一種具有良好孔掩蔽功能的干膜抗蝕劑及其層壓體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有良好孔掩蔽性能和良好的分辨率的，可進行堿溶液顯影的干 膜抗蝕劑及其層壓體。
【背景技術(shù)】
[0002] 印刷電路板的制造方法主要有掩膜法和圖形電鍍法兩種。掩膜法是用保護層保護 用于搭載接頭的銅通孔，經(jīng)過蝕刻、去膜形成電路。圖形電鍍法通過電鍍法在通孔中電鍍 銅，再通過鍍錫焊料保護，經(jīng)過去膜、蝕刻形成電路。在這些方法中，都要求感光性樹脂組合 物具有優(yōu)異的掩孔性能。
[0003] 同時，隨著電子設(shè)備向著輕薄短小的方向發(fā)展，其所搭載的印刷電路板、引線框架 等圖形的線條尺寸也越來越小，基板和已經(jīng)形成圖形的樹脂組合物接觸面積也處于變小的 趨勢，為了以更高良品率制造這種窄間距的線路圖形，這就要求干膜抗蝕劑具有良好的分 辨率。
[0004] 專利W001/092958使用可光交聯(lián)的氨基甲酸酯結(jié)構(gòu)的寡聚物，獲得了很好的孔掩 蔽性能，但氨基甲酸酯結(jié)構(gòu)的寡聚物的使用，降低了其顯影性。專利US8101339使用了在分 子結(jié)構(gòu)中引入烷氧基的三(2-羥乙基)異氰脲酸酯丙烯酸酯，以降低三(2-羥乙基)異氰脲酸 酯丙烯酸酯本身的脆性，提高干膜掩孔能力和抗化性。專利US7517636報道一種新型干膜， 這種干膜具有良好的掩孔能力和顯影性能。
[0005] 通過提高干膜抗蝕劑組合物中所含有的堿可溶性樹脂的分子量，或者增加組合物 中的可聚合單體的用量，可以提高孔的掩蔽性能，但往往伴隨的不利情況是分辨率的下降。
[0006] 特別是，在圖形曝光、顯影后，在未曝光的圖形靠近曝光部分的側(cè)邊根部，由于線 路過細造成沖洗死角等原因，容易出現(xiàn)堿液未能洗去的殘膠。本發(fā)明正是鑒于存在的這些 問題而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種可靠的干膜抗蝕劑，在抗蝕劑曝光顯影后，具有 良好孔掩蔽和良好的分辨率的綜合性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好孔掩蔽和分辨率的干膜抗蝕劑，其在印刷電 路板、引線框架等的制造、半導體封裝等的制造、金屬的精密加工等領(lǐng)域中，作為刻蝕用或 鍍敷用的干膜抗蝕劑材料，在圖形曝光顯影后，具有良好的孔掩蔽和分辨率的綜合能力。
[0008] 基于以上抗蝕劑，本發(fā)明還提供一種層壓體，同時具有良好抗堿蝕的性能、力學性 能和顯影性能。
[0009] 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：一種干膜抗蝕劑，包括第一組分和第 二組分，所述第一組分由50~70重量份重均分子量為80000~160000的含羧基的堿可溶性 聚合物、15~45含有乙烯基的不飽和單體或寡聚物、0.5~10重量份的光引發(fā)劑和0~5重量 份的助劑組成;所述第二組分由50~70重量份重均分子量為30000~120000的含羧基的堿 可溶性聚合物、15~45含有乙烯基的不飽和鍵單體或寡聚物、0.5~10重量份的光引發(fā)劑、 0.1~2重量份結(jié)構(gòu)式I的化合物、以及0~5重量份的助劑組成;所述第一組合物中含羧基的 堿可溶性聚合物比第二組合物中含羧基的堿可溶性聚合物的重均分子量大;或者相同質(zhì)量 的第一組分和第二組分中，第一組合物中的乙烯基的數(shù)量大于第二組合物中乙烯基的數(shù) 量。
[0010]
[0011] 其中，1?1、1?2、1?3、1?4、1?5均選自!1、0)0!1、0!1，且1?1、1?2、1?3、1?4、1?5中至少包含一個0!1基 團或C00H基團。
[0012] 進一步地，所述第一組分和第二組分中的含羧基的堿可溶性聚合物的酸含量在 80-400mgK0H/g，更優(yōu)選為 100-300mgK0H/g。
[0013] 進一步地，所述的助劑由孔雀石綠等染料、無色結(jié)晶紫等光成色劑、成色熱穩(wěn)定 劑、增塑劑、顏料、填料、消泡劑、阻燃劑、穩(wěn)定劑、流平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、成像 劑、熱交聯(lián)劑中的一種或多種按照任意配比組成。
[0014] 進一步地，所述含羧基的堿可溶性聚合物，由一種或多種含羧基的共聚單元單體 與一種或多種不含羧基基團的共聚單元單體按照任意配比共聚而得;其中，含羧基的聚合 物的共聚單元單體可以選自以下含有羧基的酸:衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來 酸半酯、順丁烯二酸、反丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐等；不含羧基基團的共聚單元可以 選自：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、 (甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、 (甲基)丙烯酸十八酯、（甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、（甲基)丙烯 酸-4-羥基丁酯、聚乙二醇單（甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯腈、 (甲基)丙烯酸縮水甘油酯、N，N_二甲基（甲基)丙烯酸乙酯、N，N_二乙基（甲基)丙烯酸乙酯、 N，N-二甲基（甲基）丙烯酸丙酯、N，N-二乙基（甲基）丙烯酸丙酯、N，N-二甲基（甲基)丙烯酸 丁酯、N，N-二乙基（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酰胺、N-羥甲基-丙烯酰胺、N-丁氧基甲 基-丙烯酰胺、苯乙烯、（甲基)丙烯酸芐酯、苯氧基乙基（甲基)丙烯酸酯、（烷氧基化)壬基苯 酚（甲基)丙烯酸酯等。
[0015] 進一步地，所述乙烯基的不飽和單體或寡聚物由三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、（乙 氧）丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季 戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸 酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、乙氧基化雙酸A二丙烯酸酯、丙氧基化雙酸A二丙烯酸酯及甘油三 丙酸酯中的一種或多種按照任意配比組成。
[0016] 進一步地，所述乙烯基的不飽和單體或寡聚物為（乙氧）丙氧基化三羥甲基丙烷三 丙烯酸酯、（乙氧)丙氧基化雙酸A二丙烯酸酯或聚乙二醇二丙烯酸酯。
[0017] 進一步地，每1重量份的光引發(fā)劑由0.5~1重量份的主引發(fā)劑和0~0.5重量份的 輔助引發(fā)劑組成;所述主引發(fā)劑為2，4,5-三芳基咪唑二聚體、或2，4,5-三芳基咪唑二聚體 衍生物，例如:2-(鄰氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4，5-二（甲氧基苯基） 咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑 二聚物、2-(對甲氧基苯基)-4,5_二苯基咪唑二聚物等。所述輔助引發(fā)劑由噻噸酮、苯偶姻 苯基醚、二本甲酮、苯偶姻甲基醚、N，N'_四甲基_4,4'_二氨基二苯甲酮(米蚩酮）、N，N'_四 乙基-4，4 二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4 二甲基氨基二苯甲酮、2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1，2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉代-丙酮-1等芳香族 酮，2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2_苯并蒽醌、2,3_苯并蒽醌、2-苯基蒽 醌、2,3_二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4_萘醌、9，10-菲醌、2-甲基l，4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌類，安息香甲醚、安息香乙醚、安息香醚化合物，安息香、甲基安息香、乙基 安息香等安息香化合物，苯偶酰二甲基縮酮等苯偶酰衍生物，9-苯基吖啶、1，7_雙(9,9'_吖 啶)庚烷等吖啶衍生物，N-苯基氨基乙酸等N-苯基氨基乙酸衍生物，香豆素系化合物，惡唑 系化合物等中的一種或多種按照任意配比組成。
[0018] -種由干膜抗蝕劑制成的抗蝕劑層壓體，包括支撐層和依次涂覆于支撐層上的第 一抗蝕層和第二抗蝕層，以及層疊于第二抗蝕劑層之上的保護膜，所述第一抗蝕層由第一 組分構(gòu)成，第二抗蝕層由第二組分構(gòu)成。
[0019] 進一步地，第一抗蝕層的厚度為20~50微米，第二抗蝕層的厚度為1-10微米。
[0020] 本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明將抗蝕劑設(shè)計成兩種組分