專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有真空外圍器的顯示裝置，特別涉及能抑制真空外圍器內(nèi)的氣體放出的顯示裝置。
背景技術：
公知的顯示裝置，例如有電視機顯像管、顯示器管等的各種陰極射線管，另外，平面顯示裝置有等離子顯示板、液晶顯示裝置、螢光顯示元件、在平板上具有場致發(fā)射型電子源的場致發(fā)射型顯示裝置(FED)等各種型式平板顯示器。
這些顯示裝置中的具有真空外圍器的顯示裝置，公知的有上述陰極射線管、螢光顯示元件、表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射顯示裝置、場致發(fā)射型顯示裝置等，分別具有良好的特性。
上述陰極射線管，由于具有清晰的圖像再現(xiàn)性，所以，被廣泛用作各種信息處理裝置的顯示裝置。
另外，如場致發(fā)射型顯示裝置那樣的平面型顯示裝置，由于是將2塊平板相對配置而構成的，所以，與已往的陰極射線管相比，具有進深尺寸小得多，重量輕、厚度薄等的優(yōu)點。
在該具有真空外圍器的顯示裝置中，已往的陰極射線管，包括面板部、頸部和漏斗形部。上述板部具有螢光面，該螢光面在其內(nèi)面上具有螢光體像素、包圍該螢光體像素的黑矩陣膜(下面稱為BM膜)、和覆蓋該BM膜及上述螢光體像素的金屬薄膜。上述頸部收容著電子槍，該電子槍具有產(chǎn)生電子束并將該電子束朝螢光面射出的多個電極。上述漏斗形部將上述板部和頸部連接而構成真空外圍器。該漏斗形部，在其內(nèi)壁面上具有內(nèi)裝導電膜。BM膜和內(nèi)裝導電膜的主要成分是石墨。另外，已往的陰極射線管中，外裝著偏轉線圈，該偏轉線圈使得從上述電子槍發(fā)射的電子束在螢光面上掃描。
在這種陰極射線管中，上述內(nèi)裝導電膜，具有對螢光面及電子槍等施加高電壓的導電功能，并且具有吸收二次電子及和吸附該管內(nèi)的氣體功能等。內(nèi)裝導電膜的主要成分是石墨，并且含有能提高該膜強度并提高與漏斗形部玻璃的緊密接合性的硅酸鉀、調節(jié)膜電阻值的氧化鈦、和其它有機質等。
這種陰極射線管的內(nèi)裝導電膜，例如已在下述的專利文獻1及專利文獻等2中公開。
在專利文獻1中，陰極射線管管的內(nèi)裝導電膜具有設在漏斗形部內(nèi)壁面上的高電阻石墨覆蓋膜、與該石墨覆蓋膜接觸地配置的高電壓導入部件、和在上述石墨覆蓋膜的與上述高電壓導入部件接觸附近的電阻值比上述石墨覆蓋膜的低的低電阻石墨覆蓋膜。上述高電阻石墨覆蓋膜由氧化鈦、石墨和水玻璃構成，其比電阻為1～1000Ω·cm。上述低電阻石墨覆蓋膜由氧化鈦、石墨和水玻璃構成，或者由石墨和水玻璃構成，其比電阻為0.001～0.04Ω·cm，可防止管內(nèi)放電，完全不產(chǎn)生導通不良。
另外，在專利文獻2中，設在漏斗形部內(nèi)壁面上的導電性覆蓋膜是以石墨、水玻璃、和氧化鈦為主要成分組成的，通過改變氧化鈦的混合比，得到了能減低放電電流值、耐削性、能吸附氣體的、耐電壓特性及壽命特性好的冷型閃光管。該冷型閃光管具有位于陽極按鈕與電子槍中間部的比電阻為1～10Ω·cm高電阻部、位于板部側的比電阻為0.1Ω·cm以下的低電阻部、以及位于頸部的比電阻為0.1～1Ω·cm的中電阻部，上述頸部具有燈泡支撐接點。
另外，在專利文獻2中，由于不采用氧化鐵，所以，不需要鹵化物對策。
另外，作為平面型顯示裝置的一種、即上述FED中，如專利文獻3所述，真空外圍器是將前面基板、背面基板、以及夾在該兩基板周緣部間的側壁(密封框)密封而構成的。在該真空外圍器內(nèi)，在被上述側壁包圍的區(qū)域內(nèi)配置著多個支承部件(支撐件)，這些支承部件支承作用在上述兩基板上的大氣壓負荷。另外，上述前面基板和背面基板間的間隔設定為數(shù)mm程度。
為了將該真空外圍器內(nèi)保持為高真空，在專利文獻3中，把上述支撐件的高度做得比側壁的高度低，這樣，確保側壁與兩基板的密封可靠性，可將真空外圍器內(nèi)保持高真空，提供了顯示性能好的圖像顯示裝置。
專利文獻1日本特公昭64-5741號公報專利文獻2日本特公平4-43374號公報專利文獻3日本特開2002-358915號公報顯示裝置的大型化、高性能和長壽命化的要求是很苛刻的，因此必須保持真空外圍器內(nèi)的高真空。
為了保持真空外圍器內(nèi)的高真空，在排氣作業(yè)時，進行完全的排氣是最重要的。但是，在工作中，從配置在管內(nèi)的電極類產(chǎn)生氣體是不可避免的，防止動作中的氣體放出所帶來的真空度惡化是不可欠缺的。
在顯示裝置工作中，如果真空度惡化時，真空外圍器內(nèi)的殘留氣體中的一部分被離子化而撞擊電子發(fā)射面，由此，阻礙了電子發(fā)射能力。
管內(nèi)殘留氣體，是從配置在管內(nèi)的電極類、螢光體、BM膜等多個部件產(chǎn)生的。尤其是在陰極射線管內(nèi)，從內(nèi)裝導電膜放出的氣體放出量比較多。內(nèi)裝導電膜覆蓋著從陰極射線管內(nèi)的漏斗形部到頸部的大范圍。
該內(nèi)裝導電膜，如專利文獻2所述，雖然具有吸附管內(nèi)殘留氣體的功能，對含有這些氣體的成分、粒徑、膜電阻值等進行了種種研究，但仍然是放出量高于吸附量，不能完全消除氣體的放出。
因此，為了減少管內(nèi)的殘留氣體，實現(xiàn)顯示裝置長壽命化，抑制從配置在管內(nèi)的例如螢光體像素、BM膜、內(nèi)裝導電膜等放出的氣體量是需要解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能抑制從螢光體像素、BM膜、內(nèi)裝導電膜放出的氣體量、實現(xiàn)長壽命化的顯示裝置。
本發(fā)明的顯示裝置，在螢光體像素和BM膜中的至少一方中含有硼。
另外，本發(fā)明不限定于上述構造，在不脫離權利要求記載的技術思想范圍內(nèi)，可作各種變更。
本發(fā)明，由于能抑制從螢光體像素和BM膜中的至少一方放出氣體，所以，可防止動作中的真空度惡化，防止陰極電子放射面的損傷，可提供高清晰度、長壽命的顯示裝置。
另外，本發(fā)明，由于能抑制從陰極射線管的螢光體像素、BM膜中的至少一方及內(nèi)裝導電膜放出氣體，所以，可防止工作中的真空度惡化，防止陰極電子放射面的損傷，可提供高清晰度、長壽命的顯示裝置。
另外，本發(fā)明，由于能抑制從內(nèi)裝導電膜放出氣體，所以，可縮短排氣時間，提高作業(yè)效率，降低成本。
另外，本發(fā)明中，在平面型顯示裝置中，成為氣體放出源可能性最高的螢光體像素和BM膜配置在前面基板內(nèi)表面的基本整個面上，由于能抑制從螢光體像素和BM膜中的至少一方放出氣體，所以，可防止工作中的真空度惡化，防止陰極電子放射面的損傷，可提供高清晰度、長壽命的平面型顯示裝置。
另外，本發(fā)明，由于螢光體像素、BM膜及內(nèi)裝導電膜，其表面是多孔質，所以，可以用噴射方式覆蓋硼，作業(yè)性好。
另外，本發(fā)明，通把硼加入到螢光體像素、BM膜及內(nèi)裝導電膜制造用料漿內(nèi)，從而可與像素、膜的制造同時形成，可縮短作業(yè)工序。
另外，由于硼混在像素、膜整體內(nèi)，所以，可進一步提高抑制氣體放出的效果。


圖1是說明本發(fā)明顯示裝置一實施例的、表示蔭罩型彩色陰極射線管的概略構造的斷面圖。
圖2是說明圖1所示彩色陰極射線管的螢光面構造的剖面圖。
圖3是說明圖1所示彩色陰極射線管的漏斗形部構造的放大剖面圖。
圖4是說明本發(fā)明顯示裝置另一實施例的場致發(fā)射型顯示裝置的概略構造的分解立體示意圖。
圖5是圖4的前面基板、從背面基板側看的俯視圖。
圖6是沿圖5中I-I線的剖面圖。
圖7是說明導電膜的氣體放出量的圖。
圖8是說明導電膜的氣體放出量的圖。
圖9是說明本發(fā)明導電膜的放出氣體成分的圖。
圖10是說明已往導電膜的放出氣體成分的圖。
圖11是說明本發(fā)明導電膜的放出氣體成分的圖。
圖12是說明已往導電膜的放出氣體成分的圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器由在內(nèi)面上形成有螢光面的板、具有電子源的電子源裝置、和連接上述板和電子源裝置的連接部構成，其特征在于，上述螢光面具有螢光體像素、包圍該螢光體像素的黑矩陣、覆蓋該黑矩陣和螢光體像素的金屬薄膜。上述連接部，在其內(nèi)面上具有導電膜。上述螢光體像素、上述黑矩陣、上述導電膜中的至少一方含有硼。
另外，本發(fā)明的顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器由在內(nèi)面上形成有螢光面的板部、具有電子源的頸部、和連接上述板部和頸部的漏斗形部構成，其特征在于，上述漏斗部，其內(nèi)面上具有導電膜，該內(nèi)裝導電膜含有硼。
另外，本發(fā)明的顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器內(nèi)具有螢光面以及向該螢光面發(fā)射電子的電子源，上述螢光面具有螢光體像素、包圍該螢光體像素的以石墨為主要成分的黑矩陣膜、覆蓋該黑矩陣膜和上述螢光體像素的金屬薄膜，其特征在于，上述螢光體像素和黑矩陣膜中至少一方含有硼。
〔實施例1〕下面，參照實施例的附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。
圖1是說明本發(fā)明顯示裝置一實施例的、表示蔭罩型彩色陰極射線管的概略構造的剖面圖。
板部1稱為平板型，表面是基本平坦的形狀。漏斗形部3是連接板部1和頸部2的連接部。用漏斗形部3將板部1和頸部2連接起來，構成真空外圍器。圖1中，4是形成在板部1內(nèi)面上的螢光面，該螢光面通常具有鑲嵌狀或帶狀的紅(R)、綠(G)、藍(B)3色螢光體。5是作為色選擇電極的蔭罩。蔭罩5是沖壓成形的自立形狀的保持型，將其周邊焊接在屏蔽架6上，通過固定在屏蔽架6上的懸掛彈簧7懸掛支承在柱螺栓銷8上，該柱螺栓銷8豎立植設在板部1的裙部內(nèi)壁上。另外，在屏蔽架6的電子槍一側安裝著遮蔽外部磁場(地磁場)的磁屏蔽件9。
高壓導入端子10與內(nèi)裝導電膜11連接著。該內(nèi)裝導電膜11覆蓋著漏斗形部3的約整個內(nèi)壁面，并一直覆蓋到頸部2的一部分，其主要成分是石墨。該內(nèi)裝導電膜11的板部1側的端部與螢光面4及蔭罩5電氣連接。偏轉線圈12外裝在真空外圍器的頸部一漏斗形部的過渡區(qū)域。另外，圖中，13是發(fā)射3股電子束的電子槍。高電壓通過內(nèi)裝導電膜11施加在電子槍13的陽極上。頸部2是收容電子槍13的電子源裝置。14是3股電子束中的1股電子束。
從電子槍13發(fā)射的3股電子束14，被從圖未示外部信號處理電路輸出的映像信號調制后，射向螢光面4。3股電子束14，被偏轉線圈12產(chǎn)生的水平及垂直的偏轉磁場朝著水平(X)方向和垂直(Y方向)偏轉。偏轉了的電子束在螢光面4上進行二維掃描，將圖像再現(xiàn)。蔭罩5按照每種顏色分別選擇在面內(nèi)形成的多個開孔處通過的3股電子束14，再現(xiàn)所要的圖像。
陰極射線管在將管內(nèi)排氣后被封閉。剛剛封閉后的陰極射線管的真空度約為10-3～10-4Pa。然后，進行吸氣劑蒸散、蒸化，可以使真空度提高到約10-5～10-6Pa。
圖2是說明圖1所示彩色陰極射線管的螢光面4構造的放大剖面圖。
在圖2中，螢光面4具有螢光體像素41、BM膜42和金屬薄膜43，螢光體像素41和BM膜42含有硼。螢光體像素41是由紅色螢光體像素41R、綠色螢光體像素41G、藍色螢光體像素41B組合構成的。BM膜42的主要成分是石墨，包圍螢光體像素41的周圍。金屬薄膜43覆蓋BM膜42和螢光體像素41的電子槍13一側。含有硼的方法是，形成了螢光體像素41和BM膜42后，將螢光體像素41和BM膜42浸漬在用純水將氫氧化硼〔B(OH)3〕稀釋了的水溶液中。
在上面的說明中，是使螢光體像素41和BM膜42兩者都含有硼，但是也可以只使其中的一方含有硼。例如，也可以在形成了BM膜42后，把BM膜42浸漬在上述水溶液中，形成螢光體像素41。另外，只使螢光體像素41含有硼時，例如，可以使用將硼預先混入螢光體料漿中等方法形成。
圖3是說明內(nèi)裝導電膜11的構造的放大斷面圖，該內(nèi)裝導電膜11覆蓋在圖1所示彩色陰極射線管的漏斗形部3上。
在圖3中，內(nèi)裝導電膜11覆蓋在漏斗形部3的內(nèi)壁面3a上，該內(nèi)裝導電膜11的主要成分是石墨，另外，還含有能提高膜的強度并且能提高內(nèi)裝導電膜與漏斗形部玻璃緊密接合性的硅酸鉀、具調節(jié)膜的電阻值的功能的氧化鈦、其它有機質、和硼。
該實施例1所示的陰極射線管中，通過使螢光體像素和BM膜中至少一方以及內(nèi)裝導電膜中含有硼，可抑制從像素、膜放出氣體，防止因氧化性氣體的存在而導致陰極的劣化，可以實現(xiàn)彩色陰極射線管的長壽命化。
實施例1中，借助上述構造，可以抑制氣體放出量，所以可以縮短陰極射線管制造時的排氣時間，由此可提高作業(yè)效率，從而可降低成本。
〔實施例2〕圖4～圖6是說明本發(fā)明顯示裝置的圖，是場致發(fā)射型顯示裝置的概略構造圖。圖4是顯示裝置的分解立體示意圖。圖5是圖4的前面基板的從背面基板側看的俯視圖。圖6是圖5中的沿I-I線截斷的剖面圖。
在圖4～圖6中，附圖標記PN1表示背面板，PN2表示前面板，MFL表示密封框，將該兩板PN1、PN2和密封框MFL密封組裝，構成真空外圍。本實施例中，形成了電子源的背面板PN1作為電子源裝置，密封框MFL作為連接部。
在構成背面板PN1的背面基板SUB1的內(nèi)面上形成有多個沿一方向(Y方向)延伸、在與Y方向交叉的另一方向(X方向)并列設置的陰極配線，配置著與該陰極配線電氣連接的多個電子源。另外，設置著由多個帶狀金屬薄板構成的控制電極MRG，這些帶狀金屬薄板沿X方向延伸、并在Y方向并列設置。在各控制電極MRG上設有供電子束通過的多個通孔。
另一方面，在構成前面板PN2的前面基板SUB2的內(nèi)面上具有由螢光體像素R、G、B和BM膜BM和金屬薄膜構成的陽極(圖未示)，從垂直方向(Z方向)隔著密封框MFL貼合在背面板PN1上。
在形成在背面基板SUB1上的陰極配線與控制電極MRG之間，在除了上述貫通孔的部分之外夾設著絕緣層INS.陰極配線引出端子CL-T從陰極配線引出，控制電極引出端子MRG-T從控制電極MRG引出。另外，將背面板PN1和前面板PN2貼合后進行排氣。用密封框MFL密封的內(nèi)部被排氣到10-3～10-5Pa的真空。
在前面基板SUB2上形成有螢光體像素R、G、B，在這些螢光體像素之間形成了具有遮光性的BM膜BM，這些螢光體像素R、G、B和BM膜BM含有硼。含有硼的方法是，在形成了螢光體像素R、G、B和BM膜BM后，浸漬到用純水將氫氧化硼〔B(OH)3〕稀釋了的水溶液中。另外，這些螢光體像素R、G、B和BM膜BM用金屬薄膜(圖未示)覆蓋著其背面基板SUB1側。
螢光體像素以紅(R)、綠(G)、藍(B)的排列構成一個像素。各色間用BM膜BM劃分。該BM膜BM是黑色的導電體。BM膜BM能防止套色不準、提高對比度、防止螢光膜的充電。
作為控制BM膜BM的電阻值的物質，可以采用在陰極射線管等的表面處理中使用的金屬醇鹽液。金屬醇鹽液的一例，例如有硅醇鹽液。該硅醇鹽液將四乙氧基硅烷溶解在作為溶劑的乙醇中而成的。在硅醇鹽液中加入水和硝酸時，產(chǎn)生加水分解反應和脫水縮合反應，形成聚硅氧烷鍵。導電性粒子被取入該聚硅氧烷鍵中，可得到穩(wěn)定的導電性。這樣，可實現(xiàn)被施加高壓的前面板PN2的帶電。這時，BM膜的材料是采用在400℃至450℃軟化的材料，為了使其有遮光性，可以添加氧化鉻(Cr2O3)、氧化鐵(Fe2O3)等的氧化物。
BM膜可以采用與以石墨為主要成分的上述內(nèi)裝導電膜相同的膜。
在上面的說明中，是使螢光體像素R、G、B和BM膜BM兩者都含有硼，但是與實施例1同樣地，也可以是至少一方含有硼。
該實施例2中，由于螢光體像素和BM膜的至少一方含有硼，所以，可以抑制板內(nèi)的氣體(促進氧化的氣體)的量。這樣，可以防止陰極的劣化，實現(xiàn)顯示裝置的長壽命化。
圖7是為了說明本發(fā)明顯示裝置的、用升溫脫離法(TDS)測定導電膜氣體放出量的結果的圖。
圖7中，粗實線1111表示本發(fā)明的氣體放出量曲線，虛線1121表示已往構造的氣體放出量曲線，實線1131表示溫度曲線。
在圖7中，是模擬陰極射線管制造工序中的排氣工序的測定結果。本發(fā)明的試樣是，在實施了熱處理的玻璃基板上涂敷含有石墨、硅酸鉀、氧化鈦和其它有機質的導電膜，干燥后將該導電膜浸漬到用100倍的純水將純度6N的氫氧化硼〔B(OH)3〕稀釋而成的水溶液中，再干燥而形成的。已往構造的試樣是，只涂敷上述導電膜后對其進行干燥而形成的，對本發(fā)明的試樣和已往構造的試樣進行比較。
按照實線1131所示的溫度曲線，將這些試樣升溫，進行比較測定，結果是，如粗實線1111所示，本發(fā)明的氣體放出量在4分以內(nèi)基本沒有氣體放出，而且氣體放出量為1090Pa·L/g(帕斯卡·升/克)。
而虛線1121所示的已往構造的試樣，在時間為本發(fā)明的2倍的約8分鐘中連續(xù)地放出氣體，另外，氣體放出量也是本發(fā)明的3倍多，為3600Pa·L/g。
因此，本發(fā)明與已往構造相比，氣體放出時間縮短了一半或一半以下，而且氣體放出量也減少到1/3或1/3以下。
圖8與圖7同樣，是說明用升溫脫離法(TDS)測定導電膜氣體放出量的結果的圖，在圖8中，是假定陰極射線管工作時。
圖8所示的氣體放出特性是，把圖7所示測定氣體放出特性的試樣放在真空中，使溫度降低到室溫，再一次按照實線1132所示的溫度曲線將其升溫進行比較測定的結果。升溫速度是13℃/分。
在圖8中，用粗實線1112表示的本發(fā)明試樣，工作開始后約400℃時，開始氣體放出，約500℃時達到峰值，但是其值非常小，氣體放出量約為180Pa·L/g。
另一方面，已往構造的試樣，如虛線1122所示，在400℃附近開始氣體放出，在約500℃時達到最大值，在此期間，在該100℃的溫度上升時間內(nèi)，氣體放出急劇增加。然后，超過了500℃時，氣體放出呈減少的傾向，但是，在550℃附近具有第2峰值，氣體放出量是本發(fā)明的約4倍，為760Pa·L/g，在管球動作中，其差更顯著。
從圖7、圖8所示效果可知，對于螢光體像素也同樣地，在螢光體像素中可看到進一步提高了輝度的效果。
圖9至圖12表示從導電膜放出的氣體成分。圖9表示圖7中粗實線1111的情形，圖10表示圖7中虛線1121的情形，圖11表示圖8中粗實線1112的情形，圖12表示圖8中虛線1122的情形。
圖9至圖12中，粗虛線114表示H2O成分，細虛線115表示CO2成分，粗點劃線116表示(N2+CO)成分，細實線117表示H2成分，粗實線118表示O2成分，細點劃線119表示總壓，箭頭120表示背景值。背景值是在加熱前已經(jīng)存在于管內(nèi)的氣體成分量的值。
從圖9至圖12可知，本發(fā)明中，細虛線115所示的CO2成分及粗點劃線116所示的(N2+CO)成分這兩種成分，與已往構造之差大，這是抑制氣體放出量的主要原因。
〔實施例3〕上述實施例1、2中，是把螢光體像素、BM膜和內(nèi)裝導電膜浸漬在硼的水溶液中，而使其含有硼的，但是，也可以不采用浸漬的方法，而是將上述水溶液噴射到另一實施例的試樣上，其氣體放出抑制效果也是相同的。
這是因為，如前所述，螢光體像素BM膜和內(nèi)裝導電膜具有較多孔的表面，所以，硼容易被取入像素和膜的表面中，借助存在于表面層的硼的作用，發(fā)揮抑制氣體放出效果。在上面的說明中，含有硼的方法是浸漬在稀釋的水溶液中以及噴射的方法，但是，也可以采用刷子涂敷等方法、或者把硼混入膜形成用料漿中的方法等。另外，浸漬和涂敷中，對于100g(0℃)的水，采用0.7～1.5g的硼，最好采用0.9～1.1的硼。另外，預先把硼混入膜形成用料漿的方法中，上述硼量的比例要比上述比例更高一些。另外，上述實施例中，內(nèi)裝導電膜含有石墨、硅酸鉀、氧化鈦等，但也可以含有氧化鐵等其它材料。
本發(fā)明中，通過使螢光體像素、BM膜等含有硼，可抑制氣體放出量，所以，可以縮短制造顯示裝置時的排氣時間，提高作業(yè)效率，從而降低成本。
權利要求
1.顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器，由內(nèi)面上形成有螢光面的板部、具有電子源的頸部、和連接上述板部和上述頸部的漏斗形部構成，其特征在于，上述漏斗形部的內(nèi)面上具有導電膜，該內(nèi)裝導電膜含有硼。
2.顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器內(nèi)包括螢光面以及向該螢光面發(fā)射電子的電子源，上述螢光面具有螢光體像素、包圍該螢光體像素的黑矩陣膜、覆蓋該黑矩陣膜和上述螢光體像素的金屬薄膜，其特征在于，上述螢光體像素或黑矩陣膜含有硼。
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，上述真空外圍器包括具有上述螢光面的板部、具有上述電子源的頸部、以及連接該頸部和上述板部的漏斗形部。
4.如權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，上述真空外圍器，包括具有上述螢光面的平板狀前面基板、具有上述電子源的平板狀背面基板、和夾在該背面基板與上述前面基板的周緣部之間的密封框。
5.顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器內(nèi)包括螢光面以及向該螢光面發(fā)射電子的電子源，上述螢光面具有螢光體像素、包圍該螢光體像素的黑矩陣膜、、覆蓋該黑矩陣膜和上述螢光體像素的金屬薄膜，其特征在于，上述螢光體像素及黑矩陣膜被硼覆蓋著表面層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抑制真空外圍器內(nèi)氣體放出量的顯示裝置。本發(fā)明的顯示裝置，具有真空外圍器，該真空外圍器，由在內(nèi)面上形成有熒光面的板、備有電子源的電子源裝置、和連接上述板和電子源裝置的連接部構成。上述熒光面具有熒光體像素、包圍該熒光體像素的黑矩陣、和覆蓋該黑矩陣膜和熒光體像素的金屬薄膜。上述連接部，在其內(nèi)面上具有導電膜。熒光體像素、上述黑矩陣、上述導電膜中至少一方含有硼。
文檔編號H01J1/62GK1670896SQ200510055450
公開日2005年9月21日 申請日期2005年3月17日 優(yōu)先權日2004年3月17日
發(fā)明者鈴木行男, 小泉幸生 申請人:株式會社日立顯示器