像素結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體設及一種像素結構及其制備方法、陣列基板和顯 示裝置。
【背景技術】
[0002] 隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示裝置化iquid化ystal Display,簡稱LCD)和 OLED顯示裝置的rganic Li曲t血ission Display,即有機電致發(fā)光）成為目前的主流顯 示裝置。液晶顯示裝置是目前平板顯示裝置中應用最廣泛的一種，其主要構成部件是液晶 面板，液晶面板主要包括彩膜基板、陣列基板W及設置于二者之間的液晶。
[0003] 陣列基板是LCD顯示裝置中的重要部分，其中包括薄膜晶體管燈bin Film Transistor,簡稱TFT) W及與薄膜晶體管相連的像素電極，通過控制薄膜晶體管的開閉來 控制像素電極產(chǎn)生相應的電場，從而實現(xiàn)對液晶的驅動控制，實現(xiàn)圖像顯示。事實上，薄膜 晶體管也是OL邸顯示裝置中重要的控制元件。
[0004] 如圖1所示，薄膜晶體管通常包括依次設置的柵極4、柵極絕緣層2、有源層6、源極 7A和漏極7B等層結構。在薄膜晶體管的制備過程中，由于柵極4的厚度（通常為4000A 左右）的原因，在柵極絕緣層2沉積在柵極4之上的時候，柵極4與柵極絕緣層2搭接處形 成相對段差，使得柵極絕緣層2容易發(fā)生斷裂，從而導致柵極4暴露造成不良。針對上述問 題，目前常用的解決方式是，增加柵極絕緣層2的厚度預防斷裂，但運種方式并不能從根本 上解決上述問題，而且還可能造成工藝時間增長、進一步引發(fā)后續(xù)工藝問題的風險。 陽〇化]可見，提供一種制備工藝簡單、結構可靠的像素結構成為目前顯示領域亟待解決 的技術問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在的上述不足，提供一種像素 結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，該像素結構的制備方法結合了背曝光工藝和剝 離工藝，能有效避免形成絕緣層W及形成嵌于所述絕緣層的內(nèi)部的金屬層時二者之間的段 差，而且工藝簡單，能有效提高生產(chǎn)效率。
[0007] 解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是該像素結構的制備方法，包括形成絕緣 層W及形成嵌于所述絕緣層的內(nèi)部的金屬層的步驟，包括：形成透明介質層，并采用背曝光 工藝和剝離工藝對所述透明介質層進行處理，形成包括所述絕緣層的圖形W及嵌于所述絕 緣層的內(nèi)部的所述金屬層的圖形；
[0008] 其中，所述絕緣層中開設有用于嵌入所述金屬層的槽孔，所述槽孔的形狀與所述 金屬層的形狀相適，且所述槽孔的面積等于所述金屬層的面積、所述槽孔的深度等于所述 金屬層的厚度。
[0009] 優(yōu)選的是，所述透明介質層為光刻膠層，所述像素結構的制備方法具體包括步 驟：
[0010] 依次形成絕緣薄膜層和所述光刻膠層；
[0011] 采用背曝光工藝去除所述光刻膠層對應著形成所述金屬層的區(qū)域部分的光刻膠 材料，形成介質溝槽；
[0012] 采用刻蝕工藝去除所述絕緣薄膜層對應著所述介質溝槽區(qū)域的絕緣材料，形成包 括所述槽孔的所述絕緣層的圖形，所述槽孔用于容置所述金屬層；
[0013] 在所述光刻膠層遠離所述絕緣薄膜層的一側形成金屬薄膜層；
[0014]W及，采用剝離工藝去除所述光刻膠層W及與其接觸的所述金屬材料，保留所述 槽孔W內(nèi)的金屬材料，形成嵌于所述絕緣層中的所述金屬層。
[0015] 優(yōu)選的是，在背曝光工藝中，所述絕緣薄膜層相對所述光刻膠層更靠近曝光光 源；
[0016]W及，對于形成的所述介質溝槽，在垂直于所述絕緣層所在平面的方向，所述介質 溝槽的截面形狀為相對邊不等長的四邊形形狀；且，在平行于所述絕緣層所在平面的方向， 所述介質溝槽靠近所述絕緣層的面積大于其遠離所述絕緣層的面積，所述介質溝槽遠離所 述絕緣層的面積大于等于所述金屬層的面積。
[0017] 優(yōu)選的是，在垂直于所述絕緣層所在平面的方向，所述介質溝槽的截面形狀為梯 形形狀，其中：
[0018] 在背曝光工藝中，采用普通掩模板，所述介質溝槽的截面形狀形成兩腰為直線的 梯形形狀；
[0019] 或者，在背曝光工藝中，采用半透膜掩模板，所述介質溝槽的截面形狀形成兩腰為 外凸的弧線的梯形形狀。
[0020] 優(yōu)選的是，所述曝光光源的中屯、對應著將形成所述介質溝槽的中屯、，在垂直于所 述絕緣層所在平面的方向，所述介質溝槽的截面形狀為兩腰為直線的等腰梯形形狀或兩腰 為外凸的弧線的等腰梯形形狀。
[0021] 優(yōu)選的是，所述像素結構包括頂柵型薄膜晶體管，其中，所述絕緣層為柵極絕緣 層，所述金屬層為柵極層，所述柵極絕緣層的上方還依次設置有源層W及源漏極層。
[0022] 優(yōu)選的是，所述柵極絕緣層與所述有源層之間還設置有輔助柵極絕緣層，所述輔 助柵極絕緣層采用與所述柵極絕緣層相同的材料形成、且完全覆蓋于所述柵極絕緣層W及 所述柵極層的上方。
[0023] 優(yōu)選的是，所述像素結構包括薄膜晶體管W及位于所述薄膜晶體管下方的像素電 極和純化層，其中，所述絕緣層為所述純化層，所述金屬層為所述像素電極層。
[0024] 優(yōu)選的是，所述像素結構設置于基板的上方，所述基板為透明板狀結構。
[0025] 一種像素結構，包括絕緣層W及嵌于所述絕緣層的內(nèi)部的金屬層，所述絕緣層中 開設有用于嵌入所述金屬層的槽孔，所述槽孔的形狀與所述金屬層的形狀相適，且所述槽 孔的面積等于所述金屬層的面積、所述槽孔的深度等于所述金屬層的厚度。
[00%] 優(yōu)選的是，所述像素結構包括頂柵型薄膜晶體管，其中，所述絕緣層為柵極絕緣 層，所述金屬層為柵極層，所述柵極絕緣層的上方還依次設置有源層W及源漏極層。
[0027]優(yōu)選的是，所述柵極絕緣層與所述有源層之間還設置有輔助柵極絕緣層，所述輔 助柵極絕緣層采用與所述柵極絕緣層相同的材料形成、且完全覆蓋所述柵極絕緣層W及所 述柵極層的上方。
[0028] 優(yōu)選的是，所述像素結構包括薄膜晶體管W及位于所述薄膜晶體管下方的像素電 極和純化層，其中，所述絕緣層為所述純化層，所述金屬層為所述像素電極層。
[0029] 優(yōu)選的是，所述像素結構設置于基板的上方，所述基板為透明板狀結構。
[0030] 一種陣列基板，包括上述的像素結構。
[0031] 一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0032] 本發(fā)明的有益效果是：
[0033] 該像素結構的制備方法中，不需要增加額外的掩模板和構圖工藝，通過采用背曝 光工藝實現(xiàn)了絕緣層W及形成嵌于所述絕緣層的內(nèi)部的金屬層的制備，有效解決了柵極絕 緣層在沉積在柵極上時易發(fā)生斷裂的問題，避免了柵極絕緣層斷裂的風險，該像素結構的 制備方法簡單易行，制程簡單，具有普及性，易運用于實際生產(chǎn)之中，實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)；
[0034] 同時，通過形成具有截面形狀為倒梯形形狀的介質溝槽的光刻膠層的技術，并配 合剝離工藝，使得柵極層不需要進行曝光、顯影和刻蝕工藝就可W形成圖形，減少了工藝步 驟，節(jié)約了成本，提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0035] 圖1為現(xiàn)有技術中像素結構的結構示意圖；
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