雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是設(shè)及一種雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)W及具有該雙 掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)的顯示面板和顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器化iquidCrystalDisplay,LCD)因其輕便、低 福射等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到人們的歡迎。
[0003] 隨著大尺寸顯示面板的發(fā)展，在陣列基板的像素陣列中，有一種被稱(chēng)為半源極驅(qū) 動(dòng)化alfsource化iving，HSD)架構(gòu)。HSD架構(gòu)的像素陣列中，兩列子像素電極是共用一條 數(shù)據(jù)線(xiàn)，可使數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)目減半。對(duì)于顯示面板而言，驅(qū)動(dòng)忍片包括柵極驅(qū)動(dòng)忍片（gate driver)和源極驅(qū)動(dòng)忍片（sourcedriver)都是必不可少的，源極驅(qū)動(dòng)忍片由于其復(fù)雜的結(jié) 構(gòu)比柵極驅(qū)動(dòng)忍片更為昂貴，而HSD架構(gòu)由于可W使數(shù)據(jù)線(xiàn)數(shù)目減半，因此可降低源極驅(qū)動(dòng) 忍片的成本。
[0004] 雖然采用HSD架構(gòu)的顯示面板可W讓源極驅(qū)動(dòng)忍片的驅(qū)動(dòng)通道數(shù)減半，但由于同 一行子像素電極中的子像素電極分別與上下不同的掃描線(xiàn)連接，因此HSD架構(gòu)中的掃描線(xiàn) 數(shù)量加倍，因此HSD架構(gòu)的像素陣列又稱(chēng)為雙掃描線(xiàn)像素陣列。
[0005] 圖1為現(xiàn)有的一種具有雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)的等效電路圖，請(qǐng)參圖1，該雙掃描 線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)包括多條掃描線(xiàn)11、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)12、多個(gè)TFT13W及多個(gè)子像素電極14,每 個(gè)子像素電極14通過(guò)TFT13與對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)11和數(shù)據(jù)線(xiàn)12相連。兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)12之間 的、位于同一行的兩個(gè)子像素電極14連接在同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)12上且分別與上下兩條掃描線(xiàn)11 相連。具體地，W圖中第一個(gè)子像素電極14a和第二個(gè)子像素電極14b為例，該兩個(gè)子像素電 極14a、14b位于兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)D1、D2之間且位于同一行(第一行），該兩個(gè)子像素電極14a、 14b連接在同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)D2上，且該兩個(gè)子像素電極14b、14a分別與上下兩條掃描線(xiàn)G1、G2 相連。
[0006] 上述雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)中，位于兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)12之間且位于同一行的兩個(gè) 子像素電極14形成一個(gè)子像素電極組，運(yùn)些子像素電極組構(gòu)成Z反轉(zhuǎn)(Zinversion)排布， 即每條數(shù)據(jù)線(xiàn)12通過(guò)TFT13與位于該條數(shù)據(jù)線(xiàn)12不同側(cè)的子像素電極組形成Z字形交替連 接，且與同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)12相連的子像素電極組具有相同的極性(正極線(xiàn)或負(fù)極性）。因此上 述雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)在驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)數(shù)據(jù)線(xiàn)12的極性改變時(shí)，位于一個(gè)子像素電極組內(nèi) 的兩個(gè)子像素電極14的極性將同時(shí)改變，只能實(shí)現(xiàn)極性的兩點(diǎn)反轉(zhuǎn)(2dotinversion)而 不能實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)（1dotinversion)反轉(zhuǎn)，降低了顯示畫(huà)質(zhì)。
[0007] 圖2為圖1中部分的像素陣列結(jié)構(gòu)的平面示意圖，請(qǐng)同時(shí)參圖1與圖2,在上述雙掃 描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)中，由于兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)12之間的、位于同一行的兩個(gè)子像素電極14連 接在同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)12上，使得數(shù)據(jù)線(xiàn)12需要通過(guò)較長(zhǎng)一段的源極連接線(xiàn)121與對(duì)應(yīng)TFT13 的源極131相連。源極連接線(xiàn)121的存在，增大了數(shù)據(jù)線(xiàn)12的電阻電容負(fù)載(RCloading),同 時(shí)該源極連接線(xiàn)121由不透光金屬制成且具有一定的線(xiàn)寬，因此也降低了像素的開(kāi)口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)W及具有該雙掃描線(xiàn)像素陣 列結(jié)構(gòu)的顯示面板和顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，W解決現(xiàn)有的雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)不能實(shí)現(xiàn) 單點(diǎn)反轉(zhuǎn)，并且數(shù)據(jù)線(xiàn)的電阻電容負(fù)載較大和降低像素的開(kāi)口率的問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明的第一實(shí)施例提供一種雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)，包括多條掃描線(xiàn)、多條數(shù) 據(jù)線(xiàn)W及多個(gè)子像素電極，該多條掃描線(xiàn)和該多條數(shù)據(jù)線(xiàn)呈交叉設(shè)置，該多個(gè)子像素電極 呈陣列分布，其中：
[0010] 每相鄰兩行子像素電極之間設(shè)有兩條掃描線(xiàn)，第一行子像素電極的上方和最后一 行子像素電極的下方各設(shè)有一條掃描線(xiàn)；
[0011] 每相鄰兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)之間設(shè)有一列子像素電極，所有數(shù)據(jù)線(xiàn)中每四條數(shù)據(jù)線(xiàn)為一 組，每組內(nèi)的第一條數(shù)據(jù)線(xiàn)和第Ξ條數(shù)據(jù)線(xiàn)始末相連形成一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)，每組內(nèi)的第二條 數(shù)據(jù)線(xiàn)和第四條數(shù)據(jù)線(xiàn)始末相連形成另一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)；
[0012] 位于奇數(shù)行的子像素電極中，每四個(gè)子像素電極為一組，每組內(nèi)的第一個(gè)子像素 電極和第四個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極上方的掃描線(xiàn)，每組內(nèi)的第二個(gè)子像 素電極和第Ξ個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極下方的掃描線(xiàn)；
[0013]位于偶數(shù)行的子像素電極中，每四個(gè)子像素電極為一組，每組內(nèi)的第一個(gè)子像素 電極和第二個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極上方的掃描線(xiàn)，每組內(nèi)的第Ξ個(gè)子像 素電極和第四個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極下方的掃描線(xiàn)；
[0014] 位于奇數(shù)行的子像素電極中，每個(gè)子像素電極連接緊靠于該子像素電極左側(cè)的數(shù) 據(jù)線(xiàn)；W及
[0015] 位于偶數(shù)行的子像素電極中，每個(gè)子像素電極連接緊靠于該子像素電極右側(cè)的數(shù) 據(jù)線(xiàn)。
[0016]本發(fā)明的第二實(shí)施例提供一種雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)，包括多條掃描線(xiàn)、多條數(shù) 據(jù)線(xiàn)W及多個(gè)子像素電極，該多條掃描線(xiàn)和該多條數(shù)據(jù)線(xiàn)呈交叉設(shè)置，該多個(gè)子像素電極 呈陣列分布，其中：
[0017]每相鄰兩行子像素電極之間設(shè)有兩條掃描線(xiàn)，第一行子像素電極的上方和最后一 行子像素電極的下方各設(shè)有一條掃描線(xiàn)；
[0018]每相鄰兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)之間設(shè)有一列子像素電極，所有數(shù)據(jù)線(xiàn)中每四條數(shù)據(jù)線(xiàn)為一 組，每組內(nèi)的第一條數(shù)據(jù)線(xiàn)和第Ξ條數(shù)據(jù)線(xiàn)始末相連形成一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)，每組內(nèi)的第二條 數(shù)據(jù)線(xiàn)和第四條數(shù)據(jù)線(xiàn)始末相連形成另一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)；
[0019]位于奇數(shù)行的子像素電極中，每四個(gè)子像素電極為一組，每組內(nèi)的第一個(gè)子像素 電極和第四個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極上方的掃描線(xiàn)，每組內(nèi)的第二個(gè)子像 素電極和第Ξ個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極下方的掃描線(xiàn)；
[0020] 位于偶數(shù)行的子像素電極中，每四個(gè)子像素電極為一組，每組內(nèi)的第一個(gè)子像素 電極和第二個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極上方的掃描線(xiàn)，每組內(nèi)的第Ξ個(gè)子像 素電極和第四個(gè)子像素電極連接緊靠于該行子像素電極下方的掃描線(xiàn)；
[0021] 位于奇數(shù)行的子像素電極中，每個(gè)子像素電極連接緊靠于該子像素電極右側(cè)的數(shù) 據(jù)線(xiàn)；W及
[0022] 位于偶數(shù)行的子像素電極中，每個(gè)子像素電極連接緊靠于該子像素電極左側(cè)的數(shù) 據(jù)線(xiàn)。
[0023]進(jìn)一步地，該雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)TFT，每個(gè)子像素電極通過(guò)一個(gè) TFT與對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)相連。
[0024]進(jìn)一步地，每個(gè)TFT的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)相連，每個(gè)TFT的源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn) 相連，每個(gè)TFT的漏極與對(duì)應(yīng)的子像素電極相連。
[0025]進(jìn)一步地，該雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)還包括公共電極、第一絕緣層和第二絕緣層， 該第一絕緣層形成在每個(gè)TFT的源極和漏極上，該公共電極形成在該第一絕緣層上，該第二 絕緣層形成在該公共電極上，該多個(gè)子像素電極設(shè)置在該第二絕緣層上，該第一絕緣層和 該第二絕緣層上于對(duì)應(yīng)每個(gè)TFT的漏極位置設(shè)有通孔，每個(gè)TFT的漏極通過(guò)該通孔與對(duì)應(yīng)的 子像素電極相連。
[0026]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述的雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)。
[0027] 本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[00%]本發(fā)明還提供一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述的顯示面板，該驅(qū)動(dòng)方法 包括如下步驟：
[0029]在一帖畫(huà)面中，向位于奇數(shù)的數(shù)據(jù)總線(xiàn)上輸出具有第一極性的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，向 位于偶數(shù)的數(shù)據(jù)總線(xiàn)上輸出具有第二極性的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其中該第一極性與該第二極性 相反；W及
[0030]在下一帖畫(huà)面中，向位于奇數(shù)的數(shù)據(jù)總線(xiàn)上輸出具有該第二極性的數(shù)據(jù)電壓信 號(hào)，向位于偶數(shù)的數(shù)據(jù)總線(xiàn)上輸出具有該第一極性的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)，可使數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)目減半，有利于降 低源極驅(qū)動(dòng)忍片的成本，另外將所有數(shù)據(jù)線(xiàn)中每四條數(shù)據(jù)線(xiàn)形成為一組，每組內(nèi)的第一條 數(shù)據(jù)線(xiàn)和第Ξ條數(shù)據(jù)線(xiàn)始末相連形成一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)，每組內(nèi)的第二條數(shù)據(jù)線(xiàn)和第四條數(shù)據(jù) 線(xiàn)始末相連形成另一條數(shù)據(jù)總線(xiàn)，再通過(guò)各數(shù)據(jù)總線(xiàn)與源極驅(qū)動(dòng)忍片相連，能夠?qū)崿F(xiàn)單點(diǎn) (1dotinversion)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，有利于提升顯示畫(huà)質(zhì)，而且每條數(shù)據(jù)線(xiàn)與鄰近的子像素電極 相連，可減小數(shù)據(jù)線(xiàn)的電阻電容負(fù)載(RCloading)，并提高像素的開(kāi)口率和穿透率。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1為現(xiàn)有的一種具有雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0033]圖2為圖1中部分的像素陣列結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0034]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中的雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0035]圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例中的雙掃描線(xiàn)像素陣列結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0036]圖5為圖4中部分的像素陣列結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
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