專利名稱：等離子顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于顯示裝置的等離子顯示面板等等離子顯示裝置及其制造方法，具體地說(shuō)，涉及密封工序的改良。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(PDP)是等離子顯示裝置的一種，雖然尺寸小也能夠比較容易地實(shí)現(xiàn)大畫面的顯示，因而作為下一代的顯示面板而備受注目。現(xiàn)在，60英寸的產(chǎn)品已經(jīng)商品化。
圖5是表示一般的交流表面放電型PDP的主要結(jié)構(gòu)的部分截面的透視圖。圖中，z方向?yàn)镻DP的厚度方向，xy平面為與PDP的面板平行的平面。如圖所示，該P(yáng)DP的面板部分2由主面相對(duì)設(shè)置的前面板20及后面板26構(gòu)成。
形成前面板20的基片的前面板玻璃21中，在其主面的一側(cè)沿著x軸方向形成一對(duì)顯示電極22、23(X電極22、Y電極23)，使該電極間可以進(jìn)行表面放電。顯示電極22、23是在ITO(氧化錫銦)等形成的透明電極220、230上層壓由Ag和玻璃混合而成的總線221、231而形成。
設(shè)置有顯示電極22、23的前面板玻璃21中，在該玻璃21的一側(cè)的主面的中央部涂敷由絕緣材料形成的介質(zhì)層24。并且，在該介質(zhì)層24上涂敷相同尺寸的保護(hù)層25。
形成后面板26的基片的后面板玻璃27中，在其主面的一側(cè)以y軸方向?yàn)榭v向、每隔一定間隔并列設(shè)置條紋狀的多個(gè)地址電極28。該地址電極28與總線221、231一樣，也是由Ag和玻璃混合而成。
然后，在上述后面板玻璃27的主面中央部涂敷由絕緣材料形成的介質(zhì)層29，以將這些地址電極28包圍在內(nèi)。在介質(zhì)層29上，配合鄰接的兩個(gè)地址電極28的間隙而設(shè)置隔壁30。然后，在鄰接的兩個(gè)隔壁30的各個(gè)側(cè)壁和其間的介質(zhì)層29的表面上，形成與紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)等任何一種顏色對(duì)應(yīng)的熒光體層31-33。
具有這樣結(jié)構(gòu)的前面板20和后面板26使地址電極28和顯示電極22、23在縱向上成直角正交。然后，在前面板20和后面板26的各個(gè)邊緣部分進(jìn)行密封，使兩個(gè)面板20、26的內(nèi)部形成密封狀態(tài)。具體地說(shuō)，如圖6的PDP正面圖所示，在前面板玻璃21的邊緣部分(詳細(xì)地說(shuō)是介質(zhì)層24的周圍)和后面板玻璃27的邊緣部分(詳細(xì)地說(shuō)是介質(zhì)層29的周圍)，涂敷作為密封材料40的熔融玻璃，該密封材料40熔融粘合后將兩個(gè)面板20、26的內(nèi)部密封。這里，兩個(gè)面板玻璃21、27的各個(gè)端部211、212、271、272成為引出端子，用以分別將顯示電極22、23和地址電極28和外部驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)連接。
另外，該圖中，為了便于說(shuō)明，顯示電極22、23和地址電極28用比實(shí)際少的根數(shù)以實(shí)線進(jìn)行表示。另外，為了說(shuō)明密封材料40和介質(zhì)層24的設(shè)置位置，以實(shí)線進(jìn)行表示。
在這樣密封的前面板20和后面板26的內(nèi)部，以規(guī)定的壓力(傳統(tǒng)通常為40kPa～66.5kPa左右)封入包含Xe的放電氣體(封入氣體)。
從而，在前面板20和后面板26之間，介質(zhì)層24、熒光體層31-33以及鄰接的兩個(gè)隔壁30分隔的空間成為放電空間38。另外，鄰接的一對(duì)顯示電極22、23和一根地址電極28夾著放電空間38而交叉的區(qū)域成為用以顯示圖像的單元(未圖示)。
PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，在各個(gè)單元中，地址電極28和顯示電極22、23的任何一個(gè)之間開(kāi)始放電，在一對(duì)顯示電極22、23之間通過(guò)輝光放電產(chǎn)生短波長(zhǎng)的紫外線(Xe共振線，波長(zhǎng)約147nm)，熒光體層31-33發(fā)光，進(jìn)行圖像的顯示。
但是，上述結(jié)構(gòu)的PDP會(huì)產(chǎn)生以下的問(wèn)題。
圖7是表示PDP的邊緣部分附近(沿著地址電極)的截面圖。由熔融玻璃形成的密封材料40除了在后面板27和介質(zhì)層24之間熔融粘合外，如圖所示，還在地址電極28和介質(zhì)層24之間熔融粘合。在熔融粘合時(shí)，地址電極28也被加熱，該地址電極28中的Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中。
這樣擴(kuò)散的Ag粒子會(huì)部分遮斷地址電極28，引起導(dǎo)電特性的降低。另外，如果橫跨多個(gè)地址電極28，則可能引起短路。而且，由于Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中，還引起密封材料40變質(zhì)、降低其密封性能等的問(wèn)題。
在顯示電極22、23和密封材料40之間也會(huì)產(chǎn)生同樣的問(wèn)題。圖8是表示PDP的邊緣部分附近(沿著總線221、231)的截面圖。圖中表示總線221中的Ag粒子熔融溢出到密封材料40的情況。從而，引起顯示電極22、23的總線221、231的短路和遮斷等并降低PDP的性能。
該問(wèn)題尤其在具有非常細(xì)的總線和地址電極的PDP、如高清晰度電視等的具有高精度單元的PDP中特別容易發(fā)生，因而必須盡早解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對(duì)上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供即使在高清晰度電視等的具有高精度單元的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮良好的顯示性能的等離子顯示裝置及其制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有放電空間介于其間而相互面對(duì)的第一板和第二板，從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件跨設(shè)于兩個(gè)板之間，在所述第一板或所述第二板的內(nèi)主面形成多個(gè)電極，并在所述多個(gè)電極與所述密封部件交叉的部位形成電極擴(kuò)散防止層，以避免所述密封部件與所述多個(gè)電極直接接觸，所述多個(gè)電極包含Ag，所述電極擴(kuò)散防止層由具有比所述密封部件的熔點(diǎn)更高的軟化點(diǎn)的有絕緣性的材料所構(gòu)成，所述電極擴(kuò)散防止層包含玻璃和氧化填充物。
通過(guò)設(shè)置電極擴(kuò)散防止層，可以防止電極材料擴(kuò)散到密封材料中，避免上述多個(gè)電極的短路和遮斷。從而在驅(qū)動(dòng)時(shí)保持良好的顯示性能。
另外，本發(fā)明的一種等離子顯示裝置，其特征在于形成多個(gè)第一電極和覆蓋所述多個(gè)第一電極的第一介質(zhì)層的第一板的一側(cè)主面與第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件跨設(shè)于兩個(gè)板之間，所述第一介質(zhì)層具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)，并且，形成所述第一介質(zhì)層并使其延展至所述多個(gè)第一電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第一電極直接接觸，所述多個(gè)第一電極包含Ag，所述第一介質(zhì)層包含玻璃和氧化填充物。
另外，本發(fā)明還分別在第二板的一側(cè)主面上形成多個(gè)第二電極和用于覆蓋這些第二電極的具有比上述密封材料的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)溫度的第二介質(zhì)層，而且，該第二介質(zhì)層延長(zhǎng)到多個(gè)第二電極和上述密封材料交叉的部位，避免了密封材料與多個(gè)第二電極的直接接觸。
從而，通過(guò)在密封材料與多個(gè)第一電極(以及密封材料與多個(gè)第二電極)之間插入上述第一介質(zhì)層(以及第二介質(zhì)層)，可以達(dá)到與設(shè)置上述電極擴(kuò)散防止層的情況大致同樣的效果。
另外，本發(fā)明的一種等離子顯示裝置的制造方法，它包括使第一板和第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，跨設(shè)于兩個(gè)板之間從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間形成密封部件的密封部件形成步驟；在所述密封部件形成步驟之前，經(jīng)由在所述第一板或所述第二板的內(nèi)主面形成多個(gè)電極的電極形成步驟；在所述電極形成步驟和所述密封部件形成步驟之間，經(jīng)由在所述多個(gè)電極與所述密封部件交叉的部位形成電極擴(kuò)散防止層的電極擴(kuò)散防止層形成步驟，以避免所述多個(gè)電極與所述密封部件直接接觸；在所述電極形成步驟中使用Ag，在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，用具有比所述密封部件的熔點(diǎn)更高的軟化點(diǎn)的有絕緣性的材料形成所述電極擴(kuò)散防止層，在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，使用包含玻璃和氧化填充物的材料。
另外，本發(fā)明的一種等離子顯示裝置的制造方法，它包括在第一板的一側(cè)主面形成多個(gè)第一電極的第一電極形成步驟；在所述第一板的一側(cè)主面覆蓋所形成的所述多個(gè)第一電極形成第一介質(zhì)層的第一介質(zhì)層形成步驟；使形成了所述第一介質(zhì)層的第一板的一側(cè)主面與第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，形成跨設(shè)于兩個(gè)板之間從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件的密封部件形成步驟；在所述第一介質(zhì)層形成步驟中，用具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的材料形成所述第一介質(zhì)層并使其延展至所述多個(gè)第一電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第一電極直接接觸；在所述第一電極形成步驟中，用Ag形成所述第一電極；在所述第一介質(zhì)層形成步驟中，用包含玻璃和氧化填充物的材料形成所述第一介質(zhì)層。


圖1是實(shí)施例1的PDP的周邊部分(沿著地址電極)的截面圖。
圖2是實(shí)施例1的PDP的周邊部分(沿著顯示電極)的截面圖。
圖3是實(shí)施例2的PDP的頂視圖。
圖4是實(shí)施例2的PDP的周邊部分(沿著地址電極)的截面圖。
圖5是表示交流表面放電型PDP的結(jié)構(gòu)的部分截面透視圖。
圖6是PDP的頂視圖。
圖7是傳統(tǒng)的PDP的周邊部分(沿著地址電極)的截面圖。
圖8是傳統(tǒng)的PDP的周邊部分(沿著顯示電極)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
1.實(shí)施例1
1-1.PDP的特征部分的結(jié)構(gòu)本實(shí)施例1的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本上與上述圖5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，而密封材料40附近的結(jié)構(gòu)則差異很大。即，如圖1的密封材料附近的PDP部分截面圖所示，本實(shí)施例1中，密封材料40不與后面板26側(cè)直接接觸，而是通過(guò)電極擴(kuò)散防止層50與后面板玻璃27(及地址電極28)接觸。
電極擴(kuò)散防止層50可以由例如玻璃和氧化填充物(具體地說(shuō)，Al2O3和TiO2等)構(gòu)成。它是作為具有比密封材料40的熔融玻璃的熔點(diǎn)(約360℃)高的軟化點(diǎn)溫度(約560℃)的絕緣材料而選擇的。
這樣的電極擴(kuò)散防止層50沿著介質(zhì)層24的周圍涂敷，使其厚度為大約10μm。
1-2.電極擴(kuò)散防止層的效果以前，在后面板玻璃27的周邊部分，在密封材料40和地址電極28接觸的狀態(tài)下進(jìn)行前面板20和后面板26的密封。即在高熱爐中，使密封材料40熔融并冷卻粘合。
但是在該密封工序中，受到高熱爐的加熱而使密封材料40熔融的同時(shí)，也使一些地址電極28(包含Ag和玻璃)熔融。這里，由于熔融玻璃的熔點(diǎn)比地址電極28的熔點(diǎn)(例如約530℃)低，因而熔融成比地址電極28的粘性低的狀態(tài)。這樣，密封材料40和地址電極28這兩種互不相同的材料以熔融狀態(tài)接觸。這時(shí)，如上述圖7所示，地址電極28中的Ag粒子從粘性高的地址電極28一側(cè)向粘性低的密封材料40擴(kuò)散。
這里，本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)發(fā)生這樣的Ag粒子擴(kuò)散時(shí)，多個(gè)地址電極28之間容易發(fā)生短路。另外，還發(fā)現(xiàn)根據(jù)特定的地址電極28的Ag粒子的擴(kuò)散程度，該地址電極28有斷線的危險(xiǎn)性。
該現(xiàn)象尤其在具有非常細(xì)的地址電極28的PDP、如高清晰度電視等的具有高精度單元的PDP中特別容易發(fā)生，因而必須盡早解決。
因而，在實(shí)施例1中，PDP上具備有電極擴(kuò)散防止層50。即，實(shí)施例1的PDP中，和以前一樣，密封材料40和地址電極28不直接接觸，使電極擴(kuò)散防止層50和密封材料40介于其間，密封前面板20和后面板26。而且，該電極擴(kuò)散防止層50的軟化點(diǎn)為560℃，設(shè)置成高于密封材料的熔點(diǎn)。
從而，在密封工序中，即使地址電極28和密封材料40成為熔融狀態(tài)，但是由于它們之間存在電極擴(kuò)散防止層50，因而地址電極28中的Ag粒子不易混入密封材料40。而且，電極擴(kuò)散防止層50即使在密封材料40的密封工序中也可保持比密封材料40良好的固體狀態(tài)，因而能夠有效防止地址電極28中的Ag粒子混入密封材料40。
從而，可以避免多個(gè)地址電極28短路、電氣遮斷的危險(xiǎn)，能夠發(fā)揮PDP良好的顯示性能。
1-3.PDP的制造方法以下，舉例說(shuō)明實(shí)施例1的PDP的制造方法。
1-3-a.前面板的制作準(zhǔn)備由厚度約2.6mm的鈉鈣玻璃形成的前面板玻璃21。這里采用(縱600mm×橫950mm)尺寸的玻璃。
在該前面板玻璃21的表面上，沿著玻璃的縱向(x方向)以一定的間距制作多對(duì)顯示電極22、23。顯示電極22、23的制作方法可以采用以下的光刻法。
即，首先在前面板玻璃21一側(cè)的主面上，涂敷厚度約0.5μm的光致抗蝕劑(例如紫外線硬化型光致抗蝕劑)。然后將一定圖案的光掩模重疊在上面進(jìn)行紫外線照射，并浸泡在顯影液中，洗出末硬化的抗蝕劑。然后通過(guò)CVD法，在前面板玻璃21的抗蝕劑的間隙形成膜狀的透明電極材料(ITO)。然后，用洗凈液除去抗蝕劑，獲得透明電極220、230。
接著，采用以Ag為主要成分的金屬材料(例如杜邦公司的可光成像的Ag，熔點(diǎn)為580℃的DC202)，在上述透明電極220、230上形成厚度約4μm的總線221、231。該總線221、231的形成除了上述的光刻法，也可以采用絲網(wǎng)印刷法。該絲網(wǎng)印刷法，具體地說(shuō)，將網(wǎng)格裝在比前面板玻璃21大的長(zhǎng)方形框架上，并將網(wǎng)格壓在前面板玻璃21上，用涂刷器穿過(guò)網(wǎng)格在前面板玻璃21的表面涂敷包含Ag的涂料而形成。
以上，形成了顯示電極22、23。
然后，從顯示電極22、23的上面到前面板玻璃21的表面，采用上述絲網(wǎng)印刷法涂敷厚度約15～45μm的鉛玻璃涂料。然后，焙燒涂敷的玻璃涂料，形成介質(zhì)層24。
另外，這時(shí)，使介質(zhì)層24處于前面板玻璃21的表面的中央，形成縱600mm×橫950mm的尺寸。
接著，在介質(zhì)層24的表面通過(guò)蒸鍍法或CVD(化學(xué)蒸鍍法)等形成厚度為約0.3～0.6μm的保護(hù)層25。保護(hù)層25通常采用氧化鎂(MgO)，但是，當(dāng)部分改變保護(hù)層25的材料時(shí)，例如分別采用MgO和氧化鋁(Al2O3)時(shí)，則通過(guò)采用適宜的金屬掩膜的圖案來(lái)形成。
這樣，制作成了前面板20。
1-3-b.后面板的制作首先，準(zhǔn)備由厚度約2.6mm的鈉鈣玻璃形成的后面板玻璃27。與上述前面板玻璃21一樣，這里采用(縱600mm×橫950mm)尺寸的玻璃。
接著，在上述后面板玻璃27的表面上，采用絲網(wǎng)印刷法，沿著該后面板玻璃27的縱向以一定的間距涂敷帶狀的包含有Ag和玻璃的導(dǎo)電材料(熔點(diǎn)約為520℃)并進(jìn)行焙燒，形成厚度約5μm的多個(gè)地址電極28。這時(shí)，在制作的PDP的規(guī)格為40英寸的NTSC或VGA的情況下，兩根地址電極28的間距設(shè)定在0.4mm以下。這里以0.3mm為例。
另外，此時(shí)設(shè)定的地址電極28的間距成為隔壁30的間距。
接著，在形成了地址電極28的后面板玻璃27的整個(gè)表面涂敷厚度約20～30μm的鉛玻璃涂料并進(jìn)行焙燒，形成介質(zhì)層29。
接著，通過(guò)介質(zhì)層29和相同的玻璃材料，在介質(zhì)層29上每隔鄰接的地址電極28的間隙(約150μm)形成高度約120μm的隔壁30。該隔壁30可以通過(guò)例如反復(fù)絲網(wǎng)印刷包含有上述玻璃材料的涂料并進(jìn)行焙燒而形成。除此之外，隔壁30的形成還可以采用噴砂法。
形成隔壁30后，在隔壁30的壁面和兩個(gè)隔壁30之間露出的介質(zhì)層29的表面上涂敷包含有紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體和藍(lán)色(B)熒光體中任何一種的熒光墨水并進(jìn)行干燥和焙燒，分別形成熒光體層31～33。
這里，舉例說(shuō)明通常用于PDP的熒光體材料。
紅色(R)熒光體(YXGd1-X)BO3:Eu3+綠色(G)熒光體Zn2SiO4:Mn藍(lán)色(B)熒光體BaMgAl10O17:Eu3+(或BaMgAl14O23:Eu3+)各熒光體材料可以使用例如粒徑約3μm的粉末。有幾種熒光體墨水的涂敷法，這里采用眾所周知的彎液面法，在形成彎液面(由表面張力形成的交聯(lián))的同時(shí)從精細(xì)的噴嘴射出熒光體墨水。該方法可以將熒光體墨水非常均勻地涂敷在目標(biāo)區(qū)域。另外，本發(fā)明的熒光體墨水的涂敷法當(dāng)然不限于此，也可以采用絲網(wǎng)印刷等其他方法。
以上完成了后面板26。
另外，這里采用鈉鈣玻璃形成前面板玻璃21和后面板玻璃27，但這只是作為一個(gè)例子，也可以采用別的材料形成前面板玻璃21和后面板玻璃27。
1-3-c.電極擴(kuò)散防止層的制作在上述制作的后面板26的介質(zhì)層29的周邊部分(參照?qǐng)D6)，涂敷由鉛玻璃和氧化填充物形成的玻璃涂料，在約560℃進(jìn)行焙燒。該玻璃涂料采用具有比后述的密封材料40用的熔融玻璃的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的材料。最好該玻璃涂料采用具有比密封材料40的熔點(diǎn)高50℃以上的軟化點(diǎn)的材料。另外，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該玻璃涂料的軟化點(diǎn)最好在300℃以上。所述第二介質(zhì)層以具有軟化點(diǎn)在300℃以上的玻璃材料作為主成分。
從而制作成電極擴(kuò)散防止層50。
1-3-d.密封工序在上述制作的電極擴(kuò)散防止層50上涂敷密封材料40的熔融玻璃涂料。例如，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法涂敷軟化點(diǎn)為360℃的PbO-B2O3-SiO2系的熔融玻璃(旭硝子公司的ASF2300)的涂料。該熔融玻璃也可以采用其他可購(gòu)買的材料如ASF2300M、ASF2452(軟化點(diǎn)為350～360℃)。
另外，雖然可以適當(dāng)采用可購(gòu)買的材料，但是最好盡量選擇能夠有效抑制氣泡發(fā)生和與電極發(fā)生反應(yīng)的材料。
接著，將前面板20和后面板26設(shè)置成使保護(hù)層25和隔壁30相對(duì)的位置，且兩個(gè)面板20、26的縱向正交地重疊在一起。
在該狀態(tài)將兩個(gè)面板20、26投入高熱爐，進(jìn)行焙燒(約450℃、0.5小時(shí))。
這里，在密封材料40熔融時(shí)，地址電極28(包含Ag和玻璃)也有部分熔融。這時(shí)熔融的密封材料40的粘性比熔融的地址電極28低。以前，由于密封材料40和地址電極28直接接觸，從而，上述密封材料40和地址電極28的粘性的差異導(dǎo)致地址電極28的Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中，引起該地址電極28的斷線和短路等問(wèn)題。
但是，本實(shí)施例1中，由于密封材料40和地址電極28之間夾著具有比密封材料40的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的電極擴(kuò)散防止層50，避免了地址電極28的Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中。具體地說(shuō)，由于電極擴(kuò)散防止層50的軟化點(diǎn)溫度比密封材料40高，與密封材料40相比，地址電極28的Ag粒子不易擴(kuò)散到電極擴(kuò)散防止層50，從而可以避免上述Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中。
如上所述，本實(shí)施例1可以進(jìn)行良好的密封工序。
上述前面板20和后面板26的焙燒工序完成后，接著進(jìn)行冷卻工序，使密封材料40冷卻粘接。
1-3-e.PDP的完成然后，將放電空間的內(nèi)部排空到高真空(1.1×10-4Pa)狀態(tài)，在規(guī)定的壓力下(例如2.7×105Pa)封入Ne-Xe族、He-Ne-Xe族和He-Ne-Xe-Ar族等放電氣體。
另外，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，如果封入時(shí)氣體壓力設(shè)定在800～5.3×105Pa的范圍內(nèi)，則可以提高發(fā)光效率。
接著，將用以驅(qū)動(dòng)顯示電極22、23及地址電極28的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)連接到各個(gè)面板玻璃21、27的端部211、212、271、272，完成PDP。
1-4.實(shí)施例1的其他事項(xiàng)上述例子中，在密封材料40和地址電極28之間設(shè)置電極擴(kuò)散防止層50，但是本實(shí)施例不限于此，如圖2的端部211周圍的PDP部分截面圖所示，也可以在顯示電極22、23(具體地說(shuō)，總線221、231)和密封材料之間設(shè)置電極擴(kuò)散防止層50。從而，能夠防止總線221、231中的Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中，抑制顯示電極的斷線或短路問(wèn)題的發(fā)生，發(fā)揮良好的PDP的顯示性能。
另外，也可以在密封材料40和地址電極28之間及總線221、231和密封材料40之間分別設(shè)置電極擴(kuò)散防止層50。
2.實(shí)施例2實(shí)施例1說(shuō)明了采用電極擴(kuò)散防止層50的例子，但是實(shí)施例2不采用電極擴(kuò)散防止層50，而是如圖3的PDP正面圖所示，以兼?zhèn)潆姌O擴(kuò)散防止層的作用的介質(zhì)層24的周邊部分向外擴(kuò)展形成的結(jié)構(gòu)為特征(圖中為便于說(shuō)明，用實(shí)線表示比實(shí)際少的顯示電極22、23及地址電極28的根數(shù)。另外，為了說(shuō)明密封材料40和介質(zhì)層24的設(shè)置位置，用實(shí)線進(jìn)行表示)。
具體地說(shuō)，如圖4的端部271周圍的PDP截面圖所示，通過(guò)將介質(zhì)層24的擴(kuò)展部插入密封材料40和地址電極28之間而形成。
這里，本實(shí)施例2的介質(zhì)層24具有比密封材料40和地址電極28的各個(gè)熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)溫度，且具有不易與Ag反應(yīng)的特征。這里，該介質(zhì)層24由絕緣材料的玻璃和氧化填充物構(gòu)成。氧化填充物可以采用氮化硅(SiN)等，除此之外也可以采用SiO2，或者包含SiN、SiO2兩者。作為可購(gòu)買的材料，可以采用旭硝子公司的YPT061F(PbO-B2O3-SiO2系)、YPW040(PbO-B2O3-SiO2系)、PLS3244(PbO-B2O3-SiO2系)。由這些可購(gòu)買的材料制作的介質(zhì)層24能夠很好地避免地址電極28的斷線和短路的問(wèn)題，獲得良好的效果。
另外，作為該介質(zhì)層24的材料，最好采用具有比地址電極28和密封材料40的各熔點(diǎn)高50℃以上的軟化點(diǎn)的材料。另外，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該介質(zhì)層24的軟化點(diǎn)如果在300℃以上，可以更好地防止Ag粒子的擴(kuò)散。
采用這樣的介質(zhì)層24，可以達(dá)到與實(shí)施例1同樣的效果。即，在密封工序中，通過(guò)具有比地址電極28和密封材料40的各熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)溫度的介質(zhì)層24，可以防止地址電極28中的Ag粒子的擴(kuò)散到密封材料中，避免地址電極28的斷線和短路的問(wèn)題。從而，發(fā)揮良好的PDP的顯示性能。
另外，圖4中說(shuō)明了介質(zhì)層24擴(kuò)展到密封材料40的下面的例子，但是本實(shí)施例2不限于此，介質(zhì)層29也可以擴(kuò)展到密封材料40的下面。從而，可以防止顯示電極22、23的總線221、231中的Ag粒子擴(kuò)散到密封材料40中。此時(shí)，與上述介質(zhì)層24一樣，介質(zhì)層29最好用玻璃和氧化填充物構(gòu)成。
另外，也可以使介質(zhì)層24和介質(zhì)層29都進(jìn)行擴(kuò)展。
實(shí)施例2的其他事項(xiàng)本實(shí)施例2可以適用于在前面板或后面板上配置介質(zhì)層而構(gòu)成的PDP。
產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用的可能性本發(fā)明的等離子顯示面板的制造裝置及其制造方法可以利用于電視接收機(jī)采用的等離子顯示面板的制造裝置及其制造方法等。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特征在于具有放電空間介于其間而相互面對(duì)的第一板和第二板，從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件跨設(shè)于兩個(gè)板之間，在所述第一板或所述第二板的內(nèi)主面形成多個(gè)電極，并在所述多個(gè)電極與所述密封部件交叉的部位形成電極擴(kuò)散防止層，以避免所述密封部件與所述多個(gè)電極直接接觸，所述多個(gè)電極包含Ag，所述電極擴(kuò)散防止層由具有比所述密封部件的熔點(diǎn)更高的軟化點(diǎn)的有絕緣性的材料所構(gòu)成，所述電極擴(kuò)散防止層包含玻璃和氧化填充物。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述電極擴(kuò)散防止層的軟化點(diǎn)比所述密封部件的熔點(diǎn)高50℃或50℃以上。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述電極擴(kuò)散防止層的軟化點(diǎn)為300℃或300℃以上。
4.一種等離子顯示裝置，其特征在于形成多個(gè)第一電極和覆蓋所述多個(gè)第一電極的第一介質(zhì)層的第一板的一側(cè)主面與第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件跨設(shè)于兩個(gè)板之間，所述第一介質(zhì)層具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)，并且，形成所述第一介質(zhì)層并使其延展至所述多個(gè)第一電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第一電極直接接觸，所述多個(gè)第一電極包含Ag，所述第一介質(zhì)層包含玻璃和氧化填充物。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述第一介質(zhì)層的軟化點(diǎn)比所述密封部件的熔點(diǎn)高50℃或50℃以上。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其特征在于在第二板的一側(cè)主面各自形成多個(gè)第二電極和覆蓋所述第二電極并具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的第二介質(zhì)層，形成所述第二介質(zhì)層并延展至所述多個(gè)第二電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第二電極直接接觸，所述多個(gè)第二電極包含Ag，所述第二介質(zhì)層包含玻璃和氧化填充物。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述氧化填充物至少包含SiN或SiO2。
8.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述第二介質(zhì)層的材料以具有300℃或300℃以上的軟化點(diǎn)的玻璃材料為主成份。
9.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述第二介質(zhì)層的軟化點(diǎn)比所述密封部件的熔點(diǎn)高50℃或50℃以上。
10.一種等離子顯示裝置的制造方法，它包括使第一板和第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，跨設(shè)于兩個(gè)板之間從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間形成密封部件的密封部件形成步驟；在所述密封部件形成步驟之前，經(jīng)由在所述第一板或所述第二板的內(nèi)主面形成多個(gè)電極的電極形成步驟；在所述電極形成步驟和所述密封部件形成步驟之間，經(jīng)由在所述多個(gè)電極與所述密封部件交叉的部位形成電極擴(kuò)散防止層的電極擴(kuò)散防止層形成步驟，以避免所述多個(gè)電極與所述密封部件直接接觸；在所述電極形成步驟中使用Ag，在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，用具有比所述密封部件的熔點(diǎn)更高的軟化點(diǎn)的有絕緣性的材料形成所述電極擴(kuò)散防止層，在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，使用包含玻璃和氧化填充物的材料。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，形成具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高50℃或50℃以上的軟化點(diǎn)的所述電極擴(kuò)散防止層。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述電極擴(kuò)散防止層形成步驟中，形成具有300℃或300℃以上的軟化點(diǎn)的所述電極擴(kuò)散防止層。
13.一種等離子顯示裝置的制造方法，它包括在第一板的一側(cè)主面形成多個(gè)第一電極的第一電極形成步驟；在所述第一板的一側(cè)主面覆蓋所形成的所述多個(gè)第一電極形成第一介質(zhì)層的第一介質(zhì)層形成步驟；使形成了所述第一介質(zhì)層的第一板的一側(cè)主面與第二板相互面對(duì)，而放電空間介于其間，形成跨設(shè)于兩個(gè)板之間從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件的密封部件形成步驟；在所述第一介質(zhì)層形成步驟中，用具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的材料形成所述第一介質(zhì)層并使其延展至所述多個(gè)第一電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第一電極直接接觸；在所述第一電極形成步驟中，用Ag形成所述第一電極；在所述第一介質(zhì)層形成步驟中，用包含玻璃和氧化填充物的材料形成所述第一介質(zhì)層。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置的制造方法，它包括在第二板的一側(cè)主面形成多個(gè)第二電極的第二電極形成步驟；在所述第二板的一側(cè)主面覆蓋所形成的所述多個(gè)第二電極形成第二介質(zhì)層的第二介質(zhì)層形成步驟；在所述第二介質(zhì)層形成步驟中，用具有比所述密封部件的熔點(diǎn)高的軟化點(diǎn)的材料形成第二介質(zhì)層并使其延展至所述多個(gè)第二電極與所述密封部件交叉的部位，以避免所述密封部件與所述多個(gè)第二電極直接接觸；在所述第二電極形成步驟中，用Ag形成所述第二電極；在所述第二介質(zhì)層形成步驟中，用包含玻璃和氧化填充物的材料形成所述第二介質(zhì)層。
全文摘要
本發(fā)明的一種等離子顯示裝置，其特征在于具有放電空間介于其間而相互面對(duì)的第一板和第二板，從所述放電空間的外周包圍并密封所述放電空間的密封部件跨設(shè)于兩個(gè)板之間，在所述第一板或所述第二板的內(nèi)主面形成多個(gè)電極，并在所述多個(gè)電極與所述密封部件交叉的部位形成電極擴(kuò)散防止層，以避免所述密封部件與所述多個(gè)電極直接接觸，所述多個(gè)電極包含Ag，所述電極擴(kuò)散防止層由具有比所述密封部件的熔點(diǎn)更高的軟化點(diǎn)的有絕緣性的材料所構(gòu)成，所述電極擴(kuò)散防止層包含玻璃和氧化填充物。
文檔編號(hào)H01J17/18GK1658361SQ20051005519
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2000年10月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月19日
發(fā)明者山下勝義, 佐佐木良樹(shù), 日比野純一, 大河政文, 青木正樹(shù) 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社