像素陣列及像素單元的修補(bǔ)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種像素陣列及像素單元的修補(bǔ)方法，特別是一種利于進(jìn)行暗點(diǎn)化的像素陣列及像素單元的修補(bǔ)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，雖然平面顯示器技術(shù)已趨成熟，但顯示面板的組成元件，如主動(dòng)元件陣列基板，在制造過(guò)程之中難免會(huì)產(chǎn)生一些點(diǎn)瑕瘋(dot defect)。一般來(lái)說(shuō)，若能通過(guò)修補(bǔ)方式將上述的點(diǎn)瑕疵修補(bǔ)成暗點(diǎn)，就可以不需要報(bào)廢丟棄這些有瑕疵的顯示面板。
[0003]現(xiàn)行的像素單元的修補(bǔ)方式通常是采用激光恪接(laser welding)及激光切割(laser cutting)的搭配來(lái)進(jìn)行，以將像素電極連接至共用電位，進(jìn)而達(dá)到暗點(diǎn)化效果。然而，由于顯示面板的結(jié)構(gòu)趨于復(fù)雜，因此像素電極在修補(bǔ)后仍有可能未確實(shí)地連接至共用電位，而使得暗點(diǎn)化失敗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種像素陣列，其結(jié)構(gòu)有利于對(duì)瑕疵像素進(jìn)行暗點(diǎn)化。
[0005]本發(fā)明另一目的是提供一種像素陣列，其具有經(jīng)暗點(diǎn)化的瑕疵像素。
[0006]本發(fā)明還一目的是提供一種像素單元的修補(bǔ)方法，其可達(dá)到將瑕疵像素確實(shí)暗點(diǎn)化的目的。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素陣列，包括多個(gè)像素單元，其中每一個(gè)像素單元包括第一子像素以及第二子像素。第一子像素包括第一主動(dòng)元件以及與第一主動(dòng)元件的漏極電性連接的第一像素電極。第二子像素包括第二主動(dòng)元件以及與第二主動(dòng)元件的漏極電性連接的第二像素電極，其中第一像素電極與第二主動(dòng)元件的漏極具有交疊處且形成第一電容。
[0008]為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種像素陣列，包括多個(gè)像素單元，其中每一個(gè)像素單元包括第一子像素、第二子像素、第一電極以及第二電極。第一子像素包括第一主動(dòng)元件以及與第一主動(dòng)元件的漏極電性連接的第一像素電極。第二子像素包括第二主動(dòng)元件以及與第二主動(dòng)元件的漏極電性連接的第二像素電極，其中第一像素電極與第二主動(dòng)元件的漏極的交疊處具有第一熔接點(diǎn)。第一像素電極與第二像素電極經(jīng)由第一熔接點(diǎn)與共同電位電性連接。
[0009]為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種像素單元的修補(bǔ)方法包括以下步驟:提供像素單元，其包括第一子像素、第二子像素、第一電極以及第二電極。第一子像素包括第一主動(dòng)元件以及與第一主動(dòng)元件的漏極電性連接的第一像素電極。第二子像素包括第二主動(dòng)元件以及與第二主動(dòng)元件的漏極電性連接的第二像素電極，其中第一像素電極與第二主動(dòng)元件的漏極具有第一交疊處。進(jìn)行激光切割工藝，切割提供信號(hào)至第一主動(dòng)元件與第二主動(dòng)元件的信號(hào)線。進(jìn)行激光熔接工藝，以于第一交疊處形成第一熔接點(diǎn)，其中第一像素電極與第二像素電極經(jīng)由第一熔接點(diǎn)與共同電位電性連接。
[0010]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
[0011]在本發(fā)明之像素陣列的第一與第二子像素中，第一像素電極與第二主動(dòng)元件的漏極具有交疊處且形成電容。當(dāng)像素單元中的第一或第二子像素發(fā)生瑕疵時(shí)，第二子像素可以經(jīng)由第一子像素與熔接點(diǎn)而電性連接至共同電位，即可達(dá)到將像素單元暗點(diǎn)化的目的。因此，本發(fā)明的像素陣列的設(shè)計(jì)有利于對(duì)像素單元進(jìn)行修補(bǔ)，使得采用此像素陣列的顯示面板具有良好的顯不品質(zhì)。
[0012]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖；
[0014]圖1B為圖1A像素單元的局部放大示意圖；
[0015]圖1C為圖1B的像素單元的等效電路示意圖；
[0016]圖2A為對(duì)圖1B的像素單元進(jìn)行修補(bǔ)后的示意圖；
[0017]圖2B為圖2A的經(jīng)修補(bǔ)的像素單元的等效電路示意圖；
[0018]圖3A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖；
[0019]圖3B為圖3A像素單元的局部放大示意圖；
[0020]圖3C為圖3B的像素單元的等效電路示意圖；
[0021]圖4A為對(duì)圖3B的像素單元進(jìn)行修補(bǔ)后的示意圖；
[0022]圖4B為圖4A的經(jīng)修補(bǔ)的像素單元的等效電路示意圖；
[0023]圖5A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖；
[0024]圖5B為圖5A像素單元的局部放大示意圖；
[0025]圖5C為圖5B的像素單元的等效電路示意圖；
[0026]圖6A為對(duì)圖5B的像素單元進(jìn)行修補(bǔ)后的示意圖；
[0027]圖6B為圖6A的經(jīng)修補(bǔ)的像素單元的等效電路示意圖；
[0028]圖7A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖；
[0029]圖7B為圖7A像素單元的局部放大示意圖；
[0030]圖7C為圖7B的像素單元的等效電路示意圖；
[0031]圖8A為對(duì)圖7B的像素單元進(jìn)行修補(bǔ)后的示意圖；
[0032]圖8B為圖8A的經(jīng)修補(bǔ)的像素單元的等效電路示意圖；
[0033]圖9A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素單元的等效電路示意圖；
[0034]圖9B為本發(fā)明一實(shí)施例的經(jīng)修補(bǔ)的像素單元的等效電路示意圖。
[0035]其中，附圖標(biāo)記
[0036]10、10a、10b、10c 像素陣列
[0037]100、100a、100b、100c 像素單元
[0038]110電容電極
[0039]C1、C2、C3、CLC1、CLC2、CST1、CST2 電容
[0040]CHl、CH2、CHsh、CHst 通道層
[0041]CL共同線
[0042]CS切割處
[0043]Dl、D2、Dsh、Dst 漏極
[0044]DL數(shù)據(jù)線
[0045]DL1第一數(shù)據(jù)線
[0046]DL2第二數(shù)據(jù)線
[0047]E1第一電極
[0048]E2第二電極
[0049]E3第三電極
[0050]E4 電極
[0051]Gl、G2、Gsh 柵極
[0052]GL掃描線
[0053]P1第一子像素
[0054]P2第二子像素
[0055]PE1第一像素電極
[0056]PE2第二像素電極
[0057]Pw 路徑
[0058]Sl、S2、Ssh 源極
[0059]SL信號(hào)線
[0060]T1第一主動(dòng)元件
[0061]T2第二主動(dòng)元件
[0062]Tsh分享開(kāi)關(guān)元件
[0063]VCS、VC0M 共同電位
[0064]W1第一熔接點(diǎn)
[0065]W2第二熔接點(diǎn)
[0066]W3第三熔接點(diǎn)
【具體實(shí)施方式】
[0067]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述
[0068]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖，圖1B為圖1A像素單元的局部放大示意圖，圖1C為圖1B的像素單元的等效電路示意圖。為了說(shuō)明方便，在圖1A中是以像素陣列包括2x2個(gè)像素單元為例，但本發(fā)明不以此為限。
[0069]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A至圖1C，像素陣列10包括多個(gè)像素單元100。每一個(gè)像素單元100