專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，更具體地說(shuō)，涉及一種等離子 顯示面板的前濾光器。
背景技術(shù)：
根據(jù)多媒體時(shí)代的到來(lái)，需要發(fā)展能夠更細(xì)微地再現(xiàn)更接近自然 色彩的色彩同時(shí)具有更大尺寸的顯示設(shè)備。然而，當(dāng)前的陰極射線管(CRT)在實(shí)現(xiàn)40英寸或更大的屏幕上具有局限性。由于這個(gè)原因， 快速發(fā)展了液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)和投影電視(TV)，這樣，其應(yīng)用可以擴(kuò)展到高質(zhì)量圖像領(lǐng)域。在PDP的情況下，在PDP的驅(qū)動(dòng)運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生對(duì)人體有害的電 磁波。由于這個(gè)原因，為了屏蔽該電磁波，在PDP中的板前表面放置 一前濾光器(front filter)。在下文中，將描述PDP的前濾光器及其問(wèn)題。玻璃型或薄膜型的前濾光器被設(shè)置在PDP的前表面。該前濾光器 包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)波和近紅外射線(NIR)的薄膜，以執(zhí) 行色彩校正和阻止外部入射到PDP的光的反射。傳統(tǒng)地，主要采用玻璃型的前濾光器。盡管玻璃型的前薄膜可以
防止前薄膜由于外部沖擊而受到破壞，但是它具有厚度大，重量大和 高制造成本的缺點(diǎn)。為了克服這樣的缺點(diǎn)，經(jīng)常推薦薄膜型的前濾光 器。下面將描述被包括在前濾光器中的EMI屏蔽膜的結(jié)構(gòu)。該EMI 屏蔽膜由以網(wǎng)格的方式形成在基薄膜上的導(dǎo)電材料所構(gòu)造。該導(dǎo)電材 料可以由框架支撐。該網(wǎng)格結(jié)構(gòu)通過(guò)在玻璃或由聚對(duì)苯二甲酸乙酯 (PET)制成的基薄膜上采用光刻法、蝕刻法或?yàn)R射法構(gòu)圖導(dǎo)電材料薄 膜而形成。然而，上述在PDP中采用的常規(guī)前濾光器具有下述的問(wèn)題。首先，由于前濾光器由包括EMI屏蔽膜、NIR屏蔽膜等的多層構(gòu) 成，因此它包括復(fù)雜的過(guò)程和制造成本的增加。第二，由于前濾光器在由玻璃或薄膜的支撐的狀態(tài)下被結(jié)合到前 玻璃，因此它包括重量的增加和制造成本的增加。第三，前濾光器對(duì)于施加到PDP的前玻璃的沖擊呈現(xiàn)低減震作用。第四，當(dāng)前濾光器被結(jié)合到PDP的上部玻璃上時(shí)容易發(fā)生柵格間 距的未對(duì)準(zhǔn)或柵格圖案的變形，這樣可以降低PDP的可見(jiàn)光透光率。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板及其制造方法，其實(shí)質(zhì)上 消除了由相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在下面的描述中闡明， 并部分地將在下面的分析基礎(chǔ)上對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員變得顯而易見(jiàn)或 可以從本發(fā)明的實(shí)踐中意識(shí)到。本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)所
寫(xiě)的描述及其權(quán)利要求以及附圖特別指出的結(jié)構(gòu)認(rèn)識(shí)和獲得。為了獲得這些目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體 表述和廣泛描述的，等離子顯示面板包括包括尋址電極、電介質(zhì)、 熒光體和阻擋條(barrier rib)的第一面板；裝配到第一面板的第二面 板，使得阻擋條被置于第一和第二面板之間，該第二面板包括維持電 極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層；和直接耦合到該第二面板的前濾光器，該前 濾光器包括通過(guò)構(gòu)圖導(dǎo)電材料形成的電磁干擾(EMI)屏蔽膜，和填充 在EMI屏蔽膜的圖案之間的基體聚合物。在本發(fā)明的另一方面中，等離子顯示面板包括包括尋址電極、 電介質(zhì)、熒光體和阻擋條的第一面板；裝配到第一面板的第二面板， 使得阻擋條被置于第一和第二面板之間，該第二面板包括維持電極對(duì)、 電介質(zhì)、和保護(hù)層薄膜；和直接耦合到該第二面板的前濾光器，該前 濾光器包括由透明導(dǎo)電材料制成的第一層，和由基體聚合物制成的第 二層。仍然在本發(fā)明的另一方面上，用于制造等離子顯示面板的方法包 括在第一基底上形成尋址電極、電介質(zhì)、阻擋條和熒光體；在第二 基底上形成維持電極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層；裝配第二基底到第一基底， 使得阻擋條被置于第一和第二基底之間；和在第二基底上方形成包括 導(dǎo)電材料和基體聚合物的前濾光器。可以理解的是，本發(fā)明的在前的概括描述和下面的詳細(xì)描述是示 例性和解釋性的，并意味著提供本發(fā)明進(jìn)一步的解釋?zhuān)缢蟮摹?br>

附圖被包括用來(lái)提供本發(fā)明進(jìn)一步的理解，并被結(jié)合和構(gòu)成本申 請(qǐng)的一部分，附解說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋 本發(fā)明的原理，在圖中圖1是部分地圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示面 板的截面圖；圖2是圖示出根據(jù)本發(fā)明的所圖示出的實(shí)施例的等離子顯示面板 的透視圖；和圖3是部分地圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面 板的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。在圖中，各個(gè)層或區(qū)域的厚度被或多或少地夸大示出，以更清楚 地將每一層或區(qū)域與其它層或區(qū)域區(qū)分開(kāi)。還有，在圖中示出的層厚 度比不是實(shí)際的厚度比。同時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一組件例如一層、 薄膜、區(qū)域或基底被認(rèn)為在另一組件"上"時(shí)，它可以直接在另一組 件上或也可以存在中間組件。圖1是部分地圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示面 板的截面圖。參見(jiàn)圖1，示出了前基底110和形成在該前基底110上的 多功能層100。該多功能層100意味著具有至少兩個(gè)功能的層。詳細(xì)地， 該多功能層100意味著一個(gè)由包括在常規(guī)前濾光器中的至少兩個(gè)功能 層的組合構(gòu)成的層，即電磁干擾(EMI)屏蔽膜，近紅外射線(NIR) 屏蔽膜，氖屏蔽染色層和抗反射薄膜。該多功能層100可以直接形成 在等離子顯示面板的前玻璃上?？蛇x地，該多功能層100可以被貼到 以玻璃型前濾光器或薄膜型前濾光器的方式準(zhǔn)備的玻璃或薄膜上。在本發(fā)明示出的實(shí)施例中，該多功能層100包括具有導(dǎo)電材料圖 案結(jié)構(gòu)的EMI屏蔽膜100a，和填充在導(dǎo)電材料圖案結(jié)構(gòu)的圖案中的基 體聚合物100b。在圖1的情況下，該EMI屏蔽膜100a以網(wǎng)格的方式 被構(gòu)圖。然而，該EMI屏蔽膜100a可以被構(gòu)圖以具有條紋型的圖案結(jié) 構(gòu)。對(duì)于導(dǎo)電材料，可以采用銀(Ag)或銅(Cu)。該導(dǎo)電材料圖案
可以具有10到30ym的行寬。當(dāng)導(dǎo)電材料圖案的行寬大于30wm時(shí)， 從熒光體發(fā)出的光可以不希望有地被屏蔽。另一方面，當(dāng)導(dǎo)電材料圖 案的行寬小于10um時(shí)，EMI屏蔽效果可能不足。
每個(gè)以行的方式延伸的導(dǎo)電材料圖案的間隔應(yīng)當(dāng)為150到500P m，優(yōu)選大約300um。 EMI屏蔽膜100a應(yīng)當(dāng)具有限制的行間隔的原因 類(lèi)似于EMI屏蔽膜100a應(yīng)當(dāng)具有限制的行寬的原因?；w聚合物100b 包含NIR屏蔽劑、氖光屏蔽劑、色彩校正劑等。該基體聚合物100b的 厚度可以為10到30ixm。當(dāng)基體聚合物100b過(guò)度厚時(shí)，可以導(dǎo)致體 積增加和重量增加的問(wèn)題。另一方面，當(dāng)基體聚合物100b過(guò)于薄時(shí)， NIR屏蔽劑等的含量可能不足。
對(duì)于NIR屏蔽劑，可以采用二酰亞胺(diimonium)基染料、酞菁 基染料、萘喹啉(naphthalocyanine)基染料、或金屬絡(luò)合物基染料。 對(duì)于氖光屏蔽劑，可以采用卟啉基化合物或喹啉基化合物。該基體聚 合物100b可以通過(guò)粘合劑被耦合到前基底110?？蛇x地，該基體聚合 物100b本身可以包含粘合劑。該粘合劑可以是基于丙烯的粘合劑，也 就是丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸羥乙基酯共聚物粘合劑或丙烯酸丁酯/丙 烯酸共聚物粘合劑。抗反射層(未示出)可以形成在該多功能層100 上，以阻止外部入射到前濾光器的光的反射，和由此而獲得對(duì)比度的 增強(qiáng)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的所圖示出的實(shí)施例的示出等離子顯示面板的 透視圖。在圖2中，上述前濾光器(多功能層)以單層100的方式簡(jiǎn) 單示出。
如圖2所示，本發(fā)明的等離子顯示面板包括成對(duì)形成在前基底110 上同時(shí)沿一個(gè)方向延伸的顯示電極120和130，以構(gòu)成維持電極對(duì)。每 個(gè)顯示電極120或130包括典型地由氧化銦錫(ITO)制成的透明電極 120a或130a，和典型地由金屬材料制成的總線電極120b或130b。該
等離子顯示面板還包括以這個(gè)次序順序地形成在前基110的整個(gè)表面 上的電介質(zhì)層140和保護(hù)層薄膜150，以覆蓋顯示電極120和130。
該前基底110通過(guò)采用研磨和清洗加工，由用于顯示基底的玻璃 而制備。該透明電極120a和130a根據(jù)采用濺射方法或光刻方法，用離 地發(fā)射(lift-off)的方法形成，。該總線電極120b和130b由銀(Ag) 制成。黑矩陣可以形成在保持電極對(duì)上。該黑矩陣可以由包括呈現(xiàn)低 熔點(diǎn)的玻璃和黑色素的材料制成。
該電介質(zhì)層140是上部電介質(zhì)層，形成在具有透明電極和總線電 極的前基底110上。該上部電介質(zhì)層140由具有低熔點(diǎn)的透明玻璃制 成。保護(hù)層150利用氧化鎂而形成在上部電介質(zhì)層140上。該保護(hù)層 150用來(lái)保護(hù)上部電介質(zhì)層140在放電期間不受陽(yáng)(+ )離子的沖擊， 同時(shí)用來(lái)增加二次電子的發(fā)射。
本發(fā)明的等離子顯示面板進(jìn)一步包括后基底210。尋址電極220 形成在后基底210的一個(gè)表面上，使得它們沿垂直于顯示電極120和 130延伸方向的方向延伸。白電介質(zhì)層230也形成在該后基底210的整 個(gè)表面上，以覆蓋尋址電極220。形成在該后基底210的整個(gè)表面上的 該白電介質(zhì)層230由具有低熔點(diǎn)的玻璃和例如Ti02的填料制成。通過(guò) 根據(jù)印刷方法或薄膜層壓法在該后基底210上層疊一層并固化該疊層， 而實(shí)現(xiàn)該白電介質(zhì)層230的形成。
阻擋條240形成在該白電介質(zhì)層230上，這樣每個(gè)阻擋條240被 設(shè)置在相鄰的尋址電極220之間。該阻擋條240可以是條紋型的，井 型的或三角型的。紅(R)、綠(G)和蘭(B)熒光層250形成在該 白電介質(zhì)層230上，這樣每個(gè)熒光層250被設(shè)置在相鄰的阻擋條240 之間。
放電單元被限定在后基底210上的尋址電極220與前基底110上
的顯示電極120和130相交的區(qū)域中。當(dāng)尋址電壓被施加在一個(gè)尋址 電極220和一個(gè)顯示電極120或130之間時(shí)，在相關(guān)的單元發(fā)生尋址 放電，這樣在單元中產(chǎn)生壁電壓。接著，維持電壓被施加到顯示電極 120和130，在產(chǎn)生壁電壓的單元中發(fā)生保持放電。根據(jù)保持放電產(chǎn)生 的真空紫外線激發(fā)相關(guān)單元中的熒光體，使得熒光體發(fā)光。因此，可 見(jiàn)光通過(guò)透明前基底110發(fā)出。由此，在等離子顯示面板上顯示圖像。
圖3是部分地圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面 板的截面圖。類(lèi)似于圖1中的實(shí)施例，這個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板 包括前基底110，和形成在該前基底110上方的多功能層100。然而在 這種情況下，不同于上述實(shí)施例，透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO) 層疊在該前基底110上方，以形成電磁干擾(EMI)屏蔽膜100a?；?體聚合物100b被層疊在EMI屏蔽膜100a上方。該基體聚合物100b的 組成與上述實(shí)施例的相同。還有，該EMI屏蔽膜100a可以不形成在前 基底110的上方，而形成在玻璃或薄膜的上方，如上所述。
下面，將描述根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的等離子顯示面板的功能。
由于根據(jù)本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板包括前濾光器， 該前濾光器包括具有多個(gè)功能的單層，因此與常規(guī)的等離子顯示面板 相比，可以降低制造成本和簡(jiǎn)化制造過(guò)程。還有，可以在前玻璃上直 接形成前濾光器。
下面，將描述制造根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板的方法的實(shí)施例。
首先，在前基底上形成透明電極和總線電極。通過(guò)研磨和清洗用 于顯示基底的玻璃或堿石灰(sodalime)玻璃，制備該前基底。根據(jù)采 用濺射方法的光刻法或采用CVD方法的離地發(fā)射法，利用ITO或Sn02 形成該透明電極。根據(jù)絲網(wǎng)印刷法或光敏粘貼法，利用例如銀(Ag) 的材料形成該總線電極。黑矩陣可以形成在維持電極對(duì)上。該黑矩陣
可以根據(jù)絲網(wǎng)印刷法或光敏粘貼法，利用低熔點(diǎn)玻璃和黑色素形成。
此后，電介質(zhì)形成在具有透明電極和總線電極的前基底上方?？?以根據(jù)絲網(wǎng)印刷法或涂層法，通過(guò)層疊包括低熔點(diǎn)玻璃等的材料，或 層疊印刷電路基板而實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)層的形成。然后保護(hù)層被沉積在電介 質(zhì)層上方?？梢愿鶕?jù)電子束沉積法，濺射法或離子電鍍法，通過(guò)沉積 氧化鎂等而實(shí)現(xiàn)保護(hù)層的形成。
同時(shí)，在后基底上形成尋址電極。通過(guò)研磨和清洗用于顯示基底 的玻璃或堿石灰玻璃制備該后基底。根據(jù)絲網(wǎng)印刷法、光敏粘貼法或 光刻法，利用銀(Ag)形成該尋址電極。在濺射過(guò)程完成后執(zhí)行光刻 法。然后在具有尋址電極的后基底上方形成電介質(zhì)層?？梢愿鶕?jù)絲網(wǎng) 印刷法或?qū)盈B印刷電路基板(green sheet)，通過(guò)層疊包括低熔點(diǎn)玻璃 和例如Ti02的填料的材料而實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)層的形成。為了實(shí)現(xiàn)等離子顯 示面板亮度的增強(qiáng)，優(yōu)選后基底側(cè)的電介質(zhì)層呈現(xiàn)白色。
此后，形成阻擋條以彼此分隔放電單元。阻擋條的材料包括原玻 璃(parent glass)和填料。該原玻璃可以包括PbO和Si02，或可以包 括8203和A1203。該填料可以包括Ti02和A1203。
黑色頂部材料涂在阻擋條上方。該黑色頂部材料包括溶劑、無(wú)機(jī) 粉末和添加劑。該無(wú)機(jī)粉末包括玻璃粉和黑色色素。阻擋條材料和黑 色頂部材料層被構(gòu)圖，以形成阻擋條和黑色頂部。
構(gòu)圖過(guò)程包括掩模、曝光和顯影。也就是，設(shè)置一掩模以覆蓋對(duì) 應(yīng)于尋址電極的區(qū)域，并且隨后執(zhí)行曝光。當(dāng)隨后執(zhí)行顯影和固化工 序時(shí)，僅保留阻擋條材料層和黑色頂部材料層的曝光部分。因此，形 成阻擋條和黑色頂部。當(dāng)黑色頂部材料中包含光阻材料時(shí)，可以更容 易地實(shí)現(xiàn)阻擋條和黑色頂部材料的構(gòu)圖。當(dāng)阻擋條和黑色頂部材料同 時(shí)被固化時(shí)，阻擋條材料的原玻璃和黑色頂部材料的無(wú)機(jī)粉末之間的
結(jié)合力增強(qiáng)。因此在這種情況下，希望提高耐用性。
此后，熒光體被涂在面向放電間隔的后基底側(cè)的電介質(zhì)層的表面 和阻擋條的側(cè)表面上方。執(zhí)行熒光體的涂層，使得在每個(gè)放電單元中 順序地涂有R， G和B熒光體。釆用絲網(wǎng)印刷法或光敏粘貼法執(zhí)行該 涂層。
隨后，包括前基底的上部板被裝配到包括后基底的下部板，使得 阻擋條插入上部和下部板之間。然后封裝該上部和下部板。然后上部 板和下部板之間的間隔被抽成真空，以清除來(lái)自間隔的雜質(zhì)。此后， 將放電氣體注入該間隔。
現(xiàn)在，將描述在前基底上形成前濾光器的過(guò)程。該前濾光器可以 在上部和下部板的裝配之后形成?？蛇x地，該前濾光器可以在上部和 下部板裝配之前形成在上部板上。
首先，在等離子顯示面板的前基底上方形成EMI屏蔽膜。優(yōu)選， 通過(guò)構(gòu)圖導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)EMI屏蔽膜的形成。在這種情況下，優(yōu)選導(dǎo) 電材料被構(gòu)圖以具有網(wǎng)格型結(jié)構(gòu)或條紋型結(jié)構(gòu)?；w聚合物形成在導(dǎo) 電材料圖案之間。可以采用旋涂工序或棒涂工序來(lái)實(shí)現(xiàn)基體聚合物的 形成。如上所述，該基體聚合物優(yōu)選具有多功能層結(jié)構(gòu)。在所示的實(shí) 施例中，該基體聚合物可以包含NIR屏蔽劑、氖光屏蔽劑和色彩校正 劑的混合物。然后，該基體聚合物被固化。這個(gè)實(shí)施例是用于制造上 述等離子顯示面板的方法。因此，該基體聚合物形成為具有10到30 um的厚度。還有，該基體聚合物可以包含粘合劑。抗反射層可以形 成在該基體聚合物上方。基體聚合物、粘合劑和抗反射層的組成與上 述等離子顯示面板的相同。
盡管已描述粘合劑被包含在基體聚合物中，但是它可以具有單獨(dú) 層的形式。在這種情況下，如下執(zhí)行粘合層的形成。
為了制備粘合劑，70到80%的丙烯酸2—乙基己基作為主單體， 20到30%的可與主單體共聚的乙烯不飽和單體丙烯酸2 —羥基乙基， 和0.01到0.5%的2.2-二甲氧基-2-苯乙酰苯氧基(phenylacetophenone) 作為光聚合引發(fā)劑被放入配備有紫外線照射裝置和攪拌裝置的反應(yīng)器 中。該混合物根據(jù)紫外線的照射而聚合，以產(chǎn)生聚合物/單體的混合物 液體，呈現(xiàn)大約10wt^的聚合度。0.2%的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯和 0.1 %的2.2-二甲氧基-2-苯乙酰氧基被添加到在上述過(guò)程中制備的液體 中，以產(chǎn)生光聚合組合物。此后，該光聚合組合物被涂在材料例如DR-101或PSX上方。聚 酯基釋放薄膜作為覆蓋層，被粘貼到光聚合組合物涂層上。此后，使 大約1，000mJ/cn^的紫外線照射到該光聚合組合物涂層上，以光聚合該 光聚合組合物，并且由此獲得粘合劑。制備粘合劑的另一實(shí)施例是制備硅粘合劑的方法。作為硅粘合劑 的實(shí)例，有一方法，用于在包含43.1%的聚二甲基硅氧烷的基底上方 形成薄膜到一定厚度，該薄膜包含能夠獲得粘附力增強(qiáng)的材料，并干 燥該薄膜，以獲得薄膜到基底所希望的粘附力。此后，將描述制造硅壓敏粘合劑(PSA)的方法的實(shí)施例。首先， 制備5份原料，即通過(guò)溶解甲基聚硅氧烷制備的溶液，其包含在濃度 為60%的二甲苯中摩爾比為0.7: 1的(CH3)3Si04和(HO) aSiO(4-ay2， 并具有小于1%的羥基含量，聚二甲基硅氧垸橡膠，其呈現(xiàn)10kPa.S或 更高的粘度，具有小于0.03%的乙烯基含量，并具有終端二甲基乙烯硅 氧'烷方矣(terminal dimethylvinylsiloxy group) ， Me3SiO (Me2SiO) 3 (MeHSiO) 5SiMe3，苯基丁基(phenylbutynol)(反應(yīng)引發(fā)劑)，和 二甲苯。此后，所制備的5份原料以55: 25: 0.4: 0.06: 57.5的比例 混合。此后，氫氯鉑酸-乙烯硅氧烷合成物以對(duì)應(yīng)于0.9wt^的二甲苯溶 液的數(shù)量被添加到混合物溶液。這時(shí)，SiH和SiVi的比例被調(diào)整到20:
1。同時(shí)，通過(guò)溶解甲基聚硅氧垸制備的另一溶液，其包含在濃度為70%的二甲苯中摩爾比為1.2: l的(CH3) 3SiCh,2和(R20) aSiO(4-M/2， 并具有小于1%的羥基含量和小于1%的乙氧基含量。然后所合成的溶 液與上述5份材料的混合物溶液混合，以制備硅PSA。下面，將描述根據(jù)本發(fā)明的制造等離子顯示面板的前濾光器的另 一方法。首先，通過(guò)根據(jù)ITO的濺射，在前基底的上方形成EMI屏蔽膜， 在EMI屏蔽膜上方形成基體聚合物，并固化該基體聚合物而形成前濾 光器?；w聚合物的組成與上述實(shí)施例的相同。這個(gè)實(shí)施例與上述實(shí) 施例相同，僅除了 EMI屏蔽膜通過(guò)ITO的濺射以單獨(dú)層的方式形成。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍 的情況下可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變型和變體。因此，意味著本發(fā)明覆 蓋本發(fā)明的變型和變體，只要它們?cè)诟郊拥臋?quán)利要求和它們的等價(jià)物 的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種等離子顯示面板，包括第一面板，包括尋址電極、電介質(zhì)、熒光體和阻擋條； 第二面板，裝配到第一面板，使得該阻擋條被插入第一和第二面板之間，該第二面板包括維持電極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層；和前濾光器，直接耦合到該第二面板，該前濾光器包括通過(guò)構(gòu)圖導(dǎo)電材料形成的電磁干擾(EMI)屏蔽膜，和填充在該EMI屏蔽膜的圖案之間的基體聚合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該基體聚合物包括近 紅外線屏蔽劑、色彩校正劑和氖光屏蔽劑的至少一種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的等離子顯示面板，其中該近紅外線屏蔽劑是 從由二酰亞胺基染料，酞菁基染料，萘喹啉基染料，和金屬絡(luò)合物基 染料組成的組中選擇的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2的等離子顯示面板，其中氖光屏蔽劑是從由卟 啉基化合物和喹啉基化合物組成的組中選擇的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，進(jìn)一步包括-抗反射層，其形成在基體聚合物的上方。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2的等離子顯示面板，其中該基體聚合物進(jìn)一步 包括粘合劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的等離子顯示面板，其中該粘合劑是包括丙烯 酸丁酯/甲基丙烯酸羥乙基酯共聚物粘合劑或丙烯酸丁酯/丙烯酸共聚 物粘合劑的丙烯基粘合劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該EMI屏蔽膜具有10到30 u m的行寬。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該基體聚合物具有10 到30ixm的厚度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該前濾光器是薄膜 型或玻璃型的。
11. 一種等離子顯示面板，包括第一面板，包括尋址電極、電介質(zhì)，熒光體和阻擋條； 第二面板，裝配到第一面板，使得該阻擋條被插入第一和第二面板之間，該第二面板包括維持電極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層；以及前濾光器，直接耦合到該第二面板，該前濾光器包括由透明導(dǎo)電材料制成的第一層，和由基體聚合物制成的第二層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子顯示面板，其中該透明導(dǎo)電材料是 氧化銦錫(ITO)。
13. —種制造等離子顯示面板的方法，包括 在第一基底上形成尋址電極、電介質(zhì)、阻擋條和熒光體； 在第二基底上形成維持電極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層； 裝配第二基底到第一基底，使得阻擋條被置于第一和第二基底之間；以及在第二基底上方形成包括導(dǎo)電材料和基體聚合物的前濾光器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中形成前濾光器的步驟包括 在第二基底上構(gòu)圖導(dǎo)電材料，以形成電磁干擾(EMI)屏蔽膜；和將基體聚合物注入EMI屏蔽膜的圖案之間，以形成前濾光器。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中通過(guò)在第二基底上設(shè)置掩模，并執(zhí)行濺射過(guò)程以構(gòu)圖該導(dǎo)電材料來(lái)形成該EMI屏蔽膜。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中該EMI屏蔽膜根據(jù)墨水噴射法 或偏置法印出EMI屏蔽膜。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中形成前濾光器的步驟包括 采用透明導(dǎo)電材料，在第二基底上方形成第一層；和 采用基體聚合物，在第一層上方形成第二層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中該前濾光器通過(guò)粘合劑耦合到 第二基底。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中該前濾光器是薄膜型或玻璃型 的，并且耦合到第二基底。
20. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，進(jìn)一步包括 在基體聚合物上方形成抗反射層。
全文摘要
公開(kāi)了一種等離子顯示面板的前濾光器。該等離子顯示面板包括第一面板，其包括尋址電極、電介質(zhì)、熒光體和阻擋條；裝配到第一面板的第二面板，使得阻擋條被置于第一和第二面板之間，該第二面板包括保持電極對(duì)、電介質(zhì)和保護(hù)層；和直接耦合到該第二面板的前濾光器，該前濾光器包括通過(guò)構(gòu)圖導(dǎo)電材料形成的電磁干擾(EMI)屏蔽膜，和填充在EMI屏蔽膜的圖案之間的基體聚合物。
文檔編號(hào)H01J11/26GK101123162SQ20071014946
公開(kāi)日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2007年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月9日
發(fā)明者姜諵錫, 李明遠(yuǎn), 柳炳吉, 裵范鎮(zhèn), 金濟(jì)奭 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社