有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法及等離子工藝方法
【專利摘要】公開有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法及等離子體工藝方法。所述有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器的制造方法包括：制造母基板，該母基板包括對于各個像素形成有多個陽極的多個面板以及連接到面板的各個陽極的測試焊盤。該方法進一步包括將母基板加載到等離子體室中，并對母基板的測試焊盤施加等離子體電壓，以進行等離子體表面處理工藝。對于各個像素，測試焊盤被施加不同的等離子體電壓。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法及等離子工藝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的示例性實施例涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法以及在包括多個像素的母基板上執(zhí)行等離子體工藝的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管顯示器包括兩個電極和插在兩個電極之間的有機發(fā)光層。來自一個電極(例如陰極)的電子可以和來自另一電極(例如陽極)的空穴在有機發(fā)光層中結(jié)合，從而形成激子。由于這種結(jié)合，當(dāng)激子釋放能量時就可發(fā)光。
[0003]有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的陽極由例如ITO (氧化銦錫)或IZO (氧化銦鋅)之類的透明材料形成。在形成陽極之后可以對陽極進行清潔，然后可以用氧(O2)等離子體表面處理工藝進行處理。氧等離子體表面處理工藝降低陽極的功函數(shù)，以增加空穴注入量并在陽極移除剩余層，從而提高驅(qū)動性能(例如驅(qū)動電壓)、電壓-電流密度曲線、發(fā)光效率和壽命。
[0004]然而，現(xiàn)有的氧等離子體表面處理工藝并不根據(jù)顏色區(qū)分像素。等離子體工藝可以在形成有陽極的整個母基板上進行，但是不能對于各種顏色的像素控制陽極的表面特性，例如空穴注入量。結(jié)果，可不能控制對于每種顏色的像素優(yōu)化表面特性。
[0005]在此【背景技術(shù)】部分公開的上述信息只是用于增加對所公開主題的背景的理解，因此可能包含并不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本公開的示例性實施例提供一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法，通過對于紅像素、綠像素和藍像素不同地使用氧等離子體進行表面處理工藝，使得對于各個像素具有優(yōu)化的驅(qū)動性能，以及在包括多個像素的母基板上執(zhí)行等離子體工藝的方法。
[0007]本公開的另外特征將在隨后的描述中提出，并從描述中部分地變得明顯，或者可以通過實踐所公開主題而得到。
[0008]本公開的示例性實施例公開了一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法。該方法包括形成母基板，該母基板包括多個面板，每個面板形成有多個陽極，每個陽極對應(yīng)于所述多個像素之一，以及連接到面板的各個陽極的測試焊盤；并對測試焊盤施加等離子體電壓，以執(zhí)行等離子體表面處理工藝。對測試焊盤施加等離子體電壓包括對于所述多個像素中的第一像素施加第一等離子體電壓和對于所述多個像素中的第二像素施加第二等離子體電壓。
[0009]本公開的示例性實施例還公開了一種在包括多個像素的母基板上執(zhí)行等離子體工藝的方法。該方法包括經(jīng)由母基板的測試焊盤，對和第一顏色相關(guān)聯(lián)的第一像素、和第二顏色相關(guān)聯(lián)的第二像素、和第三顏色相關(guān)聯(lián)的第三像素中的一個施加第一電壓，并經(jīng)由測試焊盤，對第一像素、第二像素和第三像素中的另外一個施加第二電壓，第二電壓不同于第一電壓。
[0010]可以理解前述總的說明和后述詳細說明是示例性和解釋性的，用來對所要求權(quán)利的所公開主題提供進一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]被包括以提供對所公開主題的進一步理解并包含在申請文件中同時構(gòu)成申請文件一部分的附圖示出了所公開主題的示例性實施例，并和說明書一起用來解釋所公開主題的原理。
[0012]圖1是根據(jù)本公開示例性實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法的流程圖。
[0013]圖2是根據(jù)本公開示例性實施例的母基板的俯視圖。
[0014]圖3是根據(jù)本公開示例性實施例的向母基板施加等離子體電壓的狀態(tài)的視圖。
[0015]圖4是根據(jù)本公開示例性實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的等效電路。

【具體實施方式】
[0016]下面參考附圖更充分地描述所公開主題的示例性實施例。然而，所公開主題可以通過多種不同形式實施，不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于這里提出的示例性實施例。相反，提供示例性實施例的目的在于使得公開充分和完整，并且可以對本領(lǐng)域技術(shù)人員表達所公開主題的范圍。在圖中，為了清楚起見，可能對層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸進行了放大。圖中相似的附圖標(biāo)記代表相似的元件。
[0017]可以理解當(dāng)元件或?qū)颖惶峒盀樵诹硪辉驅(qū)印吧稀?，或者“連接到”、“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，它可以是直接在另一元件或?qū)由?，或者直接連接或直接聯(lián)接到另一元件或?qū)樱部梢源嬖谥虚g元件或中間層。相反，當(dāng)元件或?qū)颖惶峒盀椤爸苯印痹诹硪辉驅(qū)印吧稀?，或者“直接連接到”、“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，則不存在中間元件或中間層。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)聯(lián)的列出項目的任意和所有組合。還應(yīng)當(dāng)理解出于本公開的目的，“X、Y和Z中至少一個”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Y，或者X、Y和Z中兩項或更多項的任意組合(例如ΧΥΖ、ΧΥ、ΥΖ、ΧΖ)。
[0018]可以理解，盡管這里可以用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)別一個元件、組件、區(qū)域、層或部分和另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不會背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0019]這里使用的用辭僅僅用于描述示例性實施例，并不用來限制所公開主題。如這里所使用的，單數(shù)形式的“一”和“該”也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文做了清楚的相反指示。可以進一步理解術(shù)語“包括”在本申請文件中使用時表明存在所說的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但并不排除存在或增加一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0020]這里將參考作為所公開主題的理想化實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性例示的截面例示來描述所公開主題的示例性實施例。如此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差得到的例示的形狀的變化。因此，所公開主題的示例性實施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制于這里例示的區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)當(dāng)包括由例如制造得到的形狀偏差。
[0021]下面將參考附圖詳細描述所公開主題的示例性實施例。將參考圖1、圖2和圖3描述根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
[0022]如圖1和圖2所示，在根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法中，可以制造具有測試焊盤19的母基板I (S100)。
[0023]母基板I可包括形成有多個陽極191的多個面板18、連接到面板18的各個陽極191的測試焊盤19以及連接陽極191和測試焊盤19的連接線20。總地來說，多個面板18可以形成在母基板I的中心部分P處，測試焊盤19可以形成在母基板I的邊緣部分Q處。然而，應(yīng)當(dāng)理解，面板18和測試焊盤19可以形成在母基板I的任何適當(dāng)?shù)牟糠种小?br> [0024]面板18在母基板I上被形成為彼此分離，并且在有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的最終完成步驟中從母基板I分離。為了避免不必要地使圖難以理解，在圖2中沒有示出在使面板18彼此分離中使用的水平和垂直切割線。此外，盡管每個面板18上只示出有三個陽極191，但應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)面板的分辨率，每個面板18包括數(shù)千或數(shù)百萬的陽極191。
[0025]陽極191可以由例如ITO (氧化銦錫)或IZO (氧化銦鋅)之類的透明材料形成。在陽極191下可以形成開關(guān)薄膜晶體管Tl和驅(qū)動薄膜晶體管T2，并且可以使用這些晶體管Tl和T2向陽極191施加驅(qū)動電壓。
[0026]測試焊盤19可以包括分別連接到紅像素(R)、綠像素(G)、藍像素(B)的紅測試焊盤19R、綠測試焊盤19G、藍測試焊盤19B。連接線20可以包括通過陽極191R將紅像素(R)連接到紅測試焊盤19R的紅連接線20R、通過陽極191G將綠像素(G)連接到綠測試焊盤19G的綠連接線20G、通過陽極191B將藍像素(B)連接到藍測試焊盤19B的藍連接線20B。盡管每個面板18只示出有三個像素的陽極191，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，每個面板18上的所有紅像素可以通過紅連接線20R連接到對應(yīng)的紅測試焊盤19R，每個面板18上的所有綠像素可以通過綠連接線20G連接到對應(yīng)的綠測試焊盤19G，每個面板18上的所有藍像素可以通過藍連接線20B連接到對應(yīng)的藍測試焊盤19B。
[0027]測試焊盤19可以施加測試電壓，以對母基板I進行測試，并且可以用來施加用于等離子體表面處理的等離子體電壓。
[0028]接下來，如圖1和圖3所示，可以將制造好的母基板I插入到在其中進行氧等離子體工藝的等離子體室10中(S200)?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)膫魉蛦卧獙⒛富錓加載到等離子體室10中。然后，對母基板I的測試焊盤19施加等離子體電壓，以進行氧等離子體表面處理工藝(S300)。探針30可以接觸母基板I的測試焊盤19，以施加等離子體電壓。氧等離子體表面處理工藝具有通過使用負(fù)氧離子向陽極191的表面提供親水性，以及降低功函數(shù)的作用。
[0029]在向測試焊盤19施加等離子體電壓的過程中，對于各個像素可以向測試焊盤19施加不同的等離子體電壓。例如，可對紅測試焊盤19R、綠測試焊盤19G和藍測試焊盤19B中的每一個施加不同的等離子體電壓。在這種情況下，可對紅像素(R)、綠像素(G)和藍像素(B)施加不同的電壓，使得對于每種顏色的像素，由負(fù)氧離子蝕刻的表面的程度不同。
[0030]例如，當(dāng)藍像素(B)相比不同顏色的像素具有大空穴注入量從而發(fā)光效率低時，在等離子體表面處理工藝過程中可以對藍測試焊盤19B施加相比施加到紅測試焊盤19R和綠測試焊盤19G的電壓更低的電壓，從而藍像素(B)被負(fù)氧離子蝕刻得更少。因此，藍像素(B)中功函數(shù)的降低幅度(reduct1n width)小于紅像素(R)和綠像素(G)的降低幅度，并且空穴注入量減少，使得和電子注入量的平衡得到調(diào)整，從而提高發(fā)光效率。
[0031]相反，當(dāng)藍像素(B)相比不同顏色的像素具有小空穴注入量從而發(fā)光效率低時，在等離子體表面處理工藝過程中可以對藍測試焊盤19B施加相比施加到紅測試焊盤19R和綠測試焊盤19G的電壓更高的電壓，從而藍像素(B)被負(fù)氧離子蝕刻得更多。因此，藍像素(B)中功函數(shù)的降低幅度大于紅像素(R)和綠像素(G)的降低幅度，并且空穴注入量增加，使得和電子注入量的平衡得到調(diào)整，從而提高發(fā)光效率。
[0032]可以使用用來測量空穴注入量或電子注入量的單空穴器件(HOD)或單電子器件(EOD)來確定施加到每個像素的等離子體電壓。
[0033]如上所述，通過對各種顏色的像素向母基板I的測試焊盤19施加不同的等離子體電壓，等離子體表面處理對于各個顏色的像素是不同的，使得陽極191的功函數(shù)對于各個顏色的像素可以是不同的。因此，通過對于各個顏色的像素不同地控制空穴注入量，可以對于各個顏色的像素優(yōu)化驅(qū)動性能(例如驅(qū)動電壓)、發(fā)光效率和壽命。
[0034]接下來，可以切掉形成有測試焊盤19的邊緣部分Q。因此，可以防止外部靜電流入，并使得有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的面積最小化。
[0035]圖4是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器中像素PX的等效電路。
[0036]如圖4所示，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器中像素PX可以包括多條信號線121、171和172。該像素PX可以作為OLED顯示器中以大體矩陣形式排列的多個像素PX的代表。
[0037]信號線可以包括用來傳送掃描信號(或者柵信號)的多條掃描線121、用來傳送數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線171以及用來傳送驅(qū)動電壓ELVDD的多條驅(qū)動電壓線172。掃描線121在行方向上彼此平行行進，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172在列方向上彼此平行行進。每個像素PX包括開關(guān)薄膜晶體管Tl、驅(qū)動薄膜晶體管T2、存儲電容器Cst和有機發(fā)光二極管(0LED)。
[0038]開關(guān)薄膜晶體管Tl具有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到掃描線121，輸入端連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端連接到驅(qū)動薄膜晶體管T2的控制端。開關(guān)薄膜晶體管Tl響應(yīng)于施加到掃描線121的掃描信號，將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳送到驅(qū)動薄膜晶體管T2。
[0039]驅(qū)動薄膜晶體管T2也具有控制端、輸入端和輸出端。控制端連接到開關(guān)薄膜晶體管Tl，輸入端連接到驅(qū)動電壓線172，輸出端連接到有機發(fā)光二極管0LED。驅(qū)動薄膜晶體管T2使輸出電流Id流動，輸出電流Id的幅度根據(jù)在控制端和輸出端之間施加的電壓而不同。
[0040]存儲電容器Cst連接在驅(qū)動薄膜晶體管T2的控制端和輸入端之間。存儲電容器Cst充入施加到驅(qū)動薄膜晶體管T2的控制端的數(shù)據(jù)信號，并在開關(guān)薄膜晶體管Tl關(guān)斷后維持該數(shù)據(jù)信號。
[0041]有機發(fā)光二極管OLED具有連接到驅(qū)動薄膜晶體管T2的輸出端的陽極和連接到共用電壓ELVSS的陰極。有機發(fā)光二極管OLED通過根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管T2的輸出電流Id而發(fā)射不同強度的光從而顯示圖像。
[0042]開關(guān)薄膜晶體管Tl和驅(qū)動薄膜晶體管T2可以是η溝道場效應(yīng)晶體管(FET)或者P溝道場效應(yīng)晶體管。薄膜晶體管Tl和Τ2、存儲電容器Cst和有機發(fā)光二極管OLED之間的連接關(guān)系可以變化。
[0043]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說很明顯，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化，而不背離所公開主題的精神或范圍。因此，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明覆蓋了所公開主題的修改和變化，只要它們落在所附權(quán)利要求及其等效權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法，包括: 形成母基板，該母基板包括: 多個面板，每個面板形成有多個陽極，每個陽極對應(yīng)于多個像素之一；和 連接到所述面板的各個陽極的測試焊盤；和 對所述測試焊盤施加等離子體電壓，以進行等離子體表面處理工藝， 其中對所述測試焊盤施加等離子體電壓包括對于所述多個像素中的第一像素施加第一等離子體電壓和對于所述多個像素中的第二像素施加第二等離子體電壓，并且其中所述第一等離子體電壓不同于所述第二等離子體電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中: 所述測試焊盤包括連接到所述多個像素中的紅像素的紅測試焊盤、連接到所述多個像素中的綠像素的綠測試焊盤和連接到所述多個像素中的藍像素的藍測試焊盤；并且 所述紅測試焊盤、所述綠測試焊盤和所述藍測試焊盤中的一個被施加以所述第一等離子體電壓，所述紅測試焊盤、所述綠測試焊盤和所述藍測試焊盤中另外一個被施加以所述第二等離子體電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述母基板包括: 在每個面板中形成所述多個陽極；和 在所述母基板的邊緣部分處形成所述測試焊盤。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中施加等離子體電壓包括: 通過探針向所述測試焊盤施加等離子體電壓。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，進一步包括: 切去所述母基板的所述邊緣部分。
6.一種在包括多個像素的母基板上執(zhí)行等離子體工藝的方法，該方法包括: 經(jīng)由所述母基板的測試焊盤，對和第一顏色相關(guān)聯(lián)的第一像素、和第二顏色相關(guān)聯(lián)的第二像素、和第三顏色相關(guān)聯(lián)的第三像素中的一個施加第一電壓；和 經(jīng)由所述測試焊盤，對所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的另外一個施加第二電壓，其中所述第二電壓不同于所述第一電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括: 形成包括所述測試焊盤和多個面板的所述母基板，所述面板的每一個包括多個陽極，所述多個陽極包括第一陽極、第二陽極和第三陽極， 其中所述第一陽極被設(shè)置在所述第一像素中，所述第二陽極被設(shè)置在所述第二像素中，所述第三陽極被設(shè)置在所述第三像素中。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述母基板包括形成用于將所述測試焊盤連接到所述多個陽極的連接線，并且 其中經(jīng)由所述連接線施加所述第一電壓和所述第二電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述測試焊盤包括第一測試焊盤、第二測試焊盤和第三測試焊盤，并且 其中所述第一測試焊盤經(jīng)由所述第一電極聯(lián)接到所述第一像素，所述第二測試焊盤經(jīng)由所述第二電極聯(lián)接到所述第二像素，所述第三測試焊盤經(jīng)由所述第三電極聯(lián)接到所述第二像素。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一顏色包括紅色，所述第二顏色包括綠色，所述第三顏色包括藍色。
【文檔編號】H01L21/66GK104134759SQ201310498653
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月2日
【發(fā)明者】李宰瑛 申請人:三星顯示有限公司