專(zhuān)利名稱(chēng)：質(zhì)譜儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種質(zhì)脊仗和一種質(zhì)譜分析方法。
背景技術(shù)：
在質(zhì)鐠儀中，通常需要轉(zhuǎn)移離子使之經(jīng)過(guò)維持于中等壓力(即，在離 子通過(guò)離子引導(dǎo)器時(shí)可能發(fā)生離子與氣體分子之間的碰撞的壓力)的區(qū)。 可能需要將離子例如從維持于較高壓力的電離區(qū)輸送到維持于較低壓力
的質(zhì)量分析器。已經(jīng)知道，使用工作于約l(rVl(^mbar的中等壓力的射頻 (RF)輸送離子引導(dǎo)器來(lái)輸送離子使之經(jīng)過(guò)維持于中等壓力的區(qū)。還眾 所周知，因交流非均勻電場(chǎng)導(dǎo)致的帶電粒子或離子上的時(shí)間平均力使得帶 電粒子或離子加速?gòu)亩竭_(dá)電場(chǎng)較弱的區(qū)。電場(chǎng)的最小值通常稱(chēng)為偽勢(shì)阱 或偽勢(shì)谷。射頻離子引導(dǎo)器被i殳計(jì)成通過(guò)如下方法來(lái)利用這一現(xiàn)象使得 沿著離子引導(dǎo)器的中心軸形成偽勢(shì)阱，從而使離子被徑向限制于離子引導(dǎo) 器內(nèi)。
已經(jīng)知道，使用射頻離子引導(dǎo)器來(lái)徑向限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)并使 離子在離子引導(dǎo)器內(nèi)經(jīng)受碰撞誘發(fā)解離或裂解。通常，在射頻離子引導(dǎo)器 內(nèi)或在專(zhuān)用氣體碰撞單元內(nèi)、在10義10"mbar的壓力下進(jìn)行離子裂解。
還已知道，使用射頻離子引導(dǎo)器來(lái)徑向限制離子于離子遷移率分離器 或離子遷移率鐠儀內(nèi)?？稍诖髿鈮合禄蛟?0"-l(^mbar的壓力下進(jìn)行離子 遷移率分離。
已經(jīng)知道包括多極桿集離子引導(dǎo)器和環(huán)堆或離子隧道式離子引導(dǎo)器 在內(nèi)的不同形式的射頻離子引導(dǎo)器。環(huán)堆或離子隨道式離子引導(dǎo)器包括堆 疊環(huán)電極集，其中向相鄰電g加射頻電壓的相反相。沿著離子引導(dǎo)器的 中心軸形成偽勢(shì)阱，以4吏得離子被徑向限制于該離子引導(dǎo)器內(nèi)。該離子引 導(dǎo)器具有較高的傳送效率。
US 2005/0253064 乂^開(kāi)了一種射頻離子引導(dǎo)器，其中射頻電壓祐:施加 于細(xì)長(zhǎng)的桿集以便徑向限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)。布置靜態(tài)軸向電場(chǎng)來(lái)沿著離子引導(dǎo)器的軸推進(jìn)離子。還在離子引導(dǎo)器的出口處布置射頻軸向電 場(chǎng)。射頻軸向電場(chǎng)生成起到離子壘的作用的軸向偽勢(shì)壘。該偽勢(shì)壘的量值 與離子的質(zhì)荷比成反比例。因此，質(zhì)荷比較低的離子將經(jīng)歷幅度較大的偽 勢(shì)壘。偽勢(shì)壘抵消靜態(tài)軸向場(chǎng)對(duì)質(zhì)荷比較低的離子的作用，但不抵消靜態(tài) 軸向場(chǎng)對(duì)質(zhì)荷比較高的離子的作用。因而，質(zhì)荷比較高的離子從離子引導(dǎo) 器噴出。通過(guò)調(diào)整靜態(tài)或振蕩電場(chǎng)的幅度，可質(zhì)量選擇性地噴出離子，或 可操控離子使之處于離子引導(dǎo)器內(nèi)。
該已知離子引導(dǎo)器對(duì)于具有特定質(zhì)荷比的離子而言具有明確的徑向 穩(wěn)定性條件。這是由所維持的徑向電勢(shì)的近似二次性決定的。因此，不利 的是，如果以任何方式改變沿著離子引導(dǎo)器軸的振蕩電場(chǎng)，則可能造成不 希望的徑向不穩(wěn)定性和/或諧振效應(yīng)，這可能導(dǎo)致離子從系統(tǒng)丟失。

發(fā)明內(nèi)容
因此，希望提供一種改進(jìn)的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種質(zhì)量分析器，該質(zhì)量分析器包括 包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器；
用于將第一交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的至少一些電極、以使 得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度 的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置；以及
用于沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子的裝
置；
質(zhì)量分析器還包括
用于將第二交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以 使得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第二幅 度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置， 其中第二幅度不同于第一幅度。
在一工作模式下，質(zhì)荷比avil的離子優(yōu)選地退出離子引導(dǎo)器，而質(zhì) 荷比〈M2的離子優(yōu)選地由一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、 勢(shì)波紋或勢(shì)阱軸向地捕獲或限制于離子引導(dǎo)器內(nèi)。優(yōu)選地，Ml落在優(yōu)選 地選自于以下范圍的第一范圍內(nèi)")<100; (ii) 100-200; (iii) 200-300; (iv)300-400; (v)400-500; (vi)500-600; (vii)600-700; (viii)700-800;(ix) 800-900; (x) 900-1000;以及(xi)HOOO。優(yōu)選地，M2落在優(yōu)選 地選自于以下范圍的第二范圍內(nèi)(i)〈100; (ii) 100-200; (iii) 200-300; (iv)300-400; (v)400-500; (vi)500-600; (vii)600-700; (viii)700-800;
(ix) 800-卯0; (x) 900-1000;以及(xi) >1000。 ^+艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，Ml 和M2可具有同一值。
在一工作模式下，離子優(yōu)選地以它們的質(zhì)荷比的順序或以它們的質(zhì)荷 比的逆序M量分析器依次噴出。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，離子引導(dǎo)器包括n個(gè)軸向段，其中ii選自于(i) 1國(guó)10; (ii) 11-20; (iii) 21-30; (iv) 31-40; (v) 41-50; (vi) 51-60; (vii) 61-70; (viii) 71-80; (ix) 81-卯；(x) 91-100;以及(xi) >100。每個(gè)軸 向^t優(yōu)選地包括l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20或>20個(gè)電極。軸向段中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%軸向 段的軸向長(zhǎng)度優(yōu)選地選自于(i)<lmm; (ii)l畫(huà)2mm; (iii)2-3mm; (iv) 3-4mm; (v) 4畫(huà)5mm; (vi) 5-6mm; (vii) 6畫(huà)7mm; (viii) 7-8mm; (ix) 8-9mm; (x)9-10mm;以及(xi) >10mm。軸向段中的至少1%、 5%、 10%、 20°/。、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100 %軸向段之間的間距選自于:")<lmm; (ii)l-2mm; (iii)2醒3mm; (W) 3-4mm; (v) 4-5mm; (vi) 5-6mm; (vii) 6國(guó)7mm; (viii) 7-8mm; (ix) 8畫(huà)9mm; (x) 9-10mm;以及(xi) >10mm。
離子引導(dǎo)器優(yōu)選地具有選自于以下長(zhǎng)度的長(zhǎng)度(i)<20mm; (ii) 20隱40mm; (iii )40國(guó)60mm; (iv )60-80mm; (v )80畫(huà)100mm; (vi )100-120mm; (vii) 120畫(huà)140mm; (viii) 140-160mm; (ix) 160曙180mm; (x) 180-200mm; 以及(xi) >200mm。
離子引導(dǎo)器優(yōu)選地至少包括(i) 10-20個(gè)電極；(ii) 20-30個(gè)電極； (iii) 30-40個(gè)電極；(iv) 40-50個(gè)電極；(v) 50-60個(gè)電極；(vi) 60-70 個(gè)電極；(vii) 70-80個(gè)電極;(viii) 80-卯個(gè)電極;(ix) 90-100個(gè)電極;
(x) 100-110個(gè)電極；(xi) 110-120個(gè)電極；(xii) 120-130個(gè)電極；(xiii) 130-140個(gè)電極；(xiv) 140-150個(gè)電極；或(xv) >150個(gè)電極。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，多個(gè)電極優(yōu)選地包括具有孔的電極，其中在使用 時(shí)離子穿過(guò)所述孔。電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%電極優(yōu)選地具有基本上圃 形、矩形、正方形或橢圓形的孔。
36根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40 %、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%電極具有尺寸基本上
相同或面積基本上相同的孔。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，電極中的至少1%、 5 %、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或
100%電極具有在沿著離子引導(dǎo)器的軸的方向上尺寸或面積逐漸變大和/
或變小的孔。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%電極優(yōu)選地具有其 內(nèi)直徑或尺度選自于以下內(nèi)直徑或尺度的孑U (i)^1.0mm; (ii)S2.0mm; (iii)S3.0mm; (iv)^4.0mm; (v)￡5.0mm; (vi)^6.0mm; (vii)S7.0mm;
(viii) ^8.0mm; (ix) ^9.0mm; (x) SlO.Omm;以及(xi) >10.0mm。
電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70°/。、 80%、卯％、 95%或100%電極優(yōu)選^目互間隔開(kāi)選自于以下軸向 距離的軸向距離(i)小于或等于5mm; (ii)小于或等于4.5mm; (iii) 小于或等于4mm; (iv)小于或等于3.5mm; (v)小于或等于3mm; (vi) 小于或等于2.5111111; (vii)小于或等于2mm; (vm)小于或等于1.5mm;
(ix) 小于或等于lmm; (x)小于或等于0.8mm; (xi)小于或等于0.6mm;
(xii) 小于或等于0.4mm; (xiii)小于或等于0,2min; (xiv)小于或等于 O.lmm;以及(xv)小于或等于0.25mm。
多個(gè)電極中的至少一些電極優(yōu)選地包括孔，并且其中孔的內(nèi)直徑或尺 度與相鄰電極之間的中心到中心軸向間距之比選自于(i)<1.0; (ii) 1.0-1.2; (iii) 1.2-1.4; (iv) 1.4-1.6; (v) 1.6-1.8; (vi) 1.8-2.0; (vii)2.0-2.2;
(viii) 2.2-2.4; (ix) 2.4-2.6; (x) 2.6-2.8; (xi) 2.8-3.0; (xii) 3.0-3.2;
(xiii) 3.2-3.4; (xiv) 3.4-3.6; (xv) 3.6-3.8; (xvi) 3.8-4.0; (xvii) 4.0-4.2; (xviii) 4.2-4.4; (xix) 4.4-4.6; (xx) 4.6-4.8; (xxi) 4.8-5.0;以及(xxii)
>5.0。
電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%電極優(yōu)選地具有選自于以下厚度或軸向 長(zhǎng)度的厚度或軸向長(zhǎng)度(i)小于或等于5mm; (ii)小于或等于4.5mm;
(iii)小于或等于4mm; (iv)小于或等于3.5mm; (v)小于或等于3mm;
(vi )小于或等于2.5mm; (vii )小于或等于2mm; (viii )小于或等于1.5mm;
(ix) 小于或等于1mm; (x)小于或等于0.8mm; (xi)小于或等于0.6mm; (xii)小于或等于0.4mm; (xiii)小于或等于0.2mm; (xiv)小于或等于0.1mm;以及(xv)小于或等于0.25mm。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，離子引導(dǎo)器可包括分^:桿集離子引導(dǎo)器。離子引 導(dǎo)器可包括例如分段四極、六極或八極離子引導(dǎo)器或含有八個(gè)以上分段桿 集的離子引導(dǎo)器。離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括具有選自于以下橫截面的橫截面 的多個(gè)電極(0近似或基本上圓形的橫截面；(ii)近似或基本上雙曲形 的面；(iii)弓形或部分圓形的橫截面；(iv)近似或基本上矩形的橫截面； 以及(v)近似或基本上正方形的橫截面。
根據(jù)一個(gè)可替選實(shí)施例，離子引導(dǎo)器可包括多個(gè)板電極，其中沿著離 子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度布置多組板電極。每組板電極優(yōu)選地包括第一板電極 和第二板電極。第一板電極與第二板電極優(yōu)選地基本上布置于同一平面上 并且優(yōu)選地布置于離子引導(dǎo)器的中心縱軸的任一側(cè)。質(zhì)量分析器優(yōu)選地還 包括用于將直流電壓或電勢(shì)施加于第一板電極和第二板電極以便在第一 徑向方向上P艮制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置。
每組電極優(yōu)選地還包括第三板電極和第四板電極。第三板電極與第四 板電極優(yōu)選地基本上布置于同 一平面上并且優(yōu)選地以與第 一板電極和第 二板電極不同的取向布置于離子引導(dǎo)器的中心縱軸的任一側(cè)。用于施加交 流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成將交流或射頻電壓施加于第三板電 極和第四板電極以便在第二徑向方向上限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)。第二徑 向方向優(yōu)選地與第一徑向方向正交。
用于驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子的裝置優(yōu)選地包括用于將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流 電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形施加于電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95% 或100%電極的裝置。 一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流 電壓或電勢(shì)波形優(yōu)選地產(chǎn)生(i)位壘或勢(shì)壘；(ii)勢(shì)阱；(iii)多個(gè)位 壘或勢(shì)壘；(iv)多個(gè)勢(shì)阱；(v)位壘或勢(shì)壘與勢(shì)阱的組合；或(vi)多個(gè) 位壘或勢(shì)壘與多個(gè)勢(shì)阱的組合。
一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形優(yōu)選地包括重復(fù)波形或方波。
才艮據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，多個(gè)軸向直流勢(shì)阱優(yōu)選地沿著離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度 平移，或者多個(gè)瞬態(tài)直流電勢(shì)或電壓沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度累*施 加于電極。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器優(yōu)選M包括第一裝置，第一裝置被布 置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小一個(gè)或多 個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度、高度或 深度。
第一裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段&內(nèi)將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直 流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度、高度或深度逐漸 增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn) 或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小A伏。優(yōu)選地，^選
自于(i)〈0.1V; (ii)0.1畫(huà)0.2V; (iii)0.2-0,3V; (iv)0.3-0.4V; (v)0.4國(guó)0,5V;
(vi )0.5-0.6V; (vii )0.6-0.7V; (viii )0.7國(guó)0.8V; (ix )0.8-0.9V; (x )0.9誦1.0V;
(xi) 1.0-1.5V; (xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi)3,5-4.0V; (xvii)4.0-4,5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0國(guó)5.5V;
(xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix)〉10.0V。優(yōu)選地，t選自于(i)〈lms; (ii)l國(guó)10ms;
(iii) 10醒20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40國(guó)50ms; (vii) 50誦60ms;
(viii) 60誦70ms; (ix) 70國(guó)80ms; (x) 80-卯ms; (xi) 90誦100ms; (xii) 100畫(huà)200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400畫(huà)500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii) 600國(guó)700ms; (xviii) 700-800ms; (xix) 800-900ms; (xx) 卯0腸1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4畫(huà)5s;以及
(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地包括第二裝置，第二裝置被布置成和適于逐漸增 大、il漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或 其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小向電極施加一個(gè)或多個(gè)瞬 態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電勢(shì)或電壓波形的速度或速率。第二 裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t2內(nèi)將向電極施加一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài) 直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的速度或速率逐漸增 大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或 其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X2m/s。優(yōu)選地，X2選自 于(0<1; (ii)l-2; (iii)2-3; (iv)3國(guó)4; (v)4-5; (vi)5-6; (vii)6-7;
(viii) 7國(guó)8; (ix) 8-9; (x) 9醒10; (xi) 10-11; (xii) 11-12; (xiii) 12-13;
(xiv) 13-14; (xv) 14-15; (xvi) 15-16; (xvii) 16-17; (xviii) 17-18;
(xix) 18-19; (xx) 19-20; (xxi) 20-30; (xxii) 30-40; (xxiii) 40-50;
(xxiv) 50-60; (xxv) 60-70; (xxvi) 70-80; (xxvii) 80-90; (xxviii) 90-100;
(xxix) 100-150; (xxx) 150-200; (xxxi )200-250; (xxxii )250-300; (xxxiii)300-350; (xxxiv )350-400; (xxxv )400-450; (xxxvi )450-500;以及(xxxvii) >500。優(yōu)選地，t2選自于(i)<lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10-20ms; "v) 20-30ms; (v) 30-40ms; (vi)格50ms; (vii) 50國(guó)60ms; (viii) 60-70ms; (ix) 70-80ms; (x) 80畫(huà)卯ms; (xi) 90國(guó)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii) 600畫(huà)700ms; (xviii )700畫(huà)800ms; (xix )800國(guó)900ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2國(guó)3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4國(guó)5s; 以及(xxv) >5s。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，第一交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下幅度 的幅度(i) <50V峰-峰值;(ii) 50-100V峰-峰值;(iii) 100-150V峰
-峰值；(iv) 150-200V峰-峰值；(v) 200-250V峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450國(guó)500V峰-峰值；(xi) 500畫(huà)550V峰-峰值；
(xxii) 550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰—J^值；(xxv) 700-750V峰—(xxvi) 750-800V峰 一 峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix) 900-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，第一交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下頻率 的頻率(i )<100kHz; (ii )100-200kHz; (iii )200-300kHz; (iv )300-400kHz;
(v) 400-500kHz; (vi) 0.5-l.OMHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5醒2.0MHz;
(ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi) 3.0-3.5MHz; (xii) 3.5國(guó)4.0MHz;
(xiii )4.0畫(huà)4,5MHz; (xiv )4.5醒5.0MHz; (xv )5.0誦5.5MHz; (xvi )5.5-6.0MHz;
(xvii) 6.0國(guó)6,5MHz; ( xviii) 6.5-7.0MHz; ( xix ) 7.0-7.5MHz; ( xx ) 7.5醒8.0MHz; (xxi) 8.0-8.5MHz; (xxii) 8.5國(guó)9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5MHz;
(xxiv) 9.5-lO.OMHz;以及(xxv) >10.0MHz。
用于施加第一交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成將第一交流或 射頻電壓施加于多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80 %、 85%、卯％、 95%或100%電極。
用于施加第 一交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成向軸向相鄰電 極或軸向相鄰電相i且供應(yīng)第 一 交流或射頻電壓的相反相。
優(yōu)選地在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生第一軸 向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
40優(yōu)選地沿著離子引導(dǎo)器的中心縱軸的至少1%、 5%、 10%、 20%、30°/。、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生或提供多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
優(yōu)選地在離子引導(dǎo)器的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，離子引導(dǎo)器優(yōu)選地具有長(zhǎng)度L,且優(yōu)選地在沿著離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下位移的位移的一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或拔^供多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i)0-0.1L;
(ii) 0.1-0.2L; (iii) 0.2-0.3L; (iv) 0.3-0.4L; (v)0.4-0,5L; (vi) 0.5-0.6L;
(vii) 0.6-0.7L; (viii) 0.7-0.8L; (ix) 0.8-0.9L;以及(x) 0.9-1.0L。
多個(gè)第 一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地在徑向方向上遠(yuǎn)離離子引導(dǎo)器的中心縱軸而延伸至少r mm，其中r選自于(i)<1; (ii) l畫(huà)2; (iii) 2-3; (iv) 3國(guó)4; (v) 4-5; (vi) 5-6; (vii) 6-7; (viii)7-8; (ix)8-9; (x) 9-10;以及(xi) >10。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于質(zhì)荷比落在范圍1-100、 100-200、 200-300、300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800-900或卯O-IOOO內(nèi)的離子，至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40°/。、 50%、 60%、 70%、80%、 90%、 95%或100%的第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅度、高度或深度優(yōu)選地選自于(i)<0.1V; (ii) 0.1-0.2V; (iii)0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi) 0.5國(guó)0.6V; (vii) 0.6-0.7V;
(viii )0.7-0.8V; (ix )0.8-0.9V; (x )0.9國(guó)1.0V; (xi )1.0國(guó)1,5V; (xii )1.5-2.0V;
(xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0誦3.5V; (xvi) 3.5畫(huà)4.0V; (xvii)4.0-4.5V; (xviii)4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V;
(xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv ) 8.0-8.5V; (xxvi)8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
優(yōu)選地，在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分每厘米提供或產(chǎn)生至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、優(yōu)選地與多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最小值。
多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波故或勢(shì)阱優(yōu)選地具有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、位于優(yōu)選地與妣鄰電極之間的軸向距離或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng)的軸向位置的最大值。
多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具有對(duì)于特定質(zhì)荷比的離子而言為基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值，并且其中最小值和/或最大值優(yōu)選地具有與多個(gè)電極的軸向位移
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器優(yōu)選地包括第三裝置，第三裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于電極的第 一交流或射頻電壓的幅度。
第三裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t3內(nèi)將第一交流或射頻電壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、
以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X3伏。
優(yōu)選地，X3選自于(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv) 150國(guó)200V峰-峰值;(v) 200誦250V峰-峰值;
(vi) 250-300V峰-峰值；(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；(xi) 500-550V峰—峰值；(xxii )550-600V峰—峰值；(xxiii) 600-650V峰—峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800誦850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)卯0誦950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) >1000V峰-峰值。優(yōu)選地，t3選自于(i) <lms; (ii) l-10ms; (iii) 10國(guó)20ms;
(iv )20-30ms; (v )30-40ms; (vi )40國(guó)50ms; (vii )50-60ms; (viii )60國(guó)70ms;
(ix)70國(guó)80ms; (x) 80-卯ms; (xi)卯國(guó)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii)200國(guó)300ms; (xiv) 300畫(huà)400ms; (xv) 400-500ms; (xvi) 500誦600ms; (xvii)600畫(huà)700ms; (xviii )700-800ms; (xix)800-卯0ms; (xx )卯0誦1000ms; (xxi)l-2s; (xxii) 2國(guó)3s; (xxiii) 3誦4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括第四裝置，第四裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于電極的第一射頻或
交流電壓的頻率。第四裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t4內(nèi)將施加于
電極的第一射頻或交流電壓的頻率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或
其它方式減小x4 MHz。優(yōu)選地，X4選自于(i )<100kHz; (ii )100-200kHz;(iii)200國(guó)300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400國(guó)500kHz; (vi) 0.5-l.OMHz;
(vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5國(guó)2.0MHz; (ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5國(guó)3.0MHz;
(xi )3.0-3.5MHz; (xii )3.5畫(huà)4.0MHz; (xiii )4.0-4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz;
(xv) 5.0-5.5MHz; ( xvi) 5.5國(guó)6.0MHz; ( xvii) 6.0-6.5MHz; ( xviii)6.5國(guó)7.0MHz; (xix) 7.0國(guó)7.5MHz; (xx) 7.5國(guó)8.0MHz; (xxi) 8.0誦8.5MHz;
(xxii)8.5畫(huà)9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5MHz; (xxiv )9.5-10.0MHz;以及(xxv)>10.0MHz。優(yōu)選地，tt選自于(i)<lms; (ii) l-10ms; (iii) 10-20ms;
(iv )20國(guó)30ms; (v )30-40ms; (vi )40國(guó)50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms;
(ix) 70-80ms; (x) 80誦卯ms; (xi) 90-100ms; (xii) 100誦200ms; (xiii)200國(guó)300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400-500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii)600-700ms; (xviii)700-800ms; (xix)800-900ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi)l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下幅度的幅度(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii) 100誦150V峰-峰值； (iv) 150-200V峰—峰值；(v) 200國(guó)250V峰—峰值；(vi) 250-300V峰 - 峰值；(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix)400國(guó)450V峰-峰值；(x) 450國(guó)500V峰-峰值；(xi) 500-550V峰-峰值；(xxii) 550-600V峰-峰值；(xxiii) 600國(guó)650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V峰 - 峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；( xxvi )750-800V峰 一 峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
第二交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下頻率的頻率(i)<100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv) 300-400kHz; (v)400國(guó)500kHz; (vi) 0.5-l.OMHz; (vii) 1.0隱1.5MHz; (viii) 1.5誦2.0MHz;
(ix) 2.0國(guó)2,5MHz; (x) 2.5國(guó)3.0MHz; (xi) 3.0-3.5MHz; (xii) 3.5國(guó)4.0MHz;
(xiii )4.0-4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0畫(huà)5.5MHz; (xvi )5.5-6.0MHz;
(xvii) 6.0畫(huà)6,5MHz; ( xviii) 6.5-7.0MHz; ( xix ) 7.0-7.5MHz; ( xx )7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0畫(huà)8.5MHz; (xxii) 8.5國(guó)9.0MHz; (xxiii) 9.0畫(huà)9.5MHz;
(xxiv) 9.5隱10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
用于施加第二交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成將第二交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%電極和/或多個(gè)電極中的至少1、 2、 3、 4、5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20、 21、22、 23、 24、 25、 26、 27、 28、 29、 30、 31、 32、 33、 34、 35、 36、 37、38、 39、 40、 41、 42、 43、 44、 45、 46、 47、 48、 49、 50或>50個(gè)電極。
用于施加第二交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成向軸向相鄰電極或軸向相鄰電;feUa供應(yīng)第二交流或射頻電壓的相反相。
優(yōu)選地在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
優(yōu)選地沿著離子引導(dǎo)器的中心縱軸的至少1%、 5%、 10°/。、 20%、30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95°/。產(chǎn)生或提供一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
優(yōu)選地在離子引導(dǎo)器的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
離子引導(dǎo)器優(yōu)選地具有長(zhǎng)度L，且優(yōu)選地在沿著離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下位移的位移的一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或提供多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i)0-0.1L; (ii)0.1-0,2L; (iii)0.2-0.3L; (iv) 0.3-0.4L; (v) 0.4-0.5L; (vi) 0.5-0.6L; (vii) 0.6-0.7L;(viii) 0.7-0.8L; (ix) 0.8-0.9L;以及(x) 0.9誦1.0L。
一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地在徑向方向上遠(yuǎn)離離子引導(dǎo)器的中心縱軸而延伸至少r mm，其中r選自于(i) <1; (ii) 1-2; (iii) 2-3; (iv) 3-4; (v) 4-5; (vi) 5-6; (vii) 6-7;(viii)7國(guó)8; (ix) 8誦9; (x) 9-10;以及(xi) >10。
才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于質(zhì)荷比落在范圍1-100、 100-200、 200-300、300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800-卯0或卯O-IOOO內(nèi)的離子，至少1%、 5%、 10°/。、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、80%、 90%、 95%或100%的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅度、高度或深度選自于(i)O.lV; (ii) 0.1-0.2V; (iii)0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi) 0.5-0.6V; (vii) 0.6畫(huà)0.7V;
(viii )0.7-0.8V; (ix )0.8畫(huà)0.9V; (x )0.9-1.0V; (xi) 1.0-1.5V; (xii) 1.5-2.0V;
(xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5-4.0V; (xvii)4.0-4.5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V;
(xxii )6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi)8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
優(yōu)選地,在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度每厘米提供或產(chǎn)生至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、與多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最小值。
一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、位于優(yōu)選地與班比鄰電極之間的軸向距離或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng)的軸向位置的最大值。
一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具有對(duì)于特定質(zhì)荷比的離子而言為基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值。所述最小值和/或最大值優(yōu)選地具有優(yōu)選地與多個(gè)電極的軸
期性。 一 B r 一 P
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，第二幅度優(yōu)選地小于或大于第一幅度。優(yōu)選地，第二幅度與第一幅度之比選自于(i) <1; (ii) >1; (iii) 1-2; (iv) 2-3;
(v) 3畫(huà)4; (vi) 4-5; (vii) 5誦6; (viii) 6-7; (ix) 7-8; (x) 8畫(huà)9; (xi) 9國(guó)10;(xii) 10-11; (xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15; (xvii)
15-16; (xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25;
(xxiii) 25-30; (xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50;
(xxviii) 50-60; (xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii) 90-100;以及(xxxiii) >100。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器還包括第五裝置，第五裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的第二交流或射頻電壓的幅度。
第五裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t5內(nèi)將第二交流或射頻電壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、
以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xs伏。
優(yōu)選地，xs選自于(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100國(guó)150V峰-峰值；(iv) 150-200V峰-峰值；(v) 200-250V峰-峰值；
(vi) 250-300V峰-峰值；(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；(xi) 500-550V峰一峰值；(xxii )550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv)650陽(yáng)700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850國(guó)900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) >1000V峰-峰值。優(yōu)選地，ts選自于(i)<lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10畫(huà)20ms;
(iv )20-30ms; (v )30-40ms; (vi )40國(guó)50ms; (vii )50-60ms; (viii)60-70ms;
(ix) 70-80ms; (x) 80國(guó)卯ms; (xi)卯誦100ms; (xii) 100-200ms; (xiii)200國(guó)300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400-500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii)600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-卯0ms; (xx )900-1000ms; (xxi)l畫(huà)2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4畫(huà)5s; 以及(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括第六裝置，第六裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的第二射頻或交流電壓的頻率。
第六裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t6內(nèi)將施加于電極的第二射頻或交流電壓的頻率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X6MHz。優(yōu)選地，X6選自于(i)<100kHz; (ii) 100國(guó)200kHz; (iii)200-300kHz; (iv) 300畫(huà)400kHz; (v) 400-500kHz; (vi) 0.5-l.OMHz; (vii)1.0國(guó)l,5MHz; (viii) 1.5-2.0MHz; (ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi)3.0-3.5MHz; (xii) 3.5畫(huà)4.0MHz; (xiii) 4.0-4.5MHz; (xiv) 4.5誦5.0MHz;
(xv) 5.0國(guó)5,5MHz; ( xvi) 5.5-6.0MHz; ( xvii) 6.0國(guó)6.5MHz; (xviii)6.5畫(huà)7.0MHz; (xix) 7.0畫(huà)7.5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0國(guó)8.5MHz;
(xxii) 8.5陽(yáng)9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5匪z; (xxiv) 9.5畫(huà)10.0MHz;以及(xxv)>10.0MHz。優(yōu)選地，t6選自于(i) <lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10國(guó)20ms;
(iv )20畫(huà)30ms; (v )30-40ms; (vi )40國(guó)50ms; (vii )50畫(huà)60ms;( viii )60畫(huà)70msj
(ix) 70-80ms; (x) 80國(guó)卯ms; (xi)卯國(guó)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii)200國(guó)300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii)600-700ms; (xviii)700國(guó)800ms; (xix)800-卯0ms; (xx)900-1000ms; (xxi)l-2s5 (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括用于將第一直流電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、
合的直流軸向勢(shì)壘或勢(shì)阱的裝置.
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器還包括第七裝置，第七裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的第一直流電壓的幅度。
第七裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t7內(nèi)將第一直流電壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X7伏。優(yōu)選地，
X7選自于(i)〈0.1V; (ii) 0.1-0.2V; (iii) 0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v)0.4-0.5V; (vi) 0.5-0.6V; (vii) 0.6-0.7V; (viii) 0.7-0.8V; (ix) 0.8-0.9V;
(x )0.9畫(huà)1.0V; (xi )1.0畫(huà)1.5V; (xii )1.5曙2.0V; (xiii )2.0-2.5V; (xiv )2.5-3.0V;
(xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5-4.0V; (xvii) 4.0-4.5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix)5.0-5.5V; (xx)5,5-6.0V; (xxi) 6.0國(guó)6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V;
(xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V;
(xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。優(yōu)選地，t 選自于(i) <lms;
(ii) l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20誦30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40畫(huà)50ms;
(vii )50國(guó)60ms; (viii )60-70ms; (ix )70誦80ms; (x )80國(guó)卯ms; (xi )90-100ms;
(xii) 100國(guó)200ms; (xm) 200-300ms; (xiv) 300畫(huà)400ms; (xv) 400-500ms;
(xvi )500-600ms; (xvii )600誦700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-900ms;
(xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4-5s;以及(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括用于將第三交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第三幅度的一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。第三幅度優(yōu)選地不同于第一幅度和/或第二幅度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第三幅度可與第二幅度相同但是與第一幅度不同。
第三交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下幅度的幅度(i) <50V峰 一 峰值；(ii )50畫(huà)100V峰—峰值；(iii )100國(guó)150V峰—峰值；(iv )150畫(huà)200V峰—峰值；(v )200-250V峰—峰值；(vi )250-300V峰—峰值；(vii )300-350V峰—峰值;(viii )350-400V峰—峰值;(ix )400國(guó)450V峰—峰值;(x )450-500V峰-峰值；(xi) 500-550V峰-峰值；(xxii) 550畫(huà)600V峰-峰值；(xxm)600-650V峰-峰值；(xxiv) 650國(guó)700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800國(guó)850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950國(guó)1000V峰-峰值； 以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
第三交流或射頻電壓優(yōu)選地具有選自于以下頻率的頻率(i)<100kHz; (ii) 100誦200kHz; (iii) 200國(guó)300kHz; (iv) 300-400kHz; (v)400誦500kHz; (vi) 0.5-1.0MHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5-2.0MHz;
(ix) 2.0-2,5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi) 3.0國(guó)3.5MHz; (xii) 3.5國(guó)4.0MHz;
(xiii )4.0-4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0-5.5MHz; (xvi )5.5隱6.0MHz;
(xvii) 6.0誦6,5MHz; ( xviii) 6.5-7.0MHz; ( xix ) 7.0國(guó)7.5MHz; ( xx )7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0-8.5MHz; (xxii) 8.5畫(huà)9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5MHz;
(xxiv) 9.5畫(huà)10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
用于施加第三交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成將第三交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%電極。
用于施加第三交流或射頻電壓的裝置優(yōu)選地被布置成向軸向相鄰電極或軸向相鄰電扭i且供應(yīng)第三交流或射頻電壓的相反相。
優(yōu)選地在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
優(yōu)選地沿著離子引導(dǎo)器的中心縱軸的至少1%、 5%、 10%、 20%、30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90 %或95 °/。產(chǎn)生或提供一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
優(yōu)選地在離子引導(dǎo)器的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
離子引導(dǎo)器優(yōu)選地具有長(zhǎng)度L,且優(yōu)選地在沿著離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下位移的位移的一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或提供一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i )0-0.1L; (ii )0.1-0.2L;
(iii)0.2-0.3L; (iv)0.3-0.4L; (v)0.4畫(huà)0.5L; (vi)0.5-0.6L; (vii)0.6-0.7L;
(viii) 0.7-0.8L; (ix) 0.8-0.9L;以及(x) 0.9國(guó)1.0L。
一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地在徑向方向上遠(yuǎn)離離子引導(dǎo)器的中心縱軸而延伸至少r mm,其中r選自于(i) <1; (ii) 1-2; (iii) 2-3; (iv) 3-4; (v) 4誦5; (vi) 5-6; (vii) 6國(guó)7; (viii) 7-8; (ix) 8誦9; (x) 9-10;以及(xi) >10。
才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于質(zhì)荷比落在范圍1-100、 100-200、 200-300、 300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800畫(huà)卯0或卯O-IOOO內(nèi) 的離子，至少1%、 5%、 10%、 20°/。、 30%、 40°/。、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%的第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或 勢(shì)阱的幅度、高度或深度選自于(i)〈0.1V; (ii)0.1-0.2V; (iii)0.2-0.3V;
(iv )0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi )0.5-0.6V; (vii )0.6國(guó)0.7V; (viii )0.7-0.8V;
(ix )0.8誦0.9V; (x )0.9誦1.0V; (xi )1.0-1.5V; (xii )1.5-2.0V; (xiii )2.0-2.5V;
(xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5-4.0V; (xvii) 4.0-4.5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5畫(huà)6.0V; (xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V;
(xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V;
(xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度每厘米提供或 產(chǎn)生至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽 的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具 有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、優(yōu)選地與多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最 小值。
一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具 有沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、位于優(yōu)選地與她鄰電極之間的軸向距離 或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng)的軸向位置的最大值。
一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱優(yōu)選地具 有對(duì)于特定質(zhì)荷比的離子而言為基本上相同的高度、深度或幅度的最小值 和/或最大值，并且其中最小值和/或最大值具有與多個(gè)電極的軸向位移或 間隔基本上相同或者是多個(gè)電極的軸向位移或間隔的倍數(shù)的周期性。
第三幅度優(yōu)選地小于或大于第一幅度和/或第二幅度。第三幅度與第 一幅度之比優(yōu)選地選自于(i)<l; (ii)>l; (iii) 1-2; (iv) 2-3; (v) 3-4; (vi) 4-5; (vii) 5-6; (viii) 6國(guó)7; (ix) 7-8; (x) 8-9; (xi) 9-10; (xii) 10-11; (xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15; (xvii) 15-16;
(xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25;
(xxiii) 25-30; (xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50;(xxviii) 50-60; (xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii) 90-100; 以及(xxxiii) >100。
第三幅度與第二幅度之比優(yōu)選地選自于(i)<l; (ii)>l; (iii)l-2; (iv)2-3; (v)3-4; (vi)4-5; (vii)5-6; (viii)6曙7; (ix) 7陽(yáng)8; (x) 8-9; (xi) 9-10; (xii) 10-11; (xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15; (xvii) 15-16; (xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25; (xxiii) 25-30; (xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50; (xxviii) 50-60; (xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii)卯-100;以及(xxxiii) >100。
質(zhì)量分析器還可包括第八裝置，第八裝置被布置成和適于逐漸增大、 逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它 方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多 個(gè)電極的第三交流或射頻電壓的幅度。
第八裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t8內(nèi)將第三交流或射頻電 壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、
以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xs伏。
優(yōu)選地，xs選自于(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii) 100畫(huà)150V峰-峰值；(iv) 150-200V峰-峰值；(v) 200-250V峰-峰值；
(vi) 250-300V峰_峰值；(vii) 300-350V峰—峰值；(viii) 350國(guó)400V峰 -峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；以及(xi) >500V峰 一 峰值。優(yōu)選地，ts選自于(i )<lms; (ii )l國(guó)10ms; (iii )10-20ms;
(iv )20-30ms; (v )30-40ms; (vi )40-50ms; (vii )50國(guó)60ms; (viii )60-70ms;
(ix) 70-80ms; (x) 80誦90ms; (xi) 90-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300畫(huà)400ms; (xv) 400-500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii) 600-700ms; (xviii)700-800ms; (xix)800畫(huà)卯0ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l畫(huà)2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括第九裝置，笫九裝置被布 置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、 以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多 個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的第三射頻或交流電壓的頻率。
第九裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t9內(nèi)將施加于多個(gè)電極中 的一個(gè)或多個(gè)電極的第三射頻或交流電壓的頻率逐漸增大、逐漸減小、逐 漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X9MHz。優(yōu)選地，X9選自于(i)<100kHz;
(ii) 100-200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400-500kHz;
(vi)0,5國(guó)1.0MHz; (vii )l.O誦1.5MHz; (viii )1.5-2.OMHz; (ix )2.0國(guó)2.5MHz;
(x)2,5畫(huà)3.0MHz; (xi)3.0-3.5MHz; (xii)3.5國(guó)4.0MHz; (xiii)4.0-4.5MHz;
(xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0國(guó)5.5MHz; (xvi )5.5-6.0MHz; (xvii )6.0-6.5MHz;
(xviii) 6.5-7.0MHz; ( xix ) 7.0-7.5MHz; ( xx ) 7.5國(guó)8.0MHz; ( xxi) 8.0-8.5MHz; (xxii )8.5-9.0MHz; (xxiii )9.0國(guó)9,5MHz; (xxiv )9.5-10.0MHz; 以及(xxv) >10.0MHz。優(yōu)選地，t9選自于:(i) <lms; (ii) l畫(huà)10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20誦30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40畫(huà)50ms; (vii) 50-60ms;
(viii) 60-70ms; (ix) 70國(guó)80ms; (x) 80-卯ms; (xi)卯-100ms; (xii) 100國(guó)200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv) 400-500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii)600國(guó)700ms; (xviii)700-800ms; (xix)800-卯0ms; (xx) 卯0-1000ms; (xxi)l國(guó)2s; (xxii) 2國(guó)3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4誦5s;以及
(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括用于將第二直流電壓施加于多個(gè)電極中的 一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在^^用時(shí)一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的
流軸向勢(shì)壘^勢(shì)阱的裝置:
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括第十裝置，第十裝置被布置成和適于逐漸增 大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或 其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于多個(gè)電極中的一個(gè) 或多個(gè)電極的第二直流電壓的幅度。
第十裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段t1()內(nèi)將第二直流電壓的幅 度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、
累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xk)伏。優(yōu)選地，
x10選自于(i) <0.1V; (ii) 0.1誦0.2V; (iii) 0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi) 0.5-0.6V; (vii) 0.6-0.7V; (viii) 0.7-0.8V; (ix) 0.8-0.9V;
(x )0.9-1.0V; (xi )1.0-1.5V; (xii )1.5國(guó)2.0V; (xiii )2.0-2.5V; (xiv )2.5-3.0V;
(xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5國(guó)4.0V; (xvii) 4.0-4.5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx)5,5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V;
(xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V;
(xxviii) 9.5畫(huà)10.0V;以及(xxix) >10.0V。優(yōu)選地，t10選自于(i) <lms;
(ii) 1-lOms; (iii) 10-20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30畫(huà)40ms; (vi) 40國(guó)50ms;(vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms; (x )80-卯ms; (xi )90-100ms;
(xii) 100畫(huà)200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv) 400-500ms; (xvi )500畫(huà)600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700誦800ms; (xix )800-900ms; (xx)卯0國(guó)1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4-5s;
以及(xxv) >5s。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)量分析器還包括第十一裝置，第十一裝置被布置 成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、 以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小施加于離 子引導(dǎo)器的電極中的至少一些電極的、并且用以在徑向方向上限制離子于 離子引導(dǎo)器內(nèi)的直流電壓或電勢(shì)的幅度。
第十一裝置優(yōu)選地被布置成和適于在時(shí)間段tu內(nèi)將施加于至少一些 電極的直流電壓或電勢(shì)的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線 性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其 它方式減小xu伏。優(yōu)選地，xu選自于:(i)〈0.1V; (ii) 0.1-0.2V; (iii) 0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi) 0.5-0.6V; (vii) 0.6-0.7V; (viii )0.7國(guó)0,8V; (ix )0.8-0.9V; (x )0.9-1.0V; (xi )1.0-1.5V; (xii )1.5-2.0V;
(xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5國(guó)4.0V; (xvii) 4.0-4.5V; (xviii )4.5國(guó)5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V;
(xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。 優(yōu)選地，tn選自于(i)<lms; (ii)l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv)20-30ms;
(v )30-40ms; (vi )40國(guó)50ms; (vii)50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms;
(x)80國(guó)卯ms; (xi)卯-100ms; (xii) 100國(guó)200ms; (xm) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv)400-500ms; (xvi)500畫(huà)600ms; (xvii)600-700ms; (xviii) 700-800ms; (xix) 800-卯0ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi)l-2s; (xxii)2-3s;
(xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括用于在一工作模式下將離子引導(dǎo)器維持于 選自于以下壓力的壓力的裝置(i) 〈1.0xlO"mbar; (ii) <1.0xl02mbar; (iii) <1.0xl(T3mbar;以及(iv) <1.0xl0_4mbar。
質(zhì)量分析器優(yōu)選地還包括用于在一工作模式下將離子引導(dǎo)器維持于 選自于以下壓力的壓力的裝置(i) >1.0xl(T3mbar; (ii) >1.0xl(T2mbar; (iii)〉1.0xlO"mbar; (iv)>lmbar; (v)>10mbar; (vi)>100mbar; (vii) >5.0xl03mbar; (viii)>5.0xl(T2mbar;(ix)104-10_3mbar;(x)103-102mbar;以及(xi) 102-10"mbar。
質(zhì)量分析器優(yōu)選M包括布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變 化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階 躍、累進(jìn)或其它方式減小經(jīng)過(guò)離子引導(dǎo)器的氣流的裝置。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在一工作模式下，離子優(yōu)選地被布置成被捕獲于離 子引導(dǎo)器內(nèi)但是在離子引導(dǎo)器內(nèi)基本上不裂解。
質(zhì)量分析器還可包括用于在離子引導(dǎo)器內(nèi)碰撞冷卻或基本上熱化離 子的裝置。
質(zhì)量分析器還可包括用于在一工作模式下在離子引導(dǎo)器內(nèi)基本上裂 解離子的裝置。
質(zhì)量分析器還可包括布置于離子引導(dǎo)器的入口和/或出口處的一個(gè)或 多個(gè)電極，其中在一工作模式下該一個(gè)或多個(gè)電極被布置成使離子以脈沖 形式敘和/或退出離子引導(dǎo)器。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種包括如上文討論的質(zhì)量分析器的
質(zhì)鐠儀優(yōu)選地包括選自于以下離子源的離子源(i)電噴霧電離 ("ESI")離子源；(ii)大氣壓光電離("APPI")離子源；(iii)大氣壓 化學(xué)電離("APCI")離子源；(iv)基質(zhì)輔助激光解吸電離("MALDI") 離子源；(v)激光解吸電離("LDI，，)離子源；(vi)大氣壓電離("API") 離子源；(vii)珪上解吸電離("DIOS，，)離子源；(viii)電子沖擊("EI") 離子源；(ix)化學(xué)電離("CI")離子源；(x)場(chǎng)電離("FI")離子源； (xi)場(chǎng)解吸("FD")離子源；(xii)感應(yīng)耦合等離子體("ICP")離子 源；(xiii)快原子轟擊("FAB")離子源；(xiv)液體二次離子質(zhì)鐠學(xué) ("LSIMS")離子源；(xv)解吸電噴霧電離("DESI")離子源；(xvi) 鎳-63放射性離子源；以及(xvii)熱噴霧離子源。
質(zhì)*^優(yōu)選地包括連續(xù)或脈沖式離子源。
質(zhì)鐠儀優(yōu)選地還包括布置于質(zhì)量分析器的上游和/或下游的 一個(gè)或多 個(gè)質(zhì)量過(guò)濾器。該一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量過(guò)濾器優(yōu)選地選自于(i)四極桿集質(zhì) 量過(guò)濾器；(ii)飛行時(shí)間質(zhì)量過(guò)濾器或質(zhì)量分析器；(iii)Wdn過(guò)濾器； 以及(iv)磁式扇形質(zhì)量過(guò)濾器或質(zhì)量分析器。
質(zhì)譜儀優(yōu)選地還包括布置于質(zhì)量分析器的上游和/或下游的一個(gè)或多個(gè)第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器。一個(gè)或多個(gè)第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲
器優(yōu)選地選自于
(i) 多極桿集或分段多極桿集離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，包括四極 桿集、六極桿集、八極桿集或含有八個(gè)以上桿的桿集；
(ii) 離子隨道或離子漏斗式離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，包括具有在 4吏用時(shí)離子所穿過(guò)的孔的多個(gè)電極或至少2、 5、 10、 20、 30、 40、 50、 60、 70、 80、卯或100個(gè)電極，其中所述電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65 %、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%電極具有尺寸或面積 基本上相同的孔或者尺寸或面積逐漸變大和/或變小的孔；
(iii) 平面、板狀或網(wǎng)狀電極的堆或列，其中平面、板狀或網(wǎng)狀電極 的堆或列包括多個(gè)或至少2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19或20個(gè)平面、板狀或網(wǎng)狀電極，或者至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%的平面、板 狀或網(wǎng)狀電極大致布置于在使用時(shí)離子行進(jìn)的平面上；以及
(iv) 離子捕獲器或離子引導(dǎo)器，包括沿著離子捕獲器或離子引導(dǎo)器 的長(zhǎng)度軸向布置的多組電極，其中每組電極包括(a)第一和第二電極以 及用于將直流電壓或電勢(shì)施加于第一和第二電極以^便在第一徑向方向上 限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置；以及(b)第三和第四電極以及用于將 交流或射頻電壓施加于第三和第四電極以便在第二徑向方向上限制離子 于離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置，其中第二徑向方向優(yōu)選地與第一徑向方向正交。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器優(yōu)選地包括離子 隧道或離子漏斗式離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，并且其中電極中的至少1 %、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%電極 具有選自于以下內(nèi)直徑或A^的內(nèi)直徑或尺度(i )Sl.0mm; (ii )S2.0mm; (iii)^3.0mm; (iv)S4.0mm; (v)55.0mm; (vi)S6.0mm; (vii)^7.0mmj (viii) S8.0mm; (ix) S9.0mm; (x) ^10.0mm;以及(xi) >10.0mm。
第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器優(yōu)選地包括第四交流或射頻電壓裝置， 第四交流或射頻電壓裝置被布置成和適于將交流或射頻電壓施加于第二 離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70 %、 75%、 80%、 85%、 90%、 95%或100%電極以便徑向限制離子于第 二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器內(nèi)。
第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器優(yōu)選地被布置成和適于從質(zhì)量分析器 接收離子束或組并轉(zhuǎn)換或劃分離子束或組，以使得在任何特定時(shí)間至少 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19或20個(gè)單獨(dú)的離子包被限制和/或隔離于第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲 器內(nèi)。每個(gè)離子包優(yōu)選地被單獨(dú)地限制和/或隔離于在第二離子引導(dǎo)器或 離子捕獲器中形成的單獨(dú)的軸向勢(shì)阱中。
質(zhì)鐠儀優(yōu)選地還包括布置成和適于在一工作模式下向上游和/或下游 經(jīng)過(guò)或沿著第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60 %、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、 90%、 95%或100%而驅(qū)策至少一 些離子的裝置。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)"^R還包括瞬態(tài)直流電壓裝置，瞬態(tài)直流電壓裝 置被布置成和適于將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài) 直流電壓或電勢(shì)波形施加于構(gòu)成第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的電極以 ^更向下游和/或上游沿著第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向長(zhǎng)度的至少 1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、 90%、 95%或100%驅(qū)策 至少一些離子。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)#^優(yōu)選地還包括交流或射頻電壓裝置，交流或 射頻電壓裝置被布置成和適于將兩個(gè)或更多相移直流或射頻電壓施加于 構(gòu)成第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的電極以便向下游和/或上游沿著第二
離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5°/。、 10%、 15%、 20 %、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%驅(qū)策至少一些離子。
質(zhì)鐠儀優(yōu)選地還包括布置成和適于將第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器 的至少一部分維持于選自于以下壓力的壓力的裝置(i) >0.0001mbar; (ii) >0.001mbar; (iii) >0.01mbar; (iv) >0.1mbar; (v) >lmbar; (vi) >10mbar; (vii)>lmbar; (viii )0.0001誦100mbar;以及(ix )O.OOl-lOmbar。
質(zhì)"^還可包括布置成和適于通it^撞誘發(fā)解離("CID")來(lái)裂解離子的碰撞、裂解或>^應(yīng)設(shè)備。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)#^還可包括選自于
以下設(shè)備的碰撞、裂解或反應(yīng)設(shè)備(i)表面誘發(fā)解離("SID，，)裂解設(shè) 備；(ii)電子轉(zhuǎn)移解離裂解設(shè)備；(iii)電子捕獲解離裂解設(shè)備；(iv)電 子碰撞或沖擊解離裂解設(shè)備；(v)光誘發(fā)解離("PID")裂解設(shè)備；(vi) 激光誘發(fā)解離裂解設(shè)備；(vii)紅外輻射誘發(fā)解離設(shè)備；(vm)紫外輻射 誘發(fā)解離設(shè)備；(ix)噴嘴-分液器接口裂解設(shè)備；(x)內(nèi)源裂解設(shè)備；(xi) 離子源碰撞誘發(fā)解離裂解設(shè)備；(xii)熱或溫度源裂解設(shè)備；(xiii)電場(chǎng) 誘發(fā)裂解設(shè)備；(xiv)磁場(chǎng)誘發(fā)裂解設(shè)備；(xv)酶消化或酶降解裂解設(shè) 備；(xvi)離子 - 離子反應(yīng)裂解設(shè)備；(xvii)離子 - 分子反應(yīng)裂解設(shè)備； (xviii)離子-原子反應(yīng)裂解設(shè)備；(xix)離子-亞穩(wěn)離子反應(yīng)裂解設(shè)備； (xx)離子-亞穩(wěn)分子反應(yīng)裂解設(shè)備；(xxi)離子-亞穩(wěn)原子反應(yīng)裂解設(shè) 備;(xxii )用于使離子^JL以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-離子反應(yīng)設(shè)備；
(xxiii) 用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-分子反應(yīng)設(shè)備；
(xxiv) 用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-原子反應(yīng)設(shè)備；
(xxv) 用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)離子反應(yīng)設(shè) 備；(xxvi)用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)分子反 應(yīng)設(shè)備；以及(xxvii)用于使離子M以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-亞 穩(wěn)原子^JL設(shè)備。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)#^優(yōu)選地還包括布置成和適于優(yōu)選地在質(zhì)量分 析器的周期時(shí)間內(nèi)或期間逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增 大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方 式減小質(zhì)量分析器與碰撞、裂解或反應(yīng)單元之間的電勢(shì)差的裝置。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，質(zhì)鐠儀還包括布置于質(zhì)量分析器的上游和/或下游 的又一質(zhì)量分析器。該又一質(zhì)量分析器優(yōu)選地選自于(i)傅立葉變換
("FT")質(zhì)量分析器；(ii)傅立葉變換離子回旋共振("FTICR")質(zhì)量 分析器；(iii)飛行時(shí)間("TOF，，)質(zhì)量分析器；(iv)正交加速飛行時(shí)間
("oaTOF")質(zhì)量分析器；(v)軸向加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器；(vi)磁 式扇形質(zhì)鐠儀；(vii)保羅(Paul)或3D四極質(zhì)量分析器；(viii) 2D或 線性四城量分析器；(ix)彭寧(Penning)捕獲器質(zhì)量分析器；(x)離 子捕獲器質(zhì)量分析器；(xi)傅立葉變換軌道捕獲器；(xii)靜電離子回旋 共振質(zhì)脊仗；(xiii)靜電傅立葉變M脊R;以及(xiv)四極桿集質(zhì)量過(guò) 濾器或質(zhì)量分析器。
質(zhì)鐠儀優(yōu)選地還包括布置成和適于在質(zhì)量分析器的周期時(shí)間內(nèi)或期間與質(zhì)量分析器的工作同步地逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線 性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其 它方式減小又一分析器的質(zhì)荷比傳送窗的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，該方
法包括
提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器；
將第一交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的至少一些電極，以使得沿 著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或 偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；
沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子；并且
將第二交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極，以使得 沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間 平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱，其中第二幅度不同于第一幅度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種質(zhì)量分析器，該質(zhì)量分析器包括
離子引導(dǎo)器，包括具有孔的多個(gè)電極，其中在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔；
用于將第一交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極以 便徑向限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置；以及
用于將第二不同交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電 極、以使得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或 多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。
才艮據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，該方 法包括
提供離子引導(dǎo)器，其中離子引導(dǎo)器包括具有離子所穿過(guò)的孔的多個(gè)電
極；
將第一交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極以便徑 向限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)；并且
將第二不同交流或射頻電壓施加于多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極，以 4吏得沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間 平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種質(zhì)量分析器，該質(zhì)量分析器包括包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，所述多個(gè)電極包括具有孔的電極，其中
在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔；
用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極、 以使得軸向相鄰電極組被供應(yīng)第一交流或射頻電壓的相反相、并且其中在 使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度的多 個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置；以及
用于將施加于一個(gè)或多個(gè)軸向相鄰電極組的第一交流或射頻電壓的 極性反相、以使得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生 具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)
阱的裝置，其中第二幅度不同于第一幅度。
每個(gè)電^Ua可包括l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10或>10個(gè)電極。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，該方 法包括
提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有離子所 穿過(guò)的孔的電極；
將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極，以使 得軸向相鄰電;feia被供應(yīng)第一交流或射頻電壓的相反相，并且其中沿著離 子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí) 間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；并且
將施加于一個(gè)或多個(gè)軸向相鄰電極組的第一交流或射頻電壓的極性 反相，以使得沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第二幅度 的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱，其中第二 幅度不同于第一幅度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種質(zhì)量分析器，該質(zhì)量分析器包括
包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有孔的電極， 在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔；
用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極、 以使得軸向相鄰電極或軸向相鄰電極組被供應(yīng)第一交流或射頻電壓的相 反相、并且其中在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具
有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝 置；用于將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓 或電勢(shì)波形施加于所述多個(gè)電極以便沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少
一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子的裝置；
用于將施加于成對(duì)軸向相鄰電極或成對(duì)軸向相鄰電極組的第一交流 或射頻電壓的極性反相、以使得在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至 少一部分產(chǎn)生具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì) 壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置，其中第二幅度不同于第一幅度；以及
用于以線性、階躍或其它方式逐漸減小第一交流或射頻電壓的幅度以 <更逐漸降^ —個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的 幅度的裝置。
優(yōu)選地，用于逐漸減小第一交流或直流電壓的幅度的裝置被布置成在
時(shí)間段t12內(nèi)將第一交流或直流電壓的幅度逐漸減小Xu伏。優(yōu)選地，x12 選自于(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50國(guó)100V峰-峰值；(iii) 100國(guó)150V峰 —峰值；(iv) 150-200V峰—峰值；(v) 200國(guó)250V峰—峰值；(vi) 250隱300V 峰-峰值；(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400畫(huà)450V峰-峰值；(x) 450國(guó)500V峰-峰值；(xi) 500國(guó)550V峰-峰值；
(xxii) 550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰 - 峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750國(guó)800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。優(yōu)選 地，tu選自于(i) <lms; (ii) l-10ms; (iii) 10國(guó)20ms; (iv) 20-30ms;
(v )30誦40ms; (vi )40誦50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms;
(x) 80-卯ms; (xi) 90-100ms; (xii) 100國(guó)200ms; (xiii) 200隱300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi) 500-600ms; (xvii) 600國(guó)700ms; (xviii) 700-800ms; (xix) 800-卯0ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2隱3s;
(xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種質(zhì)量分析方法，該方法包括
提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有離子所 穿過(guò)的孔的電極；
將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極，以使 得軸向相鄰電極或軸向相鄰電M被供應(yīng)第 一交流或射頻電壓的相反相， 并且其中沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；
將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電 勢(shì)波形施加于多個(gè)電極以便沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分驅(qū) 動(dòng)或驅(qū)策離子；
將施加于成對(duì)軸向相鄰電極或成對(duì)軸向相鄰電極組的第一交流或射 頻電壓的極性反相，以使得沿著離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生 具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)
阱，其中第二幅度不同于第一幅度；并且
以線性、階躍或其它方式逐漸減小第一交流或射頻電壓的幅度以便逐 漸降低一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅 度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，該離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器包括
多個(gè)電極；
用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)至 少一些電極被維持于第一交流或射頻電壓的相反相的裝置；以及
用于變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性以便在 使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘的裝置。
用于變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性的裝置
優(yōu)選地被布置成將相位差或極性變化、切換、改變或掃描e。，其中e選自
于(i)<10; (ii) 10-20; (iii) 20-30; (iv) 30-40; (v) 40-50; (vi) 50-60;
(vii) 60-70; (viii) 70-80; (ix) 80-90; (x)卯；(xi)卯-100; (xii) 100-110;
(xiii) 110-120; (xiv) 120-130; (xv) 130-140; (xvi) 140-150; (xvii) 150-160; (xviii) 160-170; (xix) 170-180;以及(xx) 180。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了 一種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子ii行質(zhì)量分析的 方法，該方法包括
提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；
將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，以使得至少一些電極被 維持于第一交流或射頻電壓的相反相；并且
變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性以便沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生軸向時(shí)間平均的或 偽的勢(shì)壘。
優(yōu)選地，變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性的
步驟包括將相位差或極性變化、切換、改變或掃描e。，其中e選自于(i)
<10; (ii) 10-20; (iii) 20-30; (iv) 30-40; (v) 40-50; (vi) 50-60; (vii) 60-70; (viii) 70-80; (ix) 80-90; (x) 90; (xi) 90-100; (xii) 100-110; (xiii) 110-120; (xiv) 120-130; (xv) 130-140; (xvi) 140-150; (xvii) 150-160; (xviii) 160-170; (xix) 170-180;以及(xx) 180。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，提供了一種射頻離子引導(dǎo)器，該射頻 離子引導(dǎo)器被布置成繞著中心軸徑向限制離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)。優(yōu)選地沿 著離子引導(dǎo)器的中心軸、在一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)維持一個(gè)或多個(gè)偽勢(shì)壘。該一個(gè) 或多個(gè)偽勢(shì)壘的量值優(yōu)選地依賴(lài)于離子的質(zhì)荷比。該一個(gè)或多個(gè)偽勢(shì)壘可 位于離子引導(dǎo)器的入口和/或出口處。還可設(shè)想這樣的其它實(shí)施例其中 一個(gè)或多個(gè)偽勢(shì)壘可位于離子引導(dǎo)器的入口與出口之間的、沿著離子引導(dǎo) 器的長(zhǎng)度的一個(gè)或多個(gè)位置。
射頻離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括具有孔的環(huán)形電極的堆，其中在使用時(shí)離 子穿過(guò)所述孔。優(yōu)選地向交替的電極施加射頻電壓的相反相以便徑向限制 離子于離子引導(dǎo)器內(nèi)。離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括環(huán)堆或離子隨道式離子引導(dǎo)
優(yōu)選地由優(yōu)選地施加于離子引導(dǎo)器的電極的一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電 壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形沿著離子引導(dǎo)器推進(jìn)離 子并使離子經(jīng)過(guò)離子引導(dǎo)器。如果一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè) 或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度明顯小于對(duì)于具有特定質(zhì)荷比值 的離子而言的有效偽勢(shì)壘的幅度，則這些離子將不M過(guò)或通過(guò)偽勢(shì)壘。 結(jié)果，這些離子將保##^艮制于離子引導(dǎo)器內(nèi)。如果一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流 電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度明顯大于對(duì)于 具有特定質(zhì)荷比值的離子而言的有效偽勢(shì)壘的幅度，則這些離子將越過(guò)或 通過(guò)偽勢(shì)壘并因此將退出離子引導(dǎo)器。
通過(guò)逐漸增大施加于離子引導(dǎo)器的電極的一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓 或電勢(shì)的幅度并且/或者通過(guò)減小偽勢(shì)壘的有效幅度，可使離子按它們的 質(zhì)荷比的降序漸次地越過(guò)偽勢(shì)壘。通過(guò)降低所施加的射頻電壓的幅度并且 /或者通過(guò)增大所施加的射頻電壓的頻率，可減小偽勢(shì)壘的幅度。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，偽勢(shì)壘可由靠近偽勢(shì)壘而向電板拖加的附加直流 電勢(shì)來(lái)擴(kuò)增。根據(jù)此實(shí)施例，勢(shì)壘的幅座ji依賴(lài)于質(zhì)荷比的偽勢(shì)壘與獨(dú)立 于質(zhì)荷比的直流勢(shì)壘的組合。通過(guò)降低射頻電壓的幅度并且/或者通過(guò)增
勢(shì)的幅度，可減小有效勢(shì)壘的幅度。以軸向方式從離子引導(dǎo)器質(zhì)量選擇性 地噴出的離子可被向前傳送以供進(jìn)一步處理和/或分析。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，偽勢(shì)壘可布置于離子引導(dǎo)器的入口處，從而如果 具有特定質(zhì)荷比的離子具有足夠的軸向能量，則它們將克服偽勢(shì)壘并因此
i^A優(yōu)選離子引導(dǎo)器。如果具有特定質(zhì)荷比的離子具有不足以克服偽勢(shì)壘 的軸向能量，則它們優(yōu)選地被防止進(jìn)入離子引導(dǎo)器并因此從系統(tǒng)丟失。優(yōu) 選離子引導(dǎo)器可用來(lái)實(shí)現(xiàn)低質(zhì)量截止特性。通過(guò)增大依賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘 的幅度并且/或者通過(guò)增大1離子引導(dǎo)器的離子的軸向能量，可變更此 低質(zhì)量截止的特性。
根據(jù)一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施例，可向電極施加第一交流或射頻電壓，以 使得軸向相鄰電極被維持于第一交流或射頻電壓的相反相。然后，成對(duì)電 極的極性可被切換或反相。在一瞬間，多個(gè)電極的極性可因此從+ - + -+ - + -改變?yōu)? - + + -- + -。結(jié)果，沿著離子引導(dǎo)器的一部分或一 段的電極的有效厚度得以有效地增大。
還可設(shè)想其中可向電極施加多相射頻電壓的實(shí)施例。例如，可施加初 始時(shí)在相鄰電極之間維持120°相位差的三相射頻電壓。可通過(guò)變更離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的一個(gè)區(qū)或段中的若干電極的或電極之間的相位關(guān) 系來(lái)產(chǎn)生偽勢(shì)壘。例如，沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的一段的相位關(guān)系 或模式可從123 123 123 123 123改變?yōu)?23 331 112 223 123。同樣，根據(jù) 此實(shí)施例，沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的一部分或一段的電極的有^ 度得以有效地增大。因此，將在此區(qū)產(chǎn)生這樣的偽勢(shì)壘該偽勢(shì)壘的幅度 大于本來(lái)沿著離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度形成的偽勢(shì)波紋的幅度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，該離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器包括
多個(gè)電極；
用于將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極的裝置，其中n》2;
用于維持所述多個(gè)電極之間的、所述多個(gè)電極處的或所述多個(gè)電極的 第一相位關(guān)系或第一縱橫比的裝置；以及用于改變所述多個(gè)電極的子集之間的、所述子集處的或所述子集的相
位關(guān)系或縱橫比、以使得維持所述電極子集之間的、所述子集處的或所述 子集的第二不同相位關(guān)系或第二縱橫比以便在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器或
質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或 偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。
優(yōu)選地，n選自于:(i)2; (ii) 3; (iii) 4; (iv) 5; (v) 6; (vi) 7; (vii) 8; (viii) 9; (ix) 10;以及(x) >10。
第 一相位關(guān)系或第 一縱橫比優(yōu)選地具有第 一周期性、模式、序列或值， 且第二相位關(guān)系或第二縱橫比優(yōu)選地具有第二不同周期性、模式、序列或值。
根據(jù)本發(fā)明的 一方面，提供了 一種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子i^ff質(zhì)量分析的 方法，該方法包括
提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；
將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，其中i^2;
維持所述多個(gè)電極之間的第一相位關(guān)系或第一縱橫比；并且
改變所述多個(gè)電極的子集之間的、所述子集處的或所述子集的相位關(guān)
系或縱橫比，以使得維持所述電極子集之間的、所述子集處的或所述子集 的第二不同相位關(guān)系或第二縱橫比以便沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的
軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波 紋或勢(shì)阱。
才艮據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，該離 子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器包括
多個(gè)電極；
用于將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極的裝置，其中n^2;
以及
用于掃描所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的相位或縱橫比以便在 使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè) 或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子進(jìn)行質(zhì)量分析 的方法，該方法包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；
將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，其中n》2;并且
掃描所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的相位或縱橫比以便在使用時(shí)沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
根據(jù)此實(shí)施例，可逐漸變化或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位?？蓪⒁粋€(gè)或多個(gè)電極的相位掃描至少e。，其中e選自于(O<10; (ii) 10-20; (iii)20-30; (iv) 30-40; (v) 40-50; (vi) 50-60; (vii) 60-70; (viii) 70-80;
(ix)80-卯；(x)卯;(xi) 90-100; (xii) 100-110; (xiii) 110-120; (xiv)120-130; (xv) 130-140; (xvi) 140-150; (xvii) 150-160; (xviii) 160-170;
(xix) 170-180;以及(xx)180。當(dāng)一個(gè)或多個(gè)電極的相位被逐漸變化或掃描時(shí)， 一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的高度優(yōu)選地增大或減小。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，堆疊環(huán)離子引導(dǎo)器的中心附近的離子對(duì)于各種各樣的條件將具有穩(wěn)定的軌跡。這與四極桿集中離子的徑向穩(wěn)定性條件形成對(duì)比，在該徑向穩(wěn)定性條件中，改變沿著這種設(shè)備的軸的振蕩場(chǎng)的性質(zhì)可能造成不希望的徑向不穩(wěn)定性和/或諧振，從而導(dǎo)致離子丟失。
與根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例的勢(shì)壘設(shè)備或質(zhì)量分析器相比，多極桿集還更大且制造成本更高。因此，根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器與已知布置相比是特別有利的。


現(xiàn)在僅通過(guò)例子并參照附圖描述本發(fā)明的各種實(shí)施例，在附圖中圖l在y，z平面上示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊環(huán)離子引導(dǎo)
圖2在x， y平面上示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊環(huán)離子引導(dǎo)
器；
圖3A示出了質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器的中心軸的軸向偽勢(shì)的曲線；圖3B示出了質(zhì)荷比為500的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器的中心軸的軸向偽勢(shì)的曲線。
圖4示出了對(duì)于圖3A中所示實(shí)施例而言的、質(zhì)荷比為IOO的離子所經(jīng)歷的軸向和徑向偽勢(shì)的三維曲線；
圖5示出了其中在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的出口處提，賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例；
圖6A示出了對(duì)于圖5中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器而言的、質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、作為距離的函數(shù)的沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的中心線的軸向偽勢(shì)的曲線；圖6B示出了對(duì)于圖5中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器而言的、質(zhì)荷比為500的離子所經(jīng)歷的、作為距離的函數(shù)的沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的中心線的軸向偽勢(shì)的曲線；
圖7示出了對(duì)于圖6A中所示實(shí)施例而言的、質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的軸向和徑向偽勢(shì)的三維曲線；
圖8示出了其中在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分^f器的出口處形成依賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，其中出口電極被布置成具有較小的孔；
圖9A示出了其中在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的出口處形成依賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘的又一個(gè)實(shí)施例；圖9B示出了施加于電極的附加時(shí)變電勢(shì)的最大和最小電勢(shì)；
圖10示出了其中優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器與在使用時(shí)被掃描的四極桿集質(zhì)量分析器耦合的實(shí)施例；
圖11示出了其中優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器與正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器耦合的實(shí)施例；
圖12示出了其中在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的入口處形成依賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘的實(shí)施例；
圖13A示出了對(duì)于圖12中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器而言的、質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、作為距離的函數(shù)的沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的中心線的軸向偽勢(shì)的曲線；圖13B示出了對(duì)于圖12中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器而言的、質(zhì)荷比為500的離子所經(jīng)歷的、作為距離的函數(shù)的沿著離子引導(dǎo)器的中心線的軸向偽勢(shì)的曲線；
圖14示出了圖13A中所示的、質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的軸向和徑向偽勢(shì)的三維曲線；
圖15示出了其中離子遷移率分離i殳備與優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器耦合的一個(gè)實(shí)施例；圖16示出了作為經(jīng)過(guò)離子遷移率裝置的漂移時(shí)間的函數(shù)的離子質(zhì)荷
比的曲線，其中示出了低質(zhì)量截止^Mt的掃描線；
圖17示出了用來(lái)產(chǎn)生圖18A-18E中所示實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)布置；以及
圖18A示出了在沒(méi)有軸向偽勢(shì)壘時(shí)獲得的質(zhì)鐠；圖18B示出了當(dāng)如圖17中所示在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的入口處提供軸向偽勢(shì)壘時(shí)獲得的質(zhì)譜；圖18C示出了當(dāng)軸向偽勢(shì)壘的量值大于用來(lái)獲得圖18B中所示結(jié)果的軸向偽勢(shì)壘的量值時(shí)獲得的結(jié)果質(zhì)鐠；圖18D示出了當(dāng)軸向偽勢(shì)壘的量值大于用來(lái)獲得圖18C中所示結(jié)果的軸向偽勢(shì)壘的量值時(shí)獲得的質(zhì)譜；圖18E示出了當(dāng)軸向偽勢(shì)壘的量值大于用來(lái)獲得圖18D中所示結(jié)果的軸向偽勢(shì)壘的量值時(shí)獲得的質(zhì)鐠。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照?qǐng)Dl描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。根據(jù)此實(shí)施例，提供了射頻環(huán)堆式離子引導(dǎo)器2。離子引導(dǎo)器2優(yōu)選地包括優(yōu)選地在使用時(shí)保持或維持于直流電勢(shì)的入口板或電極l、以及多個(gè)其它環(huán)形電極或板2a。優(yōu)選地向構(gòu)成離子引導(dǎo)器的交替的電極或板2a施加調(diào)制(射頻)電勢(shì)的相反相。離子引導(dǎo)器2優(yōu)選地包括優(yōu)選地在使用時(shí)保持或維持于直流電勢(shì)的出口板或電極3。
才艮據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，如圖所示，優(yōu)選地向一個(gè)或多個(gè)環(huán)電極2a施加附加瞬態(tài)直流電勢(shì)4。瞬態(tài)直流電勢(shì)4優(yōu)選地同時(shí)施加于一個(gè)或多個(gè)電極2a并持續(xù)較短時(shí)間段。然后，直流電勢(shì)4優(yōu)選地切換到或施加于一個(gè)或多個(gè)相鄰或后續(xù)電極2a。根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，優(yōu)選地向離子引導(dǎo)器2的一些或全部電極2a累^施加一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電勢(shì)或電壓或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形，以便在沿著離子引導(dǎo)器2的長(zhǎng)度的特定方向上驅(qū)策離子。
離子引導(dǎo)器2優(yōu)選地包括內(nèi)直徑優(yōu)選的是5mm的一連串環(huán)形電極2a。圖2示出了在x，y平面上觀察到的堆疊環(huán)離子引導(dǎo)器2。每個(gè)電極2a優(yōu)選的是0.5mm厚，相鄰電極之間的中心到中心間距優(yōu)選的是1.5mm。入口和出口電極l、 3的孔的直徑優(yōu)選的是2mm。
圖3A示出了當(dāng)最大電壓為IOOV且頻率為1 MHz的射頻電壓施加于離子引導(dǎo)器2時(shí)質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器2的中心軸的時(shí)間平均勢(shì)或偽勢(shì)的曲線。圖3B類(lèi)似地示出了質(zhì)荷比為500的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器2的中心軸的時(shí)間平均勢(shì)或偽勢(shì)的曲線。
圖3A和3B中所示曲線是通過(guò)記錄具有如圖1中所示幾何的離子引導(dǎo)器的三維計(jì)算M擬(SIMION)內(nèi)的電壓梯度來(lái)獲得的。向每個(gè)透鏡元件施加與一頻率周期內(nèi)的最大電壓等效的靜態(tài)直流電壓。于是，直接才艮據(jù)所記錄的場(chǎng)利用下式計(jì)算偽勢(shì)
其中q是離子(z.e)上的總電荷，e是電子電荷，z是電荷數(shù)目，m是離子的原子質(zhì)量，ft是調(diào)制電勢(shì)的頻率，E是所記錄的電場(chǎng)。
圖4示出了沿著z軸的中心切割的、對(duì)于優(yōu)選離子引導(dǎo)器2的出口處的區(qū)而言的、在x軸(徑向方向)上從0延伸至lmm的離子引導(dǎo)器2內(nèi)的徑向和軸向偽勢(shì)。電壓和頻率的條件如前面針對(duì)質(zhì)荷比為100的離子所描述的那樣。
從圖3A和3B可以看出，對(duì)于質(zhì)荷比較低的離子而言的z軸上的軸向偽勢(shì)波紋大于對(duì)于質(zhì)荷比較高的離子而言的z軸上的軸向偽勢(shì)波紋。從圖4可以看出，沿著中心軸的軸向偽勢(shì)波紋的幅度低于遠(yuǎn)離中心軸的徑向位移處的偽勢(shì)波紋的幅度。通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形施加于離子引導(dǎo)器2的電極2a，可容易地沿著離子引導(dǎo)器2推進(jìn)離子。
圖5示出了本發(fā)明的這樣一個(gè)實(shí)施例其中緊接在出口孔3之前或上游的最后兩個(gè)環(huán)形板或電極5a、 5b優(yōu)選地由第二射頻電壓供應(yīng)來(lái)驅(qū)動(dòng)，第二射頻電壓供應(yīng)優(yōu)選地不同于優(yōu)選地施加于在前環(huán)形板或電極2a的第一射頻電壓供應(yīng)。
當(dāng)優(yōu)選地施加于最后兩個(gè)環(huán)形板或電極5a、 5b中的一個(gè)或兩個(gè)的第二射頻電壓的幅度相對(duì)于施加于其它板或電極2a的第一射頻電壓的幅度而增大時(shí)，偽勢(shì)波紋的深度以及因此離子隧道式離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口處的偽勢(shì)壘的高度得以?xún)?yōu)選地增大。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，施加于最后兩個(gè)環(huán)形板或電極5a、 5b中的一個(gè)或兩個(gè)的第二射頻調(diào)制的頻率可相對(duì)于施加于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的其它電極2a的第一射頻電壓的調(diào)制頻率而減小。
圖6A示出了當(dāng)最大幅度為IOOV且頻率為1 MHz的第一射頻電壓施加于環(huán)形板或電極2a、最大幅度為400V的射頻電壓施加于板5b (其緊接出口電極3的上游而布置)、最大幅度為200V的第三射頻電壓施加于板5a (其布置于電極5b的上游)時(shí)質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的中心軸的時(shí)間平均勢(shì)或偽勢(shì)的曲線。所有板或電極2a、 5a、 5b上施加的調(diào)制電勢(shì)的相位和頻率是相同的。圖6B示出了質(zhì)荷比為500的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的中心軸的時(shí)間平均勢(shì)或偽勢(shì)。
圖7示出了沿著z軸的中心切割的、對(duì)于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口處的區(qū)而言的、在x軸(徑向方向)上從0延伸至lmm的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器2內(nèi)的徑向和軸向偽勢(shì)。電壓和頻率的條件如前面針對(duì)質(zhì)荷比為100的離子參照?qǐng)D6A所描述的那樣。
增大離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口處的調(diào)制電勢(shì)的幅度的結(jié)果是產(chǎn)生優(yōu)選地具有與離子的質(zhì)荷比成反比例的幅度的偽勢(shì)壘。
^L據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，優(yōu)選地將離子從外部離子源引入離子引導(dǎo)器中?？衫缫悦}沖方式或以連續(xù)方式在時(shí)間To引入離子。在離子被引入時(shí)，優(yōu)選地布置進(jìn)入離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的離子的軸向能量，使得質(zhì)荷比在特定范圍內(nèi)的所有離子被徑向射頻場(chǎng)限制并且優(yōu)選地因偽勢(shì)壘的存在而被防止退出離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。
通過(guò)將冷卻氣體引入離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器2的離子限制區(qū)中，可減小被限制于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)的離子的初始能量擴(kuò);iyL。離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2優(yōu)選地維持于10義l(^mbar、或更優(yōu)選的10^-10"mbar的壓力。離子的動(dòng)能優(yōu)選地將由于離子與氣體分子之間的碰撞而減小。離子將因此冷卻從而熱能化。
在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器2內(nèi)積累了離子后，可升高施加于入口電極1的直流電壓，以便防止離子經(jīng)由入口退出離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。
才艮據(jù)另 一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)向布置于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口處的一個(gè)或多個(gè)環(huán)形板或電極施加一個(gè)或多個(gè)適當(dāng)電勢(shì)，可在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器2的入口處形成一個(gè)或多個(gè)偽勢(shì)壘。
在初始時(shí)間T。，優(yōu)選地向構(gòu)成離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的電極2a施加一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形。才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度可以在初始時(shí)較低或效果上為零。然后，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形幅度可以逐漸地斜升、階躍上升或幅度上增大到最終的最大值。由此，得
以?xún)?yōu)選地朝著布置于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口處的偽勢(shì)壘推進(jìn)、 驅(qū)策或平移離子。優(yōu)選地^吏得離子以它們的質(zhì)荷比的逆序退出離子引導(dǎo)器 或質(zhì)量分析器2,其中質(zhì)荷比較高的離子在質(zhì)荷比較低的離子之前退出離 子引導(dǎo)器或質(zhì)量分^f器2。然后，可在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)已沒(méi) 有離子后重復(fù)該過(guò)程。
圖8示出了這樣一個(gè)實(shí)施例其中布置于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 的出口處的兩個(gè)環(huán)形板或電極5a或5b的直徑優(yōu)選地小于組成離子引導(dǎo)器 或質(zhì)量分析器2的剩*分的電極2a的直徑。質(zhì)量選擇性的偽勢(shì)壘優(yōu)選 地以與上文參照?qǐng)D5描述的實(shí)施例相似的方式形成于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量 分析器2的出口處。圖8中所示實(shí)施例優(yōu)選地具有如下優(yōu)點(diǎn)與圖5中所 示實(shí)施例相比，產(chǎn)生相似幅度的依賴(lài)于質(zhì)量的偽勢(shì)壘所需要的調(diào)制射頻電 勢(shì)的幅度較小。
參照?qǐng)D9A和9B描述在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)產(chǎn)生依賴(lài)于質(zhì) 荷比的偽勢(shì)壘的一種次優(yōu)選方法。離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2優(yōu)選地類(lèi)似 于圖1中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。然而，優(yōu)選地施加于環(huán)電極2a 的所施加射頻電壓或者附加射頻或交流電壓的幅度被優(yōu)選地布置成朝著 離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分4斤器2的出口或沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分^"器2的長(zhǎng) 度逐漸增大。圖9B示出了作為圖9A中所示離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 的透鏡元件的編號(hào)的函數(shù)的附加調(diào)制電壓的最大幅度6和最小幅度7的曲 線。
施加于透鏡元件n的附加時(shí)變電勢(shì)Vn的一般形式可由下式描述
K =/(")cos(o0 (2)
其中n是透鏡元件的索引號(hào)，f(n)是描述元件n的振蕩幅度的函數(shù)，cr是
如果f (n)所描述的附加調(diào)制電勢(shì)的最大幅度以如圖9B所示的非線性 函數(shù)朝著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口增大，則優(yōu)選地將在離子引導(dǎo) 器或質(zhì)量分析器2的出口處形成依賴(lài)于質(zhì)荷比的偽勢(shì)壘，其疊加在由于優(yōu)
何軸向偽勢(shì)波紋上。
才艮據(jù)另 一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)改變離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的特定區(qū)或 部分內(nèi)的或沿著該特定區(qū)或部分的、環(huán)電極2a的內(nèi)直徑與相鄰環(huán)電極之間間距的縱橫比，可生成或產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量選擇性的偽勢(shì)壘?？v橫比
的改變可通過(guò)變更環(huán)電極2a的機(jī)械設(shè)計(jì)并JL/或者通過(guò)改變一連串兩個(gè)或 更多班比鄰環(huán)電極之間的相位關(guān)系或相位來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，如果切換兩個(gè)毗鄰 環(huán)電極以使它們被供應(yīng)調(diào)制電勢(shì)的相同相(而不是調(diào)制電勢(shì)的相反相)， 則離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的該區(qū)或段中的縱橫比亦將在效果上被修 改。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，成對(duì)電極的極性或相位可被切換或反相，以使得離 子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的區(qū)或段的有效縱橫比相對(duì)于沿著離子引導(dǎo)器 或質(zhì)量分析器2的剩余部分維持的縱橫比而變化。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，通過(guò) 連續(xù)地或以別的方式將毗鄰電極或電招i且之間的相位差從例如180度調(diào) 整為0度，可連續(xù)地或以別的方式調(diào)整偽勢(shì)壘的縱橫比以及因此偽勢(shì)壘的 高度。這些方法可與變化所施加的調(diào)制電勢(shì)的幅度和/或頻率的方法結(jié)合 使用。
圖IO示出了本發(fā)明的這樣一個(gè)實(shí)施例其中優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量 分析器2與更高分辨率的質(zhì)量分析器11比如四極質(zhì)量過(guò)濾器串m耦合。 這使得能夠提供總體占空因數(shù)和靈敏度得以提高的質(zhì)脊(5C。來(lái)自離子源的 離子優(yōu)選地積累于離子捕獲器8中，離子捕獲器8優(yōu)選地位于優(yōu)選離子引 導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的上游，然后，優(yōu)選地，通過(guò)使離子捕獲器8的出口 處提供的柵電極9以脈沖方式工作i(U^離子捕獲器8周期性地釋放離子。 然后，從離子捕獲器8釋放或以脈沖形式退出離子捕獲器8的離子優(yōu)選地 被指引i^A優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。由于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量 分析器2的出口處形成的偽勢(shì)壘的存在，離子優(yōu)選地保持軸向限制于優(yōu)選 離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)。在離子i^了優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量》—斤 器2后，優(yōu)選地向優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口電極1施加直流 勢(shì)壘電壓。這優(yōu)選地防止離子向上游經(jīng)由入口電極1中的孔退出優(yōu)選離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)積累了離子 后，優(yōu)選地在構(gòu)成離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的電極上疊加一個(gè)或多個(gè)瞬 態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形，以^f更朝著優(yōu)選 離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的出口驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子。
該一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電 勢(shì)波形的幅度優(yōu)選地隨時(shí)間逐漸增大到最終的最大電壓。優(yōu)選地以離子的 質(zhì)荷比的降序驅(qū)策、驅(qū)動(dòng)或推動(dòng)離子越過(guò)優(yōu)選地布置于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或 質(zhì)量分析器2的出口處的偽勢(shì)壘。優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的輸出 優(yōu)選的是離子的質(zhì)荷比和時(shí)間的函數(shù)。初始時(shí)，質(zhì)荷比較高的離子優(yōu)選地將退出優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析
器2。然后，質(zhì)荷比漸次降^f氐的離子優(yōu)選地將隨后退出離子引導(dǎo)器或質(zhì)量 分析器2。具有特定質(zhì)荷比的離子優(yōu)選地將在較短或較窄的時(shí)間段內(nèi)退出 離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，布置于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或 質(zhì)量分析器2的下游的掃描四極質(zhì)量過(guò)濾器/分析器11的質(zhì)荷比傳送窗優(yōu) 選地與退出離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的離子的質(zhì)荷比同步。結(jié)果，掃描 四極質(zhì)量分析器11的占空因數(shù)得以?xún)?yōu)選地增大。離子檢測(cè)器12優(yōu)選地布 置于四M量分析器11的下游以檢測(cè)離子。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，可以階躍或其它方式增大四極質(zhì)量過(guò)濾器ll的 質(zhì)荷比傳送窗，該質(zhì)荷比傳送窗優(yōu)選地與退出離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 的離子的質(zhì)荷比基本上同步。根據(jù)此實(shí)施例，在只希望測(cè)量或分析具有特 定質(zhì)量或質(zhì)荷比的離子的工作模式下，四極質(zhì)量過(guò)濾器11的傳送效率和 占空因數(shù)可得以增大。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，如圖11中所示，優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器 2可耦合到正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14。優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析 器2優(yōu)選地經(jīng)由又一離子引導(dǎo)器13耦合到飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14。優(yōu)選 地向該又一離子引導(dǎo)器13的電極施加一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或 一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形，以《更傳ili^優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量 分析器2接收到的離子并且以?xún)?yōu)選地維持離子接收順序的方式傳送離子。 因此，離子優(yōu)選地以最優(yōu)方式被向前傳送到飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14。優(yōu) 選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2與飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14的組合優(yōu)選地產(chǎn) 生占空因數(shù)和靈敏度得以提高的總體質(zhì)a。在任何特定瞬間從優(yōu)選離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2輸出的離子優(yōu)選地具有明確的質(zhì)荷比。
該又一 離子引導(dǎo)器13優(yōu)選地將從離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2出現(xiàn)或 接收到的離子劃分成若干個(gè)分立的離子包，該又一離子引導(dǎo)器13接收到 的每個(gè)離子包優(yōu)選地被捕獲于優(yōu)選地沿著該又一離子引導(dǎo)器13的長(zhǎng)度連 續(xù)平移的各單獨(dú)軸向勢(shì)阱內(nèi)。每個(gè)軸向勢(shì)阱因此優(yōu)選地包括具有有限范圍 的質(zhì)荷比的離子。優(yōu)選地沿著該又一離子引導(dǎo)器13的長(zhǎng)度連續(xù)輸送軸向 勢(shì)阱，直到得以朝著正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14辨，放離子或者將離 子釋放到正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器14中。正交加速脈沖優(yōu)選地與來(lái) 自該又一離子引導(dǎo)器13的離子的到達(dá)同步，以使每個(gè)包或阱內(nèi)存在的離 子(其優(yōu)選地具有有限范圍的質(zhì)荷比)到正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器 14中的傳送最大化。才艮據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，偽勢(shì)壘可位于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 的入口處。因而，如果具有特定質(zhì)荷比的離子具有足以克服偽勢(shì)壘的初始 軸向能量，則離子然后將iiX優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。然而，如
果具有特定質(zhì)荷比的離子具有不足以克服偽勢(shì)壘的初始軸向能量，則它們 優(yōu)選地被防止進(jìn)入離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2并且可能從系統(tǒng)丟失。根據(jù) 此實(shí)施例，離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2可被操作為使低質(zhì)量或質(zhì)荷比被截 止。通過(guò)增大或變化依賴(lài)于質(zhì)荷比的勢(shì)壘的幅度或者通過(guò)增大或變化l 優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分斗斤器2的離子的初始軸向能量，可隨時(shí)間變更或 變化低質(zhì)量或質(zhì)荷比截止的特性。可通過(guò)減小施加于電極的射頻電壓的頻 率并力或者通過(guò)增大射頻電壓來(lái)增大偽勢(shì)壘的量值。
圖12示出了又一個(gè)實(shí)施例，其中緊接在入口電極l之后或下游的第 一環(huán)形板或電極15優(yōu)選地由這樣的射頻電壓供應(yīng)來(lái)驅(qū)動(dòng)該射頻電壓供 應(yīng)優(yōu)選地與優(yōu)選地向優(yōu)選地構(gòu)成或組成離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的其 它環(huán)形板或電極2a施加的射頻供應(yīng)分開(kāi)或不同。當(dāng)施加于第一環(huán)形板或 電極15的射頻電壓的幅度相對(duì)于施加于其它環(huán)形板或電極2a的射頻電壓 的幅度而增大時(shí)，優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口處的偽勢(shì)壘的高 度得以?xún)?yōu)選地增大。通過(guò)相對(duì)于施加于離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的其它 電極2a的電勢(shì)的調(diào)制頻率而減小施加于第一環(huán)形板或電極15的射頻調(diào)制 的頻率，可實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的效果。
圖13A示出了當(dāng)向環(huán)形板或電極2a施加最大值為100V且頻率為1 MHz的射頻電壓時(shí)質(zhì)荷比為100的離子所經(jīng)歷的、沿著圖12中所示優(yōu)選 離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的中心軸的時(shí)間平均勢(shì)或偽勢(shì)的曲線。施加于 第一環(huán)形板或電極15的調(diào)制電勢(shì)的最大幅度為400V。所有環(huán)形板或電極 2a、 15上施加的調(diào)制電勢(shì)的相位和頻率相同。圖13B示出了質(zhì)荷比為500 的離子所經(jīng)歷的、沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的中心軸的對(duì)應(yīng)時(shí)間平 均勢(shì)或偽勢(shì)。
圖14示出了沿著z軸的中心切割的、對(duì)于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分 析器2的入口處的區(qū)而言的、在x軸(徑向方向)上從0延伸至lmm的 優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)的徑向和軸向偽勢(shì)的形狀。電壓和頻率 的條件如前面參照上文參照?qǐng)D13描述的實(shí)施例所描述的那樣。
增大離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口處的調(diào)制電勢(shì)的幅度的結(jié)果 是產(chǎn)生具有與離子的質(zhì)荷比成反比例的幅度的偽勢(shì)壘。具有足夠軸向能 量的離子將克服偽勢(shì)壘并將被傳送到優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2中，而軸向能量不足以克服此勢(shì)壘的離子將從系統(tǒng)丟失。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)改變優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口處 或附近布置的一個(gè)或多個(gè)第一電極15上施加的調(diào)制電勢(shì)的幅度和/或頻 率，可掃描、變化或以階躍方式改變低質(zhì)荷比傳送特性。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，如圖15中所示，優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器 2可耦合到離子遷移率分離器或離子遷移率鐠儀15a。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施 例的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2可位于離子遷移率分離器或離子遷移率 鐠儀15a的下游，并且可用來(lái)防止向前傳送具有較低電荷態(tài)的離子而允許 向前傳送具有較高電荷態(tài)的離子，如果離子遷移率分離器或離子遷移率鐠 儀15a與質(zhì)鐠儀或質(zhì)量分析器相組合，則優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 可位于離子遷移率分離器或離子遷移率，> 15a的下游、質(zhì)i普儀或質(zhì)量分 析器的上游。優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2可用來(lái)防止向前傳送具有較 低電荷態(tài)的離子而允許向前傳送具有較高電荷態(tài)的離子以用于后續(xù)的質(zhì) 量分析。
當(dāng)與離子遷移率分離器或離子遷移率鐠儀15a組合使用時(shí)，優(yōu)選離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的區(qū)中提供的偽勢(shì)壘的量值或高度以及因此離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的低質(zhì)荷比截止特性可與離子以脈沖形式進(jìn)入離 子遷移率分離器或離子遷移率鐠儀15a、或離子從離子遷移率分離器或離 子遷移率鐠儀15a出現(xiàn)同步MM皮掃描。在預(yù)定漂移時(shí)間從離子遷移率分離 器或離子遷移率鐠儀15a出現(xiàn)并且質(zhì)量或質(zhì)荷比低于預(yù)定水平的離子可 被排除或防止穿過(guò)優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。此實(shí)施例的一個(gè)重要 應(yīng)用是區(qū)分質(zhì)荷比相同但電荷態(tài)不同的離子。
參照?qǐng)D15,來(lái)自離子源的離子優(yōu)選地積累于離子捕獲器8中。通過(guò) 使離子捕獲器8的出口處布置的柵電極9以脈沖方式工作，可從離子捕獲 器8周期性地^^放離子。然后，離子可以脈沖形式進(jìn)入離子遷移率分離器 或離子遷移率譜儀15a。然后，離子優(yōu)選地通過(guò)離子遷移率分離器或離子 遷移率奢Rl5a。然后，當(dāng)離子通過(guò)離子遷移率分離器或離子遷移率鐠儀 15a時(shí)，優(yōu)選地才艮據(jù)它們的離子遷移率在時(shí)間上分離它們。離子遷移率較 高的離子優(yōu)選地將在離子遷移率較低的離子之前退出離子遷移率分離器 或離子遷移率"^儀15a。
當(dāng)離子退出離子遷移率分離器或離子遷移率"^儀15a時(shí)，優(yōu)選地通過(guò) 維持離子遷移率分離器或離子遷移率語(yǔ)儀15a的出口電極16與優(yōu)選離子 引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口電極17之間的直流電勢(shì)差來(lái)加速離子。進(jìn)入優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的離子優(yōu)選地將經(jīng)歷這樣的偽勢(shì)壘該 偽勢(shì)壘優(yōu)選地具有優(yōu)選地依賴(lài)于離子的質(zhì)荷比的幅度。質(zhì)荷比較低的離子 優(yōu)選地將經(jīng)歷幅度較高的偽勢(shì)壘，而質(zhì)荷比較高的離子優(yōu)選地將經(jīng)歷幅度 較低的偽勢(shì)壘。因而，低于某一質(zhì)荷比的離子優(yōu)選地將不^L傳送到優(yōu)選離 子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2中。優(yōu)選地按照需要進(jìn)一步處理從優(yōu)選離子引導(dǎo) 器或質(zhì)量分析器2向前傳送的離子。例如，離子可被傳送到質(zhì)脊義以用于 后續(xù)的質(zhì)量分析。被防止1優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的離子優(yōu)選 地從系統(tǒng)丟失。
在離子遷移率分離過(guò)程中，可逐漸增大優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器 2的入口內(nèi)或入口處提供的偽勢(shì)壘的量值。圖16示出了作為離子遷移率 漂移時(shí)間的函數(shù)的質(zhì)荷比值的曲線。在任何給定漂移時(shí)間退出離子遷移率 分離器或離子遷移率脊仗15a的單電荷離子與同時(shí)退出離子遷移率分離 器或離子遷移率脊R 15a的多電荷離子相比將具有較低的質(zhì)荷比。因而， 如果優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口處的偽勢(shì)壘的高度被布置成 隨漂移時(shí)間來(lái)被掃描、使得具有比圖16中所示線18所表示的質(zhì)荷比值小 的質(zhì)荷比值的離子被排除，則占主導(dǎo)地只有多電荷離子將"優(yōu)選離子引 導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。單電荷離子優(yōu)選地將丟失。這具有顯著提高多電荷 離子的后續(xù)檢測(cè)的信噪比的有利結(jié)果。
離子遷移率分離器或離子遷移率^ 15a可包括漂移管，其中沿著漂 移管的長(zhǎng)度施加或維持軸向電場(chǎng)。可替選地，離子遷移率分離器或離子遷 移率*^ 15a可包括這樣的離子引導(dǎo)器該離子引導(dǎo)器包括具有孔的多個(gè) 電極，其中一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì) 波形施加于離子遷移率分離器或離子遷移率譜儀的電極。直流或射頻電壓 可施加于電極以將離子限制于中心軸，由此使傳送最大化。離子遷移率分 離器或離子遷移率鐠儀15a的優(yōu)選工作壓力優(yōu)選的是l(T2mbar-102mbar、 更優(yōu)選的是10"mbar-l(^mbar。
優(yōu)選地，通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直 流電壓或電勢(shì)波形施加于組成離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的電極，已根據(jù) 其離子遷移率分離的離子組穿過(guò)優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2而不發(fā) 生分離的損失。這在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2亦耦合到正交加速飛 行時(shí)間質(zhì)量分析器時(shí)是特別有利的。可通過(guò)使質(zhì)量分析器的正交采樣脈沖 與離子到iiit交加速電極同步來(lái)提高占空因數(shù)。
可設(shè)想這樣的其它實(shí)施例其中可在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的長(zhǎng)度內(nèi)或沿著優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的長(zhǎng)度生成或產(chǎn)生多個(gè) 偽勢(shì)壘。這使得能夠以更復(fù)雜的方式操控優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 內(nèi)捕獲的離子群。例如，在填充優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的過(guò)程中 使用的第 一設(shè)備或區(qū)的低質(zhì)荷比截止特性可與用來(lái)允許在優(yōu)選離子引導(dǎo) 器或質(zhì)量分析器2的出口處噴出離子的第二設(shè)備或區(qū)的不同的較高的低 質(zhì)荷比截止特性相組合。這使得能夠在優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2 內(nèi)捕ILt荷比值在兩個(gè)截止值之間的離子。
圖17示出了其中優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2耦合到正交加速飛 行時(shí)間質(zhì)量分析器14的實(shí)驗(yàn)布置。從電噴霧電離源引入連續(xù)離子束。離 子被布置成通過(guò)維持于約10"mbar氬的壓力的第一堆疊環(huán)離子引導(dǎo)器 19.幅度為2V的瞬態(tài)直流電勢(shì)施加于離子引導(dǎo)器19并沿著離子引導(dǎo)器 19的長(zhǎng)度逐漸平移，以便經(jīng)過(guò)和沿著離子引導(dǎo)器19驅(qū)策離子。離子優(yōu)選 地經(jīng)由僅以直流方式工作的出口板20中的孔退出離子引導(dǎo)器19，并經(jīng)由 入口電極21進(jìn)入維持于約10-2mbar氬的壓力的優(yōu)選堆疊環(huán)離子引導(dǎo)器或 質(zhì)量分析器2。離子引導(dǎo)器19的出口板20與優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析 器2的入口板21之間的電勢(shì)差被維持于-2V。在退出優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì) 量分析器2時(shí)，離子通過(guò)轉(zhuǎn)移區(qū)，然后由正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器 14進(jìn)行質(zhì)量分析。向離子引導(dǎo)器19和優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2均 供應(yīng)峰-峰值為200V且頻率為2 MHz的射頻電壓，以便徑向限制離子 于上游離子引導(dǎo)器9和優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)。
除了施加直流電壓以外，優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的入口板 21還耦合到幅度可獨(dú)立變化的獨(dú)立射頻供應(yīng)。該射頻供應(yīng)具有750 MHz 的頻率。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，施加于入口板21的調(diào)制電勢(shì)的幅度從OV增大 到550V峰-峰值。
圖18A-18E示出了通過(guò)連續(xù)注入包括平均分子質(zhì)量為1000的聚乙二 醇和[]\1+111+ = 2034.6的三乙酰環(huán)糊精(Triacetyl-cyclodextrin)在內(nèi)的標(biāo) 準(zhǔn)化合物的混合物而獲得的質(zhì)謙。
圖18A示出了當(dāng)施加于入口板21的射頻電壓的幅度為OV時(shí)記錄的 質(zhì)鐠。圖18B-18E示出了當(dāng)施加于入口板21的射頻電壓的幅度從OV人 工增大到550V峰-峰值的最大值時(shí)獲得的結(jié)果質(zhì)鐠。當(dāng)射頻電壓被設(shè)置 于550V峰-峰值的最大值時(shí)獲得圖18E中所示質(zhì)鐠。對(duì)于所有質(zhì)鐠，強(qiáng) 度被歸一化為同 一值以允許直接比較。
從圖18A-18E可以看出，隨著施加于入口板21的射頻電壓的幅度逐漸增大，越來(lái)越多的低質(zhì)荷比離子被防止iiX優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析 器2，并因此不出現(xiàn)在質(zhì)譜中。當(dāng)如圖18E中所示施加550V峰-峰值的 最大射頻幅度時(shí)，可以看出，大多數(shù)質(zhì)荷比<1800的離子已被去除，而質(zhì) 荷比更高的離子所對(duì)應(yīng)的峰沒(méi)有任何衰減。
將射頻電勢(shì)施加于入口板21產(chǎn)生這樣的依賴(lài)于質(zhì)量的勢(shì)壘該勢(shì)壘 的幅度隨著射頻的幅度的增大而增大。在特定射頻幅度，低于某一質(zhì)荷比 的離子不能克服此偽勢(shì)壘，并因此被防止^優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析 器2。
如果優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的很靠近的元件上施加的交流 電勢(shì)的頻率不同，則在構(gòu)成質(zhì)量選擇性的勢(shì)壘的調(diào)制電勢(shì)與用于徑向限制 離子于優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2內(nèi)的調(diào)制電勢(shì)之間可能存在某種 相互作用。此相互作用可能導(dǎo)致離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2的這些區(qū)內(nèi)的 離子的不穩(wěn)定性。在不希望此相互作用的情形下，不同交流電勢(shì)的區(qū)可由 用直流電勢(shì)而不是用交流電勢(shì)來(lái)供電的電極來(lái)分隔或屏蔽。
根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，優(yōu)選地使用柵電極使離子以脈沖形式1優(yōu)選離 子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2。然而，還可設(shè)想這樣的可替選實(shí)施例其中可 使用例如脈沖式離子源如MALDI離子源，且其中時(shí)間T。對(duì)應(yīng)于激光的 發(fā)射。
才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可在質(zhì)量分離區(qū)之后或下游提供裂解區(qū)或設(shè)備。優(yōu) 選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2與裂解區(qū)或設(shè)備之間的電勢(shì)差可隨著一個(gè) 或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形的幅 度優(yōu)選地斜升而斜降。然后，可優(yōu)化優(yōu)選離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器2，以 便在給定時(shí)間裂解期望質(zhì)荷比范圍的離子。
才艮據(jù)該優(yōu)選實(shí)施例，優(yōu)選地呈一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè) 或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形的形式的電場(chǎng)優(yōu)選地被用來(lái)驅(qū)動(dòng)離子越 過(guò)或跨過(guò)偽勢(shì)壘。根據(jù)其它實(shí)施例，可借助于氣流導(dǎo)致的粘滯阻力來(lái)驅(qū)動(dòng) 離子跨過(guò)偽勢(shì)壘。對(duì)于大于l(T2mbar、優(yōu)選地大于10"mbar的氣壓而言， 氣流導(dǎo)致的粘滯阻力將變得顯著。氣流導(dǎo)致的粘滯阻力亦可與電場(chǎng)導(dǎo)致的 力相組合，該電場(chǎng)比如從一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬 態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形得到的電場(chǎng)。粘滯阻力導(dǎo)致的和電場(chǎng)導(dǎo)致的離子上 的力可被布置成一致地工作，或者可替選地，可被布置成彼此對(duì)立。
雖然已參照諸優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離如所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的范圍情況下，可以對(duì)上文 討論的特定實(shí)施例作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1. 一種質(zhì)量分析器，包括包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器；用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極、以使得在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置；以及用于沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子的裝置；所述質(zhì)量分析器還包括用于將第二交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度。
2. 如權(quán)利要求1所述的質(zhì)量分析器，其中在一工作模式下，質(zhì)荷比 2M1的離子退出所述離子引導(dǎo)器，而質(zhì)荷比〈M2的離子由所述一個(gè)或多 個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱軸向地捕獲或限制于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求2所述的質(zhì)量分析器，其中Ml落在選自于以下范圍 的第一范圍內(nèi)")<100; (ii) 100-200; (iii) 200-300; (iv) 300-400;(v)400-500; (vi)500-600; (vii)600-700; (viii)700-800; (ix)800咖卯0; (x) 900-1000;以及(xi)^000。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的質(zhì)量分析器，其中M2落在選自于以下 范圍的第二范圍內(nèi)")<100; (ii) 100-200; (iii) 200-300; (iv)300-400;(v)400-500; (vi)500-600; (vii)600-700; (viii)700-800; (ix)800-卯0; (x)卯0畫(huà)1000;以及(xi)M000。
5. 如任一前i^5L利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在一工作模式下， 離子以它們的質(zhì)荷比的順序或以它們的質(zhì)荷比的逆序從所述質(zhì)量分析器 依次噴出。
6. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器包 括n個(gè)軸向段，其中n選自于(i) 1畫(huà)10; (ii) 11-20; (iii) 21-30; (iv)31-40; (v) 41-50; (vi) 51-60; (vii) 61-70; (viii) 71-80; (ix) 81-90; (x) 91-100;以及(xi) >100。
7. 如權(quán)利要求6所述的質(zhì)量分析器，其中每個(gè)軸向段包括l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20或 >20個(gè)電極。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的質(zhì)量分析器，其中所述軸向段中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%軸向段的軸向長(zhǎng)度選自于(i)<lmm; (ii) l-2mm; (iii) 2-3mm; (iv) 3國(guó)4mm; (v) 4-5mm; (vi) 5-6mm; (vii) 6-7mm; (viii) 7國(guó)8mm; (ix) 8國(guó)9mm; (x) 9畫(huà)10mm;以及(xi) >10mm。
9. 如權(quán)利要求6、 7或8所述的質(zhì)量分析器，其中所述軸向段中的至 少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90 % 、 95 %或100 %軸向段之間的間距選自于(i) <lmm; (ii) l-2mm; (iii) 2-3mm; (iv) 3畫(huà)4mm; (v) 4國(guó)5mm; (vi) 5國(guó)6mm; (vii) 6國(guó)7mm; (viii) 7國(guó)8mm; (ix) 8-9mm; (x) 9-10mm;以及(xi) >10mm。
10. 如任一前i^K利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器具 有選自于以下長(zhǎng)度的長(zhǎng)度(i)<20mm; (ii) 20-40mm; (iii) 40-60mm;(iv) 60-80mm; (v) 80-lOOmm; (vi) 100誦120mm; (vii) 120畫(huà)140mm; (viii )140-160mm; (ix )160-180mm; (x )180誦200mm;以及(xi )>200mm。
11. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器至 少包括(i) 10-20個(gè)電極;(ii) 20-30個(gè)電極;(iii) 30-40個(gè)電極;(iv) 40-50個(gè)電極；(v) 50-60個(gè)電極；(vi) 60-70個(gè)電極；(vii) 70-80個(gè)電 極；(viii) 80-90個(gè)電極;(ix) 90-100個(gè)電極;(x) 100-110個(gè)電極;(xi) 110-120個(gè)電極；(xii )120-130個(gè)電極；(xiii )130-140個(gè)電極；(xiv )140-150 個(gè)電極；或(xv) >150個(gè)電極。
12. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)電極包括 具有孔的電極，其中在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔。
13. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述電極中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100 0/。電極具有基本上圓形、矩形、正方形或橢圓形的孔。
14. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述電極中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、(95 %或100 %電極具有尺寸基本上相同或面積基本上相同的孔。
15. 如權(quán)利要求1-13中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述 電極中的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%電極具有在沿著所述離子引導(dǎo)器的軸的方向上 尺寸或面積逐漸變大和/或變小的孔。
16. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述電極中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95 %或(100 %電極具有其內(nèi)直徑或XJL選自于以下內(nèi)直徑或尺度的孔(i) Sl.0mm; (ii) S2.0mm; (iii) S3.0mm; (iv) ^4.0mm; (v) ^5.0mm; (vi) (56.0mm; (vii)S7.0mm; (viii) ^8.0mm; (ix)S9.0mm; (x)^10.0mm; 以及(xi) >10.0mm。
17. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述電極中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95°/?；?00%電^目互間隔開(kāi)選自于以下軸向距離的軸向距離(i)小于 或等于5mm; (ii)小于或等于4.5mm; (iii)小于或等于4mm; (iv)小 于或等(3.5111111; (v)小于或等于3mm; (vi)小于或等于2.5mm; (vii) 小于或等于2mm; (viii)小于或等于1.5mm; (ix)小于或等于lmm; (x) 小于或等于(0.8111111; (xi)小于或等于0.6mm; (xii)小于或等于0.4mm;(xiii) 小于或等于0.2mm; (xiv)小于或等于O.lmm;以及(xv)小于 或等于0.25mm。
18. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)電極中的 至少一些電極包括孔，并且其中所述孔的內(nèi)直徑或尺度與相鄰電極之間的 中心到中心軸向間距之比選自于:")<1.0; (ii) 1.0-1.2; (iii) 1.2-1.4;(iv) 1.4-1.6; (v) 1.6-1.8; (vi) 1.8-2.0; (vii) 2.0-2.2; (viii) 2.2-2.4; (ix) 2.4-2.6; (x) 2.6-2.8; (xi) 2.8-3.0; (xii) (3.0-3.2; (xiii) 3.2-3.4;(xiv) 3.4-3.6; (xv) 3.6-3.8; (xvi) 3.8-4.0; (xvii) 4.0-4.2; (xviii) 4.2-4.4; (xix) 4.4-4.6; (xx) 4.6-4.8; (xxi) 4.8-5.0;以及(xxii) >5.0。
19. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述電極中的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95 %或(100 %電極具有選自于以下厚度或軸向長(zhǎng)度的厚度或軸向長(zhǎng)度(i) 小于或等于5mm; (ii)小于或等于4.5mm; (iii)小于或等于4mm; (iv) 小于或等于(3.5mm; (v)小于或等于3mm; (vi)小于或等于2.5mm; (vii) 小于或等于2mm; (viii)小于或等于1.5mm; (ix)小于或等于lmm; (x)小于或等于0.8mm; (xi)小于或等于0.6mm; (xii)小于或等于0.4mm; (xiii)小于或等于0.2mm; (xiv)小于或等于0.1mm;以及(xv)小于 或等于0.25mm。
20. 如權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述 離子引導(dǎo)器包括分段桿集離子引導(dǎo)器。
21. 如權(quán)利要求20所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器包括分 段四極、六極或/^離子引導(dǎo)器或含有八個(gè)以上分段桿集的離子引導(dǎo)器。
22. 如權(quán)利要求20或21所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器包 括具有選自于以下橫截面的橫截面的多個(gè)電極(i)近似或基本上圓形的 橫截面；(ii)近似或基本上雙曲形的面；(iii)弓形或部分圓形的橫截面；(iv)近似或基本上矩形的橫截面；以及(v)近似或基本上正方形的橫 截面。
23. 如權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述 離子引導(dǎo)器包括多個(gè)板電極，其中沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度布置多 組板電極。
24. 如權(quán)利要求23所述的質(zhì)量分析器，其中每組板電極包括第一板 電極和第二板電極，其中所述第一板電極與第二板電極基本上布置于同一 平面上并且布置于所述離子引導(dǎo)器的中心縱軸的任一側(cè)。
25. 如權(quán)利要求24所述的質(zhì)量分析器，還包括用于將直流電壓或電 勢(shì)施加于所述第一板電極和第二板電極以便在第一徑向方向上限制離子 于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置。
26. 如權(quán)利要求24或25所述的質(zhì)量分析器，其中每組電極還包括第 三板電極和第四板電極，其中所述第三板電極與第四板電^本上布置于 同一平面上并且以與所述第一板電極和第二板電極不同的取向布置于所 述離子引導(dǎo)器的中心縱軸的任一側(cè)。
27. 如權(quán)利要求26所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于施加交流或射 頻電壓的裝置被布置成將所述交流或射頻電壓施加于所述第三板電極和 第四板電極以便在第二徑向方向上限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)。
28. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于驅(qū)動(dòng)或驅(qū) 策離子的裝置包括用于將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè) 直流電壓或電勢(shì)波形施加于所述電極中的至少1%、 5%、 10%、 20D/o、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%電極的裝置。
29. 如權(quán)利要求28所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直 流電壓或電勢(shì)或所述一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形產(chǎn)生(i)位壘或勢(shì) 壘；(ii)勢(shì)阱；(iii)多個(gè)位壘或勢(shì)壘；(iv)多個(gè)勢(shì)阱；(v)位壘或勢(shì)壘 與勢(shì)阱的組合；或(vi)多個(gè)位壘或勢(shì)壘與多個(gè)勢(shì)阱的組合。
30. 如權(quán)利要求28或29所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)瞬 態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形包括重復(fù)波形或方波。
31. 如權(quán)利要求28、 29或30所述的質(zhì)量分析器，其中在使用時(shí)多個(gè) 軸向直流勢(shì)阱沿著所述離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度平移，或者多個(gè)瞬態(tài)直流電勢(shì)或 電壓沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度累*拖加于電極。
32. 如權(quán)利要求28-31中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第 一裝置，所述第一裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、 掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、 累進(jìn)或其它方式減小所述一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或所述一個(gè)或 多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度、高度或深度。
33. 如權(quán)利要求32所述的質(zhì)量分析器，其中所述第一裝置被布置成 和適于在時(shí)間段h內(nèi)將所述一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或所述一個(gè) 或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的幅度、高度或深度逐漸增大、逐漸減小、逐 漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者 以階躍、累進(jìn)或其它方式減小^伏。
34. 如權(quán)利要求33所述的質(zhì)量分析器，其中Xi選自于(i) <0.1V; (ii)0.1畫(huà)0,2V; (iii)0.2-0,3V; (iv)0.3-0.4V; (v)0.4-0.5V; (vi)0.5-0.6V; (vii )0.6誦0.7V; (viii )0.7國(guó)0.8V; (ix )0.8-0.9V; (x )0.9國(guó)1.0V; (xi )1.0誦1.5V; (xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi)3.5-4.0V; (xvii)4.0誦4,5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V;(xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
35. 如權(quán)利要求33或34所述的質(zhì)量分析器，其中h選自于:(i )<lms; (ii) l畫(huà)10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40-50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70曙80ms; (x )80國(guó)90ms; (xi )卯-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii )200-300ms; (xiv) 300畫(huà)400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi )500國(guó)600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-900ms;(xx) 900-1000ms; (xxi) l國(guó)2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4國(guó)5s; 以及(xxv) >5s。
36. 如權(quán)利要求28-35中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第 二裝置，所述第二裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、 掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、 累進(jìn)或其它方式減小向所述電極施加所述一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電 勢(shì)或所述一個(gè)或多個(gè)直流電勢(shì)或電壓波形的i^L或速率。
37. 如權(quán)利要求36所述的質(zhì)量分析器，其中所述第二裝置被布置成 和適于在時(shí)間段t2內(nèi)將向所述電極施加所述一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或 電勢(shì)或所述一個(gè)或多個(gè)直流電壓或電勢(shì)波形的速度或速率逐漸增大、逐漸 減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式 增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X2m/s。
38. 如權(quán)利要求37所述的質(zhì)量分析器，其中&選自于(i)<l; (ii) 1-2; (iii) 2-3; (iv)3陽(yáng)4; (v) 4畫(huà)5; (vi) 5-6; (vii) 6-7; (viii) 7-8; (ix) 8-9; (x)9誦10; (xi) 10-11; (xii) 11-12; (xm) 12-13; (xiv) 13-14; (xv) 14-15; (xvi) 15-16; (xvii) 16-17; (xviii) 17-18; (xix) 18-19; (xx) 19-20;(xxi) 20-30; (xxii) 30-40; (xxiii) 40-50; (xxiv) 50-60; (xxv) 60-70; (xxvi) 70-80; (xxvii) 80-卯；(xxviii)卯-100; (xxix) 100-150; (xxx)150-200; (xxxi) 200-250; (xxxii) 250-300; (xxxiii) 300-350; (xxxiv) 350-400; (xxxv) 400-450; (xxxvi) 450-500;以及(xxxvii) >500。
39. 如權(quán)利要求37或38所述的質(zhì)量分析器，其中t2選自于(i )<lms; (ii) l-10ms; (iii) 10國(guó)20ms; (iv) 20國(guó)30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40-50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms; (x )80-卯ms; (xi )90國(guó)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200誦300ms; (xiv) 300誦400ms; (xv)楊畫(huà)500ms; (xvi )500國(guó)600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700國(guó)800ms; (xix )800-卯0ms; (xx)卯0國(guó)1000ms; (xxi) l國(guó)2s; (xxii) 2畫(huà)3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4-5s;以及(xxv) >5s。
40. 如任一前a利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述第一交流或射 頻電壓具有選自于以下幅度的幅度(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V 峰 - 峰值；(iii )100誦150V峰-峰值；(iv )150-200V峰-峰值；(v )200-250V 峰-峰值；(vi) 250畫(huà)300V峰-峰值;(vii) 300國(guó)350V峰-峰值;(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400匪450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；(xi) 500咖550V峰-峰值；(xxii) 550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰 - 峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
41. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述第一交流或射 頻電壓具有選自于以下頻率的頻率(O<100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv) 300國(guó)400kHz; (v) 400-500kHz; (vi) 0.5-l.OMHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5誦2.0MHz; (ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5畫(huà)3.0MHz; (xi) 3.0國(guó)3,5MHz; (xii) 3.5-4.0MHz; (xiii) 4.0-4.5MHz; (xiv) 4.5畫(huà)5.0MHz;(xv) 5.0-5.5MHz; ( xvi) 5.5-6.0MHz; ( xvii) 6.0國(guó)6.5MHz; ( xviii) 6.5畫(huà)7.0MHz; (xix) 7.0-7.5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0畫(huà)8.5MHz;(xxii)8,5-9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5MHz; (xxiv) 9.5-10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
42. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于施加所述 第 一交流或射頻電壓的裝置被布置成將所述第 一交流或射頻電壓施加于 所述多個(gè)電極中的至少1°/。、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35 %、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、 卯％、 95%或100%電極。
43. 如任一前a利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于施加所述 第一交流或射頻電壓的裝置被布置成向軸向相鄰電極或軸向相鄰電極組 供應(yīng)所述第 一 交流或射頻電壓的相反相。
44. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在使用時(shí)沿著所述 離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50 %、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生所述第一軸向時(shí)間平均的或偽 的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
45. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中沿著所述離子引導(dǎo) 器的中心縱軸的至少1%、 5°/。、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生或提供所述多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽 的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
46. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在所述離子引導(dǎo)器 的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供所述多個(gè)第一軸向時(shí) 間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
47. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器具 有長(zhǎng)度L，且在沿著所述離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下位移的位移的 一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或提供所述多個(gè)第 一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì) 壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i)0-0.1L; (ii)0.1-0.2L; (iii)0.2-0,3L; (iv)0.3國(guó)0.4L;(v)0.4隱0,5L; (vi)0,5-0.6L; (vii)0.6-0.7L; (viii)0.7-0.8L; (ix)0.8-0.9L; 以及(x) 0.9-1.0L。
48. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)第一軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱在徑向方向上遠(yuǎn)離所述離子引導(dǎo)器 的中心縱軸而延伸至少rmm，其中r選自于(0<1; (ii)l-2; (iii)2國(guó)3;(iv)3-4; (v)4-5; (vi)5國(guó)6; (vii)6-7; (viii)7-8; (ix)8-9; (x)9畫(huà)10; 以及(xi)MO。
49. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中對(duì)于質(zhì)荷比落在范 圍1-100、 100-200、 200-300、 300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800-900或900-1000內(nèi)的離子，至少1%、 5%、 10%、 20%、 30°/。、 40 %、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或10(T/。的所述第一軸向時(shí)間 平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅度、高度或深度選自于(i)<0.1V;(ii)0.1-0.2V; (iii)0.2-0,3V; (iv)0.3-0.4V; (v)0.4國(guó)0.5V; (vi)0.5畫(huà)0.6V;(vii )0.6-0.7V; (viii )0.7-0.8V; (ix )0.8誦0.9V; (x )0.9誦1.0V; (xi )1.0國(guó)1.5V;(xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5隱4.0V; (xvii) 4.0-4.5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5國(guó)6.0V;(xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
50. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在使用時(shí)沿著所述 離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分每厘米提供或產(chǎn)生至少l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
51. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)第一軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng) 度的、與所述多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最小值。
52. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)第一軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng) 度的、位于與w比鄰電極之間的軸向距離或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng)的軸向 位置的最大值。
53. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述多個(gè)第一軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有對(duì)于特定質(zhì)荷比的離子而言為 基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值，并且其中所述最 小值和/或最大值具有與所述多個(gè)電極的軸向位移或間隔基本上相同或者 是所述多個(gè)電極的軸向位移或間隔的倍數(shù)的周期性。
54. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第三裝置，所述 第三裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增 大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方 式減小施加于所述電極的所述第一交流或射頻電壓的幅度。
55. 如權(quán)利要求54所述的質(zhì)量分析器，其中所述第三裝置被布置成 和適于在時(shí)間段t3內(nèi)將所述第一交流或射頻電壓的幅度逐漸增大、逐漸減 小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X3伏。
56. 如權(quán)利要求55所述的質(zhì)量分析器，其中&選自于(i)〈50V峰 -峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii) 100國(guó)150V峰-峰值；(iv) 150-200V 峰—峰值；(v )200畫(huà)250V峰—峰值；(vi )250畫(huà)300V峰—峰值；(vii )300-350V 峰 - 峰值;(viii )350-400V峰-峰值;(ix M00-450V峰-峰值;(x )450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V峰-峰值；(xxii) 550畫(huà)600V峰-峰值；(xxiii) 600國(guó)650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
57. 如權(quán)利要求55或56所述的質(zhì)量分析器，其中t3選自于:(i )<lms; (ii)l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv)20誦30ms; (v)30誦40ms; (vi)40國(guó)50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms; (x )80-卯ms; (xi )90國(guó)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi )500誦600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700畫(huà)800ms; (xix )800-900ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s;以及(xxv) >5s。
58. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第四裝置，所述 第四裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增 大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方 式減小施加于所述電極的所述第一射頻或交流電壓的頻率。
59. 如權(quán)利要求58所述的質(zhì)量分析器，其中所述第四裝置被布置成 和適于在時(shí)間段t4內(nèi)將施加于所述電極的所述第一射頻或交流電壓的頻 率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、 累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小x4MHz。
60. 如權(quán)利要求59所述的質(zhì)量分析器，其中X4選自于(i )<100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200誦300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400-500kHz; (vi)0,5-1.0MHz; (vii )1.0-1.5MHz; (viii )1.5-2.0MHz; (ix )2.0-2.5MHz;(x) 2,5-3.0MHz; (xi)3.0-3.5MHz; (xii)3.5-4.0MHz; (xiii)4.0-4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0國(guó)5.5MHz; (xvi )5.5-6.0MHz; (xvii )6.0-6.5MHz; (xviii) 6.5-7.0MHz; ( xix ) 7.0-7.5MHz; ( xx ) 7.5-8.0MHz; ( xxi)8.0-8.5MHz; (xxii )8.5-9.0MHz; (xxiii )9.0-9.5MHz; (xxiv )9.5-10.0MHz; 以及(xxv) >10.0MHz。
61. 如權(quán)利要求59或60所述的質(zhì)量分析器，其中t4選自于:(i )<lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10誦20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40醒50ms; (vii )50-60ms; (viii )60隱70ms; (ix )70-80ms; (x )80-90ms; (xi )90-100ms; (xii) 100畫(huà)200ms; (xiii) 200隱300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-卯0ms; (xx) 900畫(huà)1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3畫(huà)4s; (xxiv) 4-5sj以及(xxv) >5s。
62. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述第二交流或射 頻電壓具有選自于以下幅度的幅度(i) <50V峰-峰值；(ii) 50-100V 峰 一 峰值；(iii )100-150V峰—峰值；(iv )150-200V峰 一 峰值；(v )200醒250V 峰-峰值；(vi) 250-300V峰-峰值;(vii) 300-350V峰-峰值；(viii) 350畫(huà)400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；(xi) 500曙550V峰-峰值；(xxii) 550曙600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650國(guó)700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850畫(huà)900V峰 -峰值；(xxix) 900曙950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
63. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述第二交流或射 頻電壓具有選自于以下頻率的頻率(i)<100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200畫(huà)300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400-500kHz; (vi) 0.5-1 .OMHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5-2.0MHz; (ix) 2.0國(guó)2.5MHz; (x) 2.5國(guó)3.0MHz; (xi)， 3.0國(guó)3,5MHz; (xii) 3.5-4.0MHz; (xiii) 4.0國(guó)4.5MHz; (xiv) 4.5誦5.0MHz;(xv) 5.0國(guó)5,5MHz; ( xvi) 5.5-6.0MHz; ( xvii) 6.0-6.5MHz; ( xviii) 6.5曙7.0MHz; (xix) 7.0畫(huà)7.5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0-8.5MHz;(xxii)8,5-9.0MHz; (xxiii) 9.0-9.5MHz; (xxiv) 9.5-10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
64. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于施加所述 第二交流或射頻電壓的裝置被布置成將所述第二交流或射頻電壓施加于 所述多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30°/。、 35 %、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、 卯％、 95%或100%電極和/或所述多個(gè)電極中的至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20、 21、 22、 23、 24、 25、 26、 27、 28、 29、 30、 31、 32、 33、 34、 35、 36、 37、 38、 39、 40、 41、 42、 43、 44、 45、 46、 47、 48、 49、 50或>50個(gè)電極。
65. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于施加所述 第二交流或射頻電壓的裝置被布置成向軸向相鄰電極或軸向相鄰電極組 供應(yīng)所述第二交流或射頻電壓的相反相。
66. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在使用時(shí)沿著所述 離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50 %、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生所述一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間 平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
67. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中沿著所述離子引導(dǎo) 器的中心縱軸的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生或提供所述一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均 的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
68. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在所述離子引導(dǎo)器 的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供所述多個(gè)第二軸向時(shí) 間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
69. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述離子引導(dǎo)器具 有長(zhǎng)度L，且在沿著所述離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下位移的位移的 一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或提供所述多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì) 壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i)0-0.1L; (ii)0.1國(guó)0.2L; (iii)0.2國(guó)0,3L; (iv)0.3-0.4L;(v) 0.4-0.5L; (vi) 0.5誦0.6L; (vii) 0.6畫(huà)0.7L; (viii) 0.7-0.8L; (ix) 0.8-0.9L;以及(x) 0.9-1.0L。
70. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)第 二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱在徑向方向上遠(yuǎn)離所述離子 引導(dǎo)器的中心縱軸而延伸至少rmm，其中r選自于(i) <1; (ii) 1-2;(iii) 2畫(huà)3; (iv) 3-4; (v) 4-5; (vi) 5誦6; (vii) 6-7; (viii) 7-8; (ix) 8-9;(x) 9-10;以及(xi) >10。
71. 如任一前ii^利要求所述的質(zhì)量分析器，其中對(duì)于質(zhì)荷比落在范 圍1-100、 100-200、 200-300、 300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800-卯0或卯O-IOOO內(nèi)的離子，至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40 %、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%的所述一個(gè)或多個(gè)第 二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅度、高度或深度選自于(i) <0.1V; (ii) 0.1-0.2V; (iii) 0.2-0.3V; (iv) 0.3-0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi )0.5國(guó)0.6V; (vii )0.6-0.7V; (viii )0.7國(guó)0.8V; (ix )0.8國(guó)0.9V; (x )0.9國(guó)1.0V;(xi) 1.0-1.5V; (xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi)3,5-4.0V; (xvii) 4.0國(guó)4.5V; (xviii )4.5-5.0V; (xix )5.0畫(huà)5.5V;(xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
72. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在使用時(shí)沿著所述 離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度每厘米提供或產(chǎn)生至少l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)所述第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
73. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)第 二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所述離子引導(dǎo)器的 軸向長(zhǎng)度的、與所述多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最小值。
74. 如任一前i^L利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)第 二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所述離子引導(dǎo)器的 軸向長(zhǎng)度的、位于與毗鄰電極之間的軸向距離或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng) 的軸向位置的最大值。
75. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)第 二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有對(duì)于特定質(zhì)荷比的離子 而言為基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值，并且其中 所述最小值和/或最大值具有與所述多個(gè)電極的軸向位移或間隔基本上相同或者是所述多個(gè)電極的軸向位移或間隔的倍數(shù)的周期性。
76. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述第二幅度小于 或大于所述第一幅度。
77. 如權(quán)利要求76所述的質(zhì)量分析器，其中所述第二幅度與所述第 一幅度之比選自于(i)<l; (ii)>l; (iii) 1-2; (iv)2-3; (v)3國(guó)4; (vi) 4-5; (vii) 5曙6; (viii) 6-7; (ix) 7國(guó)8; (x) 8-9; (xi) 9-10; (xii) 10-11;(xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15; (xvii) 15-16; (xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25; (xxiii) 25-30;(xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50; (xxviii) 50-60;(xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii)卯-100;以及(xxxiii) >100。
78. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第五裝置，所述 第五裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增 大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方 式減小施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的所述第二交流或射頻 電壓的幅度。
79. 如權(quán)利要求78所述的質(zhì)量分析器，其中所述第五裝置被布置成 和適于在時(shí)間段t5內(nèi)將所述第二交流或射頻電壓的幅度逐漸增大、逐漸減 小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增 大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xs伏。
80. 如權(quán)利要求79所述的質(zhì)量分析器，其中xs選自于(i)〈50V峰 一峰值；(ii) 50-100V峰—峰值；(iii) 100-150V峰—峰值；(iv) 150-200V 峰 - 峰值；(v )200-250V峰-峰值；(vi )250-300V峰-峰值；(vii )300-350V 峰 - 峰值;(viii )350-400V峰-峰值;(ix )400-450V峰-峰值;(x )450-500V 峰一峰值5 (xi) 500-550V峰一峰值'，(xxii )550-600V峰_峰值；( xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；( xxvii) 800-850V峰 一 峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值；以及(xxxi) 〉1000V峰-峰值。
81. 如權(quán)利要求79或80所述的質(zhì)量分析器，其中ts選自于:(i )<lms; (ii)l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv)20國(guó)30ms; (v)30-40ms; (vi)40-50ms; (vii )50曙60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms; (x )80-90ms; (xi )90-100ms;(xii) 100-200ms; (xiii) 200曙300ms; (xiv) 300曙400ms; (xv) 400-500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-卯0ms; (xx) 900-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
82. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第六裝置，所述 第六裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增 大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方 式減小施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的所述第二射頻或交流 電壓的頻率。
83. 如權(quán)利要求82所述的質(zhì)量分析器，其中所述第六裝置被布置成 和適于在時(shí)間段t6內(nèi)將施加于所述電極的所述第二射頻或交流電壓的頻 率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、 累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小x6MHz。
84. 如權(quán)利要求83所述的質(zhì)量分析器，其中&選自于(i )<100kHz; (ii) 100國(guó)200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400-500kHz; (vi)0,5-1.0MHz; (vii )1.0-1.5MHz; (viii )1.5-2.OMHz; (ix )2.0-2.5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi) 3.0畫(huà)3.5MHz; (xii) 3.5-4.0MHz; (xiii) 4.0國(guó)4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0-5.5MHz; (xvi )5.5誦6.0MHz; (xvii )6.0-6.5MHz; (xviii) 6.5誦7.0MHz; (xix) 7.0-7.5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi)8.0-8.5MHz; (xxii )8.5-9.0MHz; (xxiii )9.0-9.5MHz; (xxiv )9.5-10.0MHz; 以及(xxv) >10.0MHz。
85. 如權(quán)利要求83或84所述的質(zhì)量分析器，其中t6選自于:(i )<lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10-20ms; (iv) 20誦30ms; (v) 30隱40ms; (vi) 40誦50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70-80ms; (x )80-90ms; (xi )卯隱100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400-500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800-900ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2畫(huà)3s; (xxiii) 3國(guó)4s; (xxiv) 4國(guó)5s;以及(xxv) >5s。
86. 如任一前a利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于將第一直流 電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)所述一個(gè) 或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱包括與軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘或勢(shì)阱相組合的直流軸向勢(shì)壘或勢(shì)阱的裝置。
87. 如權(quán)利要求86所述的質(zhì)量分析器，還包括第七裝置，所述第七 裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、 線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減 小施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的所述第一直流電壓的幅度。
88. 如權(quán)利要求87所述的質(zhì)量分析器，其中所述第七裝置被布置成和適于在時(shí)間段t7內(nèi)將所述第一直流電壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小X7伏。
89. 如權(quán)利要求88所述的質(zhì)量分析器，其中X7選自于(i) <0.1V; (ii)0.1-0,2V; (iii)0.2-0.3V; (iv)0.3國(guó)0.4V; (v)0.4誦0,5V; (vi)0.5-0.6V; (vii )0.6-0.7V; (viii )0.7-0.8V; (ix )0.8國(guó)0.9V; (x )0.9國(guó)1.0V; (xi) 1.0誦1.5V; (xii) 1.5誦2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0誦3.5V; (xvi)3.5-4.0V; (xvii)4.0-4,5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V;(xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; ( xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10肌
90. 如權(quán)利要求88或89所述的質(zhì)量分析器，其中t7選自于:(i )<lms; (ii) l-10ms; (iii) 10國(guó)20ms; (iv) 20誦30ms; (v) 30國(guó)40ms; (vi) 40-50ms; (vii )50-60ms; (viii )60-70ms; (ix )70國(guó)80ms; (x )80-卯ms; (xi )90-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv) 400國(guó)500ms; (xvi )500誦600ms; (xvii )600誦700ms; (xviii )700-800ms; (xix )800國(guó)卯0ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5sj以及(xxv) >5s。
91. 如任一前i^5L利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于將第三交流 或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)沿 著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第三幅度的一個(gè)或 多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置，其中所述第三幅度不同于所述第 一幅度和/或所述第二幅度。
92. 如權(quán)利要求91所述的質(zhì)量分析器，其中所述第三交流或射頻電 壓具有選自于以下幅度的幅度(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii) 100-150V峰-峰值；(iv) 150-200V峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V峰-峰值；(vii) 300國(guó)350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；(xi) 500國(guó)550V峰-峰值；(xxii) 550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰 - 峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii) 800國(guó)850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)卯0隱950V峰-峰值；(xxx) 950-1OOOV峰-峰值；以及(xxxi) MOOOV峰-峰值。
93. 如權(quán)利要求91或92所述的質(zhì)量分析器，其中所述第三交流或射 頻電壓具有選自于以下頻率的頻率(i)<100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200誦300kHz; (iv) 300誦400kHz; (v) 400誦500kHz; (vi) 0.5-1 .OMHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5誦2.0MHz; (ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi) 3.0-3.5MHz; (xii) 3.5-4.0MHz; (xiii) 4.0-4.5MHz; (xiv) 4.5-5.0MHz;(xv) 5.0-5.5MHz; ( xvi) 5.5-6.0MHz; ( xvii) 6.0畫(huà)6.5MHz; ( xviii) 6.5國(guó)7.0MHz; (xix) 7.0-7.5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0國(guó)8,5MHz;(xxii)8.5-9.0MHz; (xxiii)9.0-9.5MHz; (xxiv) 9.5畫(huà)10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
94. 如權(quán)利要求91、 92或93中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其 中所述用于施加所述第三交流或射頻電壓的裝置被布置成將所述第三交 流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20 %、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、 90%、 95%或100%電極。
95. 如權(quán)利要求91-94中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述 用于施加所述第三交流或射頻電壓的裝置被布置成向軸向相鄰電極或軸 向相鄰電^供應(yīng)所述第三交流或射頻電壓的相反相。
96. 如權(quán)利要求91-95中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在使 用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30 %、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％或95%產(chǎn)生所述一個(gè)或多個(gè) 第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
97. 如權(quán)利要求91-96中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中沿著 所述離子引導(dǎo)器的中心縱軸的至少1%、 5%、 10°/。、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90 %或95%產(chǎn)生或提供所述一個(gè)或多個(gè)第三 軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波玟或勢(shì)阱。
98. 如權(quán)利要求91-97中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在所 述離子引導(dǎo)器的上游部分和/或中間部分和/或下游部分產(chǎn)生或提供所述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
99. 如權(quán)利要求91-98中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述 離子引導(dǎo)器具有長(zhǎng)度L，且在沿著所述離子引導(dǎo)器的長(zhǎng)度具有選自于以下 位移的位移的一個(gè)或多個(gè)區(qū)或位置產(chǎn)生或提供所述一個(gè)或多個(gè)第三軸向 時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱(i)0-0.1L; (ii) 0.1-0.2L; (iii) 0.2-0.3L; (iv) 0.3-0.4L; (v) 0.4畫(huà)0.5L; (vi) 0.5-0.6L; (vii) 0.6-0.7L;(viii) 0.7-0.8L; (ix) 0.8畫(huà)0.9L;以及(x) 0.9-1.0L。
100. 如權(quán)利要求91-99中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱在徑向方向 上遠(yuǎn)離所述離子引導(dǎo)器的中心縱軸而延伸至少rmm，其中r選自于(i) <1; (ii) l誦2; (iii) 2-3; (iv) 3-4; (v) 4-5; (vi) 5國(guó)6; (vii) 6-7; (viii) 7畫(huà)8; (ix) 8-9; (x) 9-10;以及(xi) >10。
101. 如權(quán)利要求91-100中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中對(duì) 于質(zhì)荷比落在范圍1-100、 100-200、 200-300、 300-400、 400-500、 500-600、 600-700、 700-800、 800-卯0或卯O-IOOO內(nèi)的離子，至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%的所 述第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的幅度、高度或深度選 自于(i )O.IV; (ii )0.1-0.2V; (iii )0.2-0.3V; (iv )0.3誦0.4V; (v )0.4-0.5V;(vi )0.5誦0.6V; (vii )0.6國(guó)0.7V; (viii )0.7-0.8V; (ix )0.8-0.9V; (x )0.9畫(huà)1.0V;(xi) 1.0-1.5V; (xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv)3.0-3.5V; (xvi )3.5-4.0V; (xvii )4.0國(guó)4,5V; (xviii )4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V; (xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及(xxix) >10.0V。
102. 如權(quán)利要求91-101中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在 使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度每厘米^l供或產(chǎn)生至少l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9或10個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì) 阱。
103. 如權(quán)利要求91-102中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所 述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、與所述多個(gè)電極的軸向位置對(duì)應(yīng)的最小值。
104. 如權(quán)利要求91-103中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有沿著所 述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的、位于與毗鄰電極之間的軸向距離或間隔的基本上50%對(duì)應(yīng)的軸向位置的最大值。
105. 如權(quán)利要求91-104中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱具有對(duì)于特 定質(zhì)荷比的離子而言為基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最 大值，并且其中所述最小值和/或最大值具有與所述多個(gè)電極的軸向位移性。
106. 如權(quán)利要求91-105中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述第三幅度小于或大于所述第 一幅度和/或所述第二幅度。
107. 如權(quán)利要求91-106中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述第三幅度與所述第一幅度之比選自于(i)<l; (ii)>l; (iii)l畫(huà)2; (iv) 2-3; (v)3-4; (vi) 4-5; (vii) 5-6; (viii) 6國(guó)7; (ix) 7畫(huà)8; (x) 8-9; (xi) 9-10; (xii) 10-11; (xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15;(xvii) 15-16; (xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25; (xxiii) 25-30; (xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50; (xxviii) 50-60; (xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii)卯國(guó)100;以及(xxxiii) >100。
108. 如權(quán)利要求91-107中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，其中所 述第三幅度與所述第二幅度之比選自于")<1; (ii)>l; UOl誦2; (iv) 2-3; (v)3-4; (vi) 4-5; (vii) 5-6; (viii) 6-7; (ix) 7-8; (x) 8-9; (xi) 9-10; (xii) 10-11; (xiii) 11-12; (xiv) 12-13; (xv) 13-14; (xvi) 14-15;(xvii) 15-16; (xviii) 16-17; (xix) 17-18; (xx) 18-19; (xxi) 19-20; (xxii) 20-25; (xxiii) 25-30; (xxiv) 30-35; (xxv) 35-40; (xxvi) 40-45; (xxvii) 45-50; (xxviii) 50-60; (xxix) 60-70; (xxx) 70-80; (xxxi) 80-90; (xxxii) 90-100;以及(xxxiii) >100。
109. 如權(quán)利要求91-108中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括 第八裝置，所述第八裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、 掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、 累進(jìn)或其它方式減小施加于所述多個(gè)電極中的所述一個(gè)或多個(gè)電極的所 述第三交流或射頻電壓的幅度。
110. 如權(quán)利要求109所述的質(zhì)量分析器，其中所述第八裝置被布置 成和適于在時(shí)間段t8內(nèi)將所述第三交流或射頻電壓的幅度逐漸增大、逐漸 減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xs伏。
111. 如權(quán)利要求110所述的質(zhì)量分析器，其中xs選自于(i)<50V 峰 - 峰值；(ii )50-100V峰-峰值；(iii )100畫(huà)150V峰-峰值；(iv )150-200V 峰 - 峰值；(v )200-250V峰-峰值;(vi )250-300V峰-峰值；(vii )300-350V 峰—峰值;(viii )350-400V峰 一 峰值;(ix M00-450V峰—峰值;(x M50國(guó)500V 峰-峰值；以及(xi) 〉500V峰-峰值。
112. 如權(quán)利要求110或111所述的質(zhì)量分析器，其中ts選自于(i) <lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10-20ms; (iv) 20畫(huà)30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40-50ms; (vii) 50畫(huà)60ms; (viii) 60-70ms; (ix) 70國(guó)80ms; (x) 80-90ms;(xi)卯-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200國(guó)300ms; (xiv) 300國(guó)400ms; (xv )400國(guó)500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix) 800國(guó)900ms; (xx) 900畫(huà)1000ms; (xxi) l畫(huà)2s; (xxii) 2誦3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
113. 如權(quán)利要求91-112中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括 第九裝置，所述第九裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、 掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、 累進(jìn)或其它方式減小施加于所述多個(gè)電極中的所述一個(gè)或多個(gè)電極的所 述第三射頻或交流電壓的頻率。
114. 如權(quán)利要求113所述的質(zhì)量分析器，其中所述第九裝置被布置 成和適于在時(shí)間段t9內(nèi)將施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的所 述第三射頻或交流電壓的頻率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線 性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其 它方式減小x9MHz。
115. 如權(quán)利要求114所述的質(zhì)量分析器，其中X9選自于:(i )<100kHz; (ii)100-200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv) 300-400kHz; (v) 400-500kHz; (vi)0,5誦1.0MHz; (vii )1.0-1.5MHz; (viii )1.5-2.OMHz; (ix )2.0國(guó)2.5MHz; (x) 2.5畫(huà)3.0MHz; (xi) 3.0-3.5MHz; (xii) 3.5國(guó)4.0MHz; (xiii) 4.0畫(huà)4.5MHz; (xiv )4.5-5.0MHz; (xv )5.0-5.5MHz; (xvi )5.5國(guó)6.0MHz; (xvii )6.0畫(huà)6.5MHz; (xviii) 6.5誦7.0MHz; ( xix ) 7.0-7.5MHz; ( xx ) 7.5陽(yáng)8.0MHz; ( xxi)8.0-8.5MHz; (xxii)8.5醒9.0MHz; (xxiii)9.0-9.5MHz; (xxiv)9.5隱10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
116. 如權(quán)利要求114或115所述的質(zhì)量分析器，其中t9選自于(i) <lms; (ii) l陽(yáng)10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20畫(huà)30ms; (v) 30畫(huà)40ms; (vi) 40誦50ms; (vii) 50-60ms; (viii) 60國(guó)70ms; (ix) 70隱80ms; (x) 80畫(huà)卯ms;(xi)卯-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200誦300ms; (xiv) 300-400ms; (xv )400國(guó)500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix) 800國(guó)900ms; (xx)卯0-1000ms; (xxi) l國(guó)2s; (xxii) 2畫(huà)3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4-5s; 以及(xxv) >5s。
117. 如權(quán)利要求91-116中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括 用于將第二直流電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極、以使得在 ^^吏用時(shí)所述一個(gè)或多個(gè)第三軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱包裝置。
118. 如權(quán)利要求117所述的質(zhì)量分析器，還包括第十裝置，所述第 十裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、 線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減 小施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的所述第二直流電壓的幅度。
119. 如權(quán)利要求118所述的質(zhì)量分析器，其中所述第十裝置被布置 成和適于在時(shí)間段tK)內(nèi)將所述第二直流電壓的幅度逐漸增大、逐漸減小、 逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xw伏。
120. 如權(quán)利要求119所述的質(zhì)量分析器，其中xk)逸自于(i )O.IV; (ii)0.1-0,2V; (iii)0.2-0.3V; (iv)0.3-0.4V; (v)0.4國(guó)0,5V; (vi)0.5畫(huà)0.6V; (vii)0.6誦0.7V; (viii)0.7-0.8V; (ix)0.8-0.9V; (x)0.9陽(yáng)1.0V; (xi)1.0國(guó)1.5V; (xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5-3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi)3.5-4.0V; (xvii)4.0-4,5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V;(xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; ( xxvi) 8.5-9.0V; ( xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5畫(huà)10.0V;以及(xxix) >10.0V。
121. 如權(quán)利要求119或120所述的質(zhì)量分析器，其中tw選自于(i) <lms; (ii) l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30誦40ms; (vi) 40-50ms; (vii) 50國(guó)60ms; (viii) 60-70ms; (ix) 70-80ms; (x) 80-卯ms;(xi) 卯畫(huà)100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200國(guó)300ms; (xiv) 300畫(huà)400ms; (xv)400-500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600-700ms; (xviii )700-800ms; (xix) 800國(guó)卯0ms; (xx) 900醒1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2誦3s; (xxiii)3-4s; (xxiv) 4畫(huà)5s;以及(xxv) >5s。
122. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括第十一裝置， 所述第十一裝置被布置成和適于逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、 線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或 其它方式減小施加于所述離子引導(dǎo)器的所述電極中的至少一些電極的、并 且用以在徑向方向上限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)的直流電壓或電勢(shì)的幅度。
123. 如權(quán)利要求122所述的質(zhì)量分析器，其中所述第十一裝置被布 置成和適于在時(shí)間段tu內(nèi)將施加于所述至少一些電極的所述直流電壓或 電勢(shì)的幅度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、 以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小Xn伏。
124. 如權(quán)利要求123所述的質(zhì)量分析器，其中xn選自于(i)O.lV; (ii) 0.1-0.2V; (iii) 0.2-0.3V; (iv) 0.3誦0.4V; (v) 0.4-0.5V; (vi) 0.5-0.6V; (vii)0.6-0.7V; (viii)0.7-0.8V; (ix)0.8-0.9V; (x)0.9-1.0V; (xi )1.0-1.5V;(xii) 1.5-2.0V; (xiii) 2.0-2.5V; (xiv) 2.5誦3.0V; (xv) 3.0-3.5V; (xvi) 3.5-4.0V; (xvii)4.0-4,5V; (xviii) 4.5-5.0V; (xix) 5.0-5.5V; (xx) 5.5-6.0V;(xxi) 6.0-6.5V; (xxii) 6.5-7.0V; (xxiii) 7.0-7.5V; (xxiv) 7.5-8.0V; (xxv) 8.0-8.5V; (xxvi) 8.5-9.0V; (xxvii) 9.0-9.5V; (xxviii) 9.5-10.0V;以及 (xxix) >10肌
125. 如權(quán)利要求123或124所述的質(zhì)量分析器，其中tu選自于(i) <lms; (ii) l-10ms; (iii) 10-20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30國(guó)40ms; (vi) 40-50ms; (vii) 50-60ms; (viii) 60-70ms; (ix) 70-80ms; (x) 80-卯ms;(xi)卯-100ms; (xii) 100-200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv )400-500ms; (xvi )500國(guó)600ms; (xvii )600國(guó)700ms; (xviii )700-800ms; (xix) 800-卯0ms; (xx) 900-1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2國(guó)3s; (xxiii) 3畫(huà)4s; (xxiv) 4-5sj以及(xxv)〉5s。
126. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于在一工作 模式下將所述離子引導(dǎo)器維持于選自于以下壓力的壓力的裝置(i) 〈1.0xl()4mbar; (ii) <1.0xl02mbar; (iii) <1.0xl03mbar;以及(iv) <1.0xl0_4mbar。
127. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于在一工作 模式下將所述離子引導(dǎo)器維持于選自于以下壓力的壓力的裝置(i) >1.0xl(T3mbar; (ii) >1.0xl0_2mbar; (iii) 〉1.0xl0"mbar; (iv) >lmbar;(v )>10mbar; (vi )>100mbar; (vii )>5.0xl0_3mbar; (viii )>5.0xl0_2mbar; (ix) 104-103mbar; (x) 10_3-l(r2mbar;以及(xi) 1(T2-10"mbar。
128. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括布置成和適于 逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、 累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小經(jīng)過(guò)所述離子引導(dǎo) 器的氣流的裝置。
129. 如任一前a利要求所述的質(zhì)量分析器，其中在一工作模式下， 離子被布置成被捕獲于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)但是在所述離子引導(dǎo)器內(nèi)基本 上不裂解。
130. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于在所述離 子引導(dǎo)器內(nèi)碰撞冷卻或基本上熱化離子的裝置。
131. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括用于在一工作 模式下在所述離子引導(dǎo)器內(nèi)基本上裂解離子的裝置。
132. 如任一前述權(quán)利要求所述的質(zhì)量分析器，還包括布置于所述離 子引導(dǎo)器的入口和/或出口處的一個(gè)或多個(gè)電極，其中在一工作模式下， 所述一個(gè)或多個(gè)電極被布置成使離子以脈沖形式進(jìn)入和/或退出所述離子 引導(dǎo)器。
133. —種質(zhì)*^,包括如任一前i^k利要求所述的質(zhì)量分析器。
134. 如權(quán)利要求133所述的質(zhì)i糾，還包括選自于以下離子源的離 子源(i)電噴霧電離("ESI")離子源；(ii)大氣壓光電離("APPI") 離子源；(iii)大氣壓化學(xué)電離("APCI")離子源；(iv)基質(zhì)輔助激光解 吸電離("MALDI")離子源；(v)激光解吸電離("LDI")離子源；(vi) 大氣壓電離("API")離子源；(vii)硅上解吸電離("DIOS")離子源；(viii)電子沖擊("EI")離子源；(ix)化學(xué)電離("CI")離子源；(x) 場(chǎng)電離("FI")離子源；(xi)場(chǎng)解吸("FD")離子源；(xii)感應(yīng)耦合 等離子體("ICP")離子源；(xiii)快原子轟擊("FAB")離子源；(xiv) 液體二次離子質(zhì)鐠學(xué)("LSIMS")離子源；(xv )解吸電噴霧電離("DESI") 離子源；(xvi)鎳-63放射性離子源；以及(xvii)熱噴霧離子源。
135. 如權(quán)利要求133或134所述的質(zhì)脊仗，還包括連續(xù)或脈沖式離子源。
136. 如權(quán)利要求133、 134或135中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還 包括布置于所述質(zhì)量分析器的上游和/或下游的一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量過(guò)濾器。
137. 如權(quán)利要求136所述的質(zhì)鐠儀，其中所述一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量過(guò)濾 器選自于(i)四極桿集質(zhì)量過(guò)濾器；(ii)飛行時(shí)間質(zhì)量過(guò)濾器或質(zhì)量分 析器；(iii) Wein過(guò)濾器；以及(iv)磁式扇形質(zhì)量過(guò)濾器或質(zhì)量分析器。
138. 如權(quán)利要求133-137中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)鐠儀，還包括布 置于所述質(zhì)量分析器的上游和/或下游的一個(gè)或多個(gè)第二離子引導(dǎo)器或離 子捕獲器。
139. 如權(quán)利要求138所述的質(zhì)鐠儀，其中所述一個(gè)或多個(gè)第二離子 引導(dǎo)器或離子捕獲器選自于(i) 多極桿集或分段多極桿集離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，包括四極 桿集、六極桿集、八極桿集或含有八個(gè)以上桿的桿集；(ii) 離子隨道或離子漏斗式離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，包括具有在 使用時(shí)離子所穿過(guò)的孔的多個(gè)電極或至少2、 5、 10、 20、 30、 40、 50、 60、 70、 80、卯或100個(gè)電極，其中所述電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65 %、 70 o/q、 75%、 80%、 85%、 90%、 95%或100%電極具有尺寸或面積 基本上相同的孔或者尺寸或面積逐漸變大和/或變小的孔；(iii) 平面、板狀或網(wǎng)狀電極的堆或列，其中平面、板狀或網(wǎng)狀電極 的所述堆或列包括多個(gè)或至少2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19或20個(gè)平面、板狀或網(wǎng)狀電極，或者至少 1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80°/。、 85%、卯％、 95%或100%的所 述平面、板狀或網(wǎng)狀電極大致布置于在使用時(shí)離子行進(jìn)的平面上；以及(iv) 離子捕獲器或離子引導(dǎo)器，包括沿著所述離子捕獲器或離子引 導(dǎo)器的長(zhǎng)度軸向布置的多組電極，其中每組電極包括(a)第一和第二電 極以及用于將直流電壓或電勢(shì)施加于所述第一和第二電極以便在第一徑 向方向上限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置；以及(b)第三和第四電 極以及用于將交流或射頻電壓施加于所述第三和第四電極以便在第二徑 向方向上限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置。
140. 如權(quán)利要求138或139所述的質(zhì)鐠儀，其中所述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器包括離子隨道或離子漏斗式離子引導(dǎo)器或離子捕獲器，并且其中所述電極中的至少i%、 5°/。、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85 %、卯％、 95%或100%電極具有選自于以下內(nèi)直徑或>^的內(nèi)直徑或尺 度(i)5l.0mm; (ii)^2.0mm; (iii)^3.0mm; (iv)￡4.0mm; (v)S5.0mm; (vi )￡6.0mm; (vii )^7.0mm; (viii )￡8.0mm; (ix )S9.0mm; (x )^10.0mm; 以及(xi) >10.0mm。
141. 如權(quán)利要求138、 139或140所述的質(zhì)譜儀，其中所述第二離子 引導(dǎo)器或離子捕獲器還包括第四交流或射頻電壓裝置，所述第四交流或射 頻電壓裝置被布置成和適于將交流或射頻電壓施加于所述第二離子引導(dǎo) 器或離子捕獲器的所述多個(gè)電極中的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75 %、 80%、 85°/。、卯％、 95%或100%電極以便徑向限制離子于所述第二 離子引導(dǎo)器或離子捕獲器內(nèi)。
142. 如權(quán)利要求138-141中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，其中所述 第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器被布置成和適于從所述質(zhì)量分析器接收離 子束或組并轉(zhuǎn)換或劃分所述離子束或組，以使得在任何特定時(shí)間至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19 或20個(gè)單獨(dú)的離子包被限制和/或隔離于所述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲 器內(nèi)，并且其中每個(gè)離子包被單獨(dú)地限制和/或隔離于在所述第二離子引 導(dǎo)器或離子捕獲器中形成的單獨(dú)的軸向勢(shì)阱中。
143. 如權(quán)利要求138-142中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還包括布 置成和適于在一工作模式下向上游和/或下游經(jīng)過(guò)或沿著所述第二離子引 導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25 %、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%而驅(qū)策至少一些離子的裝置。
144. 如權(quán)利要求138-143中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還包括瞬 態(tài)直流電壓裝置，所述瞬態(tài)直流電壓裝置被布置成和適于將一個(gè)或多個(gè)瞬 態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)波形施加于構(gòu)成所 述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的所述電極以便向下游和/或上游沿著所 述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 15 %、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%驅(qū)策至少一些離子。
145. 如權(quán)利要求138-144中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)鐠儀，還包括交 流或射頻電壓裝置，所述交流或射頻電壓裝置被布置成和適于將兩個(gè)或更 多相移直流或射頻電壓施加于構(gòu)成所述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的 電極以便向下游和/或上游沿著所述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的軸向 長(zhǎng)度的至少1%、 5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95 %或100%驅(qū)策至少一些離子。
146. 如權(quán)利要求138-145中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還包括布 置成和適于將所述第二離子引導(dǎo)器或離子捕獲器的至少一部分維持于選 自于以下壓力的壓力的裝置:(i) >0.0001mbar; (ii) >0.001mbar; (iii) >0.01mbar; (iv) >0.1mbar; (v) >lmbar; (vi) >10mbar; (vii) >lmbar;(viii) 0.0001-lOOmbar;以及(ix) 0.001-lOmbar,
147. 如權(quán)利要求133-146中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還包括布 置成和適于通it^撞誘發(fā)解離("CID")來(lái)裂解離子的碰撞、裂解或M 設(shè)備。
148. 如權(quán)利要求133-147中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)鐠儀，還包括選 自于以下設(shè)備的碰撞、裂解或反應(yīng)設(shè)備(i)表面誘發(fā)解離("SID")裂 解設(shè)備；(ii)電子轉(zhuǎn)移解離裂解i殳備；(iii)電子捕獲解離裂解i殳備；(iv) 電子碰撞或沖擊解離裂解設(shè)備；(v)光誘發(fā)解離("PID")裂解設(shè)備；(vi) 激光誘發(fā)解離裂解設(shè)備；(vii)紅外輻射誘發(fā)解離設(shè)備；(viii)紫外輻射 誘發(fā)解離設(shè)備；(ix)噴嘴-分液器接口裂解設(shè)備；(x)內(nèi)源裂解設(shè)備；(xi) 離子源碰撞誘發(fā)解離裂解設(shè)備；(xii)熱或溫度源裂解i殳備；(xiii)電場(chǎng) 誘發(fā)裂解設(shè)備；(xiv)磁場(chǎng)誘發(fā)裂解設(shè)備；(xv)酶消化或酶降解裂解設(shè) 備；(xvi)離子-離子反應(yīng)裂解設(shè)備；(xvii)離子-分子反應(yīng)裂解設(shè)備；(xviii)離子-原子M裂解設(shè)備；(xix)離子-亞穩(wěn)離子反應(yīng)裂解設(shè)備； (xx)離子-亞穩(wěn)分子M裂解設(shè)備；(xxi)離子-亞穩(wěn)原子M裂解設(shè) 備;( xxii )用于4吏離子^^以形成加合或產(chǎn)物離子的離子 一 離子^^i殳備；(xxiii) 用于4吏離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-分子>^應(yīng)設(shè)備；(xxiv) 用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-原子^JH殳備；(xxv) 用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)離子反應(yīng)設(shè) 備；(xxvi)用于使離子反應(yīng)以形成加合或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)分子反 應(yīng)設(shè)備；以及( xxvii)用于使離子^S以形成加合或產(chǎn)物離子的離子—亞 穩(wěn)原子>^應(yīng)設(shè)備。
149. 如權(quán)利要求147或148所述的質(zhì)鐠儀，還包括布置成和適于在 所述質(zhì)量分析器的周期時(shí)間內(nèi)或期間逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃 描、線性增大、線性減小、以階躍、累進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累 進(jìn)或其它方式減小所述質(zhì)量分析器與所述碰撞、裂解或反應(yīng)單元之間的電 勢(shì)差的裝置。
150. 如權(quán)利要求133-149中任一權(quán)利要求所述的質(zhì)譜儀，還包括布 置于所述質(zhì)量分析器的上游和/或下游的又一質(zhì)量分析器。
151. 如權(quán)利要求150所述的質(zhì)鐠儀，其中所述又一質(zhì)量分析器選自 于(i)傅立葉變換("FT")質(zhì)量分析器；(ii)傅立葉變換離子回旋共振("FTICR")質(zhì)量分析器；(iii)飛行時(shí)間("TOF")質(zhì)量分析器；(iv) 正交加速飛行時(shí)間("oaTOF")質(zhì)量分析器；(v)軸向加速飛行時(shí)間質(zhì)量 分析器；(vi)磁式扇形質(zhì)脊R; (vii)保羅(Paul)或3D四極質(zhì)量分析 器；(viii) 2D或線性四城量分析器；(ix)彭寧(Penning)捕獲器質(zhì)量 分析器；(x)離子捕獲器質(zhì)量分析器；(xi)傅立葉變換軌道捕獲器；(xii) 靜電離子回旋共振質(zhì)脊仗；(xm)靜電傅立葉變M脊仗；以及(xiv)四 極桿集質(zhì)量過(guò)濾器或質(zhì)量分析器。
152. 如權(quán)利要求150或151所述的質(zhì)鐠儀，還包括布置成和適于在 所述質(zhì)量分析器的周期時(shí)間內(nèi)或期間與所述質(zhì)量分析器的工作同步地逐 漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階躍、累 進(jìn)或其它方式增大或者以階躍、累進(jìn)或其它方式減小所述又一分析器的質(zhì) 荷比傳送窗的裝置。
153. —種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括 提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器；將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極，以使 得沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生多個(gè)第一軸向時(shí)間 平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子；并且將第二交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極，以 使得沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)第二 軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱，其中所述第二幅度不同于所 述第一幅度。
154. —種質(zhì)量分析器，包括離子引導(dǎo)器，包括具有孔的多個(gè)電極，其中在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔; 用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極以便徑向限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)的裝置；以及用于將第二不同交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多 個(gè)電極、以使得在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn) 生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。
155. —種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供離子引導(dǎo)器，其中所述離子引導(dǎo)器包括具有離子所穿過(guò)的孔的多 個(gè)電極；將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極以 4更徑向限制離子于所述離子引導(dǎo)器內(nèi)；并且將第二不同交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極，以使得沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè) 軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
156. —種質(zhì)量分析器，包括包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有孔的電極， 在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔；用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極、 以使得軸向相鄰電極組被供應(yīng)所述第一交流或射頻電壓的相反相、并且其 中在^^用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一 幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置；以及用于將施加于一個(gè)或多個(gè)軸向相鄰電極組的所述第一交流或射頻電 壓的極性反相、以使得在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一 部分產(chǎn)生具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì) 波紋或勢(shì)阱的裝置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度。
157. 如權(quán)利要求156所述的質(zhì)量分析器，其中每個(gè)電極組包括l、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10或>10個(gè)電極。
158. —種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有離子所 穿過(guò)的孔的電極；將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極，以使得軸向相鄰電;feia被供應(yīng)所述第 一交流或射頻電壓的相反相，并且其中沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；并且將施加于一個(gè)或多個(gè)軸向相鄰電極組的所述第一交流或射頻電壓的 極性反相，以使得沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有 第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱， 其中所述第二幅度不同于所述第 一幅度。
159. —種質(zhì)量分析器，包括包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有孔的電極， 在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔；用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極、 以使得軸向相鄰電極或軸向相鄰電極組被供應(yīng)所述第一交流或射頻電壓 的相>^相、并且其中在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部 分產(chǎn)生具有第一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì) 阱的裝置；用于將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓 或電勢(shì)波形施加于所述多個(gè)電極以便沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的 至少一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子的裝置；用于將施加于成對(duì)軸向相鄰電極或成對(duì)軸向相鄰電極組的所述第一 交流或射頻電壓的極性反相、以使得在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向 長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的 或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅 度；以及用于以線性、階躍或其它方式逐漸減小所述第一交流或射頻電壓的幅 度以便逐漸降低所述一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋 或勢(shì)阱的幅度的裝置。
160. 如權(quán)利要求159所述的質(zhì)量分析器，其中所述用于逐漸減小所 述第一交流或直流電壓的幅度的裝置被布置成在時(shí)間段t12內(nèi)將所述第一 交流或直流電壓的幅度逐漸減小Xu伏。
161. 如權(quán)利要求160所述的質(zhì)量分析器，其中xu選自于(i)<50V 峰 - 峰值；(ii )50-100V峰-峰值；(iii )100-150V峰-峰值；(iv )150-200V峰-峰值；(v )200-250V峰-峰值；(vi )250-300V峰-峰值；(vii )300-350V 峰-峰值;(viii )350-400V峰-峰值;(ix )400畫(huà)450V峰-峰值;(x M50-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V峰-峰值；(xxii) 550-600V峰-峰值；( xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv) 650國(guó)700V峰-峰值；(xxv) 700-750V峰-峰值；(xxvi) 750國(guó)800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-卯0V峰-峰值；(xxix)卯0-950V峰-峰值；(xxx) 950-1000V峰-峰值5 以及(xxxi )〉1000V峰-峰值。
162. 如權(quán)利要求160或161所述的質(zhì)量分析器，其中tu選自于(i) <lms; (ii) 1-lOms; (iii) 10隱20ms; (iv) 20-30ms; (v) 30-40ms; (vi) 40-50ms; (vii) 50-60ms; (viii) 60-70ms; (ix) 70誦80ms; (x) 80-90ms;(xi)卯誦100ms; (xii) 100畫(huà)200ms; (xiii) 200-300ms; (xiv) 300-400ms; (xv )400畫(huà)500ms; (xvi )500-600ms; (xvii )600畫(huà)700ms; (xviii )700-800ms; (xix) 800畫(huà)900ms; (xx)卯0國(guó)1000ms; (xxi) l-2s; (xxii) 2-3s; (xxiii) 3-4s; (xxiv) 4國(guó)5s;以及(xxv) >5s。
163. —種對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器，其中所述多個(gè)電極包括具有離子所 穿過(guò)的孔的電極；將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極中的至少一些電極，以使 得軸向相鄰電極或軸向相鄰電極組被供應(yīng)所述第一交流或射頻電壓的相 ^^相，并且其中沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生具有第 一幅度的多個(gè)第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱；將一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電勢(shì)或一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓或電 勢(shì)波形施加于所述多個(gè)電極以便沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少 一部分驅(qū)動(dòng)或驅(qū)策離子；使施加于成對(duì)軸向相鄰電極或成對(duì)軸向相鄰電極組的所述第一交流 或射頻電壓的極性反相，以使得沿著所述離子引導(dǎo)器的軸向長(zhǎng)度的至少一 部分產(chǎn)生具有第二幅度的一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì) 波紋或勢(shì)阱，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度；并且以線性、階躍或其它方式逐漸減小所述第 一交流或射頻電壓的幅度以 1更逐漸降低所述一個(gè)或多個(gè)第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì) 阱的幅度。
164. —種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，包括多個(gè)電極；用于將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極、以使得在使用時(shí)至 少 一些電極被維持于所述第 一交流或射頻電壓的相反相的裝置；以及用于變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性以l更在 使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生 軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘的裝置。
165. 如權(quán)利要求164所述的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，其中所述用于變化、切換或改變所述一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性的裝置被布置成將所iM目位差或極性變化、切換、改變或掃描e。，其中e選自于(i)<10;(ii) 10-20; (iii) 20-30; (iv) 30-40; (v) 40-50; (vi) 50-60; (vii) 60-70;(viii) 70-80; (ix) 80-90; (x) 90; (xi)卯隱100; (xii) 100-110; (xiii) 110-120; (xiv) 120-130; (xv) 130-140; (xvi) 140-150; (xvii) 150-160;(xviii) 160-170; (xix) 170-180;以及(xx) 180。
166. —種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；將第一交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，以使得至少一些電極被 維持于所述第一交流或射頻電壓的相>11相；并且變化、切換、改變或掃描一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性以^更沿著所 述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生軸向時(shí)間平均 的或偽的勢(shì)壘。
167. 如權(quán)利要求166所述的方法，其中所述變化、切換或改變所述 一個(gè)或多個(gè)電極的相位差或極性的步驟包括將所i^目位差或極性變化、切 換、改變或掃描e。，其中e選自于")<10; (ii) 10-20; (iii) 20-30; (iv) 30-40; (v) 40-50; (vi) 50-60; (vii) 60-70; (viii) 70-80; (ix) 80國(guó)卯；(x)卯；(xi)卯-100; (xii) 100-110; (xiii) 110-120; (xiv) 120-130; (xv) 130-140; (xvi) 140-150; (xvii) 150-160; (xviii) 160-170; (xix) 170-180;以及(xx) 180。
168. —種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，包括 多個(gè)電極；用于將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極的裝置，其中n^2; 用于維持所述多個(gè)電極之間的、所述多個(gè)電極處的或所述多個(gè)電極的第一相位關(guān)系或第一縱橫比的裝置；以及用于改變所述多個(gè)電極的子集之間的、所述子集處的或所述子集的相位關(guān)系或縱橫比、以使得維持所述電極子集之間的、所述子集處的或所述 子集的第二不同相位關(guān)系或第二縱橫比以便在使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均 的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。
169. 如權(quán)利要求168所述的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，其中n選自)7; (vii) 8; (viii) 9;(ix) 10;以及(x) >10。
170. 如權(quán)利要求168或169所述的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，其中 所述第一相位關(guān)系或第一縱橫比具有第一周銀性、模式、序列或值，并且 其中所述第二相位關(guān)系或第二縱橫比具有第二不同周期性、模式、序列或 值。
171. —種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，其中n》2;維持所述多個(gè)電極之間的、所述多個(gè)電極處的或所述多個(gè)電極的第一 相位關(guān)系或第一縱橫比；并且改變所述多個(gè)電極的子集之間的、所述子集處的或所述子集的相位關(guān) 系或縱橫比，以使得維持所述電極子集之間的、所述子集處的或所述子集 的第二不同相位關(guān)系或第二縱橫比以便沿著所述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、 勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
172. —種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器，包括 多個(gè)電極；用于將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極的裝置，其中n^2;以及用于掃描所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的相位或縱橫比以便在 使用時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生 一個(gè)或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱的裝置。65432于32
173. —種引導(dǎo)離子或?qū)﹄x子進(jìn)行質(zhì)量分析的方法，包括提供包括多個(gè)電極的離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器；將n相交流或射頻電壓施加于所述多個(gè)電極，其中i^2;并且掃描所述多個(gè)電極中的一個(gè)或多個(gè)電極的相位或縱橫比以便在使用 時(shí)沿著所述離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器的軸向長(zhǎng)度的至少一部分產(chǎn)生一個(gè) 或多個(gè)軸向時(shí)間平均的或偽的勢(shì)壘、勢(shì)波紋或勢(shì)阱。
全文摘要
公開(kāi)了一種離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器(2)，其包括具有孔的多個(gè)電極(2a)，在使用時(shí)離子穿過(guò)所述孔。在離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器(2)的出口處產(chǎn)生偽勢(shì)壘。偽勢(shì)壘的幅度或深度與離子的質(zhì)荷比成反比例。向離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器(2)的電極(2a)施加一個(gè)或多個(gè)瞬態(tài)直流電壓(4)，以便沿著離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器(2)的長(zhǎng)度驅(qū)策離子。施加于電極(2a)的瞬態(tài)直流電壓(4)的幅度可隨時(shí)間增大，從而使得離子以它們的質(zhì)荷比的逆序從離子引導(dǎo)器或質(zhì)量分析器(2)發(fā)射。
文檔編號(hào)H01J49/32GK101479828SQ200780024103
公開(kāi)日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2007年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者丹尼爾·詹姆斯·肯尼, 史蒂文·德里克·普林格爾, 詹森·李·維爾德古斯, 馬丁·格倫 申請(qǐng)人:英國(guó)質(zhì)譜公司