陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示屏，英文通稱為LCD (Liquid Crystal Display)，是屬于平面顯示器的一種。隨著科技的發(fā)展，LCD目前科技信息產(chǎn)品也朝著輕、薄、短、小的目標(biāo)發(fā)展，無論是直角顯示、低耗電量、體積小、還是零輻射等優(yōu)點，都能讓使用者享受最佳的視覺環(huán)境。
[0003]具有觸控功能的顯示器是基于功能豐富化的技術(shù)產(chǎn)生的，比較常見的觸控技術(shù)有In-cell觸控技術(shù)和On-cell觸控技術(shù)。其中，In-cell觸控技術(shù)是指將觸摸結(jié)構(gòu)集成到顯示面板中的陣列基板或者對向基板上的技術(shù)，On-cell觸控技術(shù)是指將觸摸結(jié)構(gòu)功能嵌入到彩膜基板和偏光板之間的方法。由于In-cell觸控技術(shù)能夠使顯示器更輕薄，因此更被關(guān)注。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的In-cell觸控電極線走線如圖1A所示，其中觸控電極11同時也作為公共電極，觸控電極線12 —般通過過孔結(jié)構(gòu)13連接觸控電極11，實現(xiàn)兩者的電連接。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，由于觸控電極線需要和觸控電極通過跨橋連接，本發(fā)明實施方式中提供了一種跨橋結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方式，即通過增加跨橋結(jié)構(gòu)與像素電極之間的間距，保證跨橋結(jié)構(gòu)和相鄰的像素電極之間的電性絕緣，減少短路幾率。
[0006]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:
[0007]—基板；
[0008]在所述基板上設(shè)有多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線交叉絕緣定義出多個呈陣列布置的子像素；
[0009]多個呈陣列布置的觸控電極，每個所述觸控電極對應(yīng)一個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域包括多個第一子像素和至少一個第二子像素；
[0010]其中，所述第二子像素中第二子像素電極的面積小于所述第一子像素中的第一子像素電極的面積，且在所述第二子像素中設(shè)有第一無效顯示區(qū)；
[0011]多個沿第一方向延伸的第一信號線，每個所述觸控電極與至少一個所述第一信號線通過第一跨橋結(jié)構(gòu)相互電連接；
[0012]所述第一跨橋結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一無效顯示區(qū)內(nèi)。
[0013]第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0014]第三方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0015]本發(fā)明實施例通過在陣列基板中設(shè)置兩種不同的第一子像素和第二子像素，其中，第二子像素中第二子像素電極的面積小于所述第一子像素中的第一子像素電極的面積，并在面積較小的第二子像素電極所在的第二子像素中設(shè)置第一無效顯示區(qū)，通過將電連接所述觸控電極與所述第一信號線的第一跨橋結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一無效顯示區(qū)內(nèi)。本發(fā)明實施例能夠增加跨橋結(jié)構(gòu)與相鄰的像素電極之間的間距，減少短路幾率，提升良率。
【附圖說明】
[0016]圖1A為現(xiàn)有技術(shù)提供的具有觸控功能的陣列基板不意圖；
[0017]圖2A為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2B為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板中觸控電極分布示意圖；
[0019]圖2C為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板中跨橋結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0020]圖2D為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板中跨橋結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0021]圖2E為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板中TFT器件結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0022]圖3A為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3B為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板中TFT結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0024]圖3C為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板中掃描線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3D為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)中第一無效顯示區(qū)位置示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實施例一、二提供的陣列基板陣列基板處理一幀信號數(shù)據(jù)的工作時序圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實施例二提供的顯不面板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實施例四提供的顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0030]實施例一
[0031]結(jié)合圖2A和2B，本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)具體包括:
[0032]如圖2A所示，一基板21 ;在所述基板21上設(shè)有多條掃描線22和多條數(shù)據(jù)線23，所述掃描線22和所述數(shù)據(jù)線23交叉絕緣定義出多個呈陣列布置的子像素24。
[0033]例如，在制作時，首先在基板21上形成一層金屬層即第一金屬層(例如鋁、銅、鉬等)，通過構(gòu)圖工藝繪制出多條掃描線22，在形成了掃描線22的基板21的基礎(chǔ)上，形成一層絕緣層(例如，氮化硅和/或氧化硅)，然后再在絕緣層上再次形成一層金屬層即第二金屬層，通過構(gòu)圖工藝繪制出多條數(shù)據(jù)線23。掃描線22沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線23沿第二方向延伸，掃描線22和數(shù)據(jù)線23相互交叉，通過絕緣層保持絕緣。這樣就形成了交叉絕緣的掃描線22和數(shù)據(jù)線23，從而定義出多個呈陣列布置的子像素24。
[0034]在形成上述圖案的基板上，在數(shù)據(jù)線23上層形成一層透明導(dǎo)電材料即第一透明電極層(例如氧化銦錫ITO)，構(gòu)成公共電極28，如圖2A中虛線方框所示，采用刻蝕技術(shù)，將公共電極28進行分塊，例如可以分成大小均勻的塊狀單元，當(dāng)陣列基板處于顯示狀態(tài)時，各個塊狀單元可以作為觸控電極25，觸控電極25呈陣列分布，如圖2B所示。且每個觸控電極25對應(yīng)一個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括多個第一子像素241和至少一個第二子像素242;其中，第二子像素中242第二子像素電極242a的面積小于第一子像素241中的第一子像素電極241a的面積，且在第二子像素242中設(shè)有第一無效顯示區(qū)242b。具體的，如圖2A所示，將第一方向設(shè)為垂直方向，第二方向設(shè)為水平方向，在水平方向上，可以將第一子像素電極241a的線寬與第二子像素電極242a的線寬設(shè)置大致上相同，在垂直方向上，將第一子像素電極241a的長度設(shè)為大于第二子像素電極242a的長度，則自所述第二子像素電極242a的端部至靠近所述第二子像素242的一條所述掃描線之間形成所述第一無效顯示區(qū)域242b，如圖2A虛線橢圓所在位置處此種情況下，所述第一無效顯示區(qū)242b中無所述第二子像素電極242a和所述第二 TFT器件布置。同時，上述陣列基板上還設(shè)有多個沿第一方向延伸的第一信號線26，用于連接對應(yīng)的觸控電極25，所述第一信號線26位于觸控電極25的下方，中間通過絕緣層隔絕。由于第一信號線26與觸控電極25位于不同層，需要通過第一跨橋結(jié)構(gòu)27將其電連接。具體的，如圖2C和2D所示，分別為當(dāng)?shù)谝恍盘柧€26位于觸控電極25下方時，第一跨橋結(jié)構(gòu)27的俯視圖和剖視圖，所述第一跨橋結(jié)構(gòu)27至少包括暴露出所述觸控電極25的第一過孔272、暴露出所述第一信號線26的第二過孔271和連接所述觸控電極25和所述第一信號線26的第一連接走線273 ;所述第一連接走線273沿第一方向延伸，在本實施例中，第一連接走線273可以認為是沿水平方向延伸。還有一種情況為第一信號線26位于觸控電極25的上方，此時所述第一跨橋結(jié)構(gòu)27的俯視圖與剖視圖與上圖2C和2D類似，這里不再贅述。
[0035]在制作時，所述第一信號線26位于所述數(shù)據(jù)線23的上方，具體的，首先在所述數(shù)據(jù)線23的上方形成一層絕緣層，再在所述絕緣層的上方形成第三金屬層，通過采用構(gòu)圖工藝可是形成第一信號線26的圖案。
[0036]本實施例為了增加