技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤用玻璃坯料、磁盤用玻璃基板及磁盤。
背景技術(shù)：
：目前，為了數(shù)據(jù)記錄，在個(gè)人電腦、或者DVD(DigitalVersatileDisc)記錄裝置等中內(nèi)置有硬盤裝置(HDD：HardDiskDrive)。特別地，在用于以筆記型個(gè)人電腦等的可攜性為前提的設(shè)備的硬盤裝置中，使用在玻璃基板設(shè)有磁性層的磁盤，通過在磁盤的面上稍微懸浮的磁頭(DFH(DynamicFlyingHeight)磁頭)在磁性層記錄、或者讀取磁記錄信息。作為該磁盤的基板，具有與金屬基板(鋁基板)等相比不易塑性變形的性質(zhì)，因此，適合使用玻璃基。磁頭具備例如磁阻效應(yīng)元件，但作為這種磁頭中固有的障礙，有時(shí)會(huì)引起熱粗糙度障礙。熱粗糙度障礙是在磁頭從磁盤的微小凹凸形狀的主表面上一邊懸浮飛行一邊通過時(shí)，通過空氣的絕熱壓縮或接觸加熱磁阻效應(yīng)元件，產(chǎn)生讀取錯(cuò)誤的障礙。所以，為了回避熱粗糙度障礙，磁盤用玻璃基板的主表面的表面粗糙度、平面度等表面性狀制作為良好的水平。作為現(xiàn)有的板狀玻璃(玻璃坯料)的制造方法，公知有垂直直接沖壓法。該沖壓法為將熔融玻璃塊供給至下模上，使用上模對熔融玻璃塊(熔融玻璃塊)進(jìn)行沖壓成型的方法(專利文獻(xiàn)1)。另外，還公知有將滴下的熔融玻璃在滴下途中沿水平方向夾住進(jìn)行沖壓成型的水平直接沖壓法(專利文獻(xiàn)2、圖4等)。另外，作為現(xiàn)有的磁盤用玻璃基板的制造方法，公知有對通過沖壓成型熔融玻璃塊而成型的玻璃坯料實(shí)施退火處理的方法。退火處理為用于通過將沖壓成型的玻璃坯料在應(yīng)變點(diǎn)以上且玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)以下的規(guī)定溫度維持規(guī)定時(shí)間，從而使在玻璃坯料的內(nèi)部產(chǎn)生的翹曲(內(nèi)部翹曲)開放的處理(專利文獻(xiàn)3)。另外，應(yīng)變點(diǎn)為玻璃的內(nèi)部翹曲在數(shù)小時(shí)消失的溫度，為相當(dāng)于玻璃粘度為約1014.5dPa·s的溫度。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開平11－255521號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：專利4380379號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開2008－287779號(hào)公報(bào)發(fā)明所要解決的課題但是，公知的垂直直接沖壓法存在所制作的玻璃坯料的表面波紋較差的問題。理由如下。在垂直直接沖壓法中，開始熔融玻璃塊的沖壓成型后，熔融玻璃塊通過與上模及下模接觸而冷卻固化。這時(shí)，在上模及下模各自的沖壓成型面的中央部分，由于其周圍也存在熔融玻璃，因此熔融玻璃塊的熱量容易積聚。另一方面，在沖壓成型中的上模及下模各自的沖壓成型面的周邊部分，由于與中央部分相比，與熔融玻璃接觸的沖壓成型面的面積相對較廣、及在不規(guī)制外形的情況下存在不與熔融玻璃接觸的模具的外緣部分等，所以熔融玻璃塊的熱量容易擴(kuò)散，因此，在沖壓成型中沖壓成型面內(nèi)的溫差變大。由此，在沖壓成型中，在沖壓成型面產(chǎn)生不均勻的熱變形(熱膨脹)，因此，所制作的玻璃坯料由于沖壓成型面的熱變形被形狀轉(zhuǎn)印，而主表面的表面波紋變大。因此，玻璃坯料的表面波紋劣化。關(guān)于公知的水平直接沖壓法也會(huì)產(chǎn)生同樣的問題。另外，為了高效實(shí)施上述退火處理，需要大型的退火處理裝置。另外，在實(shí)施退火處理的情況下，需要使將玻璃坯料的溫度設(shè)定在應(yīng)變點(diǎn)附近的狀態(tài)維持約15分鐘程度。另外，若包括向應(yīng)變點(diǎn)的升溫處理及自應(yīng)變點(diǎn)的慢冷卻處理，則需要約3～12小時(shí)的處理時(shí)間。因此，在實(shí)施退火處理制造磁盤用玻璃基板的情況下，需要大型的設(shè)備和很多的時(shí)間，因此，磁盤用玻璃基板的制造成本增大。所以，優(yōu)選為盡量不實(shí)施退火處理。另外，在對沖壓成型時(shí)產(chǎn)生了內(nèi)部翹曲的玻璃坯料進(jìn)行退火處理的情況下，玻璃坯料的內(nèi)部翹曲開放，另一方面，因內(nèi)部翹曲的開放玻璃坯料會(huì)變形，因此，玻璃坯料的平面度劣化。例如，在為了使平面度變?yōu)?μm以下而對沖壓成型的玻璃坯料進(jìn)行退火處理時(shí)，在沖壓成型時(shí)玻璃坯料殘存內(nèi)部翹曲的情況下，退火處理后的玻璃坯料的平面度有時(shí)會(huì)比4μm大。在該情況下，需要實(shí)施磨削工序，使玻璃坯料的平面度變?yōu)?μm以下。另外，在作為用于提高磁盤的存儲(chǔ)密度的磁記錄技術(shù)近年研究取得進(jìn)展的熱輔助磁記錄方式(HAMR：HeatAssistedMagneticRecording)中，有時(shí)由具有L10規(guī)則構(gòu)造的強(qiáng)磁性合金構(gòu)成的磁性層形成于玻璃基板的主表面上。在此，為了形成L10規(guī)則構(gòu)造，需要高溫環(huán)境下的成膜處理和/或成膜處理后的退火處理。這時(shí)的溫度有時(shí)會(huì)變?yōu)榕c玻璃的應(yīng)變點(diǎn)接近的高溫。這時(shí)，在成為玻璃基板的基礎(chǔ)的玻璃坯料殘存有內(nèi)部翹曲的情況下，與上述退火處理一樣，在高溫環(huán)境下，玻璃基板的內(nèi)部翹曲開放，另一方面，玻璃基板的平面度劣化，某些情況下，基板性能可能不符合要求。因此，作為用于熱輔助磁記錄方式的磁盤用玻璃基板，優(yōu)選為以內(nèi)部翹曲小、或沒有內(nèi)部翹曲殘存的玻璃坯料為基礎(chǔ)制造的玻璃基板。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的第一目的為提供一種通過沖壓成型得到表面波紋良好的磁盤用玻璃坯料的磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法。另外，本發(fā)明的第二目的為提供一種不進(jìn)行退火處理，而可以減少內(nèi)部翹曲的磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法、以及磁盤用玻璃坯料、磁盤用玻璃基板及磁盤。用于解決課題的技術(shù)方案從上述觀點(diǎn)來看，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型以得到板狀的玻璃素材的成型工序，其特征在于，在所述成型工序中，以板狀玻璃素材的表面波紋在30nm以內(nèi)的方式對沖壓成型面內(nèi)的溫差進(jìn)行控制。本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型以得到板狀的玻璃素材的成型工序，其特征在于，在所述成型工序中，使用用于減小所述熔融玻璃的沖壓中的所述模具的沖壓成型面內(nèi)的溫差的均熱裝置，進(jìn)行沖壓成型。另外，“沖壓成型面內(nèi)的溫差”例如，為模具中央部和周邊部的溫差。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，優(yōu)選的是，所述均熱裝置通過對所述沖壓成型面進(jìn)行排熱和/或加熱，減小沖壓成型面內(nèi)的溫差。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，所述均熱裝置為散熱器。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，所述散熱器設(shè)于所述沖壓成型面的背面的至少局部。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，所述散熱器以沖壓成型中的熔融玻璃的中央部比周邊部排熱量大的方式進(jìn)行設(shè)置。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，使用所述一對模具從與該落下方向正交的方向?qū)β湎轮械乃鋈廴诓ＡK進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，以實(shí)質(zhì)上所述模具的沖壓成型面的溫度在所述一對模具間為相同溫度的方式進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，沖壓成型后得到的玻璃坯料的100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)在30～100×10－7(K－1)的范圍內(nèi)。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，實(shí)質(zhì)上，所述模具的沖壓成型面的表面粗糙度在面內(nèi)相同。本發(fā)明的第三觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，對利用上述磁盤用玻璃坯料的制造方法所制造的玻璃坯料，實(shí)施加工余量50μm以下的研磨加工以制造磁盤用玻璃基板。本發(fā)明的第四觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，使用利用上述磁盤用玻璃坯料的制造方法得到的磁盤用玻璃坯料制造磁盤用玻璃基板。關(guān)于本發(fā)明的第二目的，本發(fā)明人等反復(fù)深入研究，結(jié)果，發(fā)明人等設(shè)計(jì)出新的沖壓成型方法。即，在本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中，采用水平直接沖壓法，該水平直接沖壓法為通過對向配置于相對熔融玻璃塊的落下方向正交的方向(水平方向)的一對模具(沖壓成型模)對落下中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型。在該水平直接沖壓法中，與現(xiàn)有的垂直直接沖壓法不同，熔融玻璃塊在被沖壓成型前的期間，暫時(shí)不接觸、保持于比熔融玻璃塊溫度低的構(gòu)件。所以，在沖壓成型將要開始時(shí)，垂直直接沖壓法中，熔融玻璃塊的內(nèi)部的粘度分布在沖壓成型時(shí)非常廣?？傊?，在現(xiàn)有的垂直直接沖壓法中，熔融玻璃塊與下模接觸后，上模下降進(jìn)行沖壓，因此，上下模與熔融玻璃塊接觸的時(shí)間存在時(shí)間差。結(jié)果為如下狀態(tài)，先與下模接觸的熔融玻璃塊的下側(cè)部分冷卻而粘度變高，在沖壓時(shí)，熔融玻璃塊的上側(cè)部分不如下側(cè)部分那樣冷卻而粘度較低。所以，難以使熔融玻璃塊均勻薄薄地延伸。另外，因同樣的理由在沖壓時(shí)上下模產(chǎn)生溫差，因此，沖壓后得到的玻璃坯料的平面度惡化。與此相對，在水平直接沖壓中，左右模與熔融玻璃塊接觸的時(shí)間沒有時(shí)間差或時(shí)間差極短，因此，在熔融玻璃塊的粘度均勻的狀態(tài)下進(jìn)行沖壓。因此，與垂直直接沖壓法相比，在水平直接沖壓法中，使沖壓成型的熔融玻璃塊均勻薄薄地延伸非常容易。因此，結(jié)果，與利用垂直直接沖壓法制作玻璃坯料的情況相比，在利用水平直接沖壓法制作玻璃坯料的情況下，從根本上抑制平面度的下降非常容易。另外，本發(fā)明人等得到以下的見解。如前述，通過利用使用一對模具的水平直接沖壓法，改善所制作的玻璃坯料的平面度。在此，即使在利用水平直接沖壓法的情況下，在沖壓成型時(shí)的模具的沖壓成型面的中央部，熔融玻璃塊的熱量容易擴(kuò)散，因此，存在于所述中央部的熔融玻璃難以冷卻。另一方面，在沖壓成型時(shí)的模具的沖壓成型面的周邊部，熔融玻璃塊的熱量容易擴(kuò)散，因此，存在于所述周邊部的熔融玻璃容易冷卻。即，認(rèn)為是，在沖壓成型時(shí)，熔融玻璃沿從沖壓成型面的周邊部到中央部的方向固化。由此，在沖壓成型的玻璃坯料產(chǎn)生由朝向從沖壓成型面的周邊部到中央部的方向的殘留應(yīng)力造成的內(nèi)部翹曲(面內(nèi)翹曲)。若產(chǎn)生面內(nèi)翹曲，則在之后的工序中，可能在加熱處理至接近玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)或應(yīng)變點(diǎn)時(shí)翹曲開放，平面度惡化。因此，發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，如果控制所述熔融玻璃的冷卻速度以減小沖壓成型時(shí)的熔融玻璃的面內(nèi)(例如熔融玻璃的表面的周邊部和中央部)的溫差，則能夠使熔融玻璃的面內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部翹曲且大致同時(shí)使其固化。因此，本發(fā)明的第五觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括通過使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型，得到板狀的玻璃坯料的成型工序，其特征在于，在上述成型工序中，以在上述熔融玻璃的溫度從該玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)冷卻至應(yīng)變點(diǎn)期間的冷卻速度在－10℃/秒以內(nèi)的方式，一邊控制上述熔融玻璃的冷卻溫度一邊進(jìn)行沖壓成型。另外，例如，在每一秒下降溫度為10℃時(shí)，記為“－10℃/秒”。另外，“冷卻速度在－10℃/秒以內(nèi)”意思是，每一秒下降的溫度比10℃小。本發(fā)明的第六觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括通過使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型，得到板狀的玻璃坯料的成型工序，其特征在于，在上述成型工序中，為了減少熔融玻璃塊在固化成板狀玻璃坯料時(shí)產(chǎn)生的面內(nèi)翹曲，而一邊控制在上述熔融玻璃的溫度從該玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)冷卻至應(yīng)變點(diǎn)期間的冷卻速度一邊進(jìn)行沖壓成型。本發(fā)明的第七觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括通過使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型，得到板狀的玻璃坯料的成型工序，其特征在于，在所述成型工序中，以減小所述熔融玻璃的沖壓中的所述熔融玻璃的面內(nèi)的溫差的方式一邊控制所述熔融玻璃的冷卻速度，一邊進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，優(yōu)選的是，在使所述一對模具閉合到分開期間，以減小所述熔融玻璃的面內(nèi)的溫差的方式一邊控制所述熔融玻璃的冷卻速度，一邊進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，在所述熔融玻璃的沖壓中的所述熔融玻璃的溫度從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)到應(yīng)變點(diǎn)期間，以減小所述熔融玻璃的面內(nèi)的溫差的方式一邊控制所述熔融玻璃的冷卻速度，一邊進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，使用所述一對模具從與該落下方向正交的方向?qū)β湎轮械乃鋈廴诓ＡK進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，在實(shí)質(zhì)上所述熔融玻璃的沖壓中的所述模具的沖壓成型面的溫度均勻的狀態(tài)下進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，在所述成型工序中，以實(shí)質(zhì)上所述模具的沖壓成型面的溫度在所述一對模具間為相同溫度的方式進(jìn)行沖壓成型。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，將從玻璃坯料與模具接觸到離開的所述一對模具的溫度，設(shè)為不足所述熔融玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)的溫度。在上述磁盤用玻璃坯料的制造方法中，其特征在于，使用玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)在600℃以上的熔融玻璃進(jìn)行所述成型工序。本發(fā)明的第八觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃坯料的制造方法，包括使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型以得到板狀的玻璃素材的成型工序，其特征在于，在所述成型工序中，以使板狀玻璃素材的表面波紋在30nm以內(nèi)，且使在上述熔融玻璃的溫度從該玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)冷卻至應(yīng)變點(diǎn)期間的冷卻速度在－10℃/秒以內(nèi)的方式，一邊控制上述熔融玻璃的冷卻溫度一邊進(jìn)行沖壓成型。本發(fā)明的第九觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，使用利用上述磁盤用玻璃坯料的制造方法得到的磁盤用玻璃坯料，不進(jìn)行退火處理地制造磁盤用玻璃基板。本發(fā)明的第十觀點(diǎn)，一種磁盤用玻璃基板，為通過上述磁盤用玻璃基板的制造方法得到的磁盤用玻璃基板，其特征在于，玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)在600℃以上。本發(fā)明的第十一觀點(diǎn)，一種磁盤，其特征在于，使用由上述磁盤用玻璃基板的制造方法得到的磁盤用玻璃基板進(jìn)行制造。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過沖壓成型能夠制造表面波紋良好的磁盤用玻璃坯料及磁盤用玻璃基板。附圖說明圖1是表示實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的外觀形狀的立體圖；圖2是表示實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法的一實(shí)施方式的流程的圖；圖3是在實(shí)施方式的沖壓成型中所使用的裝置的平面圖；圖4是表示在實(shí)施方式的沖壓成型中所使用的裝置的4組沖壓單元的配置的圖；圖5是表示使用凝塊形成模型的實(shí)施方式的沖壓成型的變形例的圖；圖6是表示不使用切斷單元的實(shí)施方式的沖壓成型的變形例的圖；圖7是表示使用用軟化爐進(jìn)行加熱的光學(xué)玻璃的實(shí)施方式的沖壓成型的變形例；圖8表示在實(shí)施方式的沖壓成型中所使用的均熱或者排熱裝置的變形例的圖；圖9是表示實(shí)施方式的沖壓成型中的凝塊的溫度的經(jīng)時(shí)變化的一個(gè)例子的圖。符號(hào)說明1…磁盤用玻璃基板125…均熱部、溫度控制部126…第二均熱部、第二溫度控制部具體實(shí)施方式<第一實(shí)施方式>以下，針對本實(shí)施方式的磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。[磁盤用玻璃基板]如圖1所示，本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板1為圓環(huán)狀的薄板的玻璃基板。磁盤用玻璃基板的尺寸不限，但例如，適合作為公稱直徑2.5英寸的磁盤用玻璃基板。在公稱直徑2.5英寸的磁盤用玻璃基板的情況下，例如，外徑為65mm、中心孔2的直徑為20mm、板厚T為0.6～1.0mm。實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的主表面的平面度例如為4μm以下，主表面的表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)例如為0.2nm以下。另外，最終產(chǎn)品即磁盤用基板所要求的平面度例如為4μm以下。作為本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板的材料，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、硼硅玻璃等。特別是，在可以實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化，另外能夠制作主表面的平面度及基板的強(qiáng)度優(yōu)異的磁盤用玻璃基板的方面，能夠適合使用非晶的鋁硅酸鹽玻璃。本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的組成并未限定，但本實(shí)施方式的玻璃基板優(yōu)選為由如下組成構(gòu)成的非晶的鋁硅酸鹽玻璃，該組成換算成氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，具有50～75％的SiO2、1～15％的Al2O3、合計(jì)5～35％的選自Li2O、Na2O及K2O的至少一種成分、合計(jì)0～20％的選自MgO、CaO、SrO、BaO及ZnO的至少一種成分，以及合計(jì)0～10％的選自ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及HfO2的至少一種成分。另外，為了減少?zèng)_壓時(shí)的面內(nèi)翹曲，優(yōu)選為玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)在600℃以上的玻璃，更優(yōu)選為650℃以上。這是由于，因?yàn)榫哂胁ＡЩD(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)越高從熔融狀態(tài)到固化(Tg附近)的時(shí)間越短，且冷卻速度越快的傾向，所以很大程度承受“模具面內(nèi)的溫差”的影響，在使用這種玻璃的情況下，特別優(yōu)選應(yīng)用本實(shí)施方式的制造方法。另外，在本實(shí)施方式的玻璃基板中，優(yōu)選為熱膨脹系數(shù)在50×10－7(K－1)以上的玻璃，更優(yōu)選為80×10－7(K－1)以上的玻璃。這是由于，因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)越大由溫度變化造成的變形越大越容易產(chǎn)生翹曲，因此，與熱膨脹系數(shù)低的情況相比，優(yōu)選應(yīng)用減少?zèng)_壓時(shí)的面內(nèi)翹曲的本實(shí)施方式的方法。另外，在本實(shí)施方式(同樣適用于第一實(shí)施方式)中，由于使用水平?jīng)_壓，因此，可以沖壓成型粘度范圍廣的玻璃，但，特別適合高粘度的玻璃。這是由于，因?yàn)樵谘卮怪狈较蚵湎碌耐局羞M(jìn)行沖壓，因此，粘度比較高的玻璃的真圓度良好。具體而言，優(yōu)選為500泊以上。另外，若達(dá)到2000泊以上則薄板化困難，因而不優(yōu)選。[實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法]下面，參照圖2，對磁盤用玻璃基板的制造方法的流程進(jìn)行說明。圖2是表示磁盤用玻璃基板的制造方法的一實(shí)施方式的流程的圖。如圖2所示，在本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法中，首先，通過沖壓成型制作圓板狀的玻璃坯料(步驟S10)。接著，對成型后的玻璃坯料進(jìn)行劃線，制作圓環(huán)狀的玻璃基板(步驟S20)。接著，對劃線后的玻璃基板進(jìn)行形狀加工(倒角加工)(步驟S30)。接著，對玻璃基板實(shí)施由固定磨粒進(jìn)行磨削(步驟S40)。接著，進(jìn)行玻璃基板的端面研磨(步驟S50)。接著，對玻璃基板的主表面實(shí)施第一研磨(步驟S60)。接著，對第一研磨后的玻璃基板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化(步驟S70)。接著，對化學(xué)強(qiáng)化后的玻璃基板實(shí)施第二研磨(步驟S80)。經(jīng)過以上的工序，得到磁盤用玻璃基板。以下，針對各工序進(jìn)行詳細(xì)說明。(a)沖壓成型工序(步驟S10)首先，參照圖3，針對沖壓成型工序進(jìn)行說明。圖3是在沖壓成型中所使用的裝置的平面圖。如圖3所示，裝置101具備4組沖壓單元120、130、140、150、切斷單元160、切斷刀165(圖2中未圖示)。切斷單元160設(shè)于從熔融玻璃流出口111流出的熔融玻璃的路徑上。裝置101使由切斷單元160切斷而產(chǎn)生的熔融玻璃塊(以下，也稱凝塊)落下，屆時(shí)，從塊的落下路徑的兩側(cè)，用相互對向的一對模型的面夾住塊并進(jìn)行沖壓，由此，成型玻璃坯料。具體而言，如圖4所示，裝置101以熔融玻璃流出口111為中心，每隔90度設(shè)置4組沖壓單元120、130、140及150。沖壓單元120、130、140及150分別由未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)，可相對熔融玻璃流出口111進(jìn)退。即，可以在位于熔融玻璃流出口111的正下方的捕捉位置(在圖3中為沖壓單元140用實(shí)線所描畫的位置)、離開熔融玻璃流出口111的退避位置(在圖3中為沖壓單元120、130及150用實(shí)線所描畫的位置、及沖壓單元140用虛線所描畫的位置)之間移動(dòng)。切斷單元160設(shè)于捕捉位置(由沖壓單元捕獲凝塊的位置)和熔融玻璃流出口111之間的熔融玻璃的路徑上，適量切出從熔融玻璃流出口111流出的熔融玻璃并形成熔融玻璃塊。切斷單元160具有一對切斷刀161及162。切斷刀161及162以在一定的時(shí)間下在熔融玻璃的路徑上交叉的方式被驅(qū)動(dòng)，在切斷刀161及162交叉時(shí)，熔融玻璃被被切出得到凝塊。得到的凝塊向捕捉位置落下。沖壓單元120具有第一模型121、第二模型122、第一驅(qū)動(dòng)部123、第二驅(qū)動(dòng)部124及均熱部125。第一模型121和第二模型122分別為具有用于沖壓成型凝塊的面(沖壓成型面)的板狀的構(gòu)件。沖壓成型面例如可以設(shè)為圓形。該兩個(gè)面的法線方向?yàn)榇笾滤椒较?，該兩個(gè)面以相互平行且對向的方式進(jìn)行配置。另外，第一模型121及第二模型122只要分別具有沖壓成型面即可，各模型121、122的形狀并未限定于板狀。第一驅(qū)動(dòng)部123使第一模型121相對第二模型122進(jìn)退。另一方面，第二驅(qū)動(dòng)部124使第二模型122相對第一模型121進(jìn)退。第一驅(qū)動(dòng)部123及第二驅(qū)動(dòng)部124具有例如組合氣缸及螺線管和盤簧的機(jī)構(gòu)等，使第一驅(qū)動(dòng)部123的面和第二驅(qū)動(dòng)部124的面急速接近的機(jī)構(gòu)。均熱部125通過使在凝塊的沖壓成型中的第一及第二模型121、122各自的沖壓成型面內(nèi)容易產(chǎn)生熱量的移動(dòng)，從而減小沖壓成型面內(nèi)的溫差。均熱部125例如為散熱器，為均熱裝置的一個(gè)例子。該均熱部125以與第一及第二模型121、122的沖壓成型面的整個(gè)背面相接的方式進(jìn)行設(shè)置。另外，均熱部125優(yōu)選為由具有比第一及第二模型121、122高的導(dǎo)熱率的構(gòu)件構(gòu)成。例如，在第一及第二模型121、122由超硬合金(例如VM40)構(gòu)成的情況下，均熱部125可由銅、銅合金、鋁或鋁合金等構(gòu)成。由于均熱部125具有比第一及第二模型121、122高的導(dǎo)熱率，因此可以將第一及第二模型121、122的熱量高效地排出外部。另外，超硬合金(VM40)的導(dǎo)熱率為71(W/m·K)，銅的導(dǎo)熱率為400(W/m·K)。構(gòu)成均熱部125的構(gòu)件可根據(jù)構(gòu)成第一及第二模型121、122的金屬的導(dǎo)熱率、硬度、厚度尺寸等適當(dāng)選擇。另外，第一及第二模型121、122需要能耐沖壓的強(qiáng)度，因此，優(yōu)選為不與均熱部125一體化形成。另外，可以將由具有冷卻作用的液體及氣體等的流路等構(gòu)成的排熱機(jī)構(gòu)和/或加熱器等加熱機(jī)構(gòu)作為用于減小模具內(nèi)周面(圓筒形狀的模具的內(nèi)側(cè)的面)內(nèi)的溫差的均熱裝置來構(gòu)成。另外，沖壓單元130、140及150的構(gòu)造由于與沖壓單元120相同，因此省略說明。沖壓單元分別移動(dòng)至捕捉位置后，通過第一驅(qū)動(dòng)部和第二驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)，將落下的凝塊夾在第一模型和第二模型之間且成型為規(guī)定的厚度，并且，急速冷卻，制作圓形的玻璃坯料G。另外，荷重(沖壓壓力)優(yōu)選設(shè)為2000～15000kgf。如果在該范圍內(nèi)，則可以充分得到加速度并進(jìn)行短時(shí)間下的沖壓，由此，無論任何玻璃材料的組成，都能成型為適合磁盤用玻璃坯料的板厚。接著，沖壓單元移動(dòng)至退避位置后，使第一模型和第二模型分開，使成型后的玻璃坯料G落下。在沖壓單元120、130、140及150的退避位置的下面，設(shè)有第一輸送帶171、第二輸送帶172、第三輸送帶173及第四輸送帶174。第一～第四輸送帶171～174分別接住從對應(yīng)的各沖壓單元落下的玻璃坯料G并將玻璃坯料G搬運(yùn)至未圖示的下面工序的裝置。在裝置101中，沖壓單元120、130、140及150以依次移動(dòng)至捕捉位置，并夾住凝塊移動(dòng)至退避位置的方式構(gòu)成，因此，能夠不用等待各沖壓單元上的玻璃坯料G的冷卻，而連續(xù)進(jìn)行玻璃坯料G的成型。圖4(a)～(c)對使用裝置101的沖壓成型進(jìn)行更具體的說明。圖4(a)是表示制作凝塊以前的狀態(tài)的圖，圖4(b)是表示通過切斷單元160制成凝塊的狀態(tài)的圖，圖4(c)是表示通過沖壓凝塊而成型玻璃坯料G的狀態(tài)的圖。如圖4(a)所示，熔融玻璃材料LG從熔融玻璃流出口111連續(xù)流出。這時(shí)，在規(guī)定的時(shí)間驅(qū)動(dòng)切斷單元160，通過切斷刀161及162切斷熔融玻璃材料LG(圖4(b))。由此，切斷后的熔融玻璃通過其表面張力，變?yōu)榇笾虑驙畹哪龎KGG。熔融玻璃材料LG的每單位時(shí)間的流出量及切斷單元160的驅(qū)動(dòng)間隔的調(diào)整可以根據(jù)由作為目標(biāo)的玻璃坯料G的大小、板厚決定的體積適當(dāng)進(jìn)行。制成的凝塊GG向沖壓單元120的第一模型121和第二模型122的間隙落下。這時(shí)，在凝塊GG進(jìn)入第一模型121和第二模型122的間隙的時(shí)間，驅(qū)動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)部123及第二驅(qū)動(dòng)部124(參照圖4)，以使第一模型121和第二模型122相互靠近。由此，如圖4(c)所示，凝塊GG被捕獲(捕捉)到第一模型121和第二模型122之間。另外，第一模型121的內(nèi)周面(沖壓成型面)121a和第二模型122的內(nèi)周面(沖壓成型面)122a變?yōu)橐晕⑿〉拈g隔接近的狀態(tài)，夾在第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a之間的凝塊GG成型為薄板狀。另外，為了將第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的間隔維持一定，而在第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a分別設(shè)置突起121b及突起122b。即，通過突起121b及突起122b相抵接，從而將第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的間隔維持一定，制作板狀的空間。在此，如圖4(c)所示，從凝塊GG分別向各內(nèi)周面121a、122a的中央部傳遞的熱量，按照圖中箭頭表示的熱量的流動(dòng)，經(jīng)由均熱部125排出外部。在該沖壓成型工序使用一對模具121、122進(jìn)行沖壓成型，但在本實(shí)施方式中的沖壓成型中，玻璃坯料的外形并未由模具的形狀進(jìn)行限制。即，如圖4(c)所示，由合模拉長的凝塊并未到達(dá)模型的突起121b、122b。第一模型121及第二模型122中設(shè)有未圖示的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，第一模型121及第二模型122的溫度保持在比熔融玻璃LG的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)低很多的溫度。另外，也可以將溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)作為均熱裝置來構(gòu)成。另外，在沖壓成型工序中，不需要在第一模型121及第二模型122附著脫模材。另外，對凝塊GG進(jìn)行沖壓成型時(shí)的第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a各自的中央部和周邊部的溫差(沖壓成型面內(nèi)的溫差)越小，沖壓成型后得到的玻璃坯料的表面波紋越良好。特別優(yōu)選為，通過將容易向內(nèi)周面121a、122a各自的中央部分積聚的來自凝塊GG的熱量高效地排出外部，而使溫差變小。這是由于，以為如果使沖壓成型時(shí)的第一模型121的內(nèi)周面121a的內(nèi)部及第二模型122的內(nèi)周面122a的內(nèi)部各自的溫差變小，則內(nèi)周面121a、122a的變形度在內(nèi)周面121a、122a內(nèi)的中央部分和周邊部分相同，因此，能夠防止在內(nèi)周面121a、122a產(chǎn)生不均勻的熱變形，能夠使所制作的玻璃坯料的表面波紋良好。因此，通過使用均熱部125減小玻璃坯料的沖壓中的內(nèi)周面121a、122a各自的內(nèi)部的溫差，能夠?qū)崿F(xiàn)磁盤用玻璃基板所要求的表面波紋。例如，如果將磁盤用玻璃基板所要求的表面波紋設(shè)為10nm，則優(yōu)選為在將各內(nèi)周面121a、122a各自的中央部和周邊部的溫差設(shè)為1℃以內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行沖壓成型。中央部和周邊部的溫差為0℃時(shí)所制作的玻璃坯料的表面波紋最良好，但上述溫差可以根據(jù)磁盤用玻璃基板所要求的表面波紋適當(dāng)決定。另外，內(nèi)周面的內(nèi)部的溫差為，在從模型內(nèi)周面的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)，即分別與內(nèi)周面的中央部及多個(gè)周邊部對應(yīng)的地點(diǎn)(例如，與直徑75mm的玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)和以該地點(diǎn)為中心的半徑約30mm的圓周上的上下左右四個(gè)地點(diǎn))，使用熱電偶計(jì)量時(shí)的中央部和各周邊部的溫度的差分中最大的溫度的差量。另外，測量溫度的時(shí)間為在使第一模型121和第二模型122沖壓成型后進(jìn)行脫模的時(shí)點(diǎn)的時(shí)間。另外，能夠根據(jù)磁盤用玻璃基板所要求的平面度，從以下的觀點(diǎn)決定一對模具間的溫差。作為最終產(chǎn)品即磁盤，本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板在硬盤裝置內(nèi)樞支并插入熱膨脹系數(shù)高的金屬制的主軸，因此，優(yōu)選為磁盤用玻璃基板的熱膨脹系數(shù)也高達(dá)與主軸同程度。所以，以使磁盤用玻璃基板的熱膨脹系數(shù)變高的方式?jīng)Q定磁盤用玻璃基板的組成。磁盤用玻璃基板的熱膨脹系數(shù)，例如在30～100×10－7(K－1)的范圍內(nèi)，優(yōu)選為50～100×10－7(K－1)的范圍內(nèi)。上述熱膨脹系數(shù)為利用磁盤用玻璃基板的溫度100度和溫度300度下的線膨脹率算出的值。熱膨脹系數(shù)在例如不足30×10－7(K－1)或比100×10－7大的情況下，與主軸的熱膨脹系數(shù)的差變大而不優(yōu)選。從該方面來看，在制作熱膨脹系數(shù)高的磁盤用玻璃基板時(shí)，在上述沖壓成型工序中，使玻璃坯料的主表面周圍的溫度條件一致。作為一個(gè)例子，優(yōu)選為以第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的溫度實(shí)質(zhì)上相同的方式進(jìn)行溫度管理。在以實(shí)質(zhì)上使溫度相同的方式進(jìn)行溫度管理的情況下，例如，溫差優(yōu)選為5度以下。上述溫差更優(yōu)選為3度以下，特別優(yōu)選為1度以下。模具間的溫差為，在從第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a各自的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)，即內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的相互對向的地點(diǎn)(例如，與玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)及內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的中心點(diǎn))，使用熱電偶測量時(shí)的溫度的差量。在裝置101中，從凝塊GG與第一模型121的內(nèi)周面121a或第二模型122的內(nèi)周面122a接觸，到第一模型121和第二模型122進(jìn)入將凝塊GG完全封閉的狀態(tài)的時(shí)間在0.1秒以內(nèi)(約0.06秒)極短的時(shí)間。所以，凝塊GG在極短時(shí)間內(nèi)沿第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a擴(kuò)展成型為大致圓形，另外，急劇冷卻固化為非晶質(zhì)的玻璃。由此，制作玻璃坯料G。另外，在本實(shí)施方式中所成型的玻璃坯料G的大小，也取決于作為目的的磁盤用玻璃基板的大小，例如，為直徑20～200mm程度。另外，在本實(shí)施方式的沖壓成型方法中，以第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a被形狀轉(zhuǎn)印的形式形成玻璃坯料G，因此，一對模型內(nèi)周面的平面度及平滑性優(yōu)選設(shè)為與作為目的的磁盤用玻璃基板的平面度及平滑性相同。在該情況下，沖壓成型后，可以不需要對玻璃坯料G的表面加工工序，即磨削及研磨工序。即，在本實(shí)施方式的沖壓成型方法中所成型的玻璃坯料G可以為與最終得到的磁盤用玻璃基板的目標(biāo)板厚相同的板厚。例如，玻璃坯料G為厚度0.2～1.1mm的圓形的板。內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的表面粗糙度在面內(nèi)實(shí)質(zhì)上相同，以使玻璃坯料G的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.001～0.1μm，優(yōu)選為0.0005～0.05μm的方式進(jìn)行調(diào)整。玻璃坯料G的表面粗糙度由于內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的表面性狀被形狀轉(zhuǎn)印，而在面內(nèi)變?yōu)橄嗤谋砻娲植诙?。另外，若在模具的成型面?nèi)表面粗糙度不同，則以粗糙度變化的場所為開端，因沖壓而產(chǎn)生的均勻的延伸受到阻礙，成為產(chǎn)生例如筋狀的缺陷的原因。第一模型121和第二模型122閉合后，沖壓單元120快速向退避位置移動(dòng)，相反，其它的沖壓單元130向捕捉位置移動(dòng)，通過該沖壓單元130進(jìn)行凝塊GG的沖壓。在沖壓單元120移動(dòng)至退避位置后，第一模型121和第二模型122維持閉合的狀態(tài)到玻璃坯料G充分冷卻(至少比變形點(diǎn)低的溫度)。然后，驅(qū)動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)部123及第二驅(qū)動(dòng)部124離間第一模型121和第二模型122，玻璃坯料G離開沖壓單元120落下，被下部的輸送帶171接住(參照圖3)。另外，在圖4所示的例子中，通過使用切斷刀161及162，將流出的熔融玻璃LG切斷形成大致球狀的凝塊GG。但是，在熔融玻璃材料LG的粘度相對要切出的凝塊GG的體積較小的情況下，僅通過切斷熔融玻璃LG，所切斷的玻璃不變?yōu)榇笾虑驙睿荒苤谱髂龎K。在這種情況下，使用用于制作凝塊的凝塊形成模。圖5(a)～(c)是對圖4所示的實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說明的圖。在該變形例中使用凝塊形成模。圖5(a)是表示制作凝塊前的狀態(tài)的圖，圖5(b)是表示通過切斷單元160及凝塊形成模180制成凝塊GG的狀態(tài)的圖，圖5(c)是表示對凝塊GG進(jìn)行沖壓成型制作玻璃坯料G的狀態(tài)的圖。如圖5(a)所示，沖壓單元120通過將擋塊181、182在熔融玻璃LG的路徑上閉合而阻塞熔融玻璃LG的路徑，在由擋塊181、182制作的凹部180C，接住由切斷單元160切斷的熔融玻璃LG塊。然后，如圖5(b)所示，通過打開擋塊181、182，在凹部180C中變?yōu)榍驙畹娜廴诓ＡG再次向沖壓單元120落下。在該落下時(shí)，凝塊GG通過熔融玻璃LG的表面張力變?yōu)榍驙?。如圖5(c)所示，球狀的凝塊GG在落下途中，通過被第一模型121和第二模型122夾住進(jìn)行沖壓成型，而制作圓形的玻璃坯料G?；蛘?，如圖6(a)～(d)所示，裝置101不使用圖5(a)～(c)所示的切斷單元160，可以使用使凝塊形成模180沿熔融玻璃LG的路徑向上游側(cè)方向或者下游側(cè)方向移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。圖6(a)～(d)是對使用凝塊形成模180的變形例進(jìn)行說明的圖。圖6(a)、(b)是表示制作凝塊GG前的狀態(tài)的圖，圖6(c)是表示通過凝塊形成模180制成凝塊GG的狀態(tài)的圖，圖6(d)是表示對凝塊GG進(jìn)行沖壓成型制作玻璃坯料G的狀態(tài)的圖。如圖6(a)所示，由擋塊181、182制作的凹部180C接住從熔融玻璃流出口111流出的熔融玻璃LG，如圖6(b)所示，在規(guī)定的時(shí)間使擋塊181、182向熔融玻璃LG的熔流的下游側(cè)快速移動(dòng)。由此，切斷熔融玻璃LG。然后，如圖6(c)所示，在規(guī)定的時(shí)間，擋塊181、182離間。由此，由擋塊181、182保持的熔融玻璃LG再次落下，凝塊GG通過熔融玻璃LG的表面張力變?yōu)榍驙睢Ｈ鐖D6(d)所示，球狀的凝塊GG在落下途中，通過被第一模型121和第二模型122夾住進(jìn)行沖壓成型，制作圓形的玻璃坯料G。圖7(a)～(c)是對取代凝塊GG，使由未圖示的軟化爐加熱的光學(xué)玻璃塊CP落下，從落下途中的兩側(cè)用模型221、222夾住并進(jìn)行沖壓成型的變形例進(jìn)行說明的圖。圖7(a)是表示對加熱后的光學(xué)玻璃塊進(jìn)行成型前的狀態(tài)的圖，圖7(b)是表示使光學(xué)玻璃塊落下的狀態(tài)的圖，圖7(c)是表示對光學(xué)玻璃塊進(jìn)行沖壓成型制作玻璃坯料G的狀態(tài)的圖。如圖7(a)所示，裝置201用玻璃材把持機(jī)構(gòu)212將光學(xué)玻璃塊CP搬運(yùn)至沖壓單元220的上部的位置，如圖7(b)所示，在該位置，使玻璃材把持機(jī)構(gòu)212的對光學(xué)玻璃塊CP的把持開放，使光學(xué)玻璃塊CP落下。如圖7(c)所示，光學(xué)玻璃塊CP在落下途中，被第一模型221和第二模型222夾住成型圓形的玻璃坯料G。第一模型221及第二模型222與圖5所示的第一模型121及第二模型122具有相同的結(jié)構(gòu)及作用，省略其說明。圖8(a)～(c)是對圖4所示的實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說明的圖。在該變形例中使用各種形狀的均熱部125。圖8(a)是表示在分別設(shè)于第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的背面的周邊部的均熱部125之間，設(shè)有具有比均熱部125高的導(dǎo)熱率的第二均熱部126的狀態(tài)的圖。圖8(b)是表示僅在第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的背面的中央部設(shè)有均熱部125的狀態(tài)的圖。圖8(c)是表示朝向第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的背面的中央部的凹部設(shè)于均熱部125的狀態(tài)的圖。另外，在圖8(a)～(c)中，例示在大概各內(nèi)周面121a、122a的中央，對熔融玻璃進(jìn)行沖壓的情況，但在沖壓成型中的熔融玻璃的位置偏離各內(nèi)周面的中央部的情況下，圖8(a)的第二均熱部126、圖8(b)的均熱部125、及圖8(c)的凹部的位置可以根據(jù)其偏離調(diào)整設(shè)定位置。如圖8(a)所示，第二均熱部126設(shè)于第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的背面的各自的中央部分。在此，作為第二均熱部126，在例如均熱部125為鋁或鋁合金的情況下，使用銅或銅合金等。通過使用第二均熱部126，在沖壓成型時(shí)，積聚在內(nèi)周面121a、122a的中央部的熱量，經(jīng)由導(dǎo)熱效率比均熱部125好的第二均熱部126排出外部。另外，從凝塊GG向內(nèi)周面121a、122a的周邊部傳導(dǎo)的熱量，經(jīng)由均熱部125排出外部。這樣，能夠減小沖壓成型時(shí)的內(nèi)周面的內(nèi)部的溫差。另外，如圖8(b)所示，在僅在各內(nèi)周面121a、122a的背面的中央部設(shè)有均熱部125的情況下，在沖壓成型時(shí)，積聚在內(nèi)周面121a、122a的中央部的熱量經(jīng)由均熱部125排出外部。由此，能夠減小沖壓成型時(shí)的內(nèi)周面121a、122a各自的內(nèi)部的溫差。另外，取代均熱部125，還可以設(shè)置第二均熱部126。另外，如圖8(c)所示，在朝向各內(nèi)周面121a、122a的背面的中央部的凹部設(shè)于均熱部125的情況下，可以使用例如具有冷卻作用的液體和/或氣體等對凹部進(jìn)行冷卻。在該情況下，通過使內(nèi)周面121a、122a的中央部急冷，能夠減小沖壓成型時(shí)的內(nèi)周面的內(nèi)部的溫差。另外，也可以形成均熱部125，以可以使用例如具有冷卻作用的液體及氣體等直接冷卻各內(nèi)周面121a、122a的背面的中央部。另外，如圖8(d)所示，可以在第一及第二模具121、122的背面設(shè)置多個(gè)均熱部125。多個(gè)均熱部125可以為散熱器。在該情況下，與設(shè)置一個(gè)均熱部125的情況下相比較，可以使均熱部的相對外部的接觸面積變大，因此，能夠?qū)哪龎KGG傳遞至內(nèi)周面121a、122a的熱量高效地排出外部。(b)劃線工序(步驟S20)接著，針對劃線工序進(jìn)行說明。沖壓成型工序后，在劃線工序中，對成型后的玻璃坯料G進(jìn)行劃線。在此，劃線是指，為了將成型后的玻璃坯料G設(shè)為規(guī)定尺寸的圓環(huán)狀，而通過由超硬合金制或者金剛石顆粒構(gòu)成的劃線器在玻璃坯料G的表面設(shè)置兩條同心圓(內(nèi)側(cè)同心圓及外側(cè)同心圓)狀的切斷線(線狀的割痕)。對劃線成兩個(gè)同心圓形狀的玻璃坯料G的局部進(jìn)行加熱，通過玻璃坯料G的熱膨脹的差異，將外側(cè)同心圓的外側(cè)部分及內(nèi)側(cè)同心圓的內(nèi)側(cè)部分除去。由此，得到圓環(huán)狀的玻璃基板。另外，通過對玻璃坯料使用空心鉆等形成圓孔能夠得到圓環(huán)狀的玻璃基板。(c)形狀加工工序(步驟S30)接著，針對形狀加工工序進(jìn)行說明。在形狀加工工序中，包括對劃線工序后的玻璃基板的端部的倒角加工(外周端部及內(nèi)周端部的倒角加工)。倒角加工為在劃線工序后的玻璃基板的外周端部及內(nèi)周端部上，在主表面和與主表面垂直的側(cè)壁部之間，通過金剛石砂輪實(shí)施倒角的形狀加工。倒角角度相對主表面例如為40～50度。(d)由固定磨粒進(jìn)行的磨削工序(步驟S40)在由固定磨粒進(jìn)行的磨削工序中，使用具備行星齒輪機(jī)構(gòu)的兩面磨削裝置，對形狀加工工序后的玻璃基板的主表面進(jìn)行磨削加工(機(jī)械加工)。由磨削產(chǎn)生的加工余量例如為數(shù)μm～100μm程度(兩面加在一起的值。以下相同)。兩面磨削裝置具有上下一對定盤(上定盤及下定盤)，在上定盤及下定盤之間夾持有玻璃基板。而且，通過對上定盤或下定盤中任一者、或雙方進(jìn)行移動(dòng)操作，而使玻璃基板和各定盤相對移動(dòng)，由此能夠磨削該玻璃基板的兩主表面。另外，在本實(shí)施方式的沖壓成型工序中，由于可制作平面度極高的玻璃坯料，因此，也可以不進(jìn)行該磨削工序。另外，在磨削工序前，也可以使用與在磨削工序使用的裝置相同的兩面磨削裝置及氧化鋁系游離磨粒進(jìn)行研磨工序。(e)端面研磨工序(步驟S50)接著，進(jìn)行磨削工序后的玻璃基板的端面研磨。在端面研磨中，通過毛刷研磨對玻璃基板的內(nèi)周端面及外周端面進(jìn)行鏡面精加工。這時(shí)，使用作為游離磨粒而包含氧化鈰等微粒的漿料。通過進(jìn)行端面研磨，從而除去玻璃基板的端面上的附著塵埃等的污染、損壞或者割痕等損傷，由此，能夠防止熱粗糙度的產(chǎn)生、及成為腐蝕原因的鈉及鉀等的離子析出的產(chǎn)生。(f)第一研磨工序(步驟S60)接著，對端面研磨工序后的玻璃基板的主表面實(shí)施第一研磨。由第一研磨產(chǎn)生的加工余量，例如為數(shù)μm～50μm程度。第一研磨的目的在于，除去因由固定磨粒進(jìn)行的磨削而殘留在主表面的割痕、翹曲，調(diào)整微小的表面凹凸(微觀波紋度、粗糙度)。在第一研磨工序中，使用與磨削工序中使用的裝置相同構(gòu)造的兩面研磨裝置，一邊供給研磨液一邊研磨。研磨液中含有的研磨劑例如為氧化鈰磨粒、或者氧化鋯磨粒。另外，在第一研磨工序中，在玻璃基板的主表面上，以將表面粗糙度(Ra)變?yōu)?.5nm以下，且微觀波紋度(MV－Rq)變?yōu)?.5nm以下的方式進(jìn)行研磨。在此，微觀波紋度可以用作為主表面整面的半徑14.0～31.5mm的區(qū)域中的波段100～500μm的粗糙度而算出的RMS(Rq)值表示，可以使用例如Politec社制的Model－4224進(jìn)行測量。表面粗糙度用由JISB0601：2001規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra表示，在0.006μm以上200μm以下的情況下，可以用例如三豐株式會(huì)社制粗糙度測量機(jī)SV－3100進(jìn)行測量，利用由JISB0633：2001規(guī)定的方法算出。結(jié)果，在粗糙度為0.03μm以下的情況下，可用例如日本Veeco社制掃描探針顯微鏡(原子力顯微鏡；AFM)Nanoscope進(jìn)行測量并利用由JISR1683：2007規(guī)定的方法算出。在本申請中，在1μm×1μm見方的測量區(qū)域中，能夠使用512×512像素的分辨率進(jìn)行測量時(shí)的算術(shù)平均粗糙度Ra。(g)化學(xué)強(qiáng)化工序(步驟S70)接著，對第一研磨工序后的玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。作為化學(xué)強(qiáng)化液，可以使用例如硝酸鉀(60重量％)和硫酸鈉(40重量％)的混合液等。在化學(xué)強(qiáng)化工序中，將化學(xué)強(qiáng)化液加熱至例如300℃～400℃，將洗凈的玻璃基板預(yù)熱至例如200℃～300℃后，將玻璃基板浸漬在化學(xué)強(qiáng)化液中例如3小時(shí)～4小時(shí)。通過將玻璃基板浸漬在化學(xué)強(qiáng)化液中，從而玻璃基板表層的鋰離子及鈉離子分別被化學(xué)強(qiáng)化液中的離子半徑相對較大的鈉離子及鉀離子取代，由此，在表層部分形成壓縮應(yīng)力層，使玻璃基板強(qiáng)化。另外，將化學(xué)強(qiáng)化處理后的玻璃基板洗凈。例如，在用硫酸洗凈后，用純水等洗凈。(h)第二研磨工序(步驟S80)接著，對化學(xué)強(qiáng)化工序后的玻璃基板實(shí)施第二研磨。由第二研磨產(chǎn)生的加工余量例如為1μm程度，具體而言，優(yōu)選設(shè)為0.5～2μm的范圍內(nèi)。若加工余量比該范圍小，則有時(shí)不能充分降低表面粗糙度。另外，若比該范圍大，則有時(shí)會(huì)導(dǎo)致端部形狀的惡化(下垂等)。第二研磨以主表面的鏡面研磨為目的。在第二研磨中使用例如在第一研磨使用的研磨裝置。這時(shí)，與第一研磨不同之處在于，游離磨粒的種類及顆粒尺寸不同、和樹脂研磨盤的硬度不同。作為在第二研磨中使用的游離磨粒，例如使用混濁在漿料中的硅膠等微粒(顆粒尺寸：直徑10～50nm程度)。通過將研磨后的玻璃基板用中性洗劑、純水、IPA等洗凈，得到磁盤用玻璃基板。雖然不一定必須實(shí)施第二研磨工序，但從使玻璃基板的主表面的表面凹凸的水平更好的方面來看，優(yōu)選為實(shí)施。通過實(shí)施第二研磨工序，能夠使主表面的粗糙度(Ra)在0.2nm以下，更優(yōu)選為0.1nm以下，且使上述主表面的微觀波紋度(MW－Rq)在0.3nm以下，更優(yōu)選為0.1nm以下。如以上說明，根據(jù)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法，包括使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型的沖壓成型工序。所以，只要將一對模具內(nèi)周面的表面粗糙度設(shè)定為良好的水平(例如磁盤用玻璃基板所要求的表面粗糙度)，則其表面粗糙度就可作為由沖壓成型得到的玻璃坯料的表面粗糙度被形狀轉(zhuǎn)印，因此，能夠使玻璃坯料的表面粗糙度保持在良好的水平。另外，在沖壓成型工序中，可以使用用于減小熔融玻璃的沖壓中的模具的沖壓成型面內(nèi)的溫差的均熱裝置，進(jìn)行沖壓成型。因此，在本實(shí)施方式的沖壓成型工序中得到的玻璃坯料能夠?qū)⑵渲鞅砻娴钠矫娑燃氨砻娌y保持在磁盤用玻璃基板所要求的水平，因此，在之后的工序中不需要主表面的加工工序。對以該玻璃坯料為基礎(chǔ)形狀加工成規(guī)定的形狀的玻璃基板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化，但在本實(shí)施方式中不會(huì)通過化學(xué)強(qiáng)化使玻璃基板的平面度惡化。所以，最終得到的磁盤用玻璃基板為薄型且具備高機(jī)械強(qiáng)度，且平面度及表面波紋比現(xiàn)有的好。[磁盤]經(jīng)過以上的各工序，制作磁盤用玻璃基板。使用該磁盤用玻璃基板，通過如下得到磁盤。磁盤例如可以形成為如下結(jié)構(gòu)，即，在玻璃基板的主表面上，從靠近主表面的一側(cè)起依次至少層疊有附著層、基底層、磁性層(磁記錄層)、保護(hù)層、潤滑層。例如，將基板導(dǎo)入進(jìn)行了抽真空的成膜裝置內(nèi)，并利用DC磁控濺射法在Ar氣氛中在基板主表面上依次成膜從附著層至磁性層。作為附著層例如可以使用CrTi、作為基底層例如可以使用CrRu。作為磁性層，例如可以使用CoPt系合金。另外，也可以形成L10規(guī)則構(gòu)造的CoPt系合金及FePt系合金作為熱輔助磁記錄用的磁性層。在上述成膜后，利用例如CVD法并使用C2H4成膜保護(hù)層，接著，通過對表面進(jìn)行導(dǎo)入氮?dú)獾牡幚?，能夠形成磁記錄媒體。然后，通過利用浸涂法在保護(hù)層上涂布例如PFPE(全氟聚醚)，能夠形成潤滑層。<第二實(shí)施方式>以下，對本實(shí)施方式的磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板與第一實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板相同。另外，在以下的說明中，僅對與第一實(shí)施方式的磁盤用玻璃坯料的制造方法及磁盤用玻璃基板的制造方法不同的部分進(jìn)行說明，省略其以外的重復(fù)說明。在本實(shí)施方式中，為了方便，將在第一實(shí)施方式標(biāo)記為“均熱部”的構(gòu)件125標(biāo)記為“溫度控制部”。關(guān)于本實(shí)施方式的玻璃基板，也優(yōu)選為第一實(shí)施方式敘述的非晶鋁硅酸鹽玻璃。在本實(shí)施方式中，通過具備與第一實(shí)施方式的均熱部125相同的構(gòu)造的溫度控制部125的沖壓單元120對熔融玻璃進(jìn)行沖壓成型。除將第一實(shí)施方式的均熱部125標(biāo)記為溫度控制部125以外，沖壓單元120為與第一實(shí)施方式同等的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，溫度控制部125為用于減小模具的沖壓成型面內(nèi)的溫差的溫度控制裝置的一個(gè)例子。溫度控制部125與均熱部125一樣，可以由銅、銅合金、鋁、鋁合金構(gòu)成，也可以由銀或超超硬鋁合金等構(gòu)成。再次參照前述圖4(a)～(c)，對本實(shí)施方式的沖壓成型進(jìn)行如下說明。如圖4(a)所示，熔融玻璃材料LG從熔融玻璃流出口111連續(xù)流出。這時(shí)，在規(guī)定的時(shí)間驅(qū)動(dòng)切斷單元160，通過切斷刀161及162切斷熔融玻璃材料LG(圖4(b))。由此，切斷后的熔融玻璃通過其表面張力，變?yōu)榇笾虑驙畹哪龎KGG。熔融玻璃材料LG的每單位時(shí)間的流出量及切斷單元160的驅(qū)動(dòng)間隔的調(diào)整可以根據(jù)由作為目標(biāo)的玻璃坯料G的大小、板厚決定的體積適當(dāng)進(jìn)行。制成的凝塊GG向沖壓單元120的第一模型121和第二模型122之間的間隙落下。這時(shí)，在凝塊GG進(jìn)入第一模型121和第二模型122的間隙的時(shí)間，驅(qū)動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)部123及第二驅(qū)動(dòng)部124(參照圖4)，以使第一模型121和第二模型122相互靠近。由此，如圖4(c)所示，在第一模型121和第二模型122之間捕獲(捕捉)凝塊GG。另外，第一模型121的內(nèi)周面(沖壓成型面)121a和第二模型122的內(nèi)周面(沖壓成型面)122a變?yōu)橐晕⑿〉拈g隔接近的狀態(tài)，夾在第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a之間的凝塊GG成型為薄板狀。另外，為了將第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的間隔維持一定，而在第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a分別設(shè)置突起121b及突起122b。即，通過突起121b及突起122b相抵接，從而將第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a的間隔維持一定，制作板狀的空間。在該沖壓成型工序使用一對模具121、122進(jìn)行沖壓成型，但在本實(shí)施方式中的沖壓成型中，玻璃坯料的外形并未被模具的形狀限制。即，如圖4(c)所示，因合模而拉長的凝塊并未到達(dá)突起121b、122b。另外，如圖4(c)所示，從凝塊GG分別向各內(nèi)周面121a、122a的中央部傳遞的熱量，按照圖中箭頭表示的熱量的流動(dòng)，經(jīng)由溫度控制部125排出外部。第一模型121及第二模型122中設(shè)有未圖示的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，第一模型121及第二模型122的溫度保持在比熔融玻璃LG的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)低的溫度。另外，溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)控制夾在第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a之間的凝塊GG的冷卻速度，以減小凝塊GG的面內(nèi)(例如凝塊GG的表面的周邊部和中央部)的溫差。在該控制中，加快或抑制凝塊GG的冷卻速度。所以，溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可以具有由具有冷卻作用的液體及氣體等的流路等構(gòu)成的冷卻機(jī)構(gòu)及加熱器等加熱機(jī)構(gòu)。另外，也可以將溫度控制部125作為溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)來構(gòu)成。通過控制凝塊GG的冷卻速度，可以不必進(jìn)行對玻璃坯料的退火處理。例如，通過使冷卻速度變慢能夠抑制面內(nèi)翹曲的產(chǎn)生，其理由如下。即、由于通常，玻璃的導(dǎo)熱率與金屬相比較低且熱量在內(nèi)部不易傳遞，但通過使由模具吸收玻璃的熱量的速度變慢，而產(chǎn)生用于熱量在玻璃的內(nèi)部均勻地傳遞的時(shí)間上的富裕，玻璃內(nèi)部的溫差變小，因此，不易產(chǎn)生翹曲。另外，針對凝塊GG的冷卻速度的控制的一個(gè)例子如后述。另外，在沖壓成型工序中，沖壓成型能夠在極短的時(shí)間結(jié)束，在寬闊的面快速冷卻，因此，不會(huì)對模具過度加熱，玻璃和模具不會(huì)熔接，因此，不需要在第一模型121及第二模型122附著脫模材。另外，如果對凝塊GG進(jìn)行沖壓成型時(shí)的模具內(nèi)周面的溫度實(shí)質(zhì)上處于均勻的狀態(tài)，則沖壓成型后得到的玻璃坯料的平面度良好，因而優(yōu)選。特別優(yōu)選為，通過將來自容易向內(nèi)周面121a、122a各自的中央部分積聚的凝塊GG的熱量高效地排出外部，而使內(nèi)周面(沖壓成型面)的溫差變小。這是由于，如果使沖壓成型時(shí)的模具內(nèi)周面的溫差變小，內(nèi)周面的中央部的溫度和周邊部的溫度大致相同，因此，能夠大致同時(shí)使凝塊GG的中央部和周邊部固化。另外，由于內(nèi)周面的中央部的溫度和周邊部的溫度大致相同，因此能夠防止由朝向從沖壓成型面的周邊部分到中央部分的方向的壓縮應(yīng)力造成的內(nèi)部翹曲(面內(nèi)翹曲)在沖壓成型后玻璃坯料產(chǎn)生。因此，通過使用溫度控制部125減小玻璃坯料的沖壓中的模具內(nèi)周面的溫差，從而能夠?qū)崿F(xiàn)磁盤用玻璃基板所要求的平面度，并且，由于能夠大致同時(shí)使凝塊GG的中央部分和周邊部分固化，因此能夠抑制面內(nèi)翹曲的產(chǎn)生。例如，如果將磁盤用玻璃基板所要求的平面度設(shè)為4μm，則在內(nèi)周面的溫度實(shí)質(zhì)上均勻的狀態(tài)，例如，將中央部和周邊部的溫差設(shè)為10℃以內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行沖壓成型。中央部和周邊部的溫差為0℃時(shí)，對防止玻璃坯料的面內(nèi)翹曲的產(chǎn)生最良好，但上述溫差可以根據(jù)所成型的玻璃坯料G的大小及玻璃的組成等適當(dāng)決定。另外，內(nèi)周面的溫差為，在從模型內(nèi)周面的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm移動(dòng)的地點(diǎn)，即分別與內(nèi)周面的中央部及多個(gè)周邊部對應(yīng)的地點(diǎn)(例如，與直徑75mm的玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)和以該地點(diǎn)為中心的半徑約30mm的圓周上的上下左右四個(gè)地點(diǎn))，使用熱電偶測量時(shí)的中央部和各周邊部的溫度的差量中最大的溫度的差量。另外，在本實(shí)施方式中，為了減小凝塊GG的面內(nèi)的溫差而一邊控制上述熔融玻璃的冷卻速度一邊進(jìn)行沖壓成型，因此，能夠大致同時(shí)使凝塊GG的表面的中央部和周邊部固化。因此，也可以不設(shè)置溫度控制部125。另外，在本實(shí)施方式中，也可以采用與圖5～圖8的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。接著，參照圖9，針對凝塊GG的冷卻速度的控制進(jìn)行說明。圖9是表示沖壓成型中的凝塊的溫度的經(jīng)時(shí)變化的一個(gè)例子的圖。若夾在第一模型121的內(nèi)周面121a和第二模型122的內(nèi)周面122a之間的凝塊GG的冷卻速度過快，則在凝塊GG的面內(nèi)產(chǎn)生溫差。其理由如下。即、由于通常，玻璃的導(dǎo)熱率與金屬相比較低且熱量在內(nèi)部不易傳遞，但若使由模具吸收玻璃的熱量的速度過快，則沒有用于熱量在玻璃的內(nèi)部均勻地傳遞的時(shí)間上的富裕。這時(shí)，伴隨冷卻的收縮首先出現(xiàn)在凝塊GG的表面的周邊部，因此，在通過凝塊GG的沖壓成型所成型的玻璃坯料中產(chǎn)生由從凝塊GG的表面的周邊部朝向中央部的殘留應(yīng)力造成的內(nèi)部翹曲(面內(nèi)翹曲)。因此，在本實(shí)施方式中，在沖壓成型時(shí)的凝塊GG的溫度從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)下降至應(yīng)變點(diǎn)期間，由溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)控制冷卻速度。在圖9所示的例子中，在制造直徑75mm、厚度0.9mm的玻璃坯料時(shí)，在凝塊GG的溫度從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)下降至應(yīng)變點(diǎn)期間，凝塊GG的冷卻速度控制為－8～－2℃/秒程度的緩慢的冷卻速度。在該情況下，由于減小凝塊GG的面內(nèi)的溫差，因此，能夠使在玻璃坯料產(chǎn)生的翹曲的大小變小。另外，凝塊GG的溫度可以使用熱電偶在從第一模型121的內(nèi)周面121a及第二模型122的內(nèi)周面122a的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)，即內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的相互對向的地點(diǎn)(例如，與玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)及內(nèi)周面121a及內(nèi)周面122a的中心點(diǎn))進(jìn)行測量。另外，圖9所示的凝塊的溫度的經(jīng)時(shí)變化用于對凝塊GG的冷卻速度的控制的一個(gè)例子進(jìn)行說明，凝塊GG的冷卻速度可以根據(jù)玻璃的組成、及所成型的玻璃坯料的尺寸適當(dāng)進(jìn)行控制。這樣，一邊控制熔融玻璃的冷卻速度，以減小熔融玻璃的沖壓中的凝塊GG的面內(nèi)的溫差一邊進(jìn)行沖壓成型。由此，能夠不產(chǎn)生面內(nèi)翹曲地使熔融玻璃固化。因此，可以省略用于使在玻璃坯料內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)部翹曲開放的退火處理。另外，劃線工序以后的處理可以與第一實(shí)施方式相同。如以上說明，根據(jù)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃坯料及磁盤用玻璃基板的制造方法，包括使用一對模具對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成型的沖壓成型工序。所以，只要將一對模具內(nèi)周面的表面粗糙度設(shè)定在良好的水平(例如磁盤用玻璃基板所要求的表面粗糙度)，則其表面粗糙度就可作為由沖壓成型得到的玻璃坯料的表面粗糙度被形狀轉(zhuǎn)印，因此，能夠使玻璃坯料的表面粗糙度保持在良好的水平。另外，在沖壓成型工序中，可以一邊控制熔融玻璃的沖壓中的熔融玻璃的冷卻速度，一邊進(jìn)行沖壓成型。這時(shí)，以減小熔融玻璃的面內(nèi)的溫差的方式進(jìn)行控制更好。因此，在本實(shí)施方式的沖壓成型工序中得到的玻璃坯料能夠?qū)⑵渲鞅砻娴谋砻娲植诙燃捌矫娑缺３衷诖疟P用玻璃基板所要求的水平，因此，還能夠在之后的工序中不需要主表面的加工工序。對以該玻璃坯料為基礎(chǔ)形狀加工成規(guī)定的形狀的玻璃基板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化，但在本實(shí)施方式中不會(huì)通過化學(xué)強(qiáng)化使玻璃基板的平面度惡化。所以，最終得到的磁盤用玻璃基板為薄型且具備高機(jī)械強(qiáng)度，且平面度比現(xiàn)有的高。另外，在本實(shí)施方式中，控制熔融玻璃的冷卻速度以減小熔融玻璃的面內(nèi)的溫差，由此，能夠不產(chǎn)生面內(nèi)翹曲地使熔融玻璃固化。因此，在本實(shí)施方式中，不用進(jìn)行退火處理，就能得到減少內(nèi)部翹曲的磁盤用玻璃坯料及磁盤用玻璃基板。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例進(jìn)一步對本發(fā)明進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并未限定于實(shí)施例所示的方式。<第一實(shí)施例>·熔融玻璃的制作稱量并混合原料，作成調(diào)合原料以得到以下組成的玻璃。將該原料投入熔融容器并進(jìn)行加熱、熔融、澄清、攪拌以制作不包含氣泡、未熔化物的均質(zhì)的熔融玻璃。在得到的玻璃中未發(fā)現(xiàn)氣泡及未熔化物、結(jié)晶的析出、構(gòu)成熔融容器的耐火物及鉑的混入物。[玻璃的組成]由以下組成構(gòu)成的非晶的鋁硅酸鹽玻璃，該組成換算成氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，具有50～75％的SiO2、1～15％的Al2O3、合計(jì)5～35％的選自Li2O、Na2O及K2O的至少一種成分、合計(jì)0～20％的選自MgO、CaO、SrO、BaO及ZnO的至少一種成分，以及合計(jì)0～10％的選自ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及HfO2的至少一種成分準(zhǔn)備上述熔融玻璃，利用本發(fā)明的沖壓成型方法(使用圖3、圖4的裝置的方法)，制作直徑75mm、厚度0.9mm的玻璃坯料。從熔融玻璃流出口111排出的熔融玻璃材料LG的溫度為1300℃，此時(shí)的熔融玻璃材料LG的粘度為700泊。另外，第一模型及第二模型內(nèi)周面的表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)在面內(nèi)設(shè)為0.01μm～1μm。具體而言，設(shè)為0.1μm。另外，第一模型及第二模型由超硬合金(VM40)構(gòu)成。另外，使用銅作為均熱部。從熔融玻璃流出口111排出的熔融玻璃材料LG通過切斷單元160切斷，形成直徑約20mm的凝塊GG。凝塊GG通過沖壓單元以荷重3000kgf沖壓至其溫度變?yōu)槿廴诓ＡР牧系牟ＡЩD(zhuǎn)變溫度(Tg)以下(約3秒)，形成直徑75mm的玻璃坯料。另外，沖壓中的模型內(nèi)周面內(nèi)的溫差通過如下求出，即，算出在從模型內(nèi)周面的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)，即分別與內(nèi)周面的中央部及多個(gè)周邊部對應(yīng)的地點(diǎn)(具體而言，為與直徑75mm的玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)，和以該地點(diǎn)為中心的半徑約30mm的圓周上的上下左右四個(gè)地點(diǎn))使用熱電偶所測量的各地點(diǎn)的溫度中中央部和各周邊部的溫度的差量。另外，在實(shí)施例中，將中央部和各周邊部的溫度的差量中最大的溫度的差量作為模型內(nèi)周面內(nèi)的中央部和周邊部的溫差。在該實(shí)施例中，在將磁盤用玻璃基板所要求的平面度設(shè)為4μm以下的情況下，為了實(shí)現(xiàn)該平面度，在各沖壓單元中將第一模型及第二模型的溫差設(shè)為10℃以內(nèi)。具體而言，將第一模型的溫度設(shè)為420℃，將第二模型的溫度設(shè)為411～429℃。[實(shí)施例的玻璃坯料的評價(jià)]對在實(shí)施例制作的直徑約75mm的板狀玻璃坯料測量了平面度及表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)。在此，表面波紋定義為以形狀波長5mm以下的成分測量玻璃坯料的主表面(整面)的情況下的PV值(Peak－Valley值：最大高低差)。表面波紋能夠使用例如白色光干涉顯微鏡型表面形狀測量器即フェイズシフト社制OPTIFLAT進(jìn)行測量。其中，需要除去端部附近的部分等，光的反射率下降不能準(zhǔn)確測量的部分的數(shù)據(jù)。在這種情況下，例如，可以將測量區(qū)域設(shè)為直徑65mm的圓。另外，也可以使用其他測量機(jī)，將去除量設(shè)為5mm，通過去除比5mm長的波長的波紋，從而算出表面波紋。表1所示的表面波紋的評價(jià)基準(zhǔn)如以下所示。在以下的基準(zhǔn)中，如果玻璃坯料的表面波紋比30nm大則需要實(shí)施磨削工序使表面波紋減小至30nm以下。在表面波紋比10nm大且在30nm以下的玻璃坯料的情況下，能夠省略磨削工序，因此優(yōu)選，但為了使質(zhì)量穩(wěn)定而需要增大研磨工序中的加工余量，因此，從生產(chǎn)性的觀點(diǎn)來看，比表面波紋在10nm以下的玻璃坯料差。另外，在表面波紋為10nm以下的玻璃坯料的情況下，能夠省略磨削工序，還能減少研磨工序中的加工余量，因此，最優(yōu)選?！颍罕砻娌y在10nm以下○：表面波紋比10nm大且在30nm以下×：表面波紋比30nm大表面粗糙度用由JISB0601：2001規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra表示，在0.006μm以上200μm以下的情況下，可以用例如三豐株式會(huì)社制粗糙度測量機(jī)SV－3100測量，并利用由JISB0633：2001規(guī)定的方法算出。結(jié)果，在粗糙度為0.03μm以下的情況下，可用例如日本Veeco社制掃描探針顯微鏡(原子力顯微鏡；AFM)Nanoscope進(jìn)行測量并利用由JISR1683：2007規(guī)定的方法算出。在本申請中，在10μm×10μm見方的測量區(qū)域中，使用以256×256像素的分辨率測量時(shí)的算術(shù)平均粗糙度Ra。結(jié)果，關(guān)于玻璃坯料的表面粗糙度在所有的例子中都為0.5μm以下。這是因?yàn)?，由于第一模型及第二模型?nèi)周面與模型的溫度沒有關(guān)系地被形狀轉(zhuǎn)印于玻璃坯料，所以，玻璃坯料的表面粗糙度與第一模型及第二模型內(nèi)周面的表面粗糙度相同。另外，如果算術(shù)平均粗糙度Ra在0.1μm以下，則通過省略對主表面的磨削工序直接進(jìn)行研磨工序，從而能夠得到作為目標(biāo)的磁盤用玻璃基板的表面性狀。表1從表1可知，在對玻璃坯料進(jìn)行沖壓成型時(shí)，通過減小一對模具內(nèi)周面的中央部和周邊部的溫差，可以制作表面波紋良好的玻璃坯料。特別地，在相對模具的厚度尺寸使均熱部的厚度尺寸變大的情況下，得到表面波紋最良好的玻璃坯料。另外，第一模型及第二模型的內(nèi)周面被形狀轉(zhuǎn)印于玻璃坯料，關(guān)于各例的玻璃坯料的表面粗糙度，與第一模型及第二模型的內(nèi)周面的表面粗糙度大致相同。[實(shí)施例的磁盤用玻璃基板的制作]使用上述比較例、實(shí)施例1、實(shí)施例2的玻璃坯料，依次進(jìn)行圖2所示的步驟S20(劃線)→S30(形狀加工)→S50(端面研磨)→S60(第一研磨)→S70(化學(xué)強(qiáng)化)→S80(第二研磨)的工序，分別制作磁盤用玻璃基板。即，不進(jìn)行用于提高平面度的主表面的磨削工序而制作磁盤用玻璃基板。另外，在制作上述磁盤用玻璃基板時(shí)，第一研磨、第二研磨的各工序按以下條件進(jìn)行?！さ谝谎心スば颍菏褂醚趸?平均顆粒尺寸；直徑1～2μm)，硬質(zhì)聚氨酯墊進(jìn)行研磨。加工余量10μm?！さ诙心スば颍菏褂霉枘z(平均顆粒尺寸；直徑0.1μm)，軟質(zhì)聚氨酯墊進(jìn)行研磨。加工余量1μm。接著，在以比較例、實(shí)施例1、實(shí)施例2的玻璃坯料為基礎(chǔ)制作成的磁盤用玻璃基板上成膜記錄層以制作磁盤(分別依次為比較例A、實(shí)施例1A、實(shí)施例2A)。制作的磁盤為公稱2.5英寸(內(nèi)徑20mm、外徑65mm、板厚0.8mm)。另外，對磁盤用玻璃基板的記錄層的成膜如下進(jìn)行。首先，使用進(jìn)行了抽真空的成膜裝置，利用DC磁控濺射法在Ar氣氛中在基板上依次成膜附著層/軟磁性層/前基底層/基底層/主記錄層/輔助記錄層/保護(hù)層/潤滑層。另外，只要沒有特別說明，以成膜時(shí)的Ar氣壓0.6Pa進(jìn)行。作為附著層，成膜10nm的Cr－50Ti。作為軟磁性層，夾著0.7nm的Ru層，分別成膜20nm的92Co－3Ta－5Zr。作為前基底層，成膜8nm的Ni－5W。作為基底層，在以0.6Pa成膜10nm的Ru后以5Pa成膜10nm的Ru。作為主記錄層，以3Pa成膜15nm的90(72Co－10Cr－18Pt)－5(SiO2)－5(TiO2)。作為輔助記錄層，成膜6nm的62Co－18Cr－15Pt－5B。作為保護(hù)層，利用CVD法使用C2H4成膜4nm，對表層進(jìn)行氮化處理。作為潤滑層，利用浸涂法使用PFPE形成1nm。[實(shí)施例的磁盤的評價(jià)]以比較例、實(shí)施例1、實(shí)施例2的磁盤為對象，使用Kubotacomps公司制HDF測試儀(Head/DiskFlyabilityTester)，進(jìn)行DFH(DynamicFlyheight)磁頭元件部的觸碟試驗(yàn)(DFH觸碟試驗(yàn))。該試驗(yàn)通過DFH機(jī)構(gòu)使元件部慢慢突出，通過AE(AcousticEmission)傳感器探測與磁盤表面的接觸，由此，評價(jià)磁頭元件部與磁盤表面接觸時(shí)的突出量。磁頭使用匹配320GB/P磁盤(2.5英寸)的DFH磁頭。元件部未突出時(shí)的懸浮量為10nm。即，例如在突出量為8nm時(shí)，磁頭懸浮量變?yōu)?nm。另外，其它條件如下設(shè)定。·評價(jià)半徑：22mm·磁盤的轉(zhuǎn)速：5400rpm·溫度：25℃·濕度：60％DFH觸碟試驗(yàn)的結(jié)果示于表2。另外，在表2中，根據(jù)磁頭元件部的突出量如下進(jìn)行評價(jià)。另外，為了實(shí)現(xiàn)320GB/P以上的記錄密度，優(yōu)選為將突出量設(shè)為8nm以上。○：(突出量)≧8nm×：(突出量)<8nm表2突出量的評價(jià)比較例A×實(shí)施例1A○實(shí)施例2A○從表2可以明確，關(guān)于實(shí)施例1A及實(shí)施例2A，即使省略磨削工序也能充分使DFH磁頭的突出量變大。即，關(guān)于實(shí)施例1A及實(shí)施例2A可以確認(rèn)的是，通過將模具面內(nèi)的溫差設(shè)為10℃以下，從而即使省略磨削工序，也可以制造平面度、表面粗糙度都良好，且在介質(zhì)化時(shí)得到良好的DFH觸碟試驗(yàn)結(jié)果的磁盤用玻璃基板。針對實(shí)施例1A和實(shí)施例2A進(jìn)一步詳細(xì)比較后，僅實(shí)施例2A可以使突出量設(shè)為8.5nm以上。這被認(rèn)為是由于因?yàn)椴Ａ髁蠒r(shí)的表面波紋較小，因此，在磁盤用玻璃基板中，表面波紋也變小。<第二實(shí)施例>·熔融玻璃的制作稱量并混合原料，作成調(diào)合原料以得到以下組成的玻璃。將該原料投入熔融容器并進(jìn)行加熱、熔融、澄清、攪拌以制作不包含氣泡、未熔化物的均質(zhì)的熔融玻璃。在得到的玻璃中未發(fā)現(xiàn)氣泡及未熔化物、結(jié)晶的析出、構(gòu)成熔融容器的耐火物及白金的混入物。[玻璃的組成]·第一玻璃由以下組成(以下，稱為第一玻璃組成)構(gòu)成的非晶的鋁硅酸鹽玻璃，該組成換算成氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，具有50～75％的SiO2、1～15％的Al2O3、合計(jì)5～35％的選自Li2O、Na2O及K2O的至少一種成分、合計(jì)0～20％的選自MgO、CaO、SrO、BaO及ZnO的至少一種成分，以及合計(jì)0～10％的選自ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及HfO2的至少一種成分另外，作為制作熱輔助磁記錄方式用的玻璃坯料、玻璃基板、磁盤的情況下的玻璃，設(shè)為以下的第二玻璃的組成?！さ诙Ａв扇缦陆M成(以下，稱為第二玻璃組成)構(gòu)成的非晶的鋁硅酸鹽玻璃，該組成換算成氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，具有50～75％的SiO2、0～5％的Al2O3、0～3％的Li2O、0～5％的ZnO、合計(jì)3～15％的Na2O及K2O、合計(jì)14～35％的MgO、CaO、SrO及BaO、合計(jì)2～9％的ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Yb2O3、Ta2O5、Nb2O5及HfO2另外，第一玻璃的組成以磁盤用玻璃基板的溫度為100～300℃的情況下的熱膨脹系數(shù)為98×10－7(K－1)的方式構(gòu)成。另外，第二玻璃的組成以磁盤用玻璃基板的溫度為100～300℃的情況下的熱膨脹系數(shù)為80×10－7(K－1)的方式構(gòu)成。在熱膨脹系數(shù)為50×10－7(K－1)以下的情況下，在沖壓成型后的玻璃坯料產(chǎn)生的內(nèi)部翹曲有變小的傾向，因此，進(jìn)行后述的急加熱處理后的平面度的劣化度變小。另外，在熱膨脹系數(shù)不足30×10－7(K－1)的情況下，熱膨脹系數(shù)變得比硬盤裝置內(nèi)的主軸還小。在該情況下，在硬盤裝置的工作中，由于磁盤和主軸強(qiáng)烈嵌合，磁盤可能會(huì)破裂，因此不優(yōu)選。另外，在制作熱輔助磁記錄方式用的玻璃坯料、玻璃基板、磁盤的情況下，優(yōu)選為以玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)在600℃以上的方式組成玻璃。這是由于，因?yàn)椴ＡЩD(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)越高從熔融狀態(tài)到固化(Tg附近)的時(shí)間越短，且冷卻速度有越快的傾向，所以內(nèi)部翹曲的控制一般比較困難，在使用這種玻璃的情況下，特別優(yōu)選應(yīng)用本發(fā)明的制造方法。因此，將實(shí)施例4B～6B的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)設(shè)為670℃。另外，各實(shí)施例的熱膨脹系數(shù)在50～100×10－7(K－1)的范圍內(nèi)。準(zhǔn)備上述熔融玻璃，利用本發(fā)明的沖壓成型方法(使用圖3、圖4的裝置的方法)，制作直徑75mm、厚度0.9mm的玻璃坯料。從熔融玻璃流出口111排出的熔融玻璃材料LG的溫度為1300℃，此時(shí)的熔融玻璃材料LG的粘度為700泊。另外，第一模型及第二模型內(nèi)周面的表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)設(shè)為0.1μm～1μm。另外，第一模型及第二模型由厚度10mm的超硬合金(VM40)構(gòu)成。另外，作為溫度控制部，使用厚度20mm的銅。在該情況下，模具的內(nèi)周面的溫差在10℃以內(nèi)。內(nèi)周面的溫差為，在從模型內(nèi)周面的表面向模型的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)，即分別與內(nèi)周面的中央部及多個(gè)周邊部對應(yīng)的地點(diǎn)(例如，與直徑75mm的玻璃坯料的中心位置對應(yīng)的地點(diǎn)和以該地點(diǎn)為中心的半徑約30mm的圓周上的上下左右四個(gè)地點(diǎn))，使用熱電偶測量時(shí)的中央部和各周邊部的溫度的差量中最大的溫度的差量。從熔融玻璃流出口111排出的熔融玻璃材料LG通過切斷單元160切斷，形成直徑約20mm的凝塊GG。凝塊GG通過沖壓單元以荷重3000kgf沖壓至其溫度變?yōu)槿廴诓ＡР牧系膽?yīng)變點(diǎn)以下(約5秒)，形成直徑75mm的玻璃坯料。在該實(shí)施例中，將第一模型的溫度設(shè)為應(yīng)變點(diǎn)－20℃，將第二模型的溫度設(shè)為第一模型的溫度±10℃(應(yīng)變點(diǎn)－10～－30℃)。另外，將模型的最低溫度設(shè)為應(yīng)變點(diǎn)－30℃是由于若以過低的溫度進(jìn)行沖壓，則在沖壓時(shí)可能會(huì)使玻璃破裂。另外，在該實(shí)施例中，在熔融玻璃材料的溫度從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)向應(yīng)變點(diǎn)轉(zhuǎn)變期間，優(yōu)選為將沖壓成型時(shí)的熔融玻璃材料的冷卻速度任意控制在－8～－2℃/秒。該冷卻速度通過如下求出，在從模具內(nèi)周面的表面向模具的內(nèi)部移動(dòng)1mm的地點(diǎn)對溫度進(jìn)行包括從沖壓開始前到模具離開后的60秒的測量，算出溫度變化的相對該測量時(shí)間的比例中，具體而言是所檢測的溫度中從玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)的溫度到應(yīng)變點(diǎn)的溫度的期間的時(shí)間上的溫度變化。另外，在本發(fā)明中，上述所檢測的溫度與玻璃坯料的溫度相同。[實(shí)施例及比較例]·比較例1B在表3所示的比較例1B中，使用由第一玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。該熔融玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)為510℃，應(yīng)變點(diǎn)為490℃。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－12℃/秒。·比較例2B在表3所示的比較例2B中，使用由第一玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－16℃/秒?！?shí)施例1B在表3所示的實(shí)施例1B中，使用由第一玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－2℃/秒?！?shí)施例2B在表3所示的實(shí)施例2B中，使用由第一玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－4℃/秒?！?shí)施例3B在表3所示的實(shí)施例3B中，使用由第一玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－8℃/秒。·實(shí)施例4B在表3所示的實(shí)施例4B中，使用由第二玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－2℃/秒?！?shí)施例5B在表3所示的實(shí)施例5B中，使用由第二玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－4℃/秒?！?shí)施例6B在表3所示的實(shí)施例6B中，使用由第二玻璃的組成構(gòu)成的熔融玻璃制作玻璃坯料。另外，將熔融玻璃材料的冷卻速度控制在－8℃/秒。另外，從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)的溫度到應(yīng)變點(diǎn)的溫度期間的冷卻速度的控制通過用隔熱材覆蓋沖壓單元，并調(diào)整該隔熱材的材料及厚度進(jìn)行。[實(shí)施例的玻璃坯料的評價(jià)]首先，對在實(shí)施例所制作的直徑75mm的玻璃坯料的平面度進(jìn)行測量。接著，對玻璃坯料進(jìn)行用20秒從室溫升溫到Tg的急加熱處理，保持10秒鐘后，對玻璃坯料用10分鐘緩慢冷卻到室溫后的平面度及表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)進(jìn)行測量，并且，求出急加熱處理前后的變面度(変面度)的變化量。該急加熱處理為假想熱輔助磁記錄方式下的成膜處理的處理。平面度可以定義為將玻璃坯料放置在水平面上，在自水平面的法線軸上從一定的高度看時(shí)的玻璃坯料的主平面上的最低位置(谷)和最高位置(山)的法線軸上的高度的差，使用例如Nidek社制平面度測試儀FT－900進(jìn)行測量。表3所示的平面度的評價(jià)基準(zhǔn)如下。在以下的基準(zhǔn)中，如果玻璃坯料的平面度在8.0μm以下，則通過磨削工序可將平面度改善至磁盤用玻璃基板的目標(biāo)平面度即4μm以下的水平，在這一方面優(yōu)選。另外，如果玻璃坯料的平面度在4.0μm以下，則即使省略磨削工序也能實(shí)現(xiàn)磁盤用玻璃基板的目標(biāo)平面度，因此能夠減少成本而更優(yōu)選。表面粗糙度用由JISB0601：2001規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra表示，在0.006μm以上200μm以下的情況下，可以用例如三豐株式會(huì)社制粗糙度測量機(jī)SV－3100測量，并利用JISB0633：2001規(guī)定的方法算出。結(jié)果，在粗糙度為0.03μm以下的情況下，可利用例如日本Veeco社制掃描探針顯微鏡(原子力顯微鏡；AFM)Nanoscope測量并利用JISR1683：2007規(guī)定的方法算出。在本申請中，在10μm×10μm見方的測量區(qū)域中，使用以256×256像素的分辨率測量時(shí)的算術(shù)平均粗糙度Ra。結(jié)果，關(guān)于玻璃坯料的表面粗糙度在所有的例子中都為0.5μm以下。這是因?yàn)?，由于第一模型及第二模型的?nèi)周面與模型的溫度沒有關(guān)系地被形狀轉(zhuǎn)印于玻璃坯料，所以，玻璃坯料的表面粗糙度與第一模型及第二模型內(nèi)周面的表面粗糙度相同。另外，如果算術(shù)平均粗糙度Ra在0.1μm以下，則通過省略對主表面的磨削工序直接進(jìn)行研磨工序，從而能夠得到作為目標(biāo)的磁盤用玻璃基板的表面性狀。表3從表3可知，在對玻璃坯料進(jìn)行沖壓成型時(shí)，通過控制熔融玻璃的冷卻速度，可得到平面度良好的玻璃坯料。這表示通過沖壓成型，可制作減少內(nèi)部翹曲的玻璃坯料。特別地，在將從玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)到應(yīng)變點(diǎn)的熔融玻璃的冷卻速度控制在－8～－2℃/秒的情況下，在加熱前后可得到平面度良好的玻璃坯料。即，如果每一秒鐘下降的溫度在10℃以下，則可將平面度的變化量抑制在1μm以下。另外，在將冷卻速度控制在－2℃/秒的情況下，可得到加熱前后的平面度的變化量最良好的玻璃坯料。另外，比較實(shí)施例2B、3B和實(shí)施例5B、6B可知，在相同的冷卻速度的情況下，玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)為670℃的情況能夠使加熱前后的平面度的變化量變小。理由雖未必明確，但這被認(rèn)為是由于第二玻璃的情況的熱膨脹系數(shù)小。如上述，通過使用該玻璃坯料，可以不用進(jìn)行退火處理就能得到減少內(nèi)部翹曲的磁盤用玻璃基板及磁盤。另外，除調(diào)整玻璃組成且使用玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)：600℃(應(yīng)變點(diǎn)：590℃、熱膨脹系數(shù)：85×10－7(K－1))和玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)：650℃(應(yīng)變點(diǎn)：640℃、熱膨脹系數(shù)：81×10－7(K－1))的玻璃外，以與實(shí)施例3B相同的條件進(jìn)行同樣的評價(jià)，結(jié)果，加熱前后的平面度的變化量分別為0.7μm、0.6μm。因此，若以加熱前后的變化量進(jìn)行比較，則變化量按玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)為(1)670℃、650℃、(2)600℃、(3)510℃的順序變小，良好。<第三實(shí)施例>在上述第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，能夠使用相同的構(gòu)件(均熱部125、溫度控制部125)控制沖壓成型時(shí)的沖壓成型面內(nèi)的溫度，因此，以組合第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的形式能夠制作玻璃坯料。具體而言，在實(shí)施例1B～6B中，在測量玻璃坯料的脫模時(shí)的沖壓成型面的中央部和周邊部的溫差后，為4～6℃的范圍內(nèi)，在任何情況下都為10℃以下。另外，表面波紋也為15～19nm。另外，加熱前后的平面度的變化量不變。即，可制作表面波紋良好，且加熱前后的平面度的變化量也良好的玻璃坯料。這是由于，因?yàn)樵谌廴诓Ａ偱c沖壓成型面接觸后，雖然在熔融玻璃的中央部和周邊部產(chǎn)生溫差，但從開始接觸到脫模時(shí)，控制冷卻速度以在熔融玻璃的中央部和周邊部除去面內(nèi)的翹曲，并進(jìn)行控制以在脫模時(shí)減小兩部的溫差。以上，針對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本發(fā)明的磁盤用玻璃坯料的制造方法、磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤用玻璃坯料、磁盤用玻璃基板及磁盤并未限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種改良及變更。當(dāng)前第1頁1 2 3