專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
面放電方式交流型等離子顯示面板(以下稱為PDP)包括把封入有放電氣體的放電空間夾在中間的相互對(duì)置的兩個(gè)玻璃基板，在其中的一側(cè)的玻璃基板上，沿著列方向并列設(shè)置有在行方向上延伸的行電極對(duì)，在另一側(cè)的玻璃基板上，沿著行方向并列設(shè)置有在列方向上延伸的列電極，在放電空間的行電極對(duì)與列電極分別交叉的部分上，形成矩陣狀單位發(fā)光區(qū)域(放電單元)。
并且，在該P(yáng)DP上，在為了覆蓋行電極和列電極而形成的介質(zhì)層上的面向單位發(fā)光區(qū)域內(nèi)的位置上，通過蒸鍍形成具有介質(zhì)層的保護(hù)功能和向單位發(fā)光區(qū)域內(nèi)放出二次電子的功能的氧化鎂(MgO)膜。
作為這種PDP的制造工序中的氧化鎂膜的形成方法，在介質(zhì)層上涂覆混入氧化鎂粉末的膏來形成氧化鎂膜的絲網(wǎng)印刷方法是比較簡(jiǎn)便的方法，所以如特開平6-325696號(hào)公報(bào)所示，對(duì)該方法的應(yīng)用進(jìn)行了研究。
但是，如該現(xiàn)有技術(shù)所述，在利用絲網(wǎng)印刷法涂覆混入了將氫氧化鎂熱處理精制得到的多晶片葉形氧化鎂的膏，由此在PDP形成氧化鎂膜的情況下，該P(yáng)DP的放電特性與利用蒸鍍法形成氧化鎂膜的情況大致相同或僅有略微的提高。
因此，越來越迫切希望能夠在PDP上形成可以進(jìn)一步提高放電特性的氧化鎂膜(保護(hù)膜)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明將解決上述的現(xiàn)有的形成氧化鎂膜的PDP的問題作為一個(gè)課題。
即，本發(fā)明的等離子顯示面板，隔著放電空間相向配置前面基板和背面基板，在該前面基板和背面基板之間設(shè)置有多個(gè)行電極對(duì)；多個(gè)列電極，在與該行電極對(duì)交叉的方向延伸，在與行電極對(duì)的各交叉部分的放電空間形成單位發(fā)光區(qū)域；和熒光體層；并在放電空間內(nèi)封入放電氣體，其特征在于，在面向所述前面基板和背面基板之間的至少單位發(fā)光區(qū)域的部分設(shè)置含有氧化鎂結(jié)晶體的氧化鎂層，該氧化鎂結(jié)晶體被從放電氣體放射的紫外線激勵(lì)，從而放射在230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線，熒光體層被從該氧化鎂層放射的紫外線和從放電氣體放射的紫外線激勵(lì)，從而發(fā)光。
并且，本發(fā)明的PDP，在前面基板和背面基板之間設(shè)置有在行方向延伸的行電極對(duì)；在列方向延伸并且在與行電極對(duì)的交叉部分的放電空間形成放電單元(單位發(fā)光區(qū)域)的列電極；和熒光體層，另外，利用絲網(wǎng)印刷和膠版印刷、配合法？布撒法？、滾涂法等，在與覆蓋行電極對(duì)的介質(zhì)層的放電單元相向的部分涂覆含有氧化鎂結(jié)晶體的膏，或者采用利用噴射法或靜電涂覆法等使氧化鎂結(jié)晶體的粉末附著在與介質(zhì)層的放電單元相向的部分上并形成粉末層等的方法，設(shè)置面向放電單元的結(jié)晶氧化鎂層，借助通過行電極和列電極在放電單元內(nèi)產(chǎn)生的放電，借助從填充在放電空間內(nèi)的放電氣體中的氙氣放射的紫外線進(jìn)行激勵(lì)，由此從結(jié)晶氧化鎂層放射在230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線，把這種PDP作為其最佳實(shí)施方式。
該實(shí)施方式的PDP，設(shè)在面向放電單元的部分的結(jié)晶氧化鎂層，被通過放電產(chǎn)生的電子射線激勵(lì)，進(jìn)行在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)具有峰的陰極發(fā)光，由此可以改善PDP的放電延遲等的放電特性，獲得良好的放電特性。
并且，熒光體層被通過放電單元內(nèi)產(chǎn)生的放電而從放電氣體中的氙氣放射的紫外線激勵(lì)并發(fā)光，并且也被通過從該氙氣放射的紫外線而從結(jié)晶氧化鎂層放射的具有230～250nm峰值波長(zhǎng)的紫外線激勵(lì)并發(fā)光，所以圖像的亮度增加。
另外，從該結(jié)晶氧化鎂層放射的具有230～250nm峰值波長(zhǎng)的紫外線的激勵(lì)效率，在BAM系列藍(lán)色熒光材料因從氙氣放射的真空紫外線而劣化的情況下也不會(huì)降低，所以能夠保持藍(lán)色的熒光體層的發(fā)光效率，經(jīng)常顯示高亮度的圖像。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的實(shí)施例的主視圖。
圖2是圖1的V-V線的剖面圖。
圖3是圖1的W-W1線的剖面圖。
圖4是表示具有立方體單結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的SEM照片圖像的圖。
圖5是表示具有立方體多晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的SEM照片圖像的圖。
圖6是表示在該實(shí)施例中通過涂覆含有氧化鎂單晶體粉末的膏形成的單結(jié)晶氧化鎂層的狀態(tài)的剖面圖。
圖7是表示在該實(shí)施例中由通過氧化鎂單晶體粉末的附著而形成的粉末層所形成的單結(jié)晶氧化鎂層的狀態(tài)的剖面圖。
圖8是表示在該實(shí)施例中把單結(jié)晶氧化鎂層形成在通過蒸鍍形成的氧化鎂層上的變形例的剖面圖。
圖9是表示氧化鎂單晶體的紫外線發(fā)光強(qiáng)度的曲線圖。
圖10是表示比較氧化鎂單晶體和蒸鍍氧化鎂兩者的紫外線發(fā)光強(qiáng)度的曲線圖。
圖11是表示氧化鎂單晶體的發(fā)光光譜的曲線圖。
圖12是表示該實(shí)施例的放電延遲的改善狀態(tài)的曲線圖。
圖13是表示來自氧化鎂單晶體的235nm的CL發(fā)光的峰值強(qiáng)度和放電延遲的關(guān)系的曲線圖。
圖14是表示熒光體層的每種顏色的紫外線的相對(duì)發(fā)光速度的曲線圖。
圖15是表示該實(shí)施例的熒光體層發(fā)光的原理的說明圖。
圖16是表示藍(lán)色熒光材料的相對(duì)發(fā)光效率的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1～圖3表示本發(fā)明的PDP的實(shí)施方式的一實(shí)施例，圖1是示意表示該實(shí)施例的PDP的主視圖，圖2是圖1的V-V線的剖面圖，圖3是圖1的W-W線的剖面圖。
該圖1～圖3所示的PDP，在作為顯示面的前面玻璃基板1的背面，多個(gè)行電極對(duì)(X、Y)在前面玻璃基板1的行方向(圖1的左右方向)延伸著平行排列。
行電極X由形成為T字形狀的由ITO等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Xa；和在前面玻璃基板1的行方向延伸并連接透明電極Xa的狹小基端部的、由金屬膜構(gòu)成的總線電極Xb構(gòu)成。
同樣，行電極Y由形成為T字形狀的由ITO等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極Ya；和在前面玻璃基板1的行方向延伸并連接透明電極Ya的狹小基端部的、由金屬膜構(gòu)成的總線電極Yb構(gòu)成。
該行電極X和Y在前面玻璃基板1的列方向(圖1的上下方向)交替排列，沿著總線電極Xb和Yb并列的各自的透明電極Xa和Ya，向與其相互成對(duì)的對(duì)方的行電極側(cè)延伸，透明電極Xa和Ya的寬邊部的頂邊分別隔著必要寬度的放電間隙g彼此相向。
在前面玻璃基板1的背面，在列方向鄰接的行電極對(duì)(X、Y)的彼此背靠背的總線電極Xb和Yb之間，形成沿著該總線電極Xb、Yb在行方向延伸的黑色或暗色的光吸收層(遮光層)2。
另外，在前面玻璃基板1的背面形成有介質(zhì)層3，以覆蓋行電極對(duì)(X、Y)，在該介質(zhì)層3的背面，在與相互鄰接的行電極對(duì)(X、Y)的背靠背相鄰的總線電極Xb和Yb相向的位置、以及與該相鄰的總線電極Xb和Yb之間的區(qū)域部分相向的位置，和總線電極Xb、Yb平行延伸地形成有在介質(zhì)層3的背面?zhèn)韧怀龅墓钠鸾橘|(zhì)層4。
并且，在該介質(zhì)層3和鼓起介質(zhì)層4的背面?zhèn)?，形成后述的含有具有立方體結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂結(jié)晶體的氧化鎂層5(以下稱為結(jié)晶氧化鎂層)。
該結(jié)晶氧化鎂層5形成于介質(zhì)層3和鼓起介質(zhì)層4的整個(gè)表面上，或其一部分，例如是面向后述的放電單元的部分上。
另外，在圖示例中，表示的是結(jié)晶氧化鎂層5形成于介質(zhì)層3和鼓起介質(zhì)層4的整個(gè)表面的示例。
另一方面，在隔著放電空間S和前面玻璃基板1平行配置的背面玻璃基板6的顯示側(cè)一面上，列電極D彼此隔開規(guī)定的間隔平行排列，被排列成在與各行電極對(duì)(X、Y)的彼此成對(duì)的透明電極Xa和Ya相向的位置上，向與行電極對(duì)(X、Y)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板6的顯示側(cè)一面上，還形成覆蓋列電極D的白色列電極保護(hù)層(介質(zhì)層)7，在該列電極保護(hù)層7上形成隔壁8。
該隔壁8由一對(duì)橫壁8A和縱壁8B形成為大致梯子形狀，一對(duì)橫壁8A在與各行電極對(duì)(X、Y)的總線電極Xb和Yb相向的位置分別在行方向延伸，縱壁8B在鄰接的列電極D之間的中間位置，在一對(duì)橫壁8A之間在列方向延伸，各隔壁8隔著間隙SL在列方向并列設(shè)置，間隙SL在鄰接的其他隔壁8的彼此背靠背相向的橫壁8A之間，在行方向延伸。
并且，借助該梯子狀的隔壁8，前面玻璃基板1和背面玻璃基板6之間的放電空間S，按照形成于和各行電極對(duì)(X、Y)的彼此成對(duì)的透明電極Xa和Ya相向的部分的放電單元C，分別被劃分成方形。
在面向放電空間S的隔壁8的橫壁8A及縱壁8B的側(cè)面和列電極保護(hù)層7的表面形成有熒光體層9，以全部覆蓋這五個(gè)面，該熒光體層9的顏色按照各個(gè)放電單元C被區(qū)分為紅色、綠色、藍(lán)色，這些顏色被排列成在行方向順序并列。
覆蓋鼓起介質(zhì)層4表面的結(jié)晶氧化鎂層5(或在結(jié)晶氧化鎂層5僅形成于和鼓起介質(zhì)層4的放電單元C相向的部分時(shí)，為鼓起介質(zhì)層4)抵接隔壁8的橫壁8A的顯示側(cè)一面(參照?qǐng)D2)，由此鼓起介質(zhì)層4將放電單元C和間隙SL之間分別封閉，但是不抵接縱壁8B的顯示側(cè)一面(參照?qǐng)D3)，在其間形成間隙r，在行方向鄰接的放電單元C之間通過該間隙r彼此連通。
在放電空間S內(nèi)封入包括大于等于10體積％的氙氣的放電氣體。
上述結(jié)晶氧化鎂層5是利用噴射法或靜電涂覆法等方法，把前述的氧化鎂結(jié)晶體附著在介質(zhì)層3和鼓起介質(zhì)層4的背面?zhèn)缺砻嫔闲纬傻?。形成該結(jié)晶氧化鎂層5的氧化鎂結(jié)晶體被電子射線激勵(lì)，由此進(jìn)行在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)(特別是在230～250nm內(nèi)、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光，同時(shí)借助通過放電從氙氣產(chǎn)生的波長(zhǎng)142nm和172nm的真空紫外線進(jìn)行激勵(lì)，放射在230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線。
在該氧化鎂結(jié)晶體中，含有例如將把鎂加熱產(chǎn)生的鎂蒸氣進(jìn)行氣相氧化得到的鎂的單晶體(以下，把該鎂的單晶體稱為氣相法氧化鎂單晶體)。
并且，在該氣相法氧化鎂單晶體中，含有例如圖4的SEM照片圖像所示的具有立方體單結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體，和如圖5的SEM照片圖像所示的具有立方體結(jié)晶體彼此嵌入的結(jié)構(gòu)(即，立方體多結(jié)晶結(jié)構(gòu))的氧化鎂單晶體。
另外，具有該立方體單結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體和具有立方體多結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體通?；旌洗嬖?。
關(guān)于該氣相法氧化鎂單晶體的合成，記載在“材料”1987年11月號(hào)、第36卷第410號(hào)的第1157～1161頁的“使用氣相法的鎂粉末的合成及其性質(zhì)”等中。
該氧化鎂結(jié)晶體如后面所述，有助于縮短PDP的放電延遲時(shí)間等的放電特性的改善和圖像亮度的提高。
并且，氣相法氧化鎂單晶體與利用其他方法得到的氧化鎂單晶體相比，具有純度高并且能夠獲得微粒，而且顆粒凝聚較少等的特征。
在該實(shí)施例中，使用利用BET法測(cè)定的具有平均粒徑大于等于500埃、優(yōu)選大于等于2000埃的粒徑的氣相法氧化鎂單晶體。
圖6表示利用絲網(wǎng)印刷或膠版印刷、分撒法、滾涂法等方法，將含有氣相法氧化鎂單晶體p的膏涂覆在介質(zhì)層3(和鼓起介質(zhì)層4)表面上形成結(jié)晶氧化鎂層5時(shí)的結(jié)構(gòu)。
圖7表示利用采用噴射法或靜電涂覆法等方法使氣相法氧化鎂單晶體p附著在介質(zhì)層3(和鼓起介質(zhì)層4)表面上形成的粉末層，構(gòu)成結(jié)晶氧化鎂層5時(shí)的示例。
在該情況下，例如利用空氣噴射法，使用噴槍，把介質(zhì)(例如特定的乙醇等)中分散有氣相法氧化鎂單晶體p的懸浮液，吹附在介質(zhì)層3(和鼓起介質(zhì)層4)的表面上，使附著氣相法氧化鎂單晶體p，由此形成粉末層。
另外，上述表示僅在介質(zhì)層3和鼓起介質(zhì)層4的表面形成結(jié)晶氧化鎂層5的示例，但如圖8所示，也可以先在介質(zhì)層3(和鼓起介質(zhì)層4)的表面形成蒸鍍氧化鎂層5A，在該蒸鍍氧化鎂層5A上利用噴射法或靜電涂覆法等附著氣相法氧化鎂單晶體p，構(gòu)成形成有結(jié)晶氧化鎂層5的雙層結(jié)構(gòu)。
并且，在圖8中，也可以將蒸鍍氧化鎂層5A和結(jié)晶氧化鎂層5顛倒，在結(jié)晶氧化鎂層5上形成蒸鍍氧化鎂層5A。
上述的PDP在放電單元C內(nèi)進(jìn)行形成圖像用的復(fù)位放電和地址放電、維持放電。
即，在復(fù)位放電期間，在行電極對(duì)(X、Y)的成對(duì)的各透明電極Xa、Ya之間同時(shí)進(jìn)行復(fù)位放電，使介質(zhì)層3的與各放電單元C鄰接的部分的壁電荷全部消去(或在所有部分形成壁電荷)，在后面的地址期間，在行電極Y的透明電極Ya和列電極D之間產(chǎn)生選擇性地址放電，對(duì)應(yīng)要形成的圖像，在介質(zhì)層3形成有壁電荷的發(fā)光單元和介質(zhì)層3的壁電荷被消去的滅燈單元分布于面板表面，然后在后面的維持放電期間，在發(fā)光單元內(nèi)，在行電極對(duì)(X、Y)的成對(duì)的透明電極Xa、Ya之間進(jìn)行維持放電。
并且，通過該維持放電，從放電氣體中的氙氣放射波長(zhǎng)142nm(諧振線)和172nm(分子線)的真空紫外線，顏色被分為紅、綠、蘭三原色的熒光體層7被該真空紫外線激勵(lì)、發(fā)光，由此在面板表面形成圖像。
結(jié)晶氧化鎂層5中包含的氧化鎂結(jié)晶體被通過在放電單元C內(nèi)進(jìn)行的放電而從放電氣體產(chǎn)生的電子射線激勵(lì)，由此進(jìn)行在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)(特別是在230～250nm內(nèi)、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光，同時(shí)被通過由該放電單元C內(nèi)進(jìn)行的放電而從放電氣體中的氙氣產(chǎn)生的波長(zhǎng)142nm和172nm的真空紫外線激勵(lì)，如圖9所示，放射在230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線。
另外，在該230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線，如表示235nm紫外線發(fā)光強(qiáng)度的圖10和表示單結(jié)晶氧化鎂(氣相法氧化鎂單晶體)的發(fā)光光譜的圖11所示，不被利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層(例如圖8的蒸鍍氧化鎂層5A)激勵(lì)。
圖12表示對(duì)PDP僅具有利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層(例如圖8的蒸鍍氧化鎂層5A)時(shí)(曲線a)、僅具有結(jié)晶氧化鎂層5時(shí)(曲線b)、具有利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層(例如圖8的蒸鍍氧化鎂層5A)和結(jié)晶氧化鎂層5的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)(曲線c)的放電延遲時(shí)間，按照規(guī)定的停止時(shí)間進(jìn)行測(cè)試并比較。
在該圖12中，與僅具有利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層時(shí)(曲線a)相比，僅具有結(jié)晶氧化鎂層5時(shí)(曲線b)、以及具有利用通常的蒸鍍法形成的氧化鎂層和結(jié)晶氧化鎂層5的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)(曲線c)的任一情況時(shí)的放電延遲時(shí)間均明顯變短。
由此判明，該放電延遲時(shí)間的縮短起因于形成結(jié)晶氧化鎂層5的氧化鎂晶體(具體講是氣相法氧化鎂單晶體)。
推測(cè)起因于該氧化鎂單晶體的放電延遲時(shí)間縮短的機(jī)制如下。
即，基于該結(jié)晶氧化鎂層5的放電特性的改善被推測(cè)為，進(jìn)行在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)(特別是在230～250nm內(nèi)、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光的氣相法氧化鎂單晶體，具有與該峰值波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的能級(jí)，可以在該能級(jí)長(zhǎng)時(shí)間(數(shù)mscc以上)捕捉在復(fù)位放電時(shí)產(chǎn)生的電子，通過該電子被施加地址電壓而形成的電場(chǎng)取出，從而在放電開始時(shí)快速且充分獲得所需的初期電子，加快放電開始，由此縮短放電延遲時(shí)間。
基于該氧化鎂晶體的放電特性的改善效果(放電延遲時(shí)間的縮短)，隨在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)(特別是在230～250nm內(nèi)、235nm附近)具有峰值的CL發(fā)光的強(qiáng)度的增大而增大。
圖13是表示氧化鎂晶體的CL發(fā)光強(qiáng)度和放電延遲的相關(guān)關(guān)系的曲線圖。
另外，該圖13的數(shù)據(jù)是向形成結(jié)晶氧化鎂層5的氧化鎂晶體直接照射約1kV的電子射線而測(cè)定的數(shù)據(jù)。
根據(jù)該圖13判明，被結(jié)晶氧化鎂層5激勵(lì)的235nm的CL發(fā)光的強(qiáng)度越強(qiáng)，放電延遲時(shí)間越短。
基于該氧化鎂晶體的CL發(fā)光的放電延遲時(shí)間的縮短效果，與氧化鎂晶體的粒徑之間也具有相關(guān)關(guān)系，該氧化鎂晶體的粒徑越大，CL發(fā)光強(qiáng)度越大，放電延遲時(shí)間越短。
這被認(rèn)為是，例如在想要形成粒徑較大的氣相法氧化鎂單晶體時(shí)，由于需要提高使產(chǎn)生鎂蒸氣時(shí)的加熱溫度，鎂與氧氣反應(yīng)的火焰長(zhǎng)度變長(zhǎng)，該火焰與周圍的溫度差變大，從而越是粒徑較大的氣相法氧化鎂單晶體就越形成更多的對(duì)應(yīng)上述的CL發(fā)光的峰值波長(zhǎng)的能級(jí)。
并且，關(guān)于立方體多晶結(jié)構(gòu)的氣相法氧化鎂單晶體，被推測(cè)為包括許多結(jié)晶面缺陷，該面缺陷能級(jí)的存在有助于放電特性的改善。
如上所述，通過維持放電，從放電氣體中的氙氣(Xe)放射146nm(諧振線)或172nm(分子線)的真空紫外線，利用該真空紫外線激勵(lì)PDP的紅、綠、蘭的熒光體層9，進(jìn)行來自各種顏色的熒光體層9的發(fā)光。
此時(shí)，利用通過該維持放電從放電氣體中的氙氣(Xe)放射的真空紫外線，如上所述，從結(jié)晶氧化鎂層5放射在230～250nm范圍具有峰值波長(zhǎng)的紫外線(參照?qǐng)D9～圖11)。
從該單結(jié)晶氧化鎂層5放射的具有230～250nm的峰值波長(zhǎng)的紫外線，如圖14所示，是分別有效激勵(lì)紅、綠、蘭的各熒光體層9并使其發(fā)光的最佳波長(zhǎng)區(qū)域，除從放電氣體中的氙氣(Xe)放射的真空紫外線外，熒光體層9也被從該結(jié)晶氧化鎂層5放射的具有230～250nm的峰值波長(zhǎng)的紫外線激勵(lì)并發(fā)光，由此相應(yīng)地使PDP的圖像亮度增加。
另外，圖14中的曲線A表示紅色熒光體((Y、Gd)BO3:Eu3+)的相對(duì)發(fā)光速度，曲線B表示綠色熒光體(ZnSiO4:Mn2+)的相對(duì)發(fā)光速度，曲線C表示藍(lán)色熒光體(BaMgAl10O17:Eu2+)的相對(duì)發(fā)光速度，另外曲線D表示氧化鎂單結(jié)晶的發(fā)光特性。
圖15表示上述的熒光體層9發(fā)光的原理圖，根據(jù)該圖判明，通過在PDP設(shè)置放射具有230～250nm的峰值波長(zhǎng)的紫外線的結(jié)晶氧化鎂層5，與以往那樣熒光體層9僅依靠從放電氣體中的氙氣(Xe)放射的真空紫外線發(fā)光的情況相比，來自熒光體層9的發(fā)光量增加，PDP的亮度增大。
圖16是表示形成藍(lán)色熒光體層9的BAM系列藍(lán)色熒光材料的紫外線的激勵(lì)波長(zhǎng)和相對(duì)發(fā)光效率的關(guān)系的曲線圖。
在該圖16中，曲線E表示開始照射紫外線時(shí)的BAM系列藍(lán)色熒光材料的相對(duì)發(fā)光效率，曲線F表示照射規(guī)定的時(shí)間的紫外線后的BAM系列藍(lán)色熒光材料的相對(duì)發(fā)光效率。
根據(jù)該圖16判明，在從放電氣體中的氙氣(Xe)放射的146nm和172nm的真空紫外線中，BAM系列藍(lán)色熒光材料因從氙氣放射的真空紫外線照射而劣化，發(fā)光效率降低，但在從結(jié)晶氧化鎂層5放射的230～250nm波長(zhǎng)的紫外線中，即使BAM系列藍(lán)色熒光材料因從氙氣放射的真空紫外線照射而劣化的情況下，該BAM系列藍(lán)色熒光材料的發(fā)光效率也幾乎沒有降低。
這樣，該P(yáng)DP通過設(shè)置結(jié)晶氧化鎂層5，能夠保持藍(lán)色熒光體層9的發(fā)光效率，所以始終能夠顯示高亮度的圖像。
另外，結(jié)晶氧化鎂層5如上所述，未必一定形成為覆蓋薄膜氧化鎂層4的整個(gè)表面，例如，也可以在與行電極X、Y的透明電極Xa、Ya相向的部分或正相反在除與透明電極Xa、Ya相向的部分以外的其他部分等，形成部分圖形。
另外，在上述說明中，說明了把本發(fā)明適用于在前面玻璃基板形成有行電極對(duì)并由介質(zhì)層覆蓋，并且在背面玻璃基板側(cè)形成有熒光體層和列電極的反射型交流PDP的示例，但是本發(fā)明也可以適用于在前面玻璃基板側(cè)形成行電極對(duì)和列電極并由介質(zhì)層覆蓋，并且在背面玻璃基板側(cè)形成熒光體層的反射型交流PDP；或在前面玻璃基板側(cè)形成熒光體層，在背面玻璃基板側(cè)形成行電極對(duì)和列電極并由介質(zhì)層覆蓋的透射型交流PDP；在放電空間的行電極對(duì)和列電極的交叉部分形成放電單元的三電極型交流PDP；在放電空間的行電極和列電極的交叉部分形成放電單元的二電極型交流PDP等的各種形式的PDP。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，隔著放電空間相向配置前面基板和背面基板，在該前面基板和背面基板之間設(shè)置有多個(gè)行電極對(duì)；多個(gè)列電極，在與該行電極對(duì)交叉的方向延伸，在與行電極對(duì)的各交叉部分的放電空間形成單位發(fā)光區(qū)域；和熒光體層；并在放電空間內(nèi)封入放電氣體，其特征在于，在所述前面基板和背面基板之間的至少面向單位發(fā)光區(qū)域的部分上設(shè)置有包含氧化鎂結(jié)晶體的氧化鎂層，該氧化鎂結(jié)晶體通過由從放電氣體放射的紫外線所激勵(lì)，而放射在230～250nm具有峰值波長(zhǎng)的紫外線，熒光體層通過由從該氧化鎂層放射的紫外線和從放電氣體放射的紫外線所激勵(lì)，而發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述放電氣體包括氙氣，氧化鎂結(jié)晶體由通過在放電氣體中產(chǎn)生的放電而從氙氣放射的紫外線所激勵(lì)，而放射以230～250nm的波長(zhǎng)為主的紫外線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述放電氣體包括大于等于10體積％的氙氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述熒光體層由紅色熒光體層和綠色熒光體層、藍(lán)色熒光體層構(gòu)成，該藍(lán)色熒光體層包括BAM系列藍(lán)色熒光體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂結(jié)晶體是通過使對(duì)鎂加熱所產(chǎn)生的蒸氣發(fā)生氣相氧化而生成的單晶體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂結(jié)晶體包括粒徑大于等于2000埃的單晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，所述氧化鎂結(jié)晶體通過電子射線的激勵(lì)，而進(jìn)行在波長(zhǎng)區(qū)域200～300nm內(nèi)具有峰值的陰極發(fā)光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，含有所述氧化鎂結(jié)晶體的氧化鎂層形成于覆蓋行電極對(duì)的介質(zhì)層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，含有所述氧化鎂結(jié)晶體的氧化鎂層形成于通過蒸鍍形成于覆蓋行電極對(duì)的介質(zhì)層上的其他氧化鎂層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示面板。其結(jié)構(gòu)是，在形成于前面玻璃基板和背面玻璃基板之間的面向放電空間的放電單元內(nèi)的位置上，設(shè)置有包含氧化鎂結(jié)晶體的結(jié)晶氧化鎂層，該氧化鎂結(jié)晶體通過從放電氣體中的氙氣放射出的紫外線的激勵(lì)而放射出具有230～250nm的峰值波長(zhǎng)的紫外線，通過由從該氧化鎂層放射出的紫外線和從放電氣體放射出的紫外線的激勵(lì)，使熒光體層發(fā)光。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1767127SQ20051005574
公開日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月27日
發(fā)明者廣田敦士, 林海, 直井太郎, 佐佐木健 申請(qǐng)人:先鋒株式會(huì)社