用作安置在cvd反應(yīng)器的基座下方的加熱裝置的設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用作安置在CVD反應(yīng)器(1)的基座下方的加熱裝置的設(shè)備，用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至1000℃以上，其中，所述加熱裝置具有多個(gè)加熱螺旋線圈(8)，這些加熱螺旋線圈的端部以加熱螺旋線圈(8)的電并聯(lián)的方式分別與接觸件相連。為了使用有利地進(jìn)行改進(jìn)，在此規(guī)定，所述加熱螺旋線圈(8)中的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有相互不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì)，使得當(dāng)在加熱螺旋線圈的端部施加相同電壓時(shí)，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
【專利說明】
用作安置在CVD反應(yīng)器的基座下方的加熱裝置的設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及一種用作安置在CVD(化學(xué)氣相沉積)反應(yīng)器的基座下方的加熱裝 置的設(shè)備，用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至IOOCTC W上，其中， 所述加熱裝置具有至少兩個(gè)加熱螺旋線圈，運(yùn)些加熱螺旋線圈的端部W加熱螺旋線圈的電 并聯(lián)的方式分別與接觸件相連。
【背景技術(shù)】
[0002] 在文獻(xiàn)DE 10 2013 113 052、DE 10 2013 113 049、DE 10 2013 113 048、DE 10 2013 113 046和DE 10 2013 113 045中描述了前述類型的設(shè)備。未在前公開的文獻(xiàn)的內(nèi)容 全部包含在本申請(qǐng)的公開內(nèi)容中。用于加熱CVD反應(yīng)器的基座的設(shè)備在現(xiàn)有技術(shù)、例如DE 10 2009 043 96 AUDE 10 2007 009 145 AUDE 103 29 107 AUDE 10 2005 056 536 AUDE 10 2006 018 515 Al或DE 10 2007 027 703 Al中是已知的。
[0003] 作為現(xiàn)有技術(shù)還包括EP 1 351 281 BUUS 7,525,071 B2、US 7,679，0：34 B2和US 2014/0110398 Alo
[0004] 如本實(shí)用新型的對(duì)象、即加熱裝置，處于CVD反應(yīng)器的殼體內(nèi)部。加熱裝置具有多 個(gè)加熱螺旋線圈，其由螺旋線圈形狀成型的金屬線、所謂的由耐熱金屬如鶴制成的絲形成。 單個(gè)加熱螺旋線圈布置在螺旋線上，其中，一個(gè)加熱螺旋線圈位于另一個(gè)加熱螺旋線圈的 后面。螺旋形狀的裝置在圓盤面或圓環(huán)面上延伸?？蒞設(shè)有多個(gè)加熱裝置，它們徑向嵌套地 布線并且分別形成加熱區(qū)，其中，中央的加熱區(qū)在圓盤面上延伸，并且徑向外側(cè)的加熱器在 相應(yīng)的環(huán)形面上延伸。每個(gè)加熱區(qū)均具有多個(gè)加熱螺旋線圈，所述加熱螺旋線圈尤其在螺 旋弧線上相繼地布置。但加熱螺旋線圈也可W在圓弧線上布置。多個(gè)圓弧同屯、地或非同屯、 地、即偏屯、地嵌套布線。但加熱螺旋線圈也可W布置在一條在相應(yīng)的加熱區(qū)上回形地延伸 的線上。加熱螺旋線圈可W在共同的平面內(nèi)布置。該平面是基本圓盤形狀的基座的延伸面 的平行平面，該基座安置在CVD反應(yīng)器殼體內(nèi)的加熱裝置的上方。通過加熱裝置，基座被從 下面加熱，使得背離加熱裝置的基座上側(cè)被加熱到IOOCTC W上。每個(gè)加熱區(qū)具有兩個(gè)接觸 件，該接觸件連接在電源上。在接觸件之間W電并聯(lián)的方式布置加熱器的各個(gè)加熱螺旋線 圈。每個(gè)加熱螺旋線圈具有兩個(gè)端部。每個(gè)端部與接觸件相連。在現(xiàn)有技術(shù)中，屬于加熱裝 置的加熱區(qū)的各個(gè)加熱螺旋線圈的加熱絲的長(zhǎng)度和直徑被設(shè)計(jì)為相同的，使得各個(gè)加熱螺 旋線圈由于具有相同的電阻而具備相同的熱功率。
[0005] 例如出于非均勻性、局部差異或甚至出于工藝技術(shù)的原因有利的是，由加熱裝置 產(chǎn)生的熱功率采取局部不同的值。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 因此本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，使用有利地改進(jìn)已知的加熱裝置。
[0007] 所述技術(shù)問題按照本實(shí)用新型通過一種用作安置在CVD反應(yīng)器的基座下方的加熱 裝置的設(shè)備解決，該設(shè)備用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至1000 "CU上，其中，所述加熱裝置具有多個(gè)加熱螺旋線圈，運(yùn)些加熱螺旋線圈的端部W加熱螺旋 線圈的電并聯(lián)的方式分別與接觸件相連，其中規(guī)定，所述加熱螺旋線圈中的至少兩個(gè)加熱 螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì)，使得當(dāng)在加熱螺旋線圈的端部施加相同 電壓時(shí)，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
[0008] 首先并主要建議，加熱螺旋線圈中的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有相互不同的電性 質(zhì)和/或幾何性質(zhì)，使得加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。如前所述，按照本實(shí)用新型的加 熱裝置可W具有多個(gè)加熱螺旋線圈、但尤其至少兩個(gè)加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈可W構(gòu) 成具有彼此不同的加熱區(qū)的加熱器的一個(gè)加熱區(qū)，其中，每個(gè)區(qū)域分布具有兩個(gè)彼此電氣 分離的接觸件、尤其是接觸板的形式。每個(gè)加熱區(qū)優(yōu)選具有至少兩個(gè)加熱螺旋線圈，其中， 至少一個(gè)加熱器具有具備不同電阻的加熱螺旋線圈，使得該加熱螺旋線圈提供不同的熱功 率。在至少一個(gè)加熱區(qū)的加熱螺旋線圈上施加相同的電壓。電壓施加在接觸件上。由于加熱 螺旋線圈的彼此不同的電阻，彼此不同大小的電流流過加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈優(yōu)選 由一個(gè)或多個(gè)金屬線、所謂的加熱絲構(gòu)成。加熱螺旋線圈的加熱絲在其端部相互連接。彼此 不同的加熱螺旋線圈的加熱絲可W由相同的材料、尤其鶴制成。但加熱絲也可W由不同的 材料、尤其不同的合金制成，其具有不同的電阻率。但加熱螺旋線圈優(yōu)選由一個(gè)或多個(gè)螺 旋線圈形狀彎曲的金屬線構(gòu)成。按照本實(shí)用新型規(guī)定，加熱裝置的、例如加熱區(qū)的至少一個(gè) 加熱螺旋線圈僅具有一個(gè)螺旋線圈形狀成型的加熱絲，并且第二加熱螺旋線圈具有一個(gè)W 上的螺旋線圈形狀成型的加熱絲。優(yōu)選地，所述加熱螺旋線圈或所有加熱螺旋線圈分別具 有兩個(gè)彼此平行延伸的加熱絲，其被共同螺旋成型，使得兩個(gè)螺旋線圈嵌套地卷繞延伸。加 熱螺旋線圈由此可W具有單股或多股加熱絲。各個(gè)加熱絲通過其端部與接觸件相連。還規(guī) 定，幾個(gè)彼此不同的加熱螺旋線圈的加熱絲具有不同的橫截面積。還規(guī)定，不同的加熱螺旋 線圈的加熱絲的長(zhǎng)度彼此不同。如果加熱螺旋線圈由兩個(gè)緊密相鄰延伸加熱絲構(gòu)成，則運(yùn) 兩個(gè)加熱絲然而優(yōu)選具有相同的長(zhǎng)度并且優(yōu)選還具有相同的材料強(qiáng)度。但是，運(yùn)兩個(gè)加熱 絲也可W在長(zhǎng)度和材料強(qiáng)度方面是不同的。在本實(shí)用新型的優(yōu)選改進(jìn)方案中規(guī)定，各個(gè)加 熱螺旋線圈是相同長(zhǎng)度的并且優(yōu)選在螺旋線的相同的圓弧長(zhǎng)度上延伸。如果彼此不同的加 熱螺旋線圈具有不同長(zhǎng)度的加熱絲，則規(guī)定，螺旋線圈的螺距是不同的。加熱絲可W具有不 同數(shù)量的螺旋線。但加熱螺旋線圈的長(zhǎng)度可W是相同的。但還規(guī)定，加熱螺旋線圈在螺旋線 圈的直徑方面是不同的。根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選設(shè)計(jì)方案規(guī)定，加熱裝置的至少兩個(gè)彼此 不同的加熱螺旋線圈（所述加熱螺旋線圈具有相同數(shù)量的加熱絲）的熱功率彼此相差最大 10%、而最小5%。
【附圖說明】
[0009] W下結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。在附圖中：
[0010] 圖1示出CVD反應(yīng)器連同安置在該CVD反應(yīng)器中的加熱裝置7的剖面示意圖，
[0011] 圖2示出CVD設(shè)備的具有S個(gè)加熱區(qū)A、B、C的加熱器的俯視圖，如其在DE 10 2013 113 048中所述的，其中，=個(gè)加熱區(qū)A、B、C中的每一個(gè)均構(gòu)成加熱裝置7，
[0012] 圖3示出根據(jù)圖2中的箭頭HI的側(cè)視圖，
[0013] 圖4示出由兩個(gè)相鄰延伸的由鶴制成的加熱絲17、18組成的加熱螺旋線圈的區(qū)域， 加熱絲分別具有圓形的具備直徑d的截面，并且其中，雙螺旋線W間距a相互間隔并且每個(gè) 螺旋線圈具有直徑D，
[0014] 圖5示出加熱螺旋線圈8的根據(jù)圖4的示圖，該加熱螺旋線圈由單股加熱絲17構(gòu) 成，該加熱絲具有直徑d，其中，加熱螺旋線圈8的單螺旋線W間距a相互間隔并且具有螺旋 線圈直徑D。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 按照本實(shí)用新型的加熱裝置7是CVD反應(yīng)器的組成部件，如圖1在截面圖中僅示意 示出的。CVD反應(yīng)器具有反應(yīng)器殼體1，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)2位于反應(yīng)器殼體1中。通過進(jìn)氣機(jī)構(gòu)2,處理 氣體可W被導(dǎo)入安置在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)2下方的處理室4。為此，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)2具有具備排氣板的氣體 分配體積，該排氣板具有多個(gè)排氣孔3,處理氣體通過排氣孔可W流入處理室4內(nèi)。
[0016] 處理室4的底板由基座6的上側(cè)構(gòu)成。在基座6的上側(cè)上安置有一個(gè)或多個(gè)待覆層 的基板5?；?由導(dǎo)熱材料、例如鋼或石墨制成。
[0017]處理室4內(nèi)開始生長(zhǎng)過程(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積M0CVD)，其中，III-V族半 導(dǎo)體層在基板5上沉積。為此，含有HI主族元素和V主族元素的化合物與運(yùn)載氣體一同穿過 進(jìn)氣機(jī)構(gòu)2被導(dǎo)入處理室4。在處理室4內(nèi)或者說在安置在基座6上的基板5的表面上，氣體形 式的原材料被熱解地分解，使得在基板可W生長(zhǎng)出單晶體的III-V族覆層。反應(yīng)殘余和運(yùn)載 氣體通過環(huán)形圍繞基座6的排氣環(huán)15從CVD反應(yīng)器1中排出。
[0018] 圓盤形的基座6支撐在基座支架16上。具有多個(gè)按照本實(shí)用新型的加熱裝置7的多 區(qū)式加熱器處在基座6的下方。
[0019] 加熱裝置7的主要元件是兩個(gè)板形的接觸件11、12。該接觸板11、12可W在共同的 平面內(nèi)安置。但在實(shí)施例中，接觸板11、12安置在兩個(gè)彼此不同的平面內(nèi)。兩個(gè)接觸板11、12 可與電源相連。
[0020] 在圖2和3中所示的實(shí)施例是=區(qū)式加熱器。中央?yún)^(qū)域A具有圓形的平面輪廓W及 處于一個(gè)平面內(nèi)的加熱螺旋線圈8.1至8.11。十一條加熱螺旋線圈相繼地布置在一條螺旋 線上。設(shè)有兩個(gè)接觸板11、12,加熱螺旋線圈8.1至8.11的端部相應(yīng)地與接觸板相連接。為 此，設(shè)有接觸件13、14。中央?yún)^(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11電并聯(lián)地連接并且W相同的弧 長(zhǎng)在螺旋線上延伸。每個(gè)加熱螺旋線圈8.1至8.11可W由一個(gè)或多個(gè)加熱絲17、18構(gòu)成，加 熱絲被設(shè)計(jì)成螺旋線圈的形式。所有十一個(gè)加熱螺旋線圈8.1至8.11具有相同的側(cè)向長(zhǎng)度。 加熱螺旋線圈由具有相同忍線特征的鶴絲制成，使得加熱螺旋線圈具有一致的直徑。既設(shè) 有單股加熱絲也設(shè)有多股加熱絲、尤其雙股加熱絲。單股加熱絲或雙股加熱絲但也可W具 有彼此不同的長(zhǎng)度，使得每條加熱螺旋線圈8.1具有彼此不同的電阻并且由此提供不同的 熱功率。
[0021] 中央?yún)^(qū)域A被中間環(huán)形區(qū)域B圍繞。中間環(huán)形區(qū)域B同樣被設(shè)計(jì)為具有兩個(gè)板形接 觸件11、12的加熱裝置7。通過中間環(huán)形區(qū)域B的接觸件11、12,一共有十五條加熱螺旋線圈 8.12至8.26導(dǎo)電連接。加熱螺旋線圈8.12至8.26電并聯(lián)地連接。在此，每條加熱螺旋線圈 8.12至8.26也在處于一個(gè)平面延伸的螺旋線上相繼延伸。加熱螺旋線圈8.12至8.26由一個(gè) 或多個(gè)加熱絲17、18構(gòu)成，加熱絲被設(shè)計(jì)成螺旋線圈的形式并且可W由相同的鶴絲制成，加 熱螺旋線圈8.1至8.11也由運(yùn)種鶴絲制造。在此，每條加熱螺旋線圈8.12至8.26也可W具有 彼此不同的電阻，其中，電阻主要由電熱絲17、18的數(shù)量和/或長(zhǎng)度定義。
[0022] 中間環(huán)形區(qū)域B被外部環(huán)形區(qū)域C圍繞，外部環(huán)形區(qū)域具有五條加熱螺旋線圈8.27 至8.31。加熱螺旋線圈8.27至8.31在圓弧形區(qū)段上相鄰平行地延伸。加熱螺旋線圈8.27至 8.31分別在大約=分之一個(gè)圓弧上延伸，使得沿周向相繼布置一共=個(gè)加熱螺旋線圈裝 置。在此，所有的加熱螺旋線圈8.27至8.31也可W電并聯(lián)地連接并且與接觸件11、12相連 接。加熱螺旋線圈8.27至8.31在此也可W由相同的鶴絲制造，加熱螺旋線圈8.1至8.26也由 運(yùn)種鶴絲制造。加熱螺旋線圈8.27至8.31可W具有一個(gè)或多個(gè)加熱絲17、18,加熱絲被設(shè)計(jì) 成螺旋線圈的形式。加熱螺旋線圈8.27至8.31可W具有不同的電阻。為此，加熱螺旋線圈 8.27至8.31具有不同長(zhǎng)度的加熱絲或不同數(shù)量的加熱絲。
[0023] 所有=個(gè)區(qū)域A、B、C可W被單獨(dú)地供電，使得每個(gè)區(qū)域A、B、C的熱功率可W被單獨(dú) 地控制。但是，每個(gè)加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功率相對(duì)于相同區(qū)域A、B、C的其它加熱螺 旋線圈8.1至8.31的熱功率則通過每條加熱螺旋線圈8.1至8.31的加熱絲的長(zhǎng)度和數(shù)量定 義。
[0024] 在實(shí)施例中，區(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11處于相同平面內(nèi)，區(qū)域B的加熱螺旋 線圈8.12至8.26也處于該平面內(nèi)。區(qū)域C的加熱螺旋線圈8.27至8.31可W處于另一個(gè)平面 內(nèi)。支撐板10在被絕緣體相互間隔的接觸板11、12和加熱螺旋線圈8.1至8.31之間延伸，在 支撐板上固定有支撐件，加熱螺旋線圈8.1至8.31通過支撐件保持螺旋線或圓弧線形狀。
[0025] 本實(shí)用新型包括多種技術(shù)可行性，用于影響單條加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功 率和尤其電阻。所有的加熱螺旋線圈8.1至8.31應(yīng)在延伸平面內(nèi)的相同的弧長(zhǎng)上延伸。
[0026] 圖4示出本實(shí)用新型的第一實(shí)施例，其中，加熱螺旋線圈8由兩條加熱絲17、18構(gòu) 成。兩條加熱絲17、18構(gòu)成共同卷繞的螺旋線圈。由此設(shè)及雙股螺旋線圈。加熱絲17、18的兩 個(gè)端部相互連接并且分別與接觸件13、14連接，使得加熱螺旋線圈8具有兩個(gè)彼此平行延伸 的加熱絲17、18。加熱絲17、18具有相同的長(zhǎng)度并且與接觸板11、12的相同的接觸件13、14連 接。
[0027] 雙股螺旋線圈由兩條彼此平行延伸的金屬絲17、18構(gòu)成，該金屬絲可W相接觸。兩 條加熱絲17、18具有相同的直徑d并且構(gòu)成具有相同螺旋線圈直徑D的螺旋線圈。螺旋線圈 具有相互的螺距a。通過改變螺距a可W預(yù)設(shè)加熱螺旋線圈8的熱功率。但是，熱功率也可W 通過直徑D或金屬線直徑d預(yù)設(shè)。
[0028] 加熱螺旋線圈8的設(shè)計(jì)方案的變型方案在圖5中示出。加熱螺旋線圈8由加熱絲17 構(gòu)成。在此設(shè)及具有直徑D的單股加熱絲，該加熱絲被成型為螺旋線圈形狀。螺旋線圈具有 螺旋線圈直徑D和螺距a。在此，加熱螺旋線圈8的電阻和由此熱功率也可W通過加熱絲直徑 D、螺距a和螺旋線圈直徑D的選擇來定義。
[00巧]也可W是S股加熱絲或更多股加熱絲。
[0030] 在此規(guī)定，例如由加熱區(qū)域A、加熱區(qū)域B或加熱區(qū)域C構(gòu)成的加熱裝置7的加熱螺 旋線圈8具有彼此相同的長(zhǎng)度。加熱螺旋線圈8電并聯(lián)地連接。由相同材料、例如鶴制成的加 熱絲17、18構(gòu)成加熱螺旋線圈8。加熱螺旋線圈8由具有相同直徑d的金屬絲構(gòu)成。螺旋線圈 具有相同的螺旋線圈直徑D。加熱裝置7的每個(gè)加熱螺旋線圈8優(yōu)選僅通過螺旋線圈的螺距、 即其間距a或通過構(gòu)成每個(gè)加熱螺旋線圈8的加熱絲17、18的數(shù)量相區(qū)別。由此可W局部地 預(yù)設(shè)加熱裝置7的熱功率。運(yùn)考慮到基座的導(dǎo)熱特性和放熱特性。在此規(guī)定，加熱裝置7的至 少兩個(gè)加熱螺旋線圈8在其電阻方面相區(qū)別。加熱裝置7的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈8優(yōu)選僅 通過加熱絲17、18的長(zhǎng)度和數(shù)量并且尤其僅通過相互間螺旋線圈的間距a相區(qū)別。
[0031] W下表格1示出S區(qū)式加熱器的區(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11的基本特性，如 其在圖2和3中所示的。"Pitch"表示螺距a。"Delta L"表示加熱絲相對(duì)于加熱螺旋線圈8.1 的加熱絲的長(zhǎng)度差。"Resistance"表示單位為歐姆的電阻。"Rel化W"表示每個(gè)加熱螺旋 線圈的相對(duì)的熱功率，并且"P〇wer(%r表示每個(gè)加熱螺旋線圈的相對(duì)的熱功率。
[0032] 區(qū)域A
[0033] 表格 1
[0034；
[0035] 所有加熱螺旋線圈8.1至8.11在相
同的弧線長(zhǎng)度上延伸。但徑向外側(cè)的加熱螺旋 線圈8.3至8.11具有比徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.1、8.2更大的熱功率。
[0036] 所有加熱螺旋線圈8.1至8.11由根據(jù)圖4所示的雙股加熱絲裝置構(gòu)成。
[0037] 表格2示出區(qū)域B的加熱螺旋線圈8.12至8.26的基本特性。除了由圖5所示的單股 加熱絲構(gòu)成的加熱螺旋線圈8.20、8.21，加熱螺旋線圈8.12至8.19和8.22至8.26由根據(jù)圖4 的雙股加熱絲裝置構(gòu)成。在該環(huán)形區(qū)域內(nèi)，徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.12至8.19具有最大 的熱功率。位于中間的加熱螺旋線圈8.20、8.21相反則具有最低的熱功率。徑向外側(cè)的加熱 螺旋線圈8.22至8.26具有比徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.12至8.19略微降低的熱功率。
[003引區(qū)域B
[0039] 丄片"
[0040]
[0041]
[0042] 表格3示出區(qū)域C的加熱螺旋線圈8.27至8.31的基本特性。所有加熱螺旋線圈在此 是根據(jù)圖4所示的雙股加熱絲裝置。在此，加熱螺旋線圈8.29具有最低的導(dǎo)熱性。
[0043] 區(qū)域C
[0044] 親格 3
[0045
[0046] 前述實(shí)施方式用于闡述本申請(qǐng)中總體包含的實(shí)用新型，其至少通過W下特征組合 對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行相應(yīng)獨(dú)立的改進(jìn)，即：
[0047] -種設(shè)備，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中的至少兩個(gè) 加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì)，使得當(dāng)在加熱螺旋線圈的端部施加 相同電壓時(shí)，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
[004引一種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有不同數(shù)量的在兩個(gè)接觸件11、12之間并排延伸的加熱絲17、 18。
[0049] -種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少一個(gè)加熱螺旋線圈具有單股加熱絲17。
[(K)加]一種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31 中的至少一個(gè)加熱螺旋線圈具有多股、尤其雙股加熱絲17、18。
[0化1 ] 一種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的一個(gè)加熱螺旋線圈的構(gòu)成多股加熱絲的加熱絲17、18的長(zhǎng)度是相同的或不同的。
[0化2] -種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有不同的橫截面積。
[0化3] -種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有具備不同長(zhǎng)度的單股或多股加熱絲17、18。
[0化4] 一種設(shè)備，其特征在于，所有的加熱螺旋線圈8.1至8.11 ;8.12至8.26;8.27至8.31 具有相同的側(cè)向長(zhǎng)度并且尤其在相同的弧長(zhǎng)上延伸。
[0化5] -種設(shè)備，其特征在于，兩個(gè)彼此不同的加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26 ; 8.27至8.31螺旋線圈具有不同的間距a或螺旋線圈直徑D。
[0化6] -種設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31基 本上在共同的平面內(nèi)在一條線、尤其螺旋線上相繼地布置。
[0057] -種設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置7構(gòu)成多區(qū)加熱器的一個(gè)區(qū)A、B、C。
[0化引一種設(shè)備，其特征在于，單個(gè)加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31的 熱功率與所述基座6的局部的導(dǎo)熱性和/或放熱性如此匹配，使得被所述加熱裝置7加熱的 基座6在其基座上側(cè)上具有均勻的側(cè)面溫度曲線。
[0059] -種設(shè)備，其特征在于一個(gè)或多個(gè)前述技術(shù)特征。
[0060] 所有公開的特征(本身及其相互組合)都有實(shí)用新型意義或?qū)嵱眯滦蛢r(jià)值。在本申 請(qǐng)的公開文件中，所屬/附屬的優(yōu)先權(quán)文本(在先申請(qǐng)文件）的公開內(nèi)容也被完全包括在內(nèi)， 為此也將該優(yōu)先權(quán)文本中的特征納入本申請(qǐng)的權(quán)利要求書中。從屬權(quán)利要求的特征都是對(duì) 于現(xiàn)有技術(shù)有獨(dú)立實(shí)用新型意義或價(jià)值的改進(jìn)設(shè)計(jì)，尤其可W運(yùn)些從屬權(quán)利要求為基礎(chǔ)提 出分案申請(qǐng)。
[OOW]附圖標(biāo)記列表
[0062] 1 CVD 反應(yīng)器
[0063] 2 進(jìn)氣機(jī)構(gòu)
[0064] 3 排氣孔
[00化]4 處理室
[0066] 5 基板
[0067] 6 基座
[0068] 7 加熱裝置
[0069] 8 加熱螺旋線圈
[0070] 8.1 加熱螺旋線圈
[0071] 8.2 加熱螺旋線圈
[0072] 8.3 加熱螺旋線圈
[0073] 8.4 加熱螺旋線圈
[0074] 8.5 加熱螺旋線圈
[00巧]8.6 加熱螺旋線圈
[0076] 8.7 加熱螺旋線圈
[0077] 8.8 加熱螺旋線圈
[007引 8.9 加熱螺旋線圈
[00巧]8.10 加熱螺旋線圈
[0080] 8.11 加熱螺旋線圈
[0081] 8.12 加熱螺旋線圈
[0082] 8.13 加熱螺旋線圈
[0083] 8.14 加熱螺旋線圈
[0084] 8.15 加熱螺旋線圈
[00化]8.16 加熱螺旋線圈
[00化]8.17 加熱螺旋線圈
[0087] 8.18 加熱螺旋線圈
[0088] 8.19 加熱螺旋線圈
[0089] 8.20 加熱螺旋線圈
[0090] 8.21 加熱螺旋線圈
[0091] 8.22 加熱螺旋線圈
[0092] 8.23 加熱螺旋線圈
[0093] 8.24 加熱螺旋線圈
[0094] 8.25 加熱螺旋線圈
[00巧]8.26 加熱螺旋線圈
[0096] 8.27 加熱螺旋線圈
[0097] 8.28 加熱螺旋線圈
[0098] 8.29 加熱螺旋線圈
[0099] 8.30 加熱螺旋線圈
[0100] 8.31 加熱螺旋線圈
[0101] 9 支撐件
[0102] 10 支撐板
[0103] 11 接觸板
[0104] 12 接觸板
[0105] 13 接觸件
[0106] 14 接觸件
[0107] 15 排氣機(jī)構(gòu)
[010引 16 支座支架
[0109] 17 加熱絲
[0110] 18 加熱絲
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用作安置在CVD反應(yīng)器（1)的基座(6)下方的加熱裝置(7)的設(shè)備，所述設(shè)備用于 將指向處理室(4)的、支承待覆層的基板(5)的基座上側(cè)加熱至1000°C以上，其中，所述加熱 裝置(7)具有多個(gè)加熱螺旋線圈（8.1至8.11 ;8.12至8.26 ;8.27至8.31)，這些加熱螺旋線圈 的端部以加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26;8.27至8.31)的電并聯(lián)的方式分別與接觸 件（11、12)相連，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11 ;8.12至8.26;8.27至8.31)中 的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì)，使得當(dāng)在加熱螺旋線圈 的端部施加相同電壓時(shí)，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有不同數(shù)量的在兩個(gè)接觸件（11、12)之間相鄰 地延伸的加熱絲（17、18)。3. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少一個(gè)加熱螺旋線圈具有單股加熱絲（17)。4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少一個(gè)加熱螺旋線圈具有多股加熱絲（17、18)。5. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，至少一個(gè)加熱螺旋線圈具有雙股加熱絲（17、 18)〇6. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的一個(gè)加熱螺旋線圈的構(gòu)成多股加熱絲的加熱絲（17、18)的長(zhǎng)度是相同的 或不同的。7. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有不同的橫截面積。8. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個(gè)加熱螺旋線圈具有具備不同長(zhǎng)度的單股或多股加熱絲（17、18)。9. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所有的加熱螺旋線圈（8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)具有相同的側(cè)向長(zhǎng)度。10. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所有的加熱螺旋線圈（8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)在相同的弧長(zhǎng)上延伸。11. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，兩個(gè)彼此不同的加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至8.26;8.27至8.31)的螺旋線圈具有不同的間距(a)或螺旋線圈直徑(D)。12. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至 8.26; 8.27至8.31)基本上在共同的平面內(nèi)在一條線上相繼地布置。13. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱螺旋線圈（8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)基本上在共同的平面內(nèi)在一條螺旋線上相繼地布置。14. 如前述權(quán)利要求之一所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置(7)構(gòu)成多區(qū)式加熱 器的其中一個(gè)區(qū)域(A、B、C)。15. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，單個(gè)加熱螺旋線圈（8.1至8.11; 8.12至 8.26; 8.27至8.31)的熱功率與所述基座(6)的局部的導(dǎo)熱性和/或放熱性如此匹配，使得被 所述加熱裝置(7)加熱的基座(6)在其基座上側(cè)上具有均勻的側(cè)面溫度曲線。
【文檔編號(hào)】C23C16/46GK205556776SQ201520667672
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日
【發(fā)明人】F.M.A.克勞利, P-A.博丁, O.費(fèi)龍, H.格魯比
【申請(qǐng)人】艾克斯特朗歐洲公司