像素單元以及像素陣列的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素單元以及像素陣列，且特別是有關(guān)于一種具有共用連接部的像素單元以及像素陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，顯示器的技術(shù)也不斷地發(fā)展。輕、薄、短、小的平面顯示器(FlatPanel Display，F(xiàn)PD)逐漸取代傳統(tǒng)厚重的陰極映像管顯示器(Cathode Ray Tube,CRT)。在現(xiàn)行的顯示器產(chǎn)品當(dāng)中，為了增加畫面清晰度，會(huì)在像素單元中設(shè)計(jì)連接到共用準(zhǔn)位的晶體管以及共用電極線，以產(chǎn)生分壓效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種像素單元以及像素陣列，其能有效增加開口率，并防止透明電極材料短路或是斷線的問題，以提高顯示器的良率以及品質(zhì)。
[0004]本發(fā)明提供一種像素單元，其包括掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一像素結(jié)構(gòu)、第二像素結(jié)構(gòu)、第一共用電極線、第二共用電極線以及共用連接部。第一像素結(jié)構(gòu)包括第一開關(guān)元件、第一主像素電極、第一子像素電極以及第一主動(dòng)元件。第二像素結(jié)構(gòu)包括第二開關(guān)元件、第二主像素電極、第二子像素電極以及第二主動(dòng)元件。第一主像素電極以及第一子像素電極分別配置于掃描線的兩側(cè)且與第一開關(guān)元件電連接。第一主動(dòng)元件與第一開關(guān)元件電連接。第二像素結(jié)構(gòu)包括第二開關(guān)元件、第二主像素電極、第二子像素電極以及第二主動(dòng)元件。第二主像素電極以及第二子像素電極分別配置于掃描線的兩側(cè)且與第二開關(guān)元件電連接。第二主動(dòng)元件與第二開關(guān)元件電連接。第一共用電極線配置于第一主像素電極以及第二主像素電極之間。第二共用電極線配置于第一子像素電極以及第二子像素電極之間，且第一共用電極線與第二共用電極線于掃描線通過之處彼此分離。共用連接部電連接第一共用電極線與第二共用電極線。
[0005]本發(fā)明提供一種像素陣列，其包括多個(gè)上述像素單元，且像素單元重復(fù)排列成一陣列。像素單元的第一像素結(jié)構(gòu)以及第二像素結(jié)構(gòu)在第一方向上交錯(cuò)排列，以定義出多個(gè)行，且第一像素結(jié)構(gòu)以及第二像素結(jié)構(gòu)在第二方向上交錯(cuò)排列，以定義出多個(gè)列。其中，第一方向不同于第二方向。
[0006]基于上述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)以及像素陣列利用跨線銜接的方式增加開口率。另一方面，由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)以及像素陣列的設(shè)計(jì)能夠使得橋接電極與像素電極具有較大的距離，因此能夠避免橋接電極與像素電極之間的短路問題的發(fā)生。除此之外，通過本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)以及像素陣列的設(shè)計(jì)，亦能避免橋接電極斷線，以提高顯示器的良率。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的上視示意圖；
[0009]圖2是圖1的像素陣列中的像素單元的上視示意圖；
[0010]圖3是根據(jù)圖2的剖線A-A’的剖面示意圖；
[0011 ]圖4是根據(jù)圖2的剖線B-B，的剖面示意圖；
[0012]圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列中的像素單元的上視示意圖；
[0013]圖6是根據(jù)圖5的剖線A-A’的剖面示意圖；
[0014]圖7是根據(jù)圖5的剖線B-B’的剖面示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記
[0016]U、U’:像素單元
[0017]P1:第一像素結(jié)構(gòu)
[0018]P2:第二像素結(jié)構(gòu)
[0019]DL1:第一數(shù)據(jù)線
[0020]DL2:第二數(shù)據(jù)線
[0021]SL:掃描線
[0022]A1:第一開關(guān)元件
[0023]A2:第二開關(guān)元件
[0024]TFT1:第一薄膜晶體管
[0025]TFT2:第二薄膜晶體管
[0026]TFT3:第三薄膜晶體管
[0027]TFT4:第四薄膜晶體管
[0028]G1、G2、G3、G4:柵極
[0029]S1、S2、S3、S4:源極
[0030]D1、D2、D3、D4:漏極
[0031]CH1、CH2、CH3、CH4:通道層
[0032]GT1:第一柵極
[0033]GT2:第二柵極
[0034]ST1:第一源極
[0035]ST2:第二源極
[0036]DT1:第一漏極
[0037]DT2:第二漏極
[0038]CHT1:第一通道層
[0039]CHT2:第二通道層
[0040]PEM1:第一主像素電極[0041 ]PEM2:第二主像素電極
[0042]PES1:第一子像素電極
[0043]PES2:第二子像素電極
[0044]CL1:第一共用電極線
[0045]CL2:第二共用電極線
[0046]CN:共用連接部
[0047]Cl:第一接觸窗
[0048]C2:第二接觸窗
[0049]C3:第三接觸窗
[0050]C4:第四接觸窗[0051 ]C5:第五接觸窗
[0052]C6:第六接觸窗
[0053]C7:第七接觸窗
[0054]CG1:第一柵絕緣層接觸窗
[0055]CG2:第二柵絕緣層接觸窗
[0056]Βι?Bn:列
[0057]Ri?Rm:行
[0058]MD:第一方向
[0059]TD:第二方向
[0060]G1:柵絕緣層
[0061]100:基板
[0062]200:絕緣層
【具體實(shí)施方式】
[0063]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列PA的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，像素陣列PA包括多個(gè)重復(fù)排列的像素單元U。像素單元U包括掃描線SL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第一像素結(jié)構(gòu)P1、第二像素結(jié)構(gòu)P2、第一共用電極線CL1、第二共用電極線CL2以及共用連接部
CNo
[0064]在本實(shí)施例中，第一像素結(jié)構(gòu)P1以及第二像素結(jié)構(gòu)P2在第一方向TD上交錯(cuò)排列，以定義出多個(gè)列Βι?Bn。另一方面，第一像素結(jié)構(gòu)P1以及第二像素結(jié)構(gòu)P2在與第一方向TD不同的第二方向MD上交錯(cuò)排列，以定義出多個(gè)行。具體來說，在第Μ行上，第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1會(huì)位于第Ν列，且第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2會(huì)位于第Ν+1列。另一方面，在第Μ+1行上，第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1會(huì)位于第Ν+1列，且第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2會(huì)位于第Ν列。舉例來說，若N=1且Μ=2，則在第2行上，第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1會(huì)位于第1列而第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2會(huì)位于第2列。另一方面，在第3行上，第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1會(huì)位于第2列而第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2會(huì)位于第1列。換言之，在本實(shí)施例中，第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1為棋盤格狀排列，且第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2亦為棋盤格狀排列，如圖1所示。另一方面，在第Μ行上，共用連接部CN位于第Ν列以及第Ν+1列之間，且在第Μ+1行上，共用連接部CN位于第Ν+1列以及第Ν+2列之間。舉例來說，在第2行上，共用連接部CN位于第1列以及第2列之間，且在第3行上，共用連接部CN會(huì)位于第2列以及第3列之間。
[0065]圖2是圖1的像素陣列ΡΑ中的像素單元U的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，如前述，像素單元U包括掃描線SL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1、第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2、第一共用電極線CL1、第二共用電極線CL2以及共用連接部CN。第一像素結(jié)構(gòu)Ρ1包括第一開關(guān)元件Α1、第一主像素電極ΡΕΜ1、第一子像素電極PES1以及第一主動(dòng)元件Τ1。另一方面，第二像素結(jié)構(gòu)Ρ2包括第二開關(guān)元件Α2、第二主像素電極ΡΕΜ2、第二子像素電極PES2以及第二主動(dòng)元件Τ2。
[0066]圖3是根據(jù)圖2的剖線A-A’的剖面示意圖。圖4是根據(jù)圖2的剖線B-B’的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2至圖4，以下將詳細(xì)說明像素單元U的形成方式。首先，在基板100上形成第一金屬材料層(未繪示)并圖案化第一金屬材料層以形成掃描線SL、多個(gè)柵極G1?G4、第一柵極GT1、第二柵極GT2、第一共用電極線CL1以及第二共用電極線CL2。換言之，掃描線SL、柵極G1?G4、第一柵極GT1、第二柵極GT2、第一共用電極線CL1以及第二共用電極線CL2屬于同一膜層?；?00的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物或是金屬等等。另一方面，第一金屬材料層一般是使用金屬材料。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實(shí)施例，也可以使用其他導(dǎo)電材料，例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。值得注意的