本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜板、曝光裝置以及膜層圖案的制作方法方法。

背景技術(shù)：

光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。光刻工藝的主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到基板上，或?yàn)橄乱徊竭M(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。尤其在顯示領(lǐng)域中，液晶顯示元件和半導(dǎo)體元件中的各種膜層，如金屬層、黑矩陣層、彩色濾光層、透明導(dǎo)電層等膜層，通過涂覆、曝光和顯影工藝以及刻蝕等工藝形成于基板之上的。根據(jù)各種膜層的需要，在玻璃基板上涂覆感光基材，通過曝光裝置對(duì)感光基材進(jìn)行曝光以及顯影，由圖案化后的感光基材形成膜層圖案，或者進(jìn)一步用圖案化后的感光基材作為阻擋，刻蝕光敏樹脂圖案下層的膜層得到需要的膜層圖案。

隨著顯示面板的顯示區(qū)域大型化發(fā)展，即使使用尺寸最大光罩的掃描曝光機(jī)，也無法將所有顯示面板的圖形一次曝光完成，因此，掃描型曝光機(jī)被主要運(yùn)用在曝光過程中。該曝光裝置配置有多個(gè)透鏡，從光源出射的光線經(jīng)投射在感光基材上，并對(duì)感光基材進(jìn)行曝光。為了使投射區(qū)域良好銜接，避免曝光照度不均，相鄰的投射區(qū)域的邊緣被重復(fù)曝光。但是，在曝光裝置掃描過程中，重復(fù)曝光處的的感光基材的反應(yīng)狀況依舊與重復(fù)曝光處外的感光基材的反應(yīng)狀況存在差異，最終導(dǎo)致顯示面板亮度不一，造成產(chǎn)品顯示不均勻等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種用于制作膜層圖案的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括第一掩膜區(qū)域和第二掩膜區(qū)域；

所述第一掩膜區(qū)域包括若干第一透光區(qū)和若干第一遮光區(qū)；

所述第二掩膜區(qū)域包括若干第二透光區(qū)和若干第二遮光區(qū)；

其中，所述第一透光區(qū)的實(shí)際線寬大于理論線寬；所述理論線寬等于待制作的膜層相應(yīng)位置處圖案的線寬。

本發(fā)明還提供了一種曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置可對(duì)待曝光材料進(jìn)行掃描曝光，所述曝光裝置包括依次設(shè)置的光源、上述掩膜板以及若干透鏡；所述透鏡配置成依定量位移形成相鄰的投射區(qū)域；沿與所述掃描方向直交的方向，相鄰所述投射區(qū)域的相鄰端部重疊形成重疊區(qū)；所述掩膜板的所述第一掩膜區(qū)域?qū)?yīng)所述投射區(qū)域的所述重疊區(qū)域設(shè)置。

本發(fā)明還提供了一種膜層圖案的制作方法，包括：

在基板上形成待圖案化的膜層；

使用上述曝光裝置對(duì)所述膜層進(jìn)行曝光；

對(duì)所述膜層進(jìn)行刻蝕，形成膜層圖案。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對(duì)光刻工藝中使用的掩膜板及曝光裝置進(jìn)行改進(jìn)，可以解決由于掃描曝光方式造成固定區(qū)域處圖案大小差異的問題。在不引入新的制作步驟，不增加制作成本的同時(shí)，改善因?yàn)楣鈴?qiáng)差異造成的線寬不均一的問題，不僅提高了產(chǎn)品良率，還保證了顯示面板的顯示畫面的品質(zhì)。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的曝光裝置在透鏡掃描過程示意圖；

圖2(a)到2(c)是現(xiàn)有技術(shù)制作的不同參數(shù)的顯示面板的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；

圖3是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的掩膜板的平面示意圖；

圖4(a)是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的曝光裝置的示意圖；

圖4(b)是圖4(a)中基板的俯視圖；

圖5是圖4沿y方向的截面的示意圖

圖6(a)到圖6(c)是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的膜層圖案的制作方法的示意圖；

圖7(a)到圖7(c)是通過本發(fā)明的制作方法制作的顯示面板的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。

本發(fā)明附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的曝光裝置在透鏡掃描過程示意圖，在掃描曝光的過程中，光經(jīng)過透鏡130，投射在基板140上涂覆的感光樹脂層150上，對(duì)感光樹脂層150進(jìn)行曝光，其中，圖中感光樹脂層150上陰影部分為被掃描過的部分。光經(jīng)過每個(gè)透鏡130，投射在感光樹脂層150所在平面上，形成投射區(qū)域160。落入投射區(qū)域160內(nèi)的感光樹脂層150被曝光。透鏡130可以沿x方向(即掃描方向)相對(duì)基板140移動(dòng)，投射區(qū)域160隨著透鏡130在感光樹脂層150上移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)大尺寸顯示設(shè)備所用元件的掃描曝光。

由于每個(gè)透鏡130的邊緣區(qū)域的光學(xué)性能與透鏡130的中間區(qū)域的光學(xué)性能存在一定的差異，因此，投射區(qū)域160的邊緣區(qū)域161的光的強(qiáng)度與投射區(qū)域160的中間區(qū)域162的光的強(qiáng)度存在差異。因此，將透鏡在y方向(即與掃描方向正交的方向)上相互錯(cuò)，使相鄰的投射區(qū)域160相鄰邊緣區(qū)域161重疊形成重疊區(qū)170，補(bǔ)償邊緣區(qū)域161與中間區(qū)域162的光強(qiáng)差異?，F(xiàn)以七個(gè)透鏡131到137為例進(jìn)行說明。也就是說，透鏡131、透鏡133、透鏡135、透鏡137沿著y方向排列并具有相同x軸坐標(biāo)x1；透鏡132、透鏡134、透鏡136沿著y方向排列并具有相同x軸坐標(biāo)x2；x1與x2不相等；這樣相鄰130可以在y方向上相互靠近，相鄰的投射區(qū)域160相互靠近的邊緣區(qū)域161具有相同y軸坐標(biāo)，相鄰的投射區(qū)域160相互靠近的邊緣區(qū)域161在在掃描過程中重疊。因此，在透鏡130沿x方向移動(dòng)，使曝光裝置對(duì)感光樹脂層150進(jìn)行曝光時(shí)，相鄰邊緣區(qū)域161先后掃過感光樹脂層150的同一區(qū)域，在感光樹脂層150所在平面上形成在重疊區(qū)170。

但是，落入重疊區(qū)170內(nèi)的感光樹脂層150雖然被重復(fù)曝光，但是，由于相鄰邊緣區(qū)域161是分先后經(jīng)過重疊區(qū)170而不是同在一時(shí)刻疊加在重疊區(qū)170。因此在同一時(shí)刻內(nèi)，重疊區(qū)170內(nèi)的光強(qiáng)實(shí)際上并不能做到與重疊區(qū)170外的光強(qiáng)相等，在重疊區(qū)170內(nèi)的感光樹脂層150的反應(yīng)狀況依舊與重疊區(qū)170外的的感光樹脂層150的反應(yīng)狀況存在差異。而且，邊緣區(qū)域161是分先后經(jīng)過重疊區(qū)170，導(dǎo)致重疊區(qū)170內(nèi)的兩次曝光存在一段時(shí)間差，對(duì)重疊區(qū)170內(nèi)的感光樹脂層150反應(yīng)也會(huì)造成很大影響。造成落入重疊區(qū)域170內(nèi)的感光樹脂層150影后的線寬與非重疊區(qū)域內(nèi)形成的感光樹脂圖案影后的線寬不同，進(jìn)而導(dǎo)致由感光樹脂層150組成的膜層或者需感光樹脂層150覆蓋刻蝕的膜層圖案線寬不一致，導(dǎo)致顯示面板亮度不一，造成產(chǎn)品顯示不均勻等問題。

進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)，將顯示面板調(diào)至白畫面，電測(cè)白畫面，發(fā)現(xiàn)在顯示面板上出現(xiàn)明顯的白條區(qū)(mura區(qū))，對(duì)顯示面板的遮光層(即黑矩陣，bm)檢測(cè)。試驗(yàn)中，分別選取bm對(duì)應(yīng)在mura區(qū)和非mura區(qū)上的若干點(diǎn)，測(cè)量選取點(diǎn)處的bm線寬。圖2為現(xiàn)有技術(shù)制作的不同參數(shù)的顯示面板的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。橫坐標(biāo)為選取點(diǎn)的編號(hào)，縱坐標(biāo)為該點(diǎn)處bm的實(shí)際線寬(單位：μm)。其中，所測(cè)量的顯示面板對(duì)應(yīng)的bm的理論線寬，即滿足設(shè)計(jì)要求的線寬大小應(yīng)當(dāng)為5.5μm。如圖2(a)所示，在非mura區(qū)上的若干點(diǎn)處bm的實(shí)際線寬基本維持在理論線寬要求的5.5μm，部分測(cè)量點(diǎn)處bm線寬在誤差允許的范圍內(nèi)波動(dòng)；而對(duì)于對(duì)于在mura區(qū)上的若干點(diǎn)處bm的實(shí)際線寬普遍小于理論線寬要求，基本維持在5.3μm上下，超出誤差允許的范圍。

為了改善曝光差異造成的顯示不均顯示，嘗試了從工藝參數(shù)上進(jìn)行調(diào)整，例如，改變曝光時(shí)間，曝光環(huán)境等，但最終只能改善不均程度，無法杜絕mura的出現(xiàn)。此外，還嘗試了對(duì)感光基材，即對(duì)色阻的調(diào)整，例如在色阻的組成材料、厚度上做搭配，還是無法完全杜絕mura的出現(xiàn)。

隨著實(shí)驗(yàn)的深入，收集出bm不同線寬設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)相同色阻、工藝狀況下，線寬差異是恒定的。如圖2中舉例的三個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，如圖2(b)、2(c)所示，分別為設(shè)計(jì)的bm的理論線寬為15μm、22μm的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。對(duì)于所測(cè)量的顯示面板對(duì)應(yīng)的bm的理論線寬為15μm時(shí)，在非mura區(qū)上的若干點(diǎn)處，在誤差允許的波動(dòng)范圍內(nèi)，bm的實(shí)際線寬基本維持在理論線寬要求的15μm，而對(duì)于在mura區(qū)上的若干點(diǎn)處bm的實(shí)際線寬普遍小于理論線寬要求，均未超過14.8μm，超出誤差允許的范圍。對(duì)于所測(cè)量的顯示面板對(duì)應(yīng)的bm的理論線寬為22μm時(shí)，在非mura區(qū)上的若干點(diǎn)處，在誤差允許的波動(dòng)范圍內(nèi)，bm的實(shí)際線寬基本維持在理論線寬要求的22μm，而對(duì)于在mura區(qū)上的若干點(diǎn)處bm的實(shí)際線寬普遍小于理論線寬要求，均未超過21.8μm，mura區(qū)bm線寬超出誤差允許的范圍。

通過實(shí)驗(yàn)，本發(fā)明提供一種用于制作膜層圖案的掩膜板。如圖3所示，圖3為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的掩膜板的平面示意圖。

掩膜板200包括第一掩膜區(qū)域210和第二掩膜區(qū)域220。第一掩膜區(qū)域210和第二掩膜區(qū)域220沿y方向間隔排列。優(yōu)選的，本實(shí)施例提供的掩膜板用于制作網(wǎng)狀遮光層圖案。

第一掩膜區(qū)域210包括網(wǎng)狀第一透光區(qū)211和若干被第一透光區(qū)211包圍的第一遮光區(qū)212；第一透光區(qū)211包括多個(gè)沿x方向延伸的第一開口231和多個(gè)與第一開口231正交的第二開口232。

第二掩膜區(qū)域220包括網(wǎng)狀第二透光區(qū)221和若干被第二透光區(qū)221包圍的第二遮光區(qū)222；第二透光區(qū)211包括多個(gè)沿x方向延伸的第三開口233和多個(gè)與第三開口231正交的第四開口234。

本實(shí)施例中的掩膜板用于制作網(wǎng)狀遮光層，該網(wǎng)狀遮光層包括多條沿x方向和y方向延伸，且彼此正交的條狀遮光層；其中，沿x方向延伸，沿y方向排列的條狀遮光層在y方向上具有相同的線寬，且寬度均為cdy，則第一開口231和第三開口233在y方向上的理論線寬均為cdy；沿y方向延伸，沿x方向排列的條狀遮光層在x方向上具有相同的線寬，且寬度均為cdx，即第二開口232和第四開口234在x方向上的理論線寬均為cdy。

其中，第一開口231的實(shí)際線寬cd1大于第一開口231的理論線寬cdy。第三開口233的實(shí)際線寬cd3等于第三開口233的理論線寬cdy。也就是說，掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上沿x方向延伸的開口要比實(shí)際掩膜板200在該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬要大，掩膜板200的第二掩膜區(qū)域220上沿x方向延伸的開口要與實(shí)際掩膜板200在該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬大小保持一致。

第二開口232的實(shí)際線寬cd2大于第二開口232的理論線寬cdx。第四開口234的實(shí)際線寬cd4等于第四開口234的理論線寬cdx。也就是說，掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上沿y方向延伸的開口要比實(shí)際掩膜板200在該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬要大，掩膜板200的第二掩膜區(qū)域220上沿y方向延伸的開口要與實(shí)際掩膜板200在該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬大小保持一致。

優(yōu)選的，第一開口231的實(shí)際線寬cd1比第一開口231的理論線寬cdy大0.1～0.5μm。第二開口232的實(shí)際線寬cd2比第二開口232的理論線寬cdx大0.1～0.5μm。不同感光基材，即色阻，因?yàn)楦泄庑圆煌谥谱鞴に囍谱髦芯€寬會(huì)產(chǎn)生差異。而使掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上的開口的實(shí)際線寬與該區(qū)域的理論線寬相比擴(kuò)大的范圍設(shè)置在0.1～0.5μm，不僅滿足使膜層圖案線寬均一的要求，改善顯示品質(zhì)，還可以滿足即使該掩膜板用于制作不同感光基材，也不會(huì)使在制作工藝制作中感光基材得線寬產(chǎn)生的差異超出誤差允許的線寬范圍，使掩膜板可以適用于多種的感光基材。

本實(shí)施例通過對(duì)光刻工藝中使用的掩膜板改進(jìn)，可以解決由于掃描曝光方式造成固定區(qū)域處圖案大小差異問題的問題。在不引入新的制作步驟，不增加制作成本的同時(shí)，改善因?yàn)楣鈴?qiáng)差異造成的線寬不均一的問題。

如圖4所示，圖4(a)為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的曝光裝置的示意圖,圖4(b)為圖4(a)中基板的俯視圖。如圖5所示，圖5為圖4沿y方向的截面的示意圖。

結(jié)合圖4、圖5，該曝光裝置300包括沿z方向依次設(shè)置的光源310、上一實(shí)施例提供的掩膜板200以及若干透鏡330。透鏡330遠(yuǎn)離掩膜板200的一側(cè)設(shè)置有基板340，基板340朝向透鏡330的一側(cè)上涂覆有一層待曝光的感光基材350。光源310通過掩膜板200上的第一透光區(qū)211第二透光區(qū)221，經(jīng)透鏡330投射在感光基材350所在平面上，形成投射區(qū)域360。圖中沿z方向的虛線箭頭示意為光源310發(fā)出的光。優(yōu)選的，本實(shí)施例中投射區(qū)域360為梯形。透鏡330可以沿x方向(即掃描方向)相對(duì)基板340移動(dòng)，投射區(qū)域360隨著透鏡330在感光基材350上移動(dòng)。將透鏡在y方向(即與掃描方向正交的方向)上相互錯(cuò)，使相鄰的投射區(qū)域360相鄰邊緣區(qū)域361重疊形成重疊區(qū)370，補(bǔ)償邊緣區(qū)域361與中間區(qū)域362的光強(qiáng)差異。本實(shí)施例中其他與現(xiàn)有技術(shù)相同之處不再贅述。

掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210對(duì)應(yīng)投射區(qū)域360的重疊區(qū)域(即為圖5中的a區(qū)域)設(shè)置，第一掩膜區(qū)域210包括網(wǎng)狀第一透光區(qū)211和若干被第一透光區(qū)211包圍的第一遮光區(qū)212。第一透光區(qū)211包括多個(gè)沿x方向延伸的第一開口231，其中，第一掩膜區(qū)域210的第一開口231的實(shí)際線寬cd1大于第一開口231的理論線寬cdy。第二掩膜區(qū)域220對(duì)應(yīng)投射區(qū)域360的重疊區(qū)域外的區(qū)域(即為圖5中的b區(qū)域)設(shè)置，第二掩膜區(qū)域220包括第二透光區(qū)221和若干被第二透光區(qū)221包圍的第二遮光區(qū)222；第二透光區(qū)211包括多個(gè)沿x方向延伸的第三開口233，其中，第三開口233的實(shí)際線寬cd3等于第三開口233的理論線寬cdy。也就是說，掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上沿x方向延伸的開口要比實(shí)際掩膜板200該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬要大。具體的，可以將第一掩膜區(qū)域210的第一開口231沿掩膜板200所在平面上的垂直與x的方向，由中心向兩邊分別外擴(kuò)相等的距離cdadd。

優(yōu)選的，第一開口231的實(shí)際線寬cd1比第一開口231的理論線寬cdy大0.1～0.5μm。不僅滿足使膜層圖案線寬均一的要求，改善顯示品質(zhì)，還可以滿足即使該掩膜板用于制作不同感光基材，也不會(huì)使在制作工藝制作中感光基材得線寬產(chǎn)生的差異超出誤差允許的線寬范圍，使掩膜板可以適用于多種的感光基材。

當(dāng)然，本實(shí)施例由于考慮到現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板像素排布規(guī)律，通常將沿y方向延伸的像素之間的間隔設(shè)置薄膜晶體管，因此該處間隔通常的較大，沿y方向延伸，沿x方向排列的條狀遮光層在x方向上的寬度也遠(yuǎn)大于與之正交的條狀遮光層的線寬，由于掃描曝光方式造成固定區(qū)域處圖案大小的差異對(duì)沿y方向延伸的條狀遮光層影響可以忽略，因此在本發(fā)明的一些實(shí)施例中可僅僅對(duì)掩膜板上對(duì)應(yīng)沿x方向延伸的條狀遮光層的第一透光區(qū)進(jìn)行沿著y方向的外擴(kuò)。不同的，在本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例中，也可以根據(jù)具體需要，對(duì)掩膜板的第一透光區(qū)選擇性的在不同的方向(并不局限于x或y方向)上進(jìn)行外擴(kuò)。

本實(shí)施例提供的曝光裝置在保證原有透鏡的排布結(jié)構(gòu)，保持透鏡相互補(bǔ)償曝光強(qiáng)度的同時(shí)，不引入新的制作步驟，不增加制作成本，改善了原有技術(shù)中存在的光強(qiáng)差異造成的膜層圖案線寬不均一的問題，不僅提高了產(chǎn)品良率，還保證了顯示面板的顯示畫面的品質(zhì)。

如圖6所示，圖6(a)到圖6(c)為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的膜層圖案的制作方法的示意圖。

首先如圖6(a)所示，先后經(jīng)過增粘處理、涂膠、后烘等工序在基板400上形成待圖案化的膜層410。膜層410為感光基材，例如感光樹脂等光刻膠材料，本實(shí)施例以負(fù)性感光基材為例，負(fù)性感光基材曝光的區(qū)域發(fā)生交聯(lián)，難溶于顯影液，具有良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快。

接著如圖6(b)所示，使用上一實(shí)施例所述的曝光裝置300對(duì)膜層進(jìn)行曝光。將基板至于曝光裝置300的載臺(tái)上，涂覆有待圖案化的膜層410的一面朝向曝光裝置300的光源210，其中，光源210發(fā)出的光經(jīng)過掩膜板200的透光區(qū)，由透鏡投射在膜層410上，形成投射區(qū)域，沿y方向，相鄰?fù)渡鋮^(qū)域的邊緣區(qū)域相互重疊形成重疊區(qū)域a。掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210對(duì)應(yīng)重疊區(qū)域a設(shè)置，第一掩膜區(qū)域210上的圖案，即第一開口231的形狀與落入重疊區(qū)域a內(nèi)的膜層410的圖案一致。掩膜板200的第二掩膜區(qū)域220對(duì)應(yīng)非重疊區(qū)域b設(shè)置，第二掩膜區(qū)域220上的預(yù)設(shè)圖案，即第三開口233的形狀與落入非重疊區(qū)域b內(nèi)的膜層410的預(yù)設(shè)圖案一致。

其中，第一掩膜區(qū)域210的第一開口231的實(shí)際線寬cd1大于第一開口231的理論線寬cdy。第三開口233的實(shí)際線寬cd3等于第三開口233的理論線寬cdy。也就是說，掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上沿x方向延伸的開口要比實(shí)際掩膜板200在該區(qū)域要制作的遮光層圖案的線寬要大?？梢詫⒌谝谎谀^(qū)域210的第一開口231沿掩膜板200所在平面上的垂直與x的方向，由中心向兩邊分別外擴(kuò)相等的距離cdadd。投射區(qū)域隨著透鏡在膜層410所在平面上移動(dòng)沿垂直與y的方向移動(dòng)，完成對(duì)膜層410的曝光。

然后如圖6(c)所示，對(duì)曝光后的膜層410進(jìn)行顯影、顯影后烘、刻蝕，形成膜層圖案420。通過本實(shí)施例的制作方法，在曝光過程中，處于重疊區(qū)域a與非重疊區(qū)域b內(nèi)的膜層410，最后形成的膜層圖案410的線寬均達(dá)到設(shè)計(jì)要求的理論線寬cdy。

優(yōu)選的，第一開口231的實(shí)際線寬cd1比第一開口231的理論線寬cdy大0.1～0.5μm。不僅滿足使膜層圖案線寬均一的要求，改善顯示品質(zhì)，還可以滿足即使該掩膜板用于制作不同感光基材，也不會(huì)使在制作工藝制作中感光基材得線寬產(chǎn)生的差異超出誤差允許的線寬范圍，使掩膜板可以適用于多種的感光基材。

通過本發(fā)明，膜層圖案線寬均一性得到顯著改善，避免了mura的出現(xiàn)，從而提高了顯示品質(zhì)。為方便說明，下面以制作具有沿x方向延伸，沿y方向排列，且理論線寬均為5.5μm的條狀遮光層的網(wǎng)狀遮光層圖案為例進(jìn)行說明，則掩膜板沿x方向延伸的開口的理論線寬cdy應(yīng)當(dāng)均為5.5μm，即第一開口231和第三開口233沿y方向的理論線寬cd1和cd3均為5.5μm。

具體的第一開口231的實(shí)際線寬cd1比第一開口231的理論線寬cdy大0.2μm。則優(yōu)選的，cdadd＝0.5×0.2μm通過使掩膜板200的第一掩膜區(qū)域210上的開口的實(shí)際線寬與該區(qū)域的理論線寬相比擴(kuò)大0.2μm，不僅可以防止被圖案化的膜層由于曝光區(qū)域的光強(qiáng)不均或存在時(shí)間差的重復(fù)曝光所產(chǎn)生的圖案線寬差異，還可以進(jìn)一步提高圖案的精度，防止過度曝光，或曝光不完全造成的圖案殘留。

如圖7(a)到圖7(c)，分別為通過本發(fā)明的制作方法制作的bm的理論線寬為0.5μm、15μm、22μm的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。與圖6(a)到圖6(c)中現(xiàn)有技術(shù)制作的bm的理論線寬為0.5μm、15μm、22μm的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。bm的理論線寬為0.5μm的顯示面板在可能產(chǎn)生mura的區(qū)域(即在曝光過程中，處于重疊區(qū)域內(nèi)的膜層區(qū)域)，bm的實(shí)際線寬在0.5μm及允許的誤差范圍內(nèi)波動(dòng)，與非mura的區(qū)域沒有差異。同樣的，bm的理論線寬為15μm、22μm的顯示面板在可能產(chǎn)生mura的區(qū)域在誤差允許的范圍內(nèi)也都沒有出現(xiàn)線寬差異。

綜上，通過本發(fā)明對(duì)光刻工藝中使用的掩膜板及曝光裝置進(jìn)行改進(jìn)，可以解決由于掃描曝光方式造成固定區(qū)域處圖案大小差異的問題。在不引入新的制作步驟，不增加制作成本的同時(shí)，改善因?yàn)楣鈴?qiáng)差異造成的線寬不均一的問題，不僅提高了產(chǎn)品良率，還保證了顯示面板的顯示畫面的品質(zhì)。

當(dāng)然，本發(fā)明提供的掩膜板、曝光裝置及膜層圖案的制作方法并不局限于應(yīng)用在遮光層，本發(fā)明可根據(jù)需要針對(duì)不同膜層圖案設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在由于掃描曝光方式造成固定區(qū)域處圖案大小差異問題的膜層。本發(fā)明并不局限于顯示面板中，本發(fā)明可普遍運(yùn)用在半導(dǎo)體制作或顯示領(lǐng)域。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。