專利名稱：：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板及其制造方法，尤其涉及同時實現(xiàn)低電壓驅(qū)動與防止電荷損失的技術(shù)。
背景技術(shù)：
：等離子顯示面板(下面稱為PDP)是利用了來自氣體放電的放射的平面顯示裝置。較容易進(jìn)行高速顯示或大型化，在影像顯示裝置或情報顯示裝置等領(lǐng)域中被廣泛實用化。PDP中有直流型(DC型)與交流型(AC潛力，并且已經(jīng)實現(xiàn)商品化。圖8是作為一般AC型PDP中的放電單位的放電單元構(gòu)造的示意組圖。該圖8所示的PDPlx是將前面板2和后面板9貼合而成的。前面板2在前面板玻璃3的單面上，成對配設(shè)多個以掃描電才及5和維持電極4為一對的顯示電極對6,依次層疊電介質(zhì)層7和表面層8,以覆蓋該顯示電極對6。掃描電極5、維持電極4分別層疊透明電極51、41和總線52、42而構(gòu)成。電介質(zhì)層7由玻璃軟化點為550°C66(TC左右范圍的^f氐融點玻璃形成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。表面層8實現(xiàn)如下作用，即在保護(hù)上述電介質(zhì)層7和顯示電極對6不受等離子放電的離子沖擊的同時，高效釋放二次電子，使放電開始電壓下降。通常，該表面層8使用二次電子釋放特性、耐濺射性、光學(xué)透明性優(yōu)良的氧化鎂(MgO),以真空蒸鍍法或印刷法成膜。與表面層8相同的結(jié)構(gòu)，除了被設(shè)置成保護(hù)電介質(zhì)層7和顯示電極對6的保護(hù)層之外，還被設(shè)置成以確保二次電子釋放特性為目的的保護(hù)層。另一方面，后面板9在后面板玻璃10上同時設(shè)置用于寫入圖像數(shù)據(jù)的多個數(shù)據(jù)(地址)電極11,以與所述前面板2的顯示電極對6以正交方向交叉。在后面板玻璃10中覆蓋數(shù)據(jù)電極11地配設(shè)由低融點玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12中，在與相鄰的放電單元(省略圖示)的邊界上，組合井字形等的圖案部1231、1232而形成由低融點玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的隔壁(肋)13,以區(qū)分放電i間15。在電介質(zhì)層12表面與隔壁13的側(cè)面，形成了涂敷和燒結(jié)R、G、B各色的熒光體墨水而構(gòu)成的熒光體層14(熒光體層14R、14G、14B)。前面板2與后面板9配置成顯示電極對6與數(shù)據(jù)電極11間隔放電空間15后彼此正交，其各周圍被密封。此時，在內(nèi)部密封的放電空間15中，以約數(shù)十kPa的壓力封入Xe-Ne類或Xe-He類等惰性氣體，作為放電氣體。以上構(gòu)成PDPlx。為了通過PDP顯示圖像，使用將1場的影像分割成多個子場(S.F.)的灰度表現(xiàn)方式(例如場內(nèi)分時顯示方式)。但是，近年來的電氣制品期望低功率驅(qū)動，PDP也有同樣的要求。由于高精細(xì)的PDP中放電單元被細(xì)微化，放電單元數(shù)量亦增大，故產(chǎn)生為了提高寫入放電的可靠性而導(dǎo)致動作電壓升高的問題。PDP的動作電壓依賴于上述表面層的二次電子釋放系數(shù)(Y)。y是由材料與放電氣體確定的值，已知材料的功函數(shù)越小，則Y越高。因此，專利文獻(xiàn)4中記載了使用氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)等作為保護(hù)層的主要成分。據(jù)此，可形成具有比MgO良好的二次電子釋放特性的高y膜，以較低的電壓驅(qū)動PDP。專利文獻(xiàn)k特開平8-236028號公報專利文獻(xiàn)2:特開平10-334809號公報專利文獻(xiàn)3:特開2006-54158號公報專利文獻(xiàn)4:特開2002-231129號公報專利文獻(xiàn)5:WO2005/043578但是，若保護(hù)層中使用氧化4丐(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)等，則雖然能夠以較低的電壓驅(qū)動PDP,但保護(hù)層中將產(chǎn)生'電荷損失'的問題。所謂'電荷損失，是指PDP驅(qū)動時從保護(hù)層過度釋放電子的現(xiàn)象。CaO、SrO、BaO—般比MgO的雜質(zhì)吸附性高，若吸附該雜質(zhì)，則在保護(hù)層的帶構(gòu)造中，發(fā)生氧缺陷，并在真空能級附近形成無用的能級。這些較淺的能級誘發(fā)電荷損失的問題。若在PDP驅(qū)動時產(chǎn)生電荷損失，則在子場中的維持期間，不能保持維持放電所需的電荷，導(dǎo)致放電不良。另外，為了解決電荷損失的問題，還考慮為了保持放電所需的電荷而從外部重新提供電荷，但由此驅(qū)動電壓變高，所以將喪失使用CaO、SrO、BaO的較大優(yōu)勢。另外，在PDP中還存在'放電延遲，的問題。即，在PDP等顯示器領(lǐng)域中，影像源的高精細(xì)化正在推進(jìn)，為了正確顯示高精細(xì)圖像，掃描電極(掃描線)數(shù)量傾向于增加。例如，在全HDTV中，掃描線的數(shù)量為NTSC方式的TV的2倍以上。由于需要在1/60[s]以內(nèi)驅(qū)動1個場，故為了由PDP影像顯示高精細(xì)影像，需要在子場中的寫入期間，使施加于數(shù)據(jù)電極的脈沖寬度變窄。但是，在PDP驅(qū)動時，從電壓脈沖的上升沿起至放電單元內(nèi)發(fā)生放電為止，存在被稱為'放電延遲'的時滯問題。若為了高速驅(qū)動而縮短脈沖的寬度，則'放電延遲，的影響變大，各脈沖寬度內(nèi)可放電終止的概率變低。結(jié)果，產(chǎn)生不亮單元(點亮故障)，損害圖像顯示性能。另外，公開了如下技術(shù)，即對于以MgO為主要成分的保護(hù)層而言，通過向MgO結(jié)晶中添加Fe、Cr或Si、Al,進(jìn)行變性，容易釋放用于寫入放電或維持放電的觸發(fā)電子，由此實現(xiàn)高速驅(qū)動(專利文獻(xiàn)1、2),但同樣的對策對于CaO、SrO、BaO難說有效。這樣，在目前的PDP中，存在難以同時實現(xiàn)的幾個i果題，對此還存留著應(yīng)解決的余地。
發(fā)明內(nèi)容本申請鑒于以上各課題而作出，并以下述的各種情況為目的。第一目的是提供一種等離子顯示面板，通過改良保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，能夠以低電壓驅(qū)動PDP,同時，在保護(hù)層中發(fā)揮電荷保持特性，可發(fā)揮良好的圖像顯示功能。第二目的是提供一種等離子顯示面板，除了發(fā)揮上述PDP的低電壓驅(qū)動化與電荷保持特性的效果外，還防止放電延遲的發(fā)生，即便高精細(xì)的PDP也可良好地進(jìn)行高速驅(qū)動，從而可實現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的PDP構(gòu)成為配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板的臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。這里，表面層可由CaO、SrO、BaO中的至少一種以上的固溶體構(gòu)成。本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，并且，僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子這里，表面層可在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，并且，排除了距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的存在。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時，以2eV以上的能量開始釋放光電子。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)MgO微粒子，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。這里，MgO微粒子能夠以氣相氧化法制作?；蛘?，可以在700。C以上的溫度下燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO內(nèi)的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面中，配設(shè)了MgO微粒子，在表面層中，僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了MgO微粒子，表面層排除了距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的存在。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板的臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種8以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了MgO微粒子，表面層在向其表面照射光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時，以2eV以上的能量開始釋放光電子。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板中，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近該放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。這里，在表面層形成工序中，能夠以蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法中的一種以上的方法形成表面層?；蛘?，在表面層形成工序中，由CaO、SrO、BaO中的至少1種以上的固溶體形成所述表面層。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層；MgO微粒子配設(shè)工序，在表面層中配設(shè)MgO微粒子；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。這里，在MgO微粒子配設(shè)工序中，也可以使用以氣相氧化法制作的MgO微粒子?；蛘撸褂靡?00度以上的溫度燒結(jié)MgO前驅(qū)體而制成的MgCM敬粒子。發(fā)明效果通過上述表面層的結(jié)構(gòu)，能夠以低電壓驅(qū)動PDP，同時，在保護(hù)層中改善電荷保持特性。并且，通過采用在上述表面層中配設(shè)MgO微粒子的結(jié)構(gòu)，除上述效果外，還能夠抑制放電延遲的發(fā)生，實現(xiàn)高速驅(qū)動。這里，本發(fā)明的表面層與MgO微粒子的組合，一般在PDP中采用相當(dāng)于為了保護(hù)電介質(zhì)層而設(shè)置的保護(hù)層的結(jié)構(gòu)。圖l是表示本發(fā)明實施方式1的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示各電極與驅(qū)動器的關(guān)系的示意圖。圖3是表示PDP的驅(qū)動波形例的圖。圖4是用于說明本實施方式1的PDP的表面層和現(xiàn)有PDP的表面層的各能級的圖。圖5是表示陰極場致發(fā)光測定中的由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層的特性圖。圖6是表示本發(fā)明實施方式2的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7是表示成膜時的氧氣分壓與電荷損失電壓之間的關(guān)系的曲線。圖8是表示現(xiàn)有的一般PDP結(jié)構(gòu)的組圖。符號說明1、lxPDP2前面板3前面板玻璃4維持電極5掃描電^L6顯示電極對7.12電介質(zhì)層8、8a表面層(高y膜)9后面板10后面一反3皮璃11數(shù)據(jù)(地址)電極13隔壁14、14R、14G、14B熒光體層15放電空間16MgO微粒子具體實施例方式下面，說明本發(fā)明的實施方式及實施例，當(dāng)然本發(fā)明并不限于這些方式，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)，可適當(dāng)進(jìn)行變更后實施。<實施方式1>(PDP的結(jié)構(gòu)例)圖1是沿本發(fā)明實施方式1的PDP1的xz平面的示意性截面圖。該PDP1除保護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)外，整體上與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(圖8)相同。PDP1在這里是42英寸等級的NTSC規(guī)格例的AC型，但本發(fā)明當(dāng)然也可適用于XGA或SXGA等其它規(guī)格例。作為具有HD(HighDefinition:高清晰)以上分辨率的高精細(xì)PDP，例如可列舉如下標(biāo)準(zhǔn)。在面板尺寸為37、42、50英寸等各種尺寸的情況下，順序設(shè)定為1024x720(像素數(shù))、1024x768(像素數(shù))、1366x768(像素數(shù))。此外，可包含分辨率比該HD面板還高的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板，可包含具備1920x1080(像素數(shù))的全HD面板。如圖1所示，PDP1的結(jié)構(gòu)大致分為使主面彼此對置配設(shè)的前面板2和后面板9。在成為前面板2的基板的前面板玻璃3中，在其一個主面上成對形成多個間隔了規(guī)定的放電間隙(75微米)而配設(shè)的一對顯示電極對6(掃描電極5、維持電極4)。各顯示電極對6是相對于由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的帶狀透明電極51、41(厚度為0.1微米、寬度為150微米)，層疊由Ag厚膜(厚度為2微米~10微米)、Al薄膜(厚度為0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度為0.1微米~1微米)等構(gòu)成的總線52、42(厚度為7微米、寬度為95微米)而構(gòu)成。利用該總線52、42降低透明電極51、41的薄膜電阻。這里，所謂'厚膜，是指通過涂敷了包含導(dǎo)電性材料的膠等之后燒結(jié)形成的各種厚膜法所形成的膜。另外，所謂'薄膜，是指通過包含濺射法、離子電鍍法、電子線蒸鍍法等的、使用了真空處理的各種薄膜法所形成的膜。在配設(shè)了顯示電極對6的前面板玻璃3中，在其整個主面上，利用網(wǎng)印法等形成以氧化鉛(PbO)或氧化鉍(Bi203)或氧化磷(P04)為主要成分的低融點玻璃(厚度為35微米)的電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，并且是實現(xiàn)比DC型PDP壽命長的要素。在電介質(zhì)層7的放電空間側(cè)的面上，分散配設(shè)了膜厚約1微米的表面層8,在該表面層8的表面上分散配設(shè)了MgO微米子16。利用該表面層8和MgO微粒子16的組合，構(gòu)成了對電介質(zhì)層7的保護(hù)層。表面層8是為了保護(hù)電介質(zhì)層7不受放電時的離子沖擊，并使放電開始電壓降低而配設(shè)的，并且由耐賊射性和二次電子釋放系數(shù)y較好的材料構(gòu)成。該材料還具備良好的光學(xué)透明性、電氣絕緣性。另一方面，MgO微粒子16是用于發(fā)揮較高的初始電子釋放特性而配設(shè)的。由此，保護(hù)層增效地發(fā)揮彼此功能分離的表面層8和MgO微粒子16所具有的特性。另外，在表面層8的表面中的MgO微粒子16的覆蓋區(qū)域中，可防止從放電空間15附著雜質(zhì)，實現(xiàn)PDP1的壽命特性的提高。表面層8、MgO微粒子16的細(xì)節(jié)將在下文進(jìn)行敘述。另外，圖l中為了說明起見，示意性地比實際大地示出了配設(shè)在表面層8的表面中的MgO微粒子16。在形成為后面板9的基板的后面板玻璃10中，在其一個主面上，以x方向為長度方向、沿y方向每間隔一定間隔(360微米)條狀地設(shè)置由Ag厚膜(厚度為2微米~10微米)、Al薄膜(厚度為0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度為0.1微米~1微米)等之一構(gòu)成的寬度為100微米的數(shù)據(jù)電極11。另外，內(nèi)包各個數(shù)據(jù)電極11地在后面板玻璃9的整個面上配設(shè)了厚度為30微米的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上進(jìn)一步配合相鄰的數(shù)據(jù)電極11的間隙，配設(shè)井字形的隔壁13(高度約為110微米、寬度為40微米)，通過區(qū)分放電單元，防止誤放電或光學(xué)串?dāng)_的發(fā)生。在相鄰的兩個隔壁13的側(cè)面和其間的電介質(zhì)層12的面上，形成了分別彩色顯示用的紅色⑧、綠色(G)、藍(lán)色(B)對應(yīng)的熒光體層14。電介質(zhì)層12不是必需的，也可直接由焚光體層14內(nèi)包數(shù)據(jù)電極11。前面板2與后面板9對置配置，以使數(shù)據(jù)電極ll與顯示電極對6彼此的長度方向正交，兩面板2、9的外周緣部由玻璃粉密封。在該兩個面板2、9之間，以規(guī)定壓力封入由包含He、Xe、Ne等惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。隔壁13之間是放電空間15,而相鄰的一對顯示電極對6與1條數(shù)據(jù)電極ll夾持放電空間15而交叉的區(qū)域，對應(yīng)于與圖像顯示有關(guān)的放電單元(也稱為'子像素，)。放電單元間距為x方向為675微米，y方向為300微米。相鄰的RGB各色所對應(yīng)的3個放電單元構(gòu)成1個像素(675孩i米x900樣i米)。在每個掃描電極5、維持電極4和數(shù)據(jù)電極11上，如圖2所示，在面板外部連接掃描電極驅(qū)動器111、維持電極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動器113，作為驅(qū)動電路。(PDP的驅(qū)動例)12上述結(jié)構(gòu)的PDP1在驅(qū)動時，利用包含各驅(qū)動器111~113的公知驅(qū)動電路(未圖示)，向各顯示電極對6的間隙施加數(shù)十kHz~數(shù)百kHz的AC電壓。由此，在任意的放電單元內(nèi)發(fā)生放電，向熒光體層14照射包含基于激發(fā)Xe原子的波長為147nm主體的諧振線與基于激發(fā)Xe分子的波長為173nm主體的分子線的紫外線(圖1的虛線和箭頭)。熒光體層14-陂激發(fā)后發(fā)出可見光。之后，該可見光透過前面板2在前面發(fā)光。作為該驅(qū)動方法的一例，采用場內(nèi)分時灰度顯示方式。該方式將所顯示的場分成多個子場(S.F)，再將各子場分成多個期間。1個子場進(jìn)一步被分割成(1)將全部放電單元變?yōu)槌跏蓟癄顟B(tài)的初始化期間(2)選址各放電單元、并選擇對應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)的顯示狀態(tài)后輸入到各放電單元的地址(寫入)期間(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元顯示發(fā)光的維持期間(4)擦除由維持放電形成的壁電荷的擦除期間等4個期間。各子場在初始化期間利用初始化脈沖復(fù)位畫面整體的壁電荷之后，在寫入期間進(jìn)行僅在應(yīng)點亮的放電單元中存儲壁電荷的寫入放電，在之后的放電維持期間，通過對全部的放電單元同時施加交流電壓(維持電壓)，在一定時間內(nèi)進(jìn)行放電維持，從而進(jìn)行發(fā)光顯示。這里，圖3是場中第m個子場中的驅(qū)動波形例。如圖3所示，向各子場分別分配初始化期間、寫入期間、放電維持期間、擦除期間。所謂初始化期間是為了防止此前的放電單元點亮造成的影響(存儲的壁電荷造成的影響)，進(jìn)行畫面整體的壁電荷擦除(初始化放電)的期間。在圖3所示的驅(qū)動波形例中，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4高的電壓(初始化脈沖)，使放電單元內(nèi)的氣體放電。由此產(chǎn)生的電荷存儲在放電單元的壁面中以抵消數(shù)據(jù)電極11、掃描電極5和維持電極4間的電位差，所以在掃描電才及5附近的表面層8和MgO微粒子16的表面中，存儲負(fù)電荷以作為壁電荷。另外，在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表面和維持電極4附近的表面層8和MgO微粒子16的表面上，存儲正電荷，作為壁電荷。利用該壁電荷，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11之間、掃描電極5-維持電極4之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。寫入期間是執(zhí)行根據(jù)分割給子場的圖像信號而選擇的放電單元的選址(點亮/不點亮的設(shè)定)的期間。在該期間中，在使放電單元點亮的情況下，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4低的電壓(掃描脈沖)。即，在向掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11沿與所述壁電位相同方向施加電壓的同時，向掃描電極5-維持電極4之間沿與壁電位相同方向施加數(shù)據(jù)脈沖，產(chǎn)生寫入放電(寫入放電)。由此，在熒光體層14表面、維持電極4附近的表面層8和MgO微粒子16的表面存儲負(fù)電荷，在掃描電極5附近的表面層8和MgO微粒子16的表面存儲正電荷，并作為壁電荷。如上所述，在維持電極4-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。放電維持期間是為了確保對應(yīng)于灰度的亮度、擴(kuò)大由寫入放電設(shè)定的點亮狀態(tài)后放電維持的期間。這里，在上述壁電荷存在的放電單元中，向一對掃描電極5和維持電極4分別以彼此不同的相位施加維持放電用的電壓脈沖(例如約200V的矩形波電壓)。由此，對于寫入了顯示狀態(tài)的放電單元，在電壓極性每次變化時產(chǎn)生脈沖放電。利用該維持放電，從放電空間中的激發(fā)Xe原子放射147nm的諧振線，從激發(fā)Xe分子放射173nm主體的分子線。該諧振線、分子線照射到熒光體層14表面，進(jìn)行基于可見光發(fā)光的顯示發(fā)光。之后，利用RGB各色各自的子場單位的組合，進(jìn)行多色、多灰度顯示。在未向表面層8中寫入壁電荷的非放電單元中，不產(chǎn)生維持放電，顯示狀態(tài)變?yōu)楹陲@示。在擦除期間中，向掃描電極5施加漸減型的擦除脈沖，由此擦除壁電何。表面層8以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，在壓力為0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下，利用濺射法、離子電鍍法、蒸鍍法等任一方法成膜，降低放電開始電壓，發(fā)揮改善電荷損失的效果。(放電開始電壓的降低)表面層8以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分。作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級而存在的能級存在于距真空能級的深度比MgO淺的區(qū)域。因此，在驅(qū)動PDP1的情況下，當(dāng)存在于作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級而存在的能級的電子遷移到Xe離子的基底狀態(tài)時，受到其它電子的俄歇效應(yīng)而獲得的能量比MgO的情況大。另外，該能量是足夠使電子超出真空能級而釋放的量。結(jié)果，在表面層8中，該材料與MgO的情況相比，發(fā)揮良好的二次電子釋放特性。具體而言，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級而存在的能級存在于距真空能級的深度為6.05eV以下的區(qū)域，作為MgO固有的電子能級而存在的能級存在于距真空能級的深度超過6.05eV的區(qū)域。下面，使用與表面層8和放電空間中封入的氣體間的能量交換相伴隨的電子狀態(tài)遷移路徑的說明，詳述上述區(qū)域中存在固有的電子能級的根據(jù)。若放電空間內(nèi)產(chǎn)生的放電氣體引起的離子接近表面層8的表面中可相互作用之處，則存在于構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級處的電子將遷移到放電氣體離子的基底狀態(tài)，從而其它電子通過俄歇效應(yīng)，得到從放電氣體離子的基底狀態(tài)的能級深度中、減去構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級的深度后的能量，飛越了至真空能級的能量間隙后，釋放2次電子(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)5)。如圖4所示，Xe離子在帶構(gòu)造中，在距真空能級12.1eV的深度處具有基底狀態(tài)的能級。因此，構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級，當(dāng)存在于比上述12.1eV的一半、即6.05eV淺的區(qū)域中的情況下(圖4中的(a)),得到從離子化狀態(tài)的能級深度(12.1eV)中減去構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級深度的能量(超過6.05eV),從而可飛越至真空能級的能量間隙后，并釋放電子。相反，構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級，在存在于比上述12.leV的一半、即6.05eV深的能級的情況下(圖4中的(b)),即便得到從基底狀態(tài)的能級深度(12.1eV)中減去構(gòu)成表面層8的材料固有的電子能級深度的能量(不足6.05eV),也不能飛越至真空能級的能量間隙，不能釋放電子。另一方面，通過發(fā)明者的其它實驗，確認(rèn)出在放電氣體中使用了Xe時的放電開始電壓在以MgO為主要成分的保護(hù)層中比以CaO、SrO、BaO為主要成分的本實施方式的表面層8高。該傾向與放電氣體中的Xe分壓成正比，更顯著。根據(jù)以上描述可知，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級而存在的能級存在于6.05eV以內(nèi)的區(qū)域中，作為MgO固有的電子能級而存在的能級存在于距真空能級的深度超過6.05eV的區(qū)域中。通常，各材料固有的帶間隙與電子親和力之和就MgO而言約為8.8eV,就CaO而言約為8.0eV,就SrO而言約為6.9eV,就BaO而言約為5.2eV。這是表面層8中的體相(bulk)部分的觀測值。另一方面，在本發(fā)明中，MgO的帶間隙與電子親和力之和比6.05eV大，CaO、SrO、BaO的帶間隙與電子親和力之和為6.05eV以下，比上述值還低2eV。這是因為，本實施方式1中的帶間隙與電子親和力之和是表面層8中實際影響放電的表面部分的觀測值。表面附近的帶間隙比表面層8中的體相的帶間隙小是因為在表面部分中，與內(nèi)部狀態(tài)不同，曝露于表面?zhèn)鹊脑犹幱阪I斷開的狀態(tài)。所謂"表面部分"是指從表面層8的最表面至約數(shù)十原子層左右的深度。(電荷損失的改善)表面層8通過在0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下成膜CaO、SrO、BaO任一種以上，以混入雜質(zhì)或氧缺陷少的結(jié)晶構(gòu)造形成。因此，構(gòu)成為排除了真空能級附近的無用能級，僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶。即，在本實施方式1的表面層8中，排除了距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的存在。由此，抑制在PDP驅(qū)動時從接近真空能級的無用能級過剩地釋放電子，除了所述低電壓驅(qū)動與二次電子釋放特性同時成立的效果外，還發(fā)揮適當(dāng)?shù)碾娮颖３痔匦缘男ЧＴ撾姾杀３痔匦杂绕湓诔跏蓟陂g保持存儲的壁電荷、在寫入期間防止寫入故障進(jìn)行可靠的寫入放電方面4艮有效。具體而言，所謂真空能級附近的無用能級是能量帶中距真空能級的深度不足2eV中存在的能級。下面，進(jìn)行由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層中的陰極場致發(fā)光測定，利用該測定結(jié)果，詳述上述的根據(jù)。圖5中示出進(jìn)行由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層(樣品A、樣品B)的陰極場致發(fā)光測定的結(jié)果。照射電子線的能量為3kV,測定波長區(qū)域為200~900nm。橫軸是將檢測到的波長變換為能量的值。樣品A、樣品B均在3eV附近存在較強(qiáng)的發(fā)光頻語。另外，樣品A在1~2eV附近基本上看不到發(fā)光頻譜，樣品B在1~2eV附近看到了較強(qiáng)的發(fā)光頻譜。另一方面，通過發(fā)明者的其它實驗，確認(rèn)出在使用了樣品A的保護(hù)層的PDP中，在通常設(shè)定驅(qū)動電壓下不存在基于電荷損失的不亮單元，具有難以引起電荷損失的性質(zhì)。另外，確認(rèn)出在使用了樣品B的保護(hù)層的PDP中，在通常設(shè)定驅(qū)動電壓下存在基于電荷損失的不亮單元，具有容易引起電荷損失的性質(zhì)。如上可知，PDP驅(qū)動時過剩釋放的電子是能量帶中占有距真空能級的深度不足2eV處存在的能級的電子。(確i^方法)本實施方式1的表面層8利用向以CaO、SrO、BaO為主要成分的表面層8照射光時，對從表面層8釋放的電子量進(jìn)行測定的測定結(jié)果，確認(rèn)出排除了能量帶中距真空能級的深度不足2eV中存在的能級。這是因為存在于電子能帶的電子獲得被照射的光所具有的能量部分的能量，當(dāng)獲得僅超過至真空能級的能量間隙的能量時，便開始電子釋放(光電子釋放)。即，在排除了不足2eV中存在的能級的表面層8中，當(dāng)使照射到表面層8的光的能量升序變化時，以2eV以上的能量開始釋放電子。另一方面，在0.01Pa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO成膜的保護(hù)層(例如專利文獻(xiàn)4)在不足2eV的能級中形成了多個引起氧缺陷的能級，所以可知，即便不足2eV的能量也開始釋放電子。即，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級而存在的能級存在于表面層8的表面部分中6.05eV以內(nèi)的區(qū)域中，并且，表面層8中不足2eV的能級中不存在由氧缺陷等引起的無用能級，從而可同時實現(xiàn)放電開始電壓的降低與電荷損失的改善。這里，所謂光是指X射線、紫外線、紅外線等寬范圍的光。本實施方式1中的表面層8排除如下結(jié)構(gòu)僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶的結(jié)構(gòu)、或存在距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的結(jié)構(gòu)，但只要是可實現(xiàn)本發(fā)明效果的量，則不足2eV中存在多少電子能帶都無妨。并且，在本實施方式l中，表面層8構(gòu)成為以CaO、SrO、BaO中的1種以上為主要成分，但其中CaO的雜質(zhì)的吸附性較低，在得到高純度的結(jié)晶構(gòu)造方面很合適。另外，若將表面層8構(gòu)成為CaO、SrO、BaO的固溶體，則該層還具有抑制雜質(zhì)吸附的效果，根據(jù)多個理由可知，比由單體材料構(gòu)成該層更合適。如上所述，在0.01Pa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO成膜的層(例如專利文獻(xiàn)4中記載的保護(hù)層)以氧缺陷多的結(jié)晶構(gòu)造形成，所以會在PDP驅(qū)動時從接近真空能級的無用能級過剩地釋放電子。此時，雖然存在為了彌補壁電荷的保持而提高驅(qū)動電壓的對策，但在本發(fā)明中不需要這種對策，利用低電壓驅(qū)動來實現(xiàn)功耗的降低。并且，也不需要對應(yīng)于高驅(qū)動電壓的驅(qū)動電路的耐壓對策，在制造成本降低方面具有較大優(yōu)勢。以前存在向保護(hù)層中摻雜雜質(zhì)、或者設(shè)置氧缺陷部分從而在距真空能級4eV以內(nèi)的深度處設(shè)置能級的技術(shù)(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)5),但這種結(jié)構(gòu)就PDP的壽命特性而言不影響本發(fā)明。即，保護(hù)層中的雜質(zhì)或氧缺陷等不是原來的保護(hù)層主要成分所固有的電子能級，由于PDP的長期使用，導(dǎo)致保護(hù)層的結(jié)晶構(gòu)造發(fā)生變化，而逐漸消失。相反，在PDP1中，設(shè)置表面層8的主要成分中的固有能級，具有長期發(fā)揮穩(wěn)定的二次電子釋放特性的較大優(yōu)勢。通過本發(fā)明者的實驗，確認(rèn)出MgO微粒子16具有主要抑制寫入放電中的"放電延遲，，的效果、和改善"放電延遲，，的溫度依賴性的效果。因此，在本實施方式1中，利用MgCM敖粒子16比表面層8高的初始電子釋放特性良好的性質(zhì)，而配設(shè)為驅(qū)動時的初始電子釋放部。'放電延遲，的主要原因被認(rèn)為是由于放電開始時，構(gòu)成觸發(fā)的初始電子從表面層8表面釋放到放電空間15中的量不足所致。因此，由于有助于對放電空間15的電子釋放性，所以在表面層8的表面分散配置MgO微粒子16,確保較寬的表面積。由此，驅(qū)動初期釋放出大量MgO微粒子16中的電子，消除了放電延遲。因此，利用這種初始電子釋放特性，即便在PDP1高精細(xì)的情況等下也能夠放電響應(yīng)性良好地進(jìn)行高速驅(qū)動。在表面層8的表面上配設(shè)MgO微粒子16群的結(jié)構(gòu)中，除主要抑制寫入放電中的"放電延遲，，的效果外，還能夠得到改善"放電延遲，，的溫度依賴性的效果。如上所述，在PDP1中，將對表面層8同時實現(xiàn)低電壓驅(qū)動與電荷保護(hù)兩種效果的表面層8與實現(xiàn)了防止放電延遲的效果的MgO微粒子16進(jìn)行組合，從而作為PDP1整體，即便高精細(xì)的PDP也可由低電壓進(jìn)行高速驅(qū)動，并且能夠?qū)崿F(xiàn)抑制不亮單元發(fā)生的高品質(zhì)的圖像顯示性能。并且，MgO微粒子16通過層疊設(shè)置在表面層8的表面，從而具有對該表面層8的一定保護(hù)效果。即，表面層8具有較高的二次電子釋放系數(shù)，能夠進(jìn)行PDP的低電壓驅(qū)動，相反，則具有水或二氧化碳等雜質(zhì)的吸附性較高的性質(zhì)。若產(chǎn)生雜質(zhì)吸附，則損害二次電子釋放特性等放電的初始特性。因此，若以MgO微粒子16覆蓋這種表面層8，則可防止該覆蓋區(qū)域中從放電空間15向表面層8的表面吸附雜質(zhì)。由此，可實現(xiàn)PDP1的壽命特性的提高。<實施方式2>本發(fā)明的實施方式2主要說明與實施方式1的差異。圖6是表示實施方式2的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。在實施方式l中，在表面層8中分散配置MgO微米子16,構(gòu)成保護(hù)層。但是，當(dāng)面板標(biāo)準(zhǔn)不是全HD(縱向900線以上)的單掃描驅(qū)動而是雙掃描驅(qū)動的情況下，或一般的HD(縱向800線以下)或VGA標(biāo)準(zhǔn)等情況下，基本不要求PDP進(jìn)行高速驅(qū)動。此時，需要配設(shè)MgO微粒子16來防止高速驅(qū)動PDP時的放電延遲的必要性較低。。實施方式2的PDPla是可適用于這種情況的結(jié)構(gòu)。具體而言，如圖6所示，僅由表面層8a構(gòu)成保護(hù)層。即，表面層8a在氧氣環(huán)境下成膜BaO、CaO、SrO的至少一種以上而構(gòu)成。根據(jù)具有以上表面層8a的實施方式2的PDPla,利用驅(qū)動時在氧氣環(huán)境下處理成膜的、以BaO、CaO、SrO的至少一種以上作為主要成分的表面層8a，發(fā)揮良好的二次電子釋放特性。結(jié)果，PDPla可與實施方式l一樣進(jìn)行低電壓驅(qū)動。并且，表面層8a通過在0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下成膜，從而高純度形成，抑制不足2eV的無用能級的發(fā)生。其結(jié)果，防止從該無用的能級過度地釋放電子，抑制電荷損失的問題，由此，在實施方式2中，在低電壓驅(qū)動下，防止不亮單元的發(fā)生，可發(fā)揮良好的圖像顯示性能。<PDP的制造方法>下面，說明上述各實施方式中的PDP1和la的制造方法例。PDP1和la的差異實質(zhì)上僅為有無配設(shè)MgO微粒子16,其它制造工序相同。(背面板的制作)在由厚度約2.6mm的蘇打石灰(soda-lime)玻璃構(gòu)成的背面板玻璃10的表面上，利用網(wǎng)印法，以規(guī)定間隔條狀涂敷以Ag為主要成分的導(dǎo)電體材料，形成厚度為數(shù)微米(例如約5微米)的數(shù)據(jù)電極。作為數(shù)據(jù)電極11的電極材料，根據(jù)需要也可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬、或各種金屬碳化物或氮化物等導(dǎo)電性陶瓷等材料或其組合、或?qū)⑵鋵盈B形成的層疊電極。這里，為了把要制作的PDP1設(shè)為40英寸等級的NTSC標(biāo)準(zhǔn)或VGA標(biāo)準(zhǔn)，而將相鄰的兩個數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定為大約0.4mm以下。接著，在形成數(shù)據(jù)電極的背面板玻璃10的整個面，涂敷厚度約為20~30微米的鉛類或非鉛類的低融點玻璃或由Si02材料構(gòu)成的玻璃膠，燒結(jié)后形成電介質(zhì)層。接著，在電介質(zhì)層12面上以規(guī)定的圖案形成隔壁13。涂敷低融點玻璃材料膠，使用噴砂法或光刻法，以分割行和列的井字狀圖案形成放電單元的多個排列，以分割與相鄰放電單元(省略圖示)的邊界周圍。一旦形成隔壁13,就在隔壁13的壁面與在隔壁13間露出的電介質(zhì)層12的表面上，涂敷AC型PDP所通常使用的包含紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、藍(lán)色(B)熒光體之一的熒光墨水。干燥并燒結(jié)該墨水，分別構(gòu)成熒光體層14。可適用的RGB各色熒光的化學(xué)組成例如下所示。紅色熒光體(Y、Gd)B03:Eu綠色熒光體Zn2Si04:Mn藍(lán)色熒光體BaMgAl10O17:Eu最好各熒光體材料的平均粒徑為2.0微米。將其以50質(zhì)量％的比例放入到工作容器(server)內(nèi)，投入乙基纖維素(ethylcellulose)1.0質(zhì)量％、溶劑(a-松油醇)49質(zhì)量％,以砂磨機(jī)攪拌混合后，制作15xl9-3Pa*s的熒光體墨水。之后，用泵從直徑60微米的噴嘴向隔壁13間噴射該墨水并涂敷。此時，使噴嘴沿隔壁13的長度方向移動，條狀涂敷熒光體墨水。之后，在500。C下燒結(jié)IO分鐘左右，形成熒光體層14。以上完成背面板9。在上述方法例中，i殳前面板玻璃3和后面板玻璃10由蘇打石灰玻璃構(gòu)成，但它只是作為材料的一例舉出，也可由其他的材料構(gòu)成。(前面板2的制作)在由厚度約2.6mm的蘇打石灰玻璃構(gòu)成的前面板玻璃的面上，制作顯示電極6。這里，示出利用印刷法形成顯示電極6的實例，但此外也可采用擠壓式涂敷(diecoating)法、刮涂法等形成。首先，以條狀等規(guī)定圖案在前面板玻璃上涂敷最終厚度約為100nm的ITO、Sn02、ZnO等透明電極材料并干燥。由此，制作透明電極41、51。另一方面，調(diào)整在Ag粉末與有機(jī)媒介物中混合了感光性樹脂(光分解性樹脂)而成的感光性膠，將其重合涂敷于所述透明電極材料上，并以具有所形成的顯示電極6的圖案的掩膜進(jìn)行覆蓋。之后，從該掩膜上曝光，經(jīng)顯影工序，在590-600。C左右的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。由此，在透明電極41、51上形成最終厚度為數(shù)微米的總線42、52。根據(jù)該光掩膜法，與以往以IOO微米的線寬度為極限的網(wǎng)印法相比，可將總線42、52細(xì)線化至30微米左右的線寬度。總線42、52的金屬材料，除Ag夕卜，還可使用Au、Al、Ni、Cr或氧化錫、氧化銦等?？偩€42、52除上述方法以外，也可利用蒸鍍法、濺射法等成膜電極材料后，經(jīng)蝕刻處理后形成。接著，從顯示電極6上涂敷混合了軟化點為550°C-600。C的鉛類或非鉛類的低融點玻璃或Si02材料粉末和由二甘醇丁醚醋酸酯(butylcarbitolacetate)等構(gòu)成的有機(jī)粘合劑的膠。之后，在550°C~650。C左右燒結(jié)，形成最終厚度為膜厚數(shù)微米~數(shù)十微米的電介質(zhì)層7。(表面層8或8a的成膜)實施方式1中的表面層8和實施方式2中的表面層8a可以通過如下的形成工序形成。對電介質(zhì)層7的表面，在成膜材料中使用至少從CaO、SrO、BaO中選擇的一種，在氧氣環(huán)境下成膜。此外，也可成膜為使上述氧化物彼此固溶的固溶體。成膜方法可采用電子束蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等公知的方法。在成膜時的環(huán)境下，設(shè)定成氧氣為0.025Pa以上的壓力。該壓力的實際上限由成膜速率決定。作為一例，在濺射法中1Pa為實際可取得的壓力的上限，在作為蒸鍍法的一例的EB蒸鍍法中，O.lPa為實際可取得的壓力的上限。另外，成膜時的環(huán)境由于在表面層8(表面層8a)的成膜中防止水分吸附或雜質(zhì)吸附，故處于與外部隔斷的密閉狀態(tài)，且為利用了干燥氣體的干燥環(huán)境。作為干燥氣體，其露點在-20。C以下，期望為-40。C以下(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)4)。利用這種成膜時的環(huán)境的調(diào)整，抑制雜質(zhì)或氧缺陷引起的無用電子能級的形成，構(gòu)成僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶的表面層8。接著，在制作實施方式1的PDP1的情況下，需要準(zhǔn)備MgO微粒子16。MgO微粒子16準(zhǔn)備成粉體材料，并采用如下所示的氣相合成法或前驅(qū)體燒結(jié)法之一進(jìn)行制造。在充滿惰性氣體的環(huán)境下加熱鎂金屬材料(純度99.9%)。維持該加熱狀態(tài)的同時，向環(huán)境中導(dǎo)入少量氧氣，使鎂直接氧化，從而制作出MgO微粒子16。21在該方法中，在高溫(例如70(TC以上)下均勻燒結(jié)下面示出的MgO前驅(qū)體，漸漸冷卻后，得到MgO微粒子。作為MgO前驅(qū)體，例如可選擇鎂醇鹽(Mg(OR)2)、鎂乙酰丙酮(Mg(acac)2)、氫IU匕鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgS04)、硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC204)中的任一種以上(也可以混合使用兩種以上)。所選擇的化合物通常取水合物的形態(tài)，但也可以使用這種水合物。構(gòu)成MgO前驅(qū)體的鎂化合物調(diào)整為燒結(jié)后得到的MgO純度為99.95%以上，最佳值為99.98%以上。這是因為，若在鎂化合物中混合一定量以上的各種堿性金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素，則熱處理時產(chǎn)生無用的粒子間粘合或燒結(jié)，難以得到高結(jié)晶性的MgO微粒子。因此，通過去除雜質(zhì)元素等事先調(diào)整前驅(qū)體。使通過上述任一方法得到的MgO微粒子16分散到溶媒中。之后，根據(jù)噴涂法或網(wǎng)印法、靜電涂敷法，使該分散液分散散布到表面層8的表面中(MgO微粒子配設(shè)工序)。之后，經(jīng)千燥燒結(jié)工序去除溶媒，使MgO微粒子16定影于表面層8的表面中。(PDP的完成)使用密封用玻璃貼合所制作的前面板2與后面板9。之后，將放電空間15的內(nèi)部排氣到大致高真空(1.0xl(T4Pa),在其中以規(guī)定壓力(這里為66.5Pa~101Pa)封入Ne-Xe類或He-Ne-Xe類、Ne-Xe-Ar類等放電氣體。經(jīng)過以上工序，完成PDPl或la。<性能評價實驗>以濺射法成膜由BaO構(gòu)成的保護(hù)層(對應(yīng)于實施方式2的表面層8a),調(diào)查該成膜時的成膜環(huán)境中的氧氣分壓與電荷損失電壓的關(guān)系。圖7中示出該結(jié)果(成膜時的氧氣分壓與電荷損失電壓的關(guān)系)。電荷損失電壓的值在成膜環(huán)境中未添加氧氣的情況下的值取1,并繪制其相對值。實驗結(jié)果如圖7所示，可確認(rèn)出隨著成膜環(huán)境中氧氣分壓的上升，電荷損失電壓值減少。這是因為，由于成膜環(huán)境中添加的氧氣，在保護(hù)層禁止帶內(nèi)，抑制了氧缺陷引起的較淺的電子能級的形成，其結(jié)果是，抑制了從保護(hù)層過度地釋放電子，確保了恒定的電荷保持特性。另一方面，若電荷損失電壓的相對值比0.5大，則在驅(qū)動時所需的設(shè)定電壓下，開始產(chǎn)生不亮單元。根據(jù)以上的實驗結(jié)果可知，成膜環(huán)境中的最佳氧氣分壓為0.025Pa以上。另外，通過本發(fā)明者的其它實驗，即便成膜方法采用EB蒸鍍法、離子電鍍法而制作的膜，也能夠得到與圖7基本相同的結(jié)果。另外可知，即便在保護(hù)層材料中使用了CaO或SrO的情況下，也可得到與圖7基本相同的結(jié)果。這里，現(xiàn)有的成膜法存在如下技術(shù)，即在O.OlPa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO來進(jìn)行保護(hù)層成膜的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)4)。但是，從圖7的內(nèi)容可知，在這種氧氣分壓值下得不到本發(fā)明的表面層。即，在成膜環(huán)境中的氧氣分壓為0.01Pa左右下，電荷的損失電壓為接近1.0的值，其電壓值與不向成膜環(huán)境中添加氧氣的情況幾乎相同。因此，為了有效防止PDP中電荷損失的問題，如上所述，應(yīng)將氧氣分壓至少設(shè)為0.025Pa以上。并且，通過設(shè)氧氣分壓為0.2Pa以上，可得到更顯著的改善效果。下面，準(zhǔn)備了以下的樣品1~IIPDP。這里，樣品7和8(實施例1和2)相當(dāng)于實施方式2的結(jié)構(gòu)，樣品10和11(實施例4和5)相當(dāng)于實施方式1的結(jié)構(gòu)。樣品1(比較例1):作為最基本的PDP的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，為由MgO構(gòu)成的表面層。樣品2(比較例2):為由摻雜了Al的MgO構(gòu)成的表面層。樣品3(比較例3):在由MgO構(gòu)成的表面層上，利用印刷法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品4(比較例4):在摻雜了Al的由MgO構(gòu)成的表面層上，利用印刷法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到的MgO微粒子的層疊體。樣品5(比較例5):在氧氣分壓為OPa(無氧氣)下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層。樣品6(比較例6):在氧氣分壓為OPa(無氧氣)下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散以氣相法制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品7(實施例1):在氧氣分壓為0.2Pa下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層。樣品8(實施例2):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的SrO所構(gòu)成的表23面層。樣品9(實施例3):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的CaO所構(gòu)成的表面層。樣品10(實施例4):在氧氣分壓為0.2Pa下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散以氣相法制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品11(實施例5):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的CaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。(放電開始電壓的測定)對上述準(zhǔn)備的各樣品1~11的PDP，測定使用了Xe分壓為15%的Xe-Ne混合氣體或4吏用了100%Xe氣體作為放電氣體時的放電開始電壓的值。(放電延遲時間和電荷損失的測定)在使用Xe分壓為15%的Xe-Ne混合氣體作為放電氣體的情況下，評價寫入放電中的放電延遲和電荷損失。作為評價方法，向各樣品1~11的PDP中的任意1個放電單元施加相當(dāng)于圖3所示驅(qū)動波形例的初始化脈沖的脈沖，之后，測定施加了數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖時產(chǎn)生的放電的統(tǒng)計延遲。另外，對施加了相當(dāng)于初始化脈沖的脈沖之后保持壁電荷所需的施加電壓進(jìn)行測定，并將其作為電荷損失電壓進(jìn)行測定。任一測定中都設(shè)面板溫度為25°C。表l中示出上述條件下進(jìn)行的各實驗的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>(實驗結(jié)果)從表1的結(jié)果可知，相當(dāng)于實施方式1的結(jié)構(gòu)的樣品10和11(實施例4和5)與樣品1~6(比較例1-6)相比，均tf地發(fā)揮了放電開始電壓的降低效果、放電延遲時間的降低效果、電荷損失電壓降低的效果等各特性，具有作為PDP保護(hù)層的特別良好的性能。樣品10和11(實施例4和5)除了有利于放電氣體為100%Xe時的放電開始電壓低至350V以下、降低電荷損失電壓之外，還具有優(yōu)良的抑制放電延遲的效果。獲得上述各效果的高度平^f的理由如下在規(guī)定的氧化環(huán)境中成膜為表面層的高y膜起到低電壓驅(qū)動與電荷保持的作用，MgO微粒子群起到釋放在寫入放電時所需的初始電子的作用(確保初始電子釋放特性)等，使功能分離的各膜的特性增效地發(fā)揮。在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下成膜的SrO所構(gòu)成的保護(hù)層上，即便利用噴射法使通過氣相合成法或前驅(qū)體燒結(jié)法制作成的MgCM敫粒子分散構(gòu)成的情況下，也能夠得到與樣品10和11(實施例4和5)相同的特性。另一方面，如實施方式2所述，在基本不要求涉及放電延遲時間的特性的情況下，認(rèn)為樣品7~9(實施例1~3)也高度地同時實現(xiàn)發(fā)揮放電開始電壓的降低效果與降低電荷損失電壓，與比較例相比具有明顯的優(yōu)越性。在這些樣品7~9(實施例1~3)中，即便在使用100。/。Xe放電氣體的情況下，放電開始電壓也低至350V以下，具有良好的降低電荷損失電壓的效果。因此，在這兩點上具有不遜色于樣品10、ll的優(yōu)良的特性。在本案發(fā)明人所進(jìn)行的其它實驗中，樣品5、7~9(比較例5、實施例1~3)等高y膜中，放電開始電壓與放電時間、放置時間一起上升，相反，在樣品6、10、11(比較例6、實施例4、5)的PDP中，還同時得到抑制放電開始電壓上升的結(jié)果。在樣品1~4(比較例1~4)中，在使用了100y。Xe放電氣體的情況下，放電開始電壓為400V以上，所以可知不能進(jìn)行低電壓驅(qū)動。另外，在樣品5和6(比較例5和6)中，使用了100%Xe放電氣體時的放電開始電壓為240V以下，良好，但由于得不到電荷保持的效果，所以得不到充分的電荷損失電壓的降低效果。因此可知，這些不適于低電壓驅(qū)動。從以上各實驗的結(jié)果可知本發(fā)明的優(yōu)越性。工業(yè)實用性本發(fā)明的PDP特別是作為能夠以低電壓驅(qū)動高精細(xì)圖像顯示的氣體放電面板技術(shù)，可用于交通組織、公共設(shè)施、家庭等中的電視裝置和計算機(jī)用顯示裝置等。權(quán)利要求1.一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。2.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以氧化《丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分，并且，僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶。3.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分，并且，排除了距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的存在。4.一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時，以2eV以上的能量開始釋放光電子。5.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面中，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。6.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，在表面層中，僅存在距真空能級的深度為2eV以上的電子能帶。7.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化《丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層排除了距真空能級的深度不足2eV的電子能帶的存在。8.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化4丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時，以2eV以上的能量開始釋放光電子。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板，其特征在于氧化鎂微粒子通過氣相氧化法進(jìn)行制作。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板，其特征在于氧化鎂微粒子以700度以上的溫度燒結(jié)氧化鎂前驅(qū)體而成。11.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子顯示面板，其特征在于表面層是氧化釣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上的固溶體。12.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子顯示面板，其特征在于表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。13.—種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以氧化4丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近該放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。14.一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層；氧化鎂微粒子配設(shè)工序，在表面層中配設(shè)氧化鎂微粒子；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在氧化鎂微粒子配設(shè)工序中，使用以氣相氧化法制作的氧化鎂微粒子。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在氧化鎂微粒子配設(shè)工序中，使用以700度以上的溫度燒結(jié)氧化鎂前驅(qū)體而制成的氧化鎂微粒子。17.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在表面層形成工序中，以蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法中的一種以上的方法形成表面層。18.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在表面層形成工序中，由氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上的固溶體形成所述表面層。全文摘要本發(fā)明提供一種PDP，在低電壓驅(qū)動PDP的同時，在保護(hù)層發(fā)揮電荷保持特性，可實現(xiàn)良好的圖像顯示性。另外，除上述效果外，通過防止放電延遲的發(fā)生，在高精細(xì)的PDP中也能夠良好地進(jìn)行高速驅(qū)動，從而實現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。作為所采用的手段，在電介質(zhì)層(7)的放電空間側(cè)的面上，配置了在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成的膜厚約1微米的表面層(8)，并在該表面層(8)的表面上分散配置MgO微粒子(16)。利用表面層(8)，保護(hù)電介質(zhì)層(7)不受放電時的離子沖擊，并在降低放電開始電壓的同時，發(fā)揮改善電荷損失的效果。另外，利用MgO微粒子(16)，發(fā)揮較高的初始電子釋放特性。文檔編號H01J9/02GK101479827SQ20078002431公開日2009年7月8日申請日期2007年4月27日優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日發(fā)明者寺內(nèi)正治,橋本潤,福井裕介,西谷干彥,西谷輝,辻田卓司申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社