求7 14中任一項所述的粘接劑組合物，其用作電路連接用粘接劑組合物。
16.如權利要求7 15中任一項所述的粘接劑組合物，其通過加熱而固化。
17.將權利要求7 16中任一項所述的粘接劑組合物制成膜狀而形成的膜狀粘接劑組合物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種含有(A)下述通式(I)所表示的碘鎓鹽化合物和(B)自由基聚合引發(fā)劑的熱聚合系引發(fā)劑體系。式中，R1和R2各自獨立地表示取代或未取代的芳基，Y－表示陰離子殘基。R1-I+-R2 Y-(I)
文檔編號C08F4/34GK102597044SQ20108005009
公開日2012年7月18日 申請日期2010年11月5日 優(yōu)先權日2009年11月5日
發(fā)明者川上晉, 永井朗 申請人:日立化成工業(yè)株式會社