專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在真空氣氛中利用處理氣體對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置和基板 處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝中，在對半導(dǎo)體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板進(jìn)行成膜處理、 蝕刻處理等真空處理之際，有時(shí)一邊從多個(gè)排氣管線分別排出真空容器內(nèi)的氣氛一邊進(jìn)行 處理。在該情況下，例如在各排氣管線上分別連接真空泵等，并且在真空容器和各真空泵之 間設(shè)有蝶閥等壓力調(diào)整閥，分別調(diào)整各排氣管線的排氣流量。作為像上述那樣在真空容器上設(shè)有多個(gè)排氣管線而進(jìn)行基板處理的裝置一個(gè)例 子，公知有所謂小批量式的成膜裝置，即，沿著真空容器的周向設(shè)有晶圓的載置臺(tái)，并且在 載置臺(tái)上方側(cè)設(shè)有多種處理氣體供給部，使載置臺(tái)側(cè)或處理氣體供給部側(cè)沿周向旋轉(zhuǎn)來 進(jìn)行真空處理。這樣的裝置在進(jìn)行向晶圓交替地供給第1反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體來層 疊原子層或分子層的例如被稱為 ALD(AtomiCLayer Deposition), MLD(Molecular Layer Deposition)等方法的情況下是較佳的成膜手段。作為這樣的裝置，例如公知有專利文獻(xiàn) 1 4記載的裝置，在這些裝置中，以反應(yīng)氣體在晶圓上不混合的方式劃分處理區(qū)域。而且， 在該裝置上設(shè)有多個(gè)排氣管線，在從這些排氣管線分別排出多種處理氣體的情況下，因?yàn)?處理氣體不互相混合，所以能夠抑制微粒的產(chǎn)生，真空容器內(nèi)的氣體流動(dòng)也穩(wěn)定化，所以在 面內(nèi)和面間能夠以高的均勻性進(jìn)行處理。但是，在如上所述那樣從多個(gè)排氣管線分別排出各處理氣體時(shí)，在硬件構(gòu)成上，直 接測量在各排氣管線中流通的氣體流量是非常困難的。因此，為了調(diào)整各排氣管線的排氣 流量，例如在每個(gè)排氣管線上設(shè)有壓力計(jì)，在對各排氣管線的壓力調(diào)整閥的開度進(jìn)行調(diào)整， 使得這些壓力計(jì)的測量值為大致相同的壓力值時(shí)，有時(shí)處理氣體之間會(huì)互相混合。即，即使 是在多個(gè)真空泵中的1個(gè)由于故障等未動(dòng)作時(shí)或排氣能力低時(shí)，在像上述那樣在真空氣氛 下進(jìn)行處理的情況下，各壓力計(jì)的測量值也會(huì)成為大致相同的值。此外，在排氣管線內(nèi)例如 堆積物堆積而對排氣流量引起經(jīng)時(shí)變化(隨著時(shí)間的變化而變化)，即使在各排氣管線的 排氣能力失衡的情況下，也無法用壓力計(jì)把握那樣的狀態(tài)。因此，即使測量各排氣管線的壓力值，也無法確認(rèn)在真空容器內(nèi)處理氣體實(shí)際上 如何流通。因此，在處理氣體互相混合或真空容器內(nèi)的氣流紊亂時(shí)，產(chǎn)生微?；蛎鎯?nèi)和面間 處理的均勻性變差。此外，在多種處理氣體中的例如1種處理氣體的流量與其他的處理氣 體的流量相比非常多的情況下，處理氣體之間更進(jìn)一步地相互混合的可能性增大。此外，作為對1個(gè)真空容器連接多個(gè)排氣管線的例子，例如能夠列舉對1個(gè)邊為幾 m左右的大型的 LCD(Liq uid CrystalDisplay)基板、FPD(Flat Panel Display)基板例如 進(jìn)行蝕刻處理等的情況。在該情況下，在真空容器內(nèi)，例如從沿著L CD基板的4個(gè)邊形成 多處的排氣口排出處理氣體，但是在無法與上述例子相同地從各排氣口以均等的排氣流量 排氣的情況下，有可能無法在整個(gè)面內(nèi)進(jìn)行均勻的處理。
在上述各專利文獻(xiàn)中，沒有記載解決這樣的課題的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1 美國專利公報(bào)7，153，542號(hào)圖6的(a)、(b)專利文獻(xiàn)2 日本專利3144664號(hào)公報(bào)圖1、圖2、權(quán)利要求1專利文獻(xiàn)3 美國專利公報(bào)6，869，641號(hào)圖1
專利文獻(xiàn)4 日本特開2007-247066號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于這樣的情況而做成的，其目的在于提供一種在分別從多個(gè)排氣通路 對真空容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行真空排氣而對基板進(jìn)行真空處理之際、能調(diào)整上述多個(gè)排氣通路 的各排氣流量的基板處理裝置、基板處理方法。本發(fā)明的基板處理裝置是在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上載置基板、從處理氣體供給部 對上述基板供給處理氣體、在真空氣氛下進(jìn)行處理的基板處理裝置，其特征在于，包括第1排氣通路和第2排氣通路，分別用于對上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；第1壓力調(diào)整閥和第2壓力調(diào)整閥，分別設(shè)在上述第1排氣通路和上述第2排氣 通路上；流導(dǎo)(conductance)調(diào)整部，設(shè)于上述第2排氣通路的上述第2壓力調(diào)整閥的1 次側(cè)，用于調(diào)整該第2排氣通路的流導(dǎo)；第1壓力測量部件，用于測量上述真空容器內(nèi)的壓力；壓差測量部件，測量上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的壓差；存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)有規(guī)定了上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值、上述 第2排氣通路的排氣流量和上述壓差的關(guān)系的數(shù)據(jù)；控制部，從存儲(chǔ)于該存儲(chǔ)部的數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值 相對應(yīng)的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差并輸出控制信 號(hào)，從而對上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為上述壓力值，并 且利用上述流導(dǎo)調(diào)整部將上述第2排氣通路的流導(dǎo)調(diào)整成上述調(diào)整值，接著對上述第2壓 力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述壓差成為與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對應(yīng)的 壓差。優(yōu)選上述流導(dǎo)調(diào)整部是蝶閥，流導(dǎo)的調(diào)整值是蝶閥的開度。上述處理是依次對基板的表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給 循環(huán)而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理，基板處理裝置優(yōu)選包括第1反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件，相互分開地設(shè)于上述真空容器 的周向，分別用于向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體；分離區(qū)域，用于分離被供給上述第1反應(yīng)氣體的第1處理區(qū)域和被供給上述第2 反應(yīng)氣體的第2處理區(qū)域的氣氛，在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間，用于從 分離氣體供給部件供給分離氣體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使上述第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分 離區(qū)域和上述載置臺(tái)沿上述周向相對旋轉(zhuǎn)，使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述 第1處理區(qū)域和上述第2處理區(qū)域，
上述第1排氣通路的排氣口為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置，上述第2 排氣通路的排氣口為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置。優(yōu)選上述存儲(chǔ)部內(nèi)的數(shù)據(jù)是通過以下的步驟(a)、(b)、(c)而得到的數(shù)據(jù)，(a)在對基板進(jìn)行處理之前，關(guān)閉上述第1壓力調(diào)整閥，打開上述第2壓力調(diào)整閥，(b)向上述真空容器內(nèi)供給流量調(diào)整用氣體，并且利用上述流導(dǎo)調(diào)整部對上述第 2排氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為規(guī)定的壓力，求出此時(shí)的上述 流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差，(c)對流量調(diào)整用氣體的供給流量和真空容器內(nèi)的壓力的組合嘗試進(jìn)行各種這樣 的變更。本發(fā)明的基板處理方法的特征在于，包括以下工序?qū)⒒遢d置在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上，對上述基板供給處理氣體；分別從設(shè)有第1壓力調(diào)整閥的第1排氣通路和設(shè)有第2壓力調(diào)整閥的第2排氣通 路對上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；從存儲(chǔ)部讀取數(shù)據(jù)；接著，對上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為存儲(chǔ)在 上述數(shù)據(jù)中的壓力值，并且利用流導(dǎo)調(diào)整部對上述第2排氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整，使得上 述第2排氣通路的設(shè)于上述第2壓力調(diào)整閥的1次側(cè)的該流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值成為存儲(chǔ)在 上述數(shù)據(jù)中的調(diào)整值；接著，對上述第2壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的 壓差成為存儲(chǔ)在上述數(shù)據(jù)中的壓差，上述讀取的工序是從上述數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相 對應(yīng)的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差的工序。上述處理是依次對基板表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給循 環(huán)而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理，優(yōu)選的是，供給上述處理氣體的工序是分別從互相分開地設(shè)于上述真空容器的周向上的第1 反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第 2反應(yīng)氣體的工序，在調(diào)整上述流導(dǎo)的工序之前，進(jìn)行如下工序?yàn)榱朔蛛x被供給上述第1反應(yīng)氣體 的第1處理區(qū)域和被供給上述第2反應(yīng)氣體的第2處理區(qū)域的氣氛，從分離氣體供給部件 向在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間的分離區(qū)域供給分離氣體，并且使上述 第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分離區(qū)域和上述載置臺(tái)沿上 述周向相對旋轉(zhuǎn)，使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述第1處理區(qū)域和上述第2 處理區(qū)域，上述真空排氣的工序是分別從為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述 第1排氣通路的排氣口和為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述第2排氣通路的 排氣口對上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)是存儲(chǔ)有程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，該程序用于基板處理裝置，該基板 處理裝置是在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上載置基板、對上述基板供給處理氣體、在真空氣氛下 進(jìn)行處理的基板處理裝置，其中，上述程序編入有步驟群，用于實(shí)施上述的基板處理方法。
本發(fā)明在利用第1排氣通路和第2排氣通路對真空容器內(nèi)進(jìn)行排氣之際，利用設(shè) 于第1排氣通路的第1壓力調(diào)整閥將真空容器內(nèi)的壓力調(diào)整成為設(shè)定值，并且將設(shè)于第2 排氣通路的流導(dǎo)調(diào)整部調(diào)整成規(guī)定的調(diào)整值，而且，利用設(shè)于流導(dǎo)調(diào)整部的下游側(cè)的第2 壓力調(diào)整閥來調(diào)整該流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)(上游側(cè))和2次側(cè)(下游側(cè))之間的壓差。這 樣的調(diào)整采用規(guī)定了真空容器內(nèi)的壓力值、流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值、第2排氣通路的排氣流 量和上述壓差的關(guān)系的數(shù)據(jù)來進(jìn)行，這樣一來，通過在第1排氣通路側(cè)控制壓力調(diào)整且在 第2排氣通路側(cè)控制上述壓差而分別進(jìn)行排氣流量調(diào)整。因?yàn)楂@知向真空容器內(nèi)供給的氣 體的流量，所以根據(jù)本發(fā)明能夠調(diào)整第1排氣通路和第2排氣通路的各排氣流量。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的縱剖視圖。圖2是表示上述基板處理裝置的內(nèi)部的概略構(gòu)成的立體圖。圖3是上述基板處理裝置的橫剖俯視圖。圖4是表示上述基板處理裝置中的處理區(qū)域和分離區(qū)域的縱剖視圖。圖5是表示上述基板處理裝置的一部分的縱剖視圖。圖6是上述基板處理裝置的局部剖立體圖。圖7是表示上述基板處理裝置中的分離氣體或吹掃氣體流動(dòng)的樣子的說明圖。圖8是上述基板處理裝置的局部剖立體圖。圖9是表示上述基板處理裝置的控制部的一個(gè)例子的概略圖。圖10是表示在上述基板處理裝置中制成表時(shí)的真空容器內(nèi)等的壓力的示意圖。圖11是表示上述表的一個(gè)例子的概略圖。圖12是表示制成上述表時(shí)的工序的流程圖。圖13是基于上述流程圖進(jìn)行成膜處理時(shí)的流程圖。圖14是表示上述成膜處理中的真空容器內(nèi)的氣流的概略圖。圖15是表示上述其他的實(shí)施方式的俯視圖。圖16是表示上述其他的實(shí)施方式的示意圖。圖17是表示在上述其他的實(shí)施方式中制成表的順序的概略圖。圖18是用于說明分離區(qū)域所用的凸?fàn)畈康某叽缋恼f明圖。圖19是表示分離區(qū)域的其他的例子的縱剖視圖。圖20是表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的成膜裝置的橫剖俯視圖。圖21是表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的基板處理裝置的一個(gè)例子的側(cè)視圖。圖22是表示上述其他的實(shí)施方式的俯視圖。
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施方式如圖1(圖3的1-1’剖視圖) 圖3所示，作為本發(fā)明的第1實(shí)施方式的基板處 理裝置的成膜裝置包括平面(俯視)形狀是大概圓形的扁平的真空容器(腔室)1 ；設(shè)于 該真空容器1內(nèi)、在該真空容器1的中心具有旋轉(zhuǎn)中心的作為載置臺(tái)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2。真空容 器1構(gòu)成為能從容器主體12裝卸頂板11。通過對真空容器1內(nèi)減壓，該頂板11夾著呈環(huán)狀地設(shè)于容器主體12的上表面的周緣部的密封構(gòu)件例如0型密封圈13被拉向容器主體12 側(cè)而維持氣密狀態(tài)，然而在從容器主體12分離時(shí)由未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)向上方抬起。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部被固定在圓筒形狀的芯部21，該芯部21固定在沿鉛垂方向延伸 的旋轉(zhuǎn)軸22的上端。旋轉(zhuǎn)軸22貫穿真空容器1的底面部14，其下端安裝在驅(qū)動(dòng)部23上， 該驅(qū)動(dòng)部23使該旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線在該例子中繞順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)軸22和驅(qū)動(dòng)部23 被收納在上表面開口的筒狀的殼體20內(nèi)。設(shè)于該殼體20的上表面的凸緣部分氣密地安裝 在真空容器1的底面部14的下表面，維持殼體20的內(nèi)部氣氛和外部氣氛的氣密狀態(tài)。如圖2和圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面部沿著旋轉(zhuǎn)方向(周向)設(shè)有用于載置多 張例如5張作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為“晶圓”)W的圓形狀的凹部M。另外，為了 便于圖示，僅在圖3中的1個(gè)凹部M中畫出晶圓W。在此，圖4是沿著同心圓切斷旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 并橫向展開表示的展開圖，如圖4的(a)所示，凹部M被設(shè)定為其直徑稍大于晶圓W的直 徑例如大4mm，而且其深度為與晶圓W的厚度同等的大小。因此，在晶圓W落入凹部M時(shí)， 晶圓W的表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面(未載置有晶圓W的區(qū)域)對齊。在晶圓W的表面和旋轉(zhuǎn) 臺(tái)2的表面之間的高度差大時(shí)，因?yàn)樵谄渑_(tái)階部分產(chǎn)生壓力變動(dòng)，所以使晶圓W的表面和旋 轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度對齊，從使膜厚的面內(nèi)均勻性一致的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選使晶圓W的表面和 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度對齊。所謂使晶圓W的表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度對齊，是指相 同的高度或兩表面的高度差在5mm以內(nèi)，然而優(yōu)選盡可能地根據(jù)加工精度等而使兩表面的 高度差趨近于零。在凹部M的底面形成有通孔(未圖示)，該通孔供用于支承晶圓W的背 面地使該晶圓W升降的例如后述3根升降銷16 (參照圖8)貫穿。凹部M是用于對晶圓W進(jìn)行定位而防止該晶圓W由于隨著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生 的離心力而飛出，是相當(dāng)于本發(fā)明的基板載置區(qū)域的部位，然而該基板載置區(qū)域(晶圓載 置區(qū)域)不限于凹部，例如既可以是在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面上沿著晶圓W的周向排列多個(gè)引導(dǎo) 晶圓W的周緣的引導(dǎo)構(gòu)件的構(gòu)成，或者在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2側(cè)具有靜電吸盤等吸盤機(jī)構(gòu)而吸附晶圓 W的情況下，利用該吸附而載置晶圓W的區(qū)域成為基板載置區(qū)域。如圖2和圖3所示，在真空容器1中，在分別與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部M的通過區(qū)域相 對的上方位置，由第1反應(yīng)氣體噴嘴31和第2反應(yīng)氣體噴嘴32構(gòu)成的處理氣體供給部和 2根分離氣體噴嘴41、42沿真空容器1的周向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向)互相隔開間隔地從 中心部呈放射狀延伸。在該例子中，從后述的輸送口 15看來，順時(shí)針依次排列有第2反應(yīng) 氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41、第1反應(yīng)氣體噴嘴31和分離氣體噴嘴42。這些反應(yīng)氣體噴 嘴31、32和分離氣體噴嘴41、42例如被安裝在真空容器1的側(cè)周壁，作為它們的基端部的 氣體導(dǎo)入件31a、32a、41a、42a貫穿該側(cè)壁。在圖示的例子中，氣體噴嘴31、32、41、42從真空容器1的周壁部導(dǎo)入真空容器1 內(nèi)，但是也可以從后述的環(huán)狀的突出部5導(dǎo)入。在該情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)設(shè)有在 突出部5的外周面和頂板11的外表面開口的L字型的導(dǎo)管，在真空容器1內(nèi)在L字型的導(dǎo) 管的一方的開口上連接氣體噴嘴31、(32、41、42)，在真空容器1的外部在1^字型的導(dǎo)管的 另一方的開口上連接氣體導(dǎo)入件31a(32a、41a、42a)。如圖3所示，反應(yīng)氣體噴嘴31利用設(shè)有閥36a和流量調(diào)整部37a的氣體供給管 31b與儲(chǔ)存有作為第1反應(yīng)氣體(處理氣體)的BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷)氣體的第1氣 體供給源38a連接。反應(yīng)氣體噴嘴32利用設(shè)有閥36b和流量調(diào)整部37b的氣體供給管32b與儲(chǔ)存有作為第2反應(yīng)氣體(處理氣體)的O3(臭氧)氣體的第2氣體供給源38b連接。 此外，分離氣體噴嘴41利用設(shè)有閥36c和流量調(diào)整部37c的氣體供給管41b與儲(chǔ)存有作為 分離氣體(非活性氣體)的隊(duì)(氮)氣體的隊(duì)氣體供給源38c連接，分離氣體噴嘴42利用 設(shè)有閥36d和流量調(diào)整部37d的氣體供給管42b與該隊(duì)氣體供給源38c連接。在反應(yīng)氣體噴嘴31和閥36a之間的氣體供給管31b上經(jīng)由閥36e和流量調(diào)整部 37e連接有前文所述的隊(duì)氣體供給源38c，同樣地在反應(yīng)氣體噴嘴32和閥36b之間的氣體 供給管32b上經(jīng)由閥36f和流量調(diào)整部37f連接有隊(duì)氣體供給源38c。由這些閥36a 36f和流量調(diào)整部37a 37f構(gòu)成氣體供給系統(tǒng)39。在反應(yīng)氣體噴嘴31、32上，作為用于向下方側(cè)噴出反應(yīng)氣體的處理氣體供給口的 例如口徑為0. 5mm的噴出孔330朝向正下方而在噴嘴的長度方向上例如隔開IOmm的間隔 地排列。此外在分離氣體噴嘴41、42上，用于向下方側(cè)噴出分離氣體的例如口徑為0. 5mm 的噴出孔40朝向正下方而在長度方向上例如隔開IOmm左右的間隔地穿設(shè)。反應(yīng)氣體噴嘴 31、32分別相當(dāng)于第1反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件，分離氣體噴嘴41、42相 當(dāng)于分離氣體供給部件。此外，反應(yīng)氣體噴嘴31、32的下方區(qū)域分別成為用于使BTBAS氣 體吸附于晶圓W的第1處理區(qū)域91和用于使O3氣體吸附于晶圓W的第2處理區(qū)域92。分離氣體噴嘴41、42用于形成用于分離第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92的分 離區(qū)域D，如圖2 圖4所示，在該分離區(qū)域D的真空容器1的頂板11上設(shè)有在周向上分 割以旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心為中心且沿著真空容器1的內(nèi)周壁的附近描畫的圓而成的、平面 (俯視)形狀為扇型且向下方突出的凸?fàn)畈?。分離氣體噴嘴41、42收納于槽部43內(nèi)，該 槽部43在該凸?fàn)畈?的上述圓的周向中央以沿著該圓的徑向延伸的方式形成。即，從分離 氣體噴嘴4K42)的中心軸線到作為凸?fàn)畈?的扇型的兩緣(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè) 的緣和下游側(cè)的緣)的距離被設(shè)定為相同的長度。另外，槽部43在本實(shí)施方式中形成為將凸?fàn)畈? 二等分，但在其他的實(shí)施方式中， 例如從槽部43看來，也可以以凸?fàn)畈?的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)比上述旋轉(zhuǎn)方向下游 側(cè)寬的方式形成槽部43。因此，在分離氣體噴嘴41、42的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)存在作為上述凸?fàn)畈?的下表 面的例如平坦的低的頂面44(第1頂面)，在該頂面44的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)存在比該頂面 44高的頂面45 (第2頂面)。該凸?fàn)畈?的作用在于形成用于阻止第1反應(yīng)氣體和第2反 應(yīng)氣體進(jìn)入該凸?fàn)畈?與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間從而阻止上述反應(yīng)氣體混合的作為狹窄空間的分離 空間。即，以分離氣體噴嘴41為例，阻止O3氣體從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)進(jìn)入，還阻止 BTBAS氣體從旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)進(jìn)入。所謂“阻止氣體進(jìn)入”是指從分離氣體噴嘴41噴出的 作為分離氣體的N2氣體擴(kuò)散到第1頂面44和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面之間，在該例子中吹到與該第 1頂面44相鄰的第2頂面45的下方側(cè)空間，由此來自該相鄰空間的氣體無法進(jìn)入。而且， 所謂“氣體無法進(jìn)入”并非僅是指從相鄰空間完全無法進(jìn)入凸?fàn)畈?的下方側(cè)空間的情況， 也是指雖然多少進(jìn)入一些，但是能夠確保從兩側(cè)分別進(jìn)入的O3氣體和BTBAS氣體在凸?fàn)畈?4內(nèi)不互相混合的狀態(tài)的情況，只要能夠得到這樣的作用，就能發(fā)揮作為分離區(qū)域D的作用 的第1處理區(qū)域91的氣氛和第2處理區(qū)域92的氣氛的分離作用。因此，狹窄空間的狹窄 程度被設(shè)定為狹窄空間(凸?fàn)畈?的下方空間)和與該空間相鄰的區(qū)域(在該例子中為第2頂面45的下方空間)的壓力差成為能確?！皻怏w無法進(jìn)入”的作用那樣程度的大小，其具 體的尺寸可以說是根據(jù)凸?fàn)畈?的面積等的不同而不同。此外，吸附于晶圓W的氣體當(dāng)然 能夠通過分離區(qū)域D內(nèi)，阻止氣體進(jìn)入是指阻止氣相中的氣體進(jìn)入。在該例子中，以直徑300mm的晶圓W作為被處理基板，在該情況下，凸?fàn)畈?在從 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心向外周側(cè)分離140mm的部位(與后述的突出部5的交界部位)，周向的 長度(與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2同心的圓的圓弧的長度)例如為146mm，在晶圓W的載置區(qū)域(凹部24) 的最外側(cè)部位，周向的長度例如為502mm。另外，如圖4的(a)所示，在該外側(cè)部位，從分離 氣體噴嘴41 (42)的兩側(cè)分別位于左右的凸?fàn)畈?的周向的長度看作L時(shí)，長度L是M6mm。此外，如圖4的(a)所示，凸?fàn)畈?的下表面即頂面44距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度 h例如可以是0.5mm 10mm，優(yōu)選約是4mm。在該情況下，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速例如被設(shè)定為 Irpm 500rpm。因此，為了確保分離區(qū)域D的分離功能，根據(jù)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速的使用范圍 等，例如基于實(shí)驗(yàn)等設(shè)定凸?fàn)畈?的大小、凸?fàn)畈?的下表面(第1頂面44)和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的 表面之間的高度h。另外，作為分離氣體，不限于氮(N2)氣體而能用氬(Ar)氣體等惰性氣 體等，但是不限于這樣的氣體，也可以是氫(H2)氣體等，只要是不對成膜處理造成影響的氣 體，關(guān)于氣體的種類就沒有特別限定。此外，作為用于后述的排氣流量的調(diào)整的氣體，不限 于上述隊(duì)氣體等非活性氣體，同樣是不對成膜處理造成影響的氣體即可。在頂板11的下表面，以與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的比芯部21靠外周側(cè)的部位相對的方式且沿 著該芯部21的外周設(shè)有突出部5。該突出部5與凸?fàn)畈?的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的部位 連續(xù)地形成，其下表面與凸?fàn)畈?的下表面形成為相同的高度。圖2和圖3表示在比上述 頂面45低且比分離氣體噴嘴41、42高的位置水平地剖切頂板11。另外，突出部5和凸?fàn)畈?4不限于一體，也可以獨(dú)立地形成。對于凸?fàn)畈?和分離氣體噴嘴41 (42)的組合構(gòu)造的制作方法，不限于在形成凸?fàn)?部4的1張扇型板的中央形成槽部43而在該槽部43內(nèi)配置分離氣體噴嘴41 (42)的構(gòu)造， 也可以是用2張扇型板在分離氣體噴嘴41 (42)的兩側(cè)通過螺栓緊固固定在頂板11的下表 面上的構(gòu)成等。真空容器1的頂板11的下表面、即從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置區(qū)域(凹部24)來看的 頂面，如上所述在周向上存在第1頂面44和比第1頂面44高的第2頂面45，圖1表示設(shè) 有高的頂面45的區(qū)域的縱截面，圖5表示設(shè)有低的頂面44的區(qū)域的縱截面。如圖2和圖 5所示，扇型的凸?fàn)畈?的周緣部(真空容器1的外緣側(cè)的部位)以與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面 相對的方式彎曲成L字型，形成彎曲部46。扇型的凸?fàn)畈?設(shè)于頂板11側(cè)，能從容器主體 12卸下，彎曲部46的外周面和容器主體12之間存在微小的間隙。該彎曲部46也和凸?fàn)畈?4相同，是以防止反應(yīng)氣體從兩側(cè)進(jìn)入、防止兩反應(yīng)氣體混合為目的而被設(shè)置的，彎曲部46 的內(nèi)周面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面之間的間隙、以及彎曲部46的外周面和容器主體12之間的 間隙被設(shè)定為與頂面44距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度h相同的尺寸。在本實(shí)施例中，從旋轉(zhuǎn)臺(tái) 2的表面?zhèn)葏^(qū)域看來，彎曲部46的內(nèi)周面構(gòu)成真空容器1的內(nèi)周壁。如圖5所示，在分離區(qū)域D，容器主體12的內(nèi)周壁與上述彎曲部46的外周面接近， 形成垂直面，然而在分離區(qū)域D以外的部位，如圖1所示，例如從與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2外端面相對的 部位開始到底面部14(俯視看為圍著底面部14)切掉縱截面形狀為矩形的部分而形成向外 方側(cè)凹陷的構(gòu)造。該凹陷的部位的連通上述第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92的區(qū)域分別稱為第1排氣區(qū)域El和第2排氣區(qū)域E2，如圖1和圖3所示，在上述第1排氣區(qū)域El和 第2排氣區(qū)域E2的底部，分別形成有第1排氣口 61和第2排氣口 62。如上所述，為了發(fā)揮分離區(qū)域D的分離作用，排氣口 61、62在平面上看時(shí)設(shè)于上述 分離區(qū)域D的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)。詳細(xì)地說，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心看來，在第1處理區(qū)域 91和例如在旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與該第1處理區(qū)域91相鄰的分離區(qū)域D之間形成有第1排氣 口 61，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心看來，在第2處理區(qū)域92和例如在旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與第2處 理區(qū)域92相鄰的分離區(qū)域D之間形成有第2排氣口 62。上述排氣口 61、62分別被配置成 專用于對各反應(yīng)氣體(BTBAS氣體和O3氣體)進(jìn)行排氣。在該例中，一個(gè)排氣口 61設(shè)于第 1反應(yīng)氣體噴嘴31和在上述旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與第1反應(yīng)氣體噴嘴31相鄰的分離區(qū)域D的 第1反應(yīng)氣體噴嘴31側(cè)的緣部的延長線之間，另一個(gè)排氣口 62設(shè)于第2反應(yīng)氣體噴嘴32 和在上述旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與第2反應(yīng)氣體噴嘴32相鄰的分離區(qū)域D的第2反應(yīng)氣體噴嘴 32側(cè)的緣部的延長線之間。即，第1排氣口 61設(shè)于圖3中以單點(diǎn)劃線表示的、通過旋轉(zhuǎn)臺(tái) 2的中心和第1處理區(qū)域91的直線L 1、與圖3中以單點(diǎn)劃線表示的、通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心 和在上述第1處理區(qū)域91的下游側(cè)相鄰的分離區(qū)域D的上游側(cè)的緣部的直線L2之間，第2 排氣口 62設(shè)于圖3中以雙點(diǎn)劃線表示的、通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和第2處理區(qū)域92的直線 L3、與圖3中以雙點(diǎn)劃線表示的、通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和在上述第2處理區(qū)域92的下游側(cè) 相鄰的分離區(qū)域D上游側(cè)的緣部的直線L4之間。排氣口 61、62的設(shè)置個(gè)數(shù)不限于2個(gè)，例如也可以通過在包括分離氣體噴嘴42的 分離區(qū)域D和在上述旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與分離區(qū)域D相鄰的第2反應(yīng)氣體噴嘴32之間再設(shè) 置一個(gè)排氣口，從而形成3個(gè)排氣口，也可以是4個(gè)以上。在該例中，排氣口 61、62設(shè)置在 比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2低的位置，由此，能夠從真空容器1的內(nèi)周壁和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣之間的間隙進(jìn)行 排氣，但是排氣口 61、62不限于設(shè)置在真空容器1的底面部，也可以設(shè)置在真空容器1的側(cè) 壁。此外，在排氣口 61、62設(shè)置在真空容器1的側(cè)壁的情況下，也可以設(shè)置在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2高 的位置。通過這樣設(shè)置排氣口 61、62，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的氣體朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)流動(dòng)，因此，與 從與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對的頂面進(jìn)行排氣的情況相比，從抑制微粒的卷起這樣的觀點(diǎn)出發(fā)是有利 的。如前文所述的圖1所示，在從第1排氣口 61延伸的第1排氣通路63a上經(jīng)由作為 第1壓力調(diào)整閥的第1閥6 連接有作為第1真空排氣部件的例如真空泵64a。該第1閥 65a構(gòu)成為例如通過調(diào)整該第1閥65a的開度，能調(diào)整在第1排氣通路63a內(nèi)流通的氣體 流量。為了測量作為第1閥65a的1次側(cè)(上游側(cè))的真空容器1內(nèi)的壓力，在該第1閥 65a和真空容器1之間的第1排氣通路63a上設(shè)有由壓力計(jì)等構(gòu)成的壓力測量部件66a。此外，在從前文所述的第2排氣口 62延伸的第2排氣通路6 上經(jīng)由與第1閥 65a相同構(gòu)成的第2閥6 連接有作為第2真空排氣部件的例如真空泵64b。在該第2閥 65b和真空容器1之間的第2排氣通路6 上設(shè)有作為流導(dǎo)調(diào)整部的例如蝶閥67。該蝶閥 67構(gòu)成為通過調(diào)整開度而調(diào)整第2排氣通路6 的流導(dǎo)，由此能夠調(diào)整該蝶閥67的排氣流 量。因此，通過調(diào)整蝶閥67的開度，在蝶閥67的前后(作為真空容器1側(cè)的1次側(cè)和作為 第2閥6 側(cè)的2次側(cè))產(chǎn)生壓力差，因此為了測量該壓力差，在第2排氣通路6 上設(shè)有 作為壓差測量部件的壓差計(jì)68。此外，為了測量蝶閥67的上游側(cè)(真空容器1內(nèi))的壓 力，在蝶閥67和真空容器1之間的第2排氣通路6 上設(shè)有由壓力計(jì)等構(gòu)成的壓力測量部件66b。在該例中，上述壓力測量部件66a、66b作為第1壓力測量部件。另外，在以下的例 子中，有時(shí)將第1閥65a作為閥M 1、將第2閥6 作為閥M2而進(jìn)行說明。如圖1和圖6所示，在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和真空容器1的底面部14之間的空間設(shè)有作 為加熱部件的加熱器單元7，隔著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W加熱到由工藝制程程序決 定的溫度。在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣附近的下方側(cè)，為了劃分從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上方空間到排氣 區(qū)域E的氣氛和載置有加熱器單元7的氣氛，以沿著整周圍繞加熱器單元7的方式設(shè)有罩 構(gòu)件71。罩構(gòu)件71的上緣向外側(cè)彎曲，形成凸緣形狀，通過減小該彎曲面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下 表面之間的間隙，抑制氣體從外方進(jìn)入罩構(gòu)件71內(nèi)。底面部14的比配置有加熱器單元7的空間靠旋轉(zhuǎn)中心的部位接近旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下 表面的中心部附近、芯部21，在該底面部14與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面的中心部附近之間、該底面 部14與芯部21之間形成狹窄空間，貫穿該底面部14的旋轉(zhuǎn)軸22的通孔的內(nèi)周面與旋轉(zhuǎn) 軸22之間的間隙也變狹小，上述狹小的空間與上述殼體20內(nèi)連通。在上述殼體20上設(shè)有 吹掃氣體供給管72，該吹掃氣體供給管72用于將作為吹掃氣體的N2氣體供給到上述狹小 的空間內(nèi)而進(jìn)行吹掃。此外，在真空容器1的底面部14，在加熱器單元7的下方側(cè)位置的周 向的多個(gè)部位，設(shè)有用于對加熱器單元7的配置空間進(jìn)行吹掃的吹掃氣體供給管73。通過這樣設(shè)置吹掃氣體供給管72、73，如圖7中以箭頭標(biāo)記表示吹掃氣體的流動(dòng) 那樣，從殼體20內(nèi)直到加熱器單元7的配置空間的空間由N2氣體吹掃，吹掃氣體從旋轉(zhuǎn)臺(tái) 2和罩構(gòu)件71之間的間隙經(jīng)由排氣區(qū)域E被排氣口 61、62排出。由此，防止BTBAS氣體或 O3氣體從上述第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92的一方經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方繞入上述第 1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92的另一方，所以吹掃氣體也發(fā)揮了分離氣體的作用。此外，在真空容器1的頂板11的中心部連接有分離氣體供給管51，向頂板11和芯 部21之間的空間52供給作為分離氣體的N2氣體。供給到該空間52的分離氣體經(jīng)由上述 突出部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的狹小的間隙50，沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置區(qū)域側(cè)的表面朝向周 緣噴出。因?yàn)楸煌怀霾?圍繞的空間中充滿分離氣體，所以防止反應(yīng)氣體(BTBAS氣體和O3 氣體)經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部在第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92之間混合。即，該成 膜裝置能夠具有中心部區(qū)域C，該中心部區(qū)域C用于分離第1處理區(qū)域91的氣氛與第2處 理區(qū)域92的氣氛，由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心部和真空容器1劃分，被分離氣體吹掃并且形成 有沿著上述旋轉(zhuǎn)方向向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面噴出分離氣體的噴出口。在這里所說的噴出口相當(dāng) 于上述突出部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的狹小的間隙50。如圖2、圖3和圖8所示，在真空容器1的側(cè)壁，形成有用于在外部的輸送臂10和 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間進(jìn)行晶圓W的交接的輸送口 15，該輸送口 15由未圖示的閘閥打開或關(guān)閉。此 外，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置區(qū)域即凹部M面對該輸送口 15的位置，與輸送臂10之間進(jìn)行 晶圓W的交接，因此，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)，與交接位置相對應(yīng)的部位，設(shè)有用于貫穿凹部M 并從背面頂起晶圓W的交接用的升降銷16的升降機(jī)構(gòu)(未圖示)。此外，如圖9所示，該成膜裝置包括用于控制裝置整體的動(dòng)作的由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的 控制部80?？刂撇?0包括CPU81、作為存儲(chǔ)部的存儲(chǔ)器82、處理程序83和工作存儲(chǔ)器84。 在該存儲(chǔ)器82中收納有針對每個(gè)對晶圓W進(jìn)行處理的類別存儲(chǔ)有制程程序(處理?xiàng)l件) 的第1存儲(chǔ)器8 和存儲(chǔ)有后述的表86的第2存儲(chǔ)器82b。在第1存儲(chǔ)器8 的制程程序 中，分別存儲(chǔ)有進(jìn)行成膜處理時(shí)的真空容器1內(nèi)的處理壓力P、從各氣體噴嘴31、32分別供給的反應(yīng)氣體的流量i^、fb和從各排氣通路63a、6;3b分別排氣的排氣流量!^lb等處理?xiàng)l 件。此外，如后所述，在第2存儲(chǔ)器82b的作為數(shù)據(jù)的表86中例如針對每個(gè)處理壓力P存 儲(chǔ)有第2排氣通路63b的排氣流量(排出氣體的流量)! 的設(shè)定值與由蝶閥67的開度V 的調(diào)整值和壓差計(jì)68測量的壓差ΔΡ的相關(guān)關(guān)系。另外，在圖9中簡略表示該表86。處理程序83包括用于算出第1排氣通路63a和第2排氣通路63b的各排氣流量 的排氣流量用程序83a和用于對晶圓W進(jìn)行成膜處理的成膜處理用程序83b。以下說明設(shè) 有排氣流量用程序83a的理由。在像上述那樣向共用的真空容器1內(nèi)供給互相反應(yīng)的反應(yīng)氣體(BTBAS氣體和O3 氣體)的情況下，為了抑制反應(yīng)氣體在真空容器1內(nèi)或排氣通路63內(nèi)互相混合，需要將上 述反應(yīng)氣體分別從排氣口 61、62獨(dú)立排出。因此，例如需要根據(jù)從各反應(yīng)氣體噴嘴31、32 向真空容器1內(nèi)供給的各反應(yīng)氣體的流量，分別調(diào)整(分配)從各排氣口 61、62排出的排 氣流量。例如在分別從反應(yīng)氣體噴嘴31、32向真空容器1內(nèi)供給的反應(yīng)氣體的流量分別為 fa、fb的情況下，分別以流量fa、fb從各排氣口 61、62 (更加詳細(xì)而言，上述流量fa、fb是 分別滿足如下條件的流量即Fajb 各自分擔(dān)從分離區(qū)域D等向真空容器1內(nèi)供給的N2氣 體的總量而獨(dú)立地排出的氣體量)獨(dú)立地進(jìn)行排氣。此時(shí)，在硬件構(gòu)成上，直接測量在各排氣通路63a、63b內(nèi)流通的排氣流量是非常 困難的。在此，在采用壓力測量部件66a、66b調(diào)整排氣流量時(shí)，調(diào)整閥65a、65b的開度，使 得壓力測量部件66a、66b的測量值成為大致相同的值，或根據(jù)各反應(yīng)氣體的供給流量而調(diào) 整閥65a、65b的開度，使得壓力測量部件66a、66b的測量值成為規(guī)定的比。另一方面，在如 上述成膜裝置那樣在高真空下進(jìn)行處理的情況下，即使一方的排氣通路63的流導(dǎo)比通常 小時(shí)，或即使2個(gè)真空泵64a、64b的排氣能力存在差異的情況下，上述壓力測量部件66a、 66b的測量值也會(huì)成為大致相同的值。因此，在只依靠壓力計(jì)(壓力測量部件66a、66b)的 方法中，根據(jù)各反應(yīng)氣體的供給量調(diào)整分別從各排氣通路63a、6;3b排出的排氣流量在實(shí)際 上是非常困難的。因此，在本發(fā)明中，例如在進(jìn)行成膜處理前或維護(hù)裝置時(shí)，利用上述程序83a預(yù)先 直接算出排氣通路63a、63b的各排氣流量(更加詳細(xì)地說是排氣通路63b的排氣流量)。 具體而言，關(guān)閉第1閥65a，打開(全打開)第2閥65b。接著，調(diào)整流量調(diào)整部37c、37d、 37f使得設(shè)于隊(duì)氣體供給線的未圖示的流量計(jì)的測量值例如成為冊，以流量1 向真空容器 1內(nèi)供給作為流量調(diào)整用的氣體的非活性氣體例如隊(duì)氣體。然后，在調(diào)整蝶閥67的開度使 得真空容器1內(nèi)的壓力(壓力測量部件66b的測量值)例如恒定為設(shè)定壓力(處理壓力)P 時(shí)，從第2排氣通路63b以流量1 排出隊(duì)氣體。以此時(shí)的蝶閥67的開度(設(shè)定開度)為 V。此外，打開第2閥65b，利用蝶閥67的開度調(diào)整真空容器1內(nèi)的壓力，因此，與作為真空 容器1內(nèi)的壓力的第1壓力測量值相比，作為在蝶閥67和第2閥6 (真空泵64b)之間的 壓力的第2壓力測量值低(真空度高)，所以在蝶閥67的前后(壓差計(jì)68的測量值)產(chǎn)生 壓差(設(shè)定壓力差)Δ P。經(jīng)過以上的過程可知，在真空容器1內(nèi)的壓力成為處理壓力P時(shí)，蝶閥67的開度 為V，蝶閥67的前后的壓差(壓差計(jì)68的測量值)為Δ P的情況下，第2排氣通路63b的 排氣流量成為冊。因此，即使在向真空容器1供給流量F(F = Fa+Fb)的反應(yīng)氣體和N2氣 體、并從2個(gè)排氣通路63a、6;3b分別排氣的情況下，在將真空容器1內(nèi)的壓力、蝶閥67的開度和壓差計(jì)68的測量值分別設(shè)定為P、V和Δ P時(shí)，因?yàn)榈?排氣通路63b的排氣流量成為 冊，所以第1排氣通路63a的排氣流量成為剩余的流量1 (Fa = F-Fb)。因此，可知能分別 調(diào)整排氣通路63a、63b的排氣流量。因此，在以流量F向真空容器1內(nèi)供給反應(yīng)氣體和N2氣體并分別從2個(gè)排氣通路 63a、6;3b排氣時(shí)，首先，將蝶閥67的開度設(shè)定成為V。接著，如圖10所示，一邊調(diào)整第1閥 65a的開度而將真空容器1的壓力(壓力測量部件66a的測量值)保持為處理壓力P，一邊 調(diào)整第2閥6 的開度使得壓差計(jì)68的測量值為壓差Δ P。因此，流量1 的氣體從第2排 氣通路6 排出，剩余的流量1 的氣體從第1排氣通路63a排出。為了像上述那樣調(diào)整排氣通路63a、6;3b各自的排氣流量，排氣流量用程序83a編 入有步驟組以作成前文所述的表86，在后述的作用說明的部分詳述該表86的具體作成方 法。在對晶圓W進(jìn)行成膜處理時(shí)，成膜處理用程序8 從第1存儲(chǔ)器8 讀取與處理的類 別相對應(yīng)的制程程序，并且從第2存儲(chǔ)器82b選擇與記載于該制程程序中的處理壓力P相 對應(yīng)的表86。然后，從該表86讀取與第2排氣通路6 的排氣流量1 相對應(yīng)的蝶閥67的 開度V和壓差計(jì)68的壓差Δ P，基于這樣讀取到的參數(shù)的值，向蝶閥67、第1閥6 和第2 閥65b的驅(qū)動(dòng)器輸送控制信號(hào)，通過進(jìn)行后述的各步驟而對晶圓W進(jìn)行成膜處理。上述處理程序83被從硬盤、光盤、光磁盤、存儲(chǔ)卡、軟盤等存儲(chǔ)介質(zhì)85安裝到控制 部80內(nèi)。接著，參照圖12 圖14說明上述第1實(shí)施方式的作用。首先，說明由前文所述的 排氣流量用程序83a所進(jìn)行的處理的概略，例如在裝置調(diào)試時(shí)(進(jìn)行成膜處理之前)或裝 置維護(hù)時(shí)，例如用隊(duì)氣體等非活性氣體對設(shè)定壓力P和從第2排氣通路6 排出的氣體的 流量1 進(jìn)行各種變更，分別測量與各條件相對應(yīng)的蝶閥67的開度V和壓差計(jì)68的壓差 Δ P，將該程序83a作為表86存儲(chǔ)于前文所述的第2存儲(chǔ)器82b中。在圖11中表示例如設(shè) 定壓力P為1. 07kPa(STorr)的情況下所測量的上述表86的一個(gè)例子。另外，在該圖11的 表86中省略了一部分蝶閥67的開度V等的記載，但是這些值也能夠同樣地求出。具體而言，如圖12所示，在作成表86時(shí)設(shè)定處理壓力P和從第2排氣通路6 側(cè) 排出的排氣流量冊(步驟S 11)。接著，使閥65a、6^和蝶閥67為全開，使真空容器1內(nèi)成 為真空狀態(tài)(步驟S12)，然后，關(guān)閉第1閥65a，從反應(yīng)氣體流量噴嘴32、2根分離氣體噴嘴 41、42、分離氣體供給管51和吹掃氣體供給管72、73供給隊(duì)氣體，使得總氣體流量成為上 述流量冊。然后，調(diào)整蝶閥67的開度V使得真空容器1內(nèi)的壓力成為上述處理壓力P(步 驟S13)。此外，利用壓差計(jì)68讀取此時(shí)在蝶閥67的前后所產(chǎn)生的壓差ΔΡ，與處理壓力P 和從第2排氣通路6 排出的排氣流量1 相對應(yīng)地將該壓差△ P和蝶閥67的開度V存儲(chǔ) 在表86中(步驟S14)。這樣，通過對上述處理壓力P和流量1 進(jìn)行各種變更而設(shè)定上述 處理壓力P和流量1 、取得蝶閥67的開度V和壓差Δ P，從而作成表86。接著，在對晶圓W進(jìn)行成膜處理的情況下，如圖13所示，首先，從第1存儲(chǔ)器8 讀 取制程程序(步驟S21)，從表86讀取與記載于該制程程序中的處理壓力P和從第2排氣通 路6 排出的排氣流量冊相對應(yīng)的蝶閥67的開度V和壓差ΔΡ(步驟S2》。此外，打開未 圖示的閘閥，利用輸送臂10從外部經(jīng)由輸送口 15將晶圓W交接到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部M內(nèi)。 在凹部M停止在面對輸送口 15的位置時(shí)，如圖8所示，通過升降銷16經(jīng)由凹部M的底面 的通孔從真空容器1的底部側(cè)升降而進(jìn)行該交接。使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2間歇性地旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行這樣的晶圓W的交接，分別將晶圓W載置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的5個(gè)凹部M內(nèi)。接著，使閥6如、6恥和蝶 閥67為全開，使真空容器1內(nèi)成為真空狀態(tài)(步驟S23)，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2以規(guī)定的轉(zhuǎn)速順時(shí)針 旋轉(zhuǎn)，并且利用加熱器單元7將晶圓W(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2)加熱為例如300°C。然后，將蝶閥67的開度V設(shè)定成從表86讀取的值(步驟S24)。此外，從第1反應(yīng) 氣體噴嘴31以流量fa例如lOOsccm供給BTBAS氣體，并且從第2反應(yīng)氣體噴嘴32以流量 fb例如lOOOOsccm供給O3氣體。此外，從分離氣體噴嘴41、42均以20000sccm供給N2氣體 (步驟S25)，還從分離氣體供給管51及吹掃氣體供給管72、73以規(guī)定的流量向真空容器1 內(nèi)供給隊(duì)氣體。此外，如前文所述的圖10所示，調(diào)整第1閥65a的開度(向開度變小的方 向調(diào)整)使得真空容器1內(nèi)的壓力成為處理壓力P，并且調(diào)整第2閥6 的開度使得壓差計(jì) 68的測量值為壓差Δ P (步驟S26)。具體而言，最初第2閥6 為全開狀態(tài)，壓差計(jì)68的 測量值大于壓差ΔΡ，所以向開度變小(關(guān)閉)的方向調(diào)整第2閥6 的開度。此外，通過 調(diào)整該第2閥6 的開度，真空容器1內(nèi)的壓力將會(huì)升高，所以為了將該壓力維持在處理壓 力P，調(diào)整第1閥65a的開度(進(jìn)行調(diào)整，使得開度變大)。這樣，通過瞬間例如交替地調(diào)整閥65a、6^的開度，使得真空容器1內(nèi)的壓力和壓 差計(jì)68的測量值分別為處理壓力P和壓差ΔΡ，如圖14所示，從第1排氣通路63a排出流 量！^ TBAS氣體的流量fa和隊(duì)氣體的總流量中的規(guī)定的分量)的氣體，從第2排氣通路 63b排出流量1 (O3氣體的流量fb和N2氣體的剩余的量)的氣體，能夠抑制反應(yīng)氣體彼此 在真空容器1內(nèi)和排氣通路63a、63b內(nèi)混合。因此，抑制微粒的產(chǎn)生。另外，在該圖14中， 簡略描繪了 2個(gè)排氣通路63a、63b。而且，通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，晶圓W經(jīng)由分離區(qū)域D交替地通過第1處理區(qū)域91 和第2處理區(qū)域92，在晶圓W的表面吸附有BTBAS氣體，接著吸附O3氣體，BTBAS分子被氧 化，從而形成1層或多層氧化硅的分子層，這樣，依次層疊氧化硅的分子層，形成由規(guī)定的 膜厚的氧化硅膜構(gòu)成的薄膜。此時(shí)，通過調(diào)整排氣通路63a、6;3b各自的排氣流量，抑制流向 晶圓W的氣流的變動(dòng)，并且氣流在晶圓W的整個(gè)面內(nèi)和整個(gè)面間穩(wěn)定地流動(dòng)。此外，通過調(diào) 整各排氣通路63a、63b的排氣流量，與不調(diào)整排氣流量的情況相比，由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)， 在晶圓W出入各處理區(qū)域91、92和分離區(qū)域D時(shí)，該晶圓W受到的壓力差變小，所以例如能 夠抑制晶圓W在出入上述處理區(qū)域91、92和分離區(qū)域D時(shí)從該晶圓W的凹部M飛出、位置 偏離。此時(shí)，因?yàn)樵诜蛛x區(qū)域D供給N2氣體，在中心部區(qū)域C也供給作為分離氣體的N2 氣體，所以以使BTBAS氣體和O3氣體不混合的方式排出各氣體。此外，因?yàn)樵诜蛛x區(qū)域D， 彎曲部46和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面之間的間隙像前文所述那樣狹窄，所以BTBAS氣體和O3氣體 即使經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)也不混合。因此，第1處理區(qū)域91的氣氛和第2處理區(qū)域92的 氣氛被完全地分離，BTBAS氣體從排氣口 61排出且O3氣體從排氣口 62排出。結(jié)果，BTBAS 氣體和O3氣體無論在氣氛中還是在晶圓W上均不混合。此外，由于利用隊(duì)氣體吹掃旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)，所以流入到排氣區(qū)域E的氣體完全 不可能鉆過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)例如BTBAS氣體完全不可能流入O3氣體的供給區(qū)域。這樣， 在成膜處理結(jié)束時(shí)，停止氣體的供給，對真空容器1內(nèi)進(jìn)行真空排氣，之后停止旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的 旋轉(zhuǎn)，通過與搬入時(shí)相反的動(dòng)作利用輸送臂10依次搬出各晶圓W。在此，記載了處理參數(shù)的一個(gè)例子，在以300mm直徑的晶圓W為被處理基板的情況下，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速例如為Irpm 500rpm，來自真空容器1的中心部的分離氣體供給管51 的N2氣體的流量例如是5000sCCm。另外，對1張晶圓W供給反應(yīng)氣體的循環(huán)次數(shù)即晶圓W 通過各處理區(qū)域91、92的次數(shù)根據(jù)目標(biāo)膜厚而變化，但為多次，例如為600次。根據(jù)上述實(shí)施方式，將晶圓W載置在真空容器1內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上，在對該晶圓W供 給處理氣體而在真空氣氛下進(jìn)行處理之際，能夠分別從設(shè)有第1閥6 的第1排氣通路63a 和設(shè)有第2閥65b的第2排氣通路6 對真空容器1內(nèi)的氣氛進(jìn)行真空排氣，調(diào)整第1閥 65a的開度，使得真空容器1內(nèi)的壓力成為處理壓力P，并且為了使第1排氣通路63a的排 氣流量和第2排氣通路6 的排氣流量成為與制程程序相對應(yīng)的設(shè)定值，將蝶閥67的開度 V設(shè)定為記載于表86中的值，接著，調(diào)整第2閥6 的開度，使得壓差計(jì)68的測量值為記載 于表86的壓差ΔΡ。因此，因?yàn)槟苷{(diào)整排氣通路63a、6;3b各自的排氣流量，所以能夠在分離 區(qū)域D的兩側(cè)穩(wěn)定地形成適當(dāng)?shù)臍饬?。因此，晶圓W的表面的反應(yīng)氣體(BATAS氣體、O3氣 體)的氣流恒定化，BTBAS氣體的吸附狀態(tài)穩(wěn)定化，并且O3氣體與吸附分子的氧化反應(yīng)也穩(wěn) 定化，作為結(jié)果，能夠在晶圓W的面內(nèi)和面間獲得膜厚均勻同時(shí)膜質(zhì)均質(zhì)且良好的薄膜。此 外，因?yàn)槟芊乐狗蛛x區(qū)域D的兩側(cè)的排氣不均，所以能夠避免BTBAS氣體和O3氣體穿過分 離區(qū)域D混合，由此，能夠抑制晶圓W的表面以外的反應(yīng)生成物的生成，因此能抑制微粒的 產(chǎn)生。此外，因?yàn)樵谶M(jìn)行成膜處理之前，算出與排氣通路63b的排氣流量1 和處理壓力 P相對應(yīng)的蝶閥67的開度V和壓差Δ P，所以即使在真空泵64a、64b的排氣能力存在個(gè)體 差異的情況下也能調(diào)整排氣流量。此外，因?yàn)樵谒愠龅y67的開度V和壓差Δ P之際用N2 氣體而不是BTBAS氣體和O3氣體，所以能防止對真空容器1內(nèi)的構(gòu)件等產(chǎn)生不良影響(附 著物的附著、微粒的產(chǎn)生等)。這樣，在本發(fā)明中，對于無法用壓力計(jì)(壓力測量部件66a、66b)直接測量的排氣 流量，并非在排氣側(cè)(排氣通路6 測量，而是預(yù)先算出與從供給側(cè)供給的氣體流量相對應(yīng) 的排氣側(cè)的各設(shè)定值(蝶閥67的開度V、壓差ΔΡ)，基于該算出結(jié)果(表86)調(diào)整在各排 氣通路63中流通的排氣流量，所謂的在氣體的供給側(cè)調(diào)整排氣流量。因此，與打算依靠以 往的壓力計(jì)來調(diào)整排氣流量的方法相比，能準(zhǔn)確地調(diào)整排氣流量，因此，像前文所述那樣， 能夠抑制反應(yīng)氣體彼此混合并且在面內(nèi)和面間進(jìn)行均勻的成膜處理。在上述例子中，說明了在裝置調(diào)試時(shí)作成表86的例子，但是例如也可以在裝置維 護(hù)時(shí)定期地作成表86。在該情況下，即使排氣通路63a、63b、真空泵64a、64b的內(nèi)部附著有 反應(yīng)生成物或真空泵64a、64b的排氣能力經(jīng)時(shí)變化，也能算出排氣流量。另外，如上所述，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上配置多個(gè)晶圓W，通過使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)， 使晶圓W依次通過第1處理區(qū)域91、第2處理區(qū)域92，進(jìn)行所謂的ALD (或MLD)，所以能夠 以高的生產(chǎn)率進(jìn)行成膜處理。而且，在上述旋轉(zhuǎn)方向上的第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域 92之間設(shè)有具有低的頂面的分離區(qū)域D，并且從由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心部和真空容器1劃 分的中心部區(qū)域C朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣噴出分離氣體，上述反應(yīng)氣體與擴(kuò)散到上述分離區(qū) 域D的兩側(cè)的分離氣體和從上述中心部區(qū)域C噴出的分離氣體一同經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣和 真空容器的內(nèi)周壁之間的間隙排出，因此能夠防止兩反應(yīng)氣體的混合，其結(jié)果，能進(jìn)行良好 的成膜處理，使在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上完全不產(chǎn)生反應(yīng)生成物或盡量抑制反應(yīng)生成物的產(chǎn)生，能夠 抑制微粒的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明也能應(yīng)用于在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上載置1個(gè)晶圓W的情況。
作為上述第1反應(yīng)氣體，除了上述例子之外，還能夠列舉有DCS[二氯硅烷]、 HCD[六氯乙硅烷]、TMA[三甲基鋁]、3DMAS[三(二甲氨基)硅烷]、TEMAZ[四(二乙基氨 基)鋯]、TEMH F[四(乙基甲基氨基)鉿]、Sr(THD)2[雙(四甲基庚二酮酸)鍶]、Ti (MPD) (THD)[(甲基戊二酮酸)雙(四甲基庚二酮酸)鈦]、單氨基硅烷等。第2實(shí)施方式在上述第1實(shí)施方式中，說明了設(shè)有2條排氣通路63a、6;3b的裝置，但是排氣通路 63也可以設(shè)有多條例如3條。關(guān)于這樣的裝置，參照圖15和圖16說明第2實(shí)施方式。另 外，在該實(shí)施方式中，對于在上述第1實(shí)施方式中說明的部位標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略說 明。在該裝置中設(shè)有分離氣體供給噴嘴41、42、300和3根反應(yīng)氣體噴嘴31、32、33，該 分離氣體供給噴嘴41、42、300用于對分別配置于從上述反應(yīng)氣體噴嘴31、32、33分別供給 反應(yīng)氣體的處理區(qū)域91、92、93之間的分離區(qū)域D供給分離氣體。從輸送口 15沿順時(shí)針看 來，上述噴嘴31 33、41、42、300按照分離氣體供給噴嘴41、反應(yīng)氣體噴嘴31、分離氣體噴 嘴42、反應(yīng)氣體噴嘴33、分離氣體噴嘴300和反應(yīng)氣體噴嘴32這樣的順序依次配置。在反應(yīng)氣體噴嘴31上連接有儲(chǔ)存例如Sr(THD)2[雙(四甲基庚二酮酸)鍶 (bis(tetra methyl heptandionate) strontium) ] >Sr (Me5CP) 2 [ () . (甲二;1 ) 鍶)(bis (pentamethylcyclopentadienyl) strontium)]等 Sr 原料的第 1 氣體供給源 38a。 在反應(yīng)氣體噴嘴32上連接有儲(chǔ)存前文所述的03氣體的第2氣體供給源38b。此外，在反 應(yīng)氣體噴嘴 33 上連接有儲(chǔ)存例如 Ti (OiPr) 2 (THD) 2 [ (bisisopropoxo) (bis (tetramethylhe ptanedionato)) -titanium)(雙異丙氧基(雙四甲基庚二酮酸)鈦)]、Ti (OiPr)[(四異 丙氧基鈦)(tetraisopropoxo) -titanium)]等Ti原料的第3氣體供給源38d。與前文所 述的反應(yīng)氣體噴嘴32相同，從N2供給源38c向該反應(yīng)氣體噴嘴33供給N2氣體。另外，圖 15中附圖標(biāo)記3 是氣體供給通路、36是閥、37是流量調(diào)整部、301是氣體導(dǎo)入件。在各處理區(qū)域91 93和在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)與各處理區(qū)域91 93相 鄰的分離區(qū)域D之間分別形成有排氣口 61、62b、62c。如圖16所示，在從排氣口 62b延伸 的第2排氣通路6 上設(shè)有蝶閥67b、壓差計(jì)68b和第2閥65b、真空泵64b。在從排氣口 62c延伸的第3排氣通路63c上，與第2排氣通路6 相同地連接有壓力測量部件66c、蝶 閥67c、壓差計(jì)68c、第3閥65c和真空泵64c。另外，在圖16中簡略地描繪了成膜裝置。在該實(shí)施方式中，在作成前文所述的表86的情況下，首先，如圖17的(a)所示，關(guān) 閉第1閥65a、第2閥65b以及第3閥65c中的任一個(gè)在該例子中為第3閥65c。接著，如 前文所述那樣，以流量冊向真空容器1內(nèi)供給隊(duì)氣體，并且調(diào)整蝶閥67b的開度V，使得真 空容器1內(nèi)的壓力成為處理壓力P且第2排氣通路63b的排氣流量成為冊。然后，將此時(shí) 的該開度V和壓差計(jì)68b的測量值(壓差Δ P)存儲(chǔ)于表86中。接著，如圖17的(b)所示， 在關(guān)閉第1閥65a的狀態(tài)下關(guān)閉第2閥65b，并且打開第3閥65c。然后，以流量Fc向真空 容器1內(nèi)供給N2氣體，并且調(diào)整蝶閥67c的開度V，使得真空容器1內(nèi)的壓力成為處理壓力 P且第3排氣通路63c的排氣流量成為Fe，將此時(shí)的該開度V和壓差計(jì)68c的測量值(壓 差Δ P)存儲(chǔ)于表86中。另外，在圖17中，對于各閥65a、65b、65c，用白色表示打開的狀態(tài)， 用黑色表示關(guān)閉的狀態(tài)。此外，上述隊(duì)氣體實(shí)際上也從各噴嘴32、33以外的分離氣體噴嘴 41、42、300等向真空容器1內(nèi)供給，但是在圖17中為了便于表示，描繪了從噴嘴32、33供給上述隊(duì)氣體。之后，在對晶圓W進(jìn)行成膜處理時(shí)，從表86讀取制程程序以及與該制程程序相對 應(yīng)的閥65b、65c的開度V和壓差計(jì)68b、68c的壓差Δ P。接著，分別將蝶閥67b、67c的開度 V設(shè)定為從表86讀取的值，并且分別以流量fa、fb、fc從各反應(yīng)氣體噴嘴31、32、33分別向 真空容器1內(nèi)供給前文所述的反應(yīng)氣體，此外還以規(guī)定的流量從噴嘴41、42、300和供給管 51、72、73供給隊(duì)氣體。然后，在一邊利用第1閥6 進(jìn)行調(diào)整，使得真空容器1內(nèi)的壓力 成為處理壓力P，一邊分別調(diào)整第2閥65b的開度和第3閥65c的開度使得壓差計(jì)68b、68c 的各自的壓差Δ P成為從表86讀取的值時(shí)，如圖17的(c)所示，第2排氣通路63b的排氣 流量成為冊(流量fb和N2氣體的總流量中的規(guī)定的分量)，第3排氣通路63c的排氣流量 成為Fc (流量的fc和隊(duì)氣體的總流量中的規(guī)定的分量)。因此，第1排氣通路63a的排氣 流量成為向真空容器1內(nèi)供給的反應(yīng)氣體和隊(duì)氣體的合計(jì)的流量F中的、除了流量冊、Fc 之外的流量1 、即流量fa和隊(duì)氣體的剩余的量。因此，各反應(yīng)氣體在真空容器1內(nèi)和各排 氣通路63內(nèi)互不混合地被獨(dú)立地排出。另外，上述反應(yīng)氣體的流量fa、fb、fc例如分別設(shè) 定為 5000sccm、5000sccm、5000sccmo這樣，利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，在晶圓W上依次反復(fù)進(jìn)行多次含有Sr的反應(yīng)氣體的 吸附、含有Ti的反應(yīng)氣體的吸附、上述反應(yīng)氣體的氧化，層疊由作為含有Sr和Ti的氧化膜 的STO膜構(gòu)成的薄膜。即使在該第2實(shí)施方式中，也能夠得到與前文所述的第1實(shí)施方式相同的效果。此 外，在排氣通路63b、63c各自的排氣流量相同且真空泵64b、6k的排氣能力相同的情況下， 也可以對排氣通路6 、63c中的任一方作成表86，將此時(shí)得到的表86用作在進(jìn)行成膜處理 時(shí)對另一方的排氣通路63b、63c讀取的表86。另外，在該實(shí)施方式中，說明了向真空容器1 內(nèi)供給3種反應(yīng)氣體的例子，但是也可以將本發(fā)明應(yīng)用于供給多種例如4種類以上的反應(yīng) 氣體的情況。在該情況下，也與上述實(shí)施方式相同，對于在各處理區(qū)域中排氣口所連通的排 氣通路分別作成表86。此外，優(yōu)選上述分離區(qū)域D的頂面44的、相對于上述分離氣體噴嘴4K42、300)位 于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)的部位越位于外緣的部位上述旋轉(zhuǎn)方向的寬度越大。其理 由是由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，從上游側(cè)朝向分離區(qū)域D去的氣體的流動(dòng)越靠近外緣越快。從 該觀點(diǎn)出發(fā)，像上述那樣將凸?fàn)畈?構(gòu)成扇型是上策。而且，如圖18的(a)、(b)中以上述分離氣體噴嘴41代表所示，例如在將300mm直 徑的晶圓W作為被處理基板在情況下，優(yōu)選上述第1頂面44的形成分別位于上述分離氣體 噴嘴4K42、300)的兩側(cè)的狹窄空間的部分中，晶圓W的中心WO通過的部位沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 的旋轉(zhuǎn)方向的寬度尺寸L為50mm以上。為了有效地阻止反應(yīng)氣體從凸?fàn)畈?的兩側(cè)進(jìn)入 到凸?fàn)畈?的下方(狹窄空間)，在上述寬度尺寸L較短的情況下，需要與之相對應(yīng)地縮小 第1頂面44和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的距離h。而且，在將第1頂面44和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的距離h設(shè) 定為某個(gè)尺寸時(shí)，距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心越遠(yuǎn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的速度就越快，所以為了獲得阻止反 應(yīng)氣體進(jìn)入的效果所要求的寬度尺寸L距旋轉(zhuǎn)中心越遠(yuǎn)就越大。從這樣的觀點(diǎn)進(jìn)行考察， 若晶圓W的中心WO通過的部位的上述寬度尺寸L小于50mm，則需要使第1頂面44和旋轉(zhuǎn) 臺(tái)2的距離h相當(dāng)小，所以為了防止在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)時(shí)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與晶圓W或旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與頂 面44碰撞，要求設(shè)法盡量抑制旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的振動(dòng)。而且，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速越高，反應(yīng)氣體越容易從凸?fàn)畈?上游側(cè)進(jìn)入到凸?fàn)畈?下方側(cè)，所以若上述寬度尺寸L小于50mm，則必須降低 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速，在生產(chǎn)率方面不是上策。因此，寬度尺寸L優(yōu)選是50mm以上，但是即使是 50mm以下也并非無法獲得本發(fā)明的效果。即，上述寬度尺寸L優(yōu)選是晶圓W的直徑1/10 1/1，更優(yōu)選是大約1/6以上。此外，在本發(fā)明中，需要低的頂面44位于分離氣體供給部件的旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)，但 是不限于在分離氣體噴嘴41、42、300的兩側(cè)配置凸?fàn)畈?的上述構(gòu)成，也可以采用在凸?fàn)?部4的內(nèi)部使分離氣體的流通室47沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸地形成、在該流通室47的底部 沿著長度方向穿設(shè)多個(gè)氣體噴出孔40的構(gòu)成。如上所述，分離區(qū)域D可以是將扇型的凸?fàn)畈?沿周向分開成兩個(gè)、在兩個(gè)凸?fàn)畈?4之間設(shè)置分離氣體噴嘴4K42、300)的構(gòu)成，但圖19是以上述的第1實(shí)施方式的成膜裝 置為例、表示這樣的構(gòu)成的一個(gè)例子的俯視圖。在該情況下，扇型的凸?fàn)畈?和分離氣體噴 嘴4Κ42、300)的距離、扇型的凸?fàn)畈?的大小等被設(shè)定成考慮到分離氣體的噴出流量、反 應(yīng)氣體的噴出流量等而使分離區(qū)域D能有效地發(fā)揮分離作用。在上述實(shí)施方式中，上述第1處理區(qū)域91、92、93的頂面相當(dāng)于比上述分離區(qū)域D 的頂面高的區(qū)域。但是，本發(fā)明也可以是如下構(gòu)成，即，處理區(qū)域91、92、93中的至少1個(gè)與 分離區(qū)域D相同地設(shè)置在反應(yīng)氣體供給部件的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)且與上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對， 且具有比上述分離區(qū)域D的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)的頂面(第2頂面45)低的頂面例如分離區(qū) 域D的與第1頂面44相同的高度的頂面，以形成用于阻止氣體進(jìn)入該頂面與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間 的空間。本發(fā)明為了在分離氣體噴嘴4Κ42、300)的兩側(cè)形成狹窄空間而需要設(shè)有低的頂 面(第1頂面)44，然而，除了在反應(yīng)氣體噴嘴31(32、33)的兩側(cè)也設(shè)有同樣低的頂面、使這 些頂面連續(xù)的構(gòu)成即設(shè)有分離氣體噴嘴4Κ42、300)和反應(yīng)氣體噴嘴31(32、33)的部位以 外，在與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對的區(qū)域整個(gè)面上設(shè)有凸?fàn)畈?的構(gòu)成也能夠得到同樣的效果。從另 外的觀點(diǎn)來看，該構(gòu)成是分離氣體噴嘴41 02、300)的兩側(cè)的第1頂面44擴(kuò)展到反應(yīng)氣體 噴嘴31(32、33)的例子。在該情況下，分離氣體擴(kuò)散到分離氣體噴嘴41 02、300)的兩側(cè)， 反應(yīng)氣體擴(kuò)散到反應(yīng)氣體噴嘴31 (32、33)的兩側(cè)，兩氣體在凸?fàn)畈?的下方側(cè)(狹窄空間) 合流，這些氣體從排氣口 61(62、6；3)排出。在以上的實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)軸22位于真空容器1的中心部，對旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 的中心部和真空容器1的上表面部之間的空間吹掃分離氣體，但是本發(fā)明也可以如圖20所 示那樣構(gòu)成。關(guān)于這樣的構(gòu)成，以前文所述的第1實(shí)施方式的成膜裝置為例進(jìn)行說明，在圖 20的成膜裝置中，真空容器1的中央?yún)^(qū)域的底面部14向下方側(cè)突出，形成驅(qū)動(dòng)部的收容空 間100，并且在真空容器1的中央?yún)^(qū)域的上表面形成有凹部100a，在真空容器1的中心部， 在收容空間100的底部和真空容器1的上述凹部IOOa的上表面之間設(shè)有支柱101，防止來 自第1反應(yīng)氣體噴嘴31的BTBAS氣體和來自第2反應(yīng)氣體噴嘴32的O3氣體經(jīng)由上述中 心部而互相混合。關(guān)于使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，以圍繞支柱101的方式設(shè)有旋轉(zhuǎn)套筒102，沿著該旋 轉(zhuǎn)套筒102設(shè)有環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2。而且，在上述收容空間100中設(shè)有由電動(dòng)機(jī)103驅(qū)動(dòng)的 驅(qū)動(dòng)齒輪部104，利用該驅(qū)動(dòng)齒輪部104，經(jīng)由形成在旋轉(zhuǎn)套筒102的下部的外周的齒輪部 105，使該旋轉(zhuǎn)套筒102旋轉(zhuǎn)。附圖標(biāo)記106、107和108是軸承部。此外，在上述收容空間100的底部連接吹掃氣體供給管74，并且在真空容器1的上部連接有用于向上述凹部IOOa 的側(cè)面和旋轉(zhuǎn)套筒102的上端部之間的空間供給吹掃氣體的吹掃氣體供給管75。在圖20 中的左右2個(gè)部位記載有用于向上述凹部IOOa的側(cè)面和旋轉(zhuǎn)套筒102的上端部之間的空 間供給吹掃氣體的開口部，為了使BTBAS氣體和O3氣體不經(jīng)由旋轉(zhuǎn)套筒102的附近區(qū)域而 混合，優(yōu)選設(shè)計(jì)開口部(吹掃氣體供給口)的排列數(shù)。在圖20的實(shí)施方式中，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2側(cè)看來，上述凹部IOOa的側(cè)面和旋轉(zhuǎn)套筒102 的上端部之間的空間相當(dāng)于分離氣體噴出孔，而且由該分離氣體噴出孔、旋轉(zhuǎn)套筒102和 支柱101構(gòu)成位于真空容器1的中心部的中心部區(qū)域。此外，在上述各例中，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對于氣體供給系統(tǒng)(噴嘴31、32、33、41、42、 300)旋轉(zhuǎn)，但是也可以是使氣體供給系統(tǒng)相對于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2沿周向旋轉(zhuǎn)的構(gòu)成。第3實(shí)施方式在上述各實(shí)施方式中，說明了向共用的真空容器1內(nèi)供給互相反應(yīng)的多種反應(yīng)氣 體而進(jìn)行成膜處理的例子，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用在例如向真空容器上供給1種處理氣體 例如蝕刻氣體而進(jìn)行基板處理例如蝕刻處理的情況。關(guān)于進(jìn)行該蝕刻處理的基板處理裝置 的例子，參照圖21和圖22說明第3實(shí)施方式。在圖21中，附圖標(biāo)記201是真空容器，附圖標(biāo)記202是作為下部電極的載置臺(tái)， 該載置臺(tái)用于載置例如由1個(gè)邊為幾m左右的矩型的玻璃等構(gòu)成的IXD (Liquid CryStal Display)基板、FPD (Flat Panel Display)基板等基板S，在真空容器201的上方設(shè)有作為 處理氣體供給部的氣體簇射頭203，該氣體簇射頭203用于對載置臺(tái)202上的基板S供給 作為處理氣體的蝕刻氣體例如氯氣等鹵素系的陰性氣體。在氣體簇射頭203上經(jīng)由未圖示 的閥、流量調(diào)整部分別連接有用于向該氣體簇射頭203的內(nèi)部區(qū)域供給蝕刻氣體的處理氣 體供給通路220、用于供給流量調(diào)整用氣體例如隊(duì)氣體的隊(duì)氣體供給路221。此外，在該圖 21中，附圖標(biāo)記204、205、206、207、208分別是形成在氣體簇射頭203的下表面的作為處理 氣體供給口的氣體噴出口、相對于真空容器201進(jìn)行基板S的搬入搬出的輸送口、用于對載 置臺(tái)202供給等離子體產(chǎn)生用的高頻的高頻電源、阻抗調(diào)整機(jī)構(gòu)、絕緣體。此外，也如圖22所示，在載置臺(tái)202的周圍的真空容器201的底面以沿著該載置 臺(tái)202的四個(gè)邊的方式在多個(gè)部位例如8個(gè)部位例如等間隔地形成有排氣口 209。將從上 述各排氣口 209延伸的排氣通路210中的一個(gè)稱為第1排氣通路211、將剩余的7個(gè)排氣 通路210稱為第2排氣通路212時(shí)，在第1排氣通路211上隔著第1閥6 而連接有真空 泵64a。此外，在第2排氣通路212上隔著蝶閥67、壓差計(jì)68和第2閥6 而連接有真空 泵64b。與第1實(shí)施方式相對應(yīng)地對上述閥65、真空泵64標(biāo)注附圖標(biāo)記，與第1實(shí)施方式 相同附圖標(biāo)記的構(gòu)件具有與第1實(shí)施方式的構(gòu)件相同的作用。在該基板處理裝置中，在作成前文所述的表86時(shí)，與前文所述的第2實(shí)施方式說 明的方法相同地進(jìn)行處理。具體而言，關(guān)閉第1排氣通路211的第1閥6 和第2排氣通 路212中的除了一個(gè)排氣通路212以外的第2閥65b。即，關(guān)于第2閥65b，只打開該一個(gè) 排氣通路212中的第2閥65b。然后，以流量1 向真空容器201內(nèi)供給N2氣體，調(diào)整該一 個(gè)排氣通路212的蝶閥67的開度V，使得真空容器201內(nèi)的壓力成為處理壓力P，將此時(shí)的 開度V和壓差ΔΡ存儲(chǔ)于表86中。對在各第2排氣通路212中的除了該一個(gè)排氣通路212 以外的其他6個(gè)排氣通路212也依次進(jìn)行這樣的操作，對于所有的6個(gè)排氣通路212，依次取得開度V和壓差Δ P的數(shù)據(jù)，作成表86。然后，在該基板處理裝置中進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，讀取制程程序和與制程程序相對應(yīng) 的表86，經(jīng)由輸送口 205，將基板S搬入真空容器201內(nèi)，載置在載置臺(tái)202上，使各閥65a、 65b為全開，使真空容器201內(nèi)成為真空狀態(tài)。接著，將各蝶閥67的開度設(shè)定為記載于表86 的值，從處理氣體供給通路220向氣體簇射頭203供給前文所述的蝕刻氣體時(shí)，該蝕刻氣體 從氣體噴出孔204朝向基板S下降。接著，一邊調(diào)整第1閥65a的開度，使得真空容器201 內(nèi)的壓力成為處理壓力P，一邊調(diào)整各第2閥6 的開度，使得各壓差計(jì)68的測量值分別成 為壓差ΔΡ。此外，從高頻電源206以規(guī)定的電力對載置臺(tái)202供給規(guī)定的頻率的高頻時(shí)， 蝕刻氣體被等離子化，形成在基板S上的例如由鋁構(gòu)成的薄膜被蝕刻。此時(shí)，因?yàn)槿缟鲜瞿?樣基于表86調(diào)整各排氣口 209的排氣流量，所以各排氣通路210的排氣流量分別被調(diào)整成 規(guī)定的量在該例子中為相同的流量。因此，向基板S供給等離子體和排出由于蝕刻生成的 副產(chǎn)物在基板S的整個(gè)面內(nèi)穩(wěn)定化，進(jìn)行均勻的蝕刻處理。即使在該第3實(shí)施方式中也能 夠得到與上述各例子相同的效果。在此，在上述各實(shí)施方式中，因?yàn)橛汕拔乃龅膲毫y量部件66a、66b、66c測量 的壓力幾乎相同，所以作為在作成表86時(shí)、調(diào)整第1閥65a的開度使得真空容器內(nèi)的壓力 成為處理壓力P時(shí)所用的真空容器內(nèi)的壓力，即可以用上述壓力測量部件66a、66b、66c中 的任一個(gè)的壓力檢測值，也可以用在真空容器1內(nèi)另外設(shè)置的壓力測量部件的壓力檢測 值。而且，為了測量蝶閥67的前后的壓差ΔΡ而設(shè)有壓差計(jì)68，然而也可以設(shè)有用于測量 蝶閥67和該蝶閥67下游側(cè)的第2閥6 之間的排氣通路63b的壓力的壓力計(jì)，利用該壓 力計(jì)的測量值和真空容器1內(nèi)的壓力(壓力測量部件66a、66b、66c中的任一個(gè)的壓力檢測 值或在真空容器1內(nèi)另外設(shè)置的未圖示的壓力測量部件的壓力檢測值)算出壓差ΔΡ。在 該情況下，利用通過上述壓力計(jì)、第1壓力測量部件以及由這些壓力計(jì)和第1壓力測量部件 分別測量的壓力值測量蝶閥67的前后的壓力差的演算部，構(gòu)成前文所述的壓差測量部件。而且，在作成表86之際，如前文所述的圖11所示，處理壓力P和由壓差計(jì)68測量 的蝶閥67的真空容器1側(cè)的壓力大致相等，因此，也可以替代壓差Δ P，將蝶閥67和第2閥 6 之間的壓力值存儲(chǔ)在表86中，在基于表86和制程程序而調(diào)整各排氣通路63的流量時(shí)， 調(diào)整第2閥65b的開度，使得蝶閥67和第2閥65之間的壓力值成為存儲(chǔ)于表86中的壓力 值。此外，對第2排氣通路63b (21 的排氣流量作成了表86，但是“第1”和“第2”的 用語是為了區(qū)別各排氣通路63Q10)而標(biāo)注的，因此，將多個(gè)排氣通路63Q10)中的一個(gè)排 氣通路63Q10)設(shè)定為第1排氣通路63a(211)，將其他的排氣通路63Q10)設(shè)定為第2排 氣通路6 (212),并且設(shè)有蝶閥67和壓差計(jì)68，對各第2排氣通路6 (212)作成表86即 可。另外，也可以在多個(gè)排氣通路63 O10)中共用真空泵64。而且，像前文所述的圖21和 圖22那樣，在真空容器201內(nèi)固定地設(shè)有載置臺(tái)202的例子中，排氣通路210不限于例示 的個(gè)數(shù)，例如也可以是2個(gè)。此外，在上述第3實(shí)施方式中，說明了對基板S進(jìn)行蝕刻處理的例子，但是本發(fā)明 也可以應(yīng)用于這樣的蝕刻處理、前文所述的成膜處理以外的處理。例如，在真空容器內(nèi)，加 熱載置臺(tái)上的基板，并且一邊向真空容器內(nèi)供給非活性氣體一邊從多個(gè)排氣通路對真空容 器內(nèi)進(jìn)行真空排氣而進(jìn)行熱處理的情況也可以應(yīng)用本發(fā)明。即使在該情況下，因?yàn)橥ㄟ^預(yù)先作成表，在基板整個(gè)面內(nèi)均勻地供給非活性氣體，所以利用熱處理從基板生成的氣體等 從該基板表面被均勻地排出，因此也能進(jìn)行均勻的熱處理。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其是在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上載置基板、從處理氣體供給部對 上述基板供給處理氣體、在真空氣氛下對上述基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，其特征在于， 包括第1排氣通路和第2排氣通路，分別用于對上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣； 第1壓力調(diào)整閥和第2壓力調(diào)整閥，分別設(shè)在上述第1排氣通路和上述第2排氣通路上；流導(dǎo)調(diào)整部，設(shè)于上述第2排氣通路的上述第2壓力調(diào)整閥的1次側(cè)，用于調(diào)整該第2 排氣通路的流導(dǎo)；第1壓力測量部件，用于測量上述真空容器內(nèi)的壓力； 壓差測量部件，用于測量上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的壓差； 存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)有規(guī)定了上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值、上述第2 排氣通路的排氣流量和上述壓差的關(guān)系的數(shù)據(jù)；控制部，從存儲(chǔ)于該存儲(chǔ)部的數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相 對應(yīng)的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差并輸出控制信號(hào)， 從而對上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為上述壓力值，并且 利用上述流導(dǎo)調(diào)整部將上述第2排氣通路的流導(dǎo)調(diào)整成上述調(diào)整值，接著對上述第2壓力 調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述壓差成為與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對應(yīng)的壓 差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述流導(dǎo)調(diào)整部是蝶閥，流導(dǎo)的調(diào)整值是蝶閥的開度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理是依次對基板的表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給循環(huán) 而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理， 該基板處理裝置包括第1反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件，相互分開地設(shè)于上述真空容器的周 向，分別用于向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體；分離區(qū)域，用于分離被供給上述第1反應(yīng)氣體的第1處理區(qū)域和被供給上述第2反應(yīng) 氣體的第2處理區(qū)域的氣氛，在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間，用于從分離 氣體供給部件供給分離氣體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使上述第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分離區(qū) 域和上述載置臺(tái)沿上述周向相對旋轉(zhuǎn)，使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述第1 處理區(qū)域和上述第2處理區(qū)域，上述第1排氣通路的排氣口為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置，上述第2排氣 通路的排氣口為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述存儲(chǔ)部內(nèi)的數(shù)據(jù)是通過以下的步驟(a)、(b)、(c)而得到的數(shù)據(jù)，(a)在對基板進(jìn)行處理之前，關(guān)閉上述第1壓力調(diào)整閥，打開上述第2壓力調(diào)整閥，(b)向上述真空容器內(nèi)供給流量調(diào)整用氣體，并且利用上述流導(dǎo)調(diào)整部對上述第2排 氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為規(guī)定的壓力，求出此時(shí)的上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差，(C)對流量調(diào)整用氣體的供給流量和真空容器內(nèi)的壓力的組合嘗試進(jìn)行各種這樣的變更。
5.一種基板處理方法，其特征在于，包括以下工序?qū)⒒遢d置在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上，對上述基板供給處理氣體；分別從設(shè)有第1壓力調(diào)整閥的第1排氣通路和設(shè)有第2壓力調(diào)整閥的第2排氣通路對 上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；從存儲(chǔ)部讀取數(shù)據(jù)；接著，對上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為存儲(chǔ)在上述 數(shù)據(jù)中的壓力值，并且利用流導(dǎo)調(diào)整部對上述第2排氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整，使得上述第2 排氣通路的設(shè)于上述第2壓力調(diào)整閥的1次側(cè)的該流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值成為存儲(chǔ)在上述數(shù) 據(jù)中的調(diào)整值；接著，對上述第2壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整，使得上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的壓差 成為存儲(chǔ)在上述數(shù)據(jù)中的壓差，上述讀取的工序是從上述數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對應(yīng) 的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，上述處理是依次對基板的表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給循環(huán) 而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理，供給上述處理氣體的工序是分別從互相分開地設(shè)于上述真空容器的周向上的第1反 應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第2 反應(yīng)氣體的工序，在對上述流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整的工序之前，為了分離被供給上述第1反應(yīng)氣體的第1處理區(qū) 域和被供給上述第2反應(yīng)氣體的第2處理區(qū)域的氣氛，進(jìn)行如下工序從分離氣體供給部件 向在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間的分離區(qū)域供給分離氣體，并且使上述 第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分離區(qū)域和上述載置臺(tái)沿上 述周向相對旋轉(zhuǎn)，使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述第1處理區(qū)域和上述第2 處理區(qū)域，上述真空排氣的工序是分別從為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述第1排 氣通路的排氣口和為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述第2排氣通路的排氣口 對上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置和基板處理方法，通過分別調(diào)整多個(gè)排氣通路的排氣流量，控制真空容器內(nèi)的處理氣體的氣流，使朝向基板的氣流保持恒定。能夠分別從設(shè)有第1閥(65a)的第1排氣通路(63a)和設(shè)有第2閥(65b)的第2排氣通路(63b)對真空容器(1)內(nèi)的氣氛進(jìn)行真空排氣，調(diào)整第1閥(65a)的開度，使得真空容器(1)內(nèi)的壓力成為處理壓力(P)，并且為了將第1排氣通路(63a)的排氣流量和第2排氣通路(63b)的排氣流量成為與制程程序相對應(yīng)的設(shè)定值，將蝶閥(67)的開度(V)設(shè)定為記載于表(86)中的值，接著，調(diào)整第2閥(65b)的開度使得壓差計(jì)(68)的測量值成為記載于表(86)中的壓差(ΔP)。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102054663SQ20101053498
公開日2011年5月11日 申請日期2010年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月4日
發(fā)明者本間學(xué), 田村辰也, 織戶康一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社