液晶顯示裝置的制造方法
【專利說明】液晶顯示裝置
[0001]本發(fā)明基于2014年I月24日提出的日本專利申請(qǐng)第2014 — 011190號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在此引用其全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，平面顯示裝置(flat-panel display device)被積極地開發(fā)，其中，液晶顯示裝置因輕量、薄型、低耗電等的優(yōu)點(diǎn)而被集中了注目。特別是，在對(duì)各像素裝入了開關(guān)元件的有源矩陣型液晶顯示裝置中，利用IPS(In-Plane Switching)模式或FFS(FringeField Switching)模式等的橫電場(也包括邊緣電場)的構(gòu)造受到關(guān)注。這樣的橫電場模式的液晶顯示裝置具備形成在陣列基板上的像素電極(pixel electrode)和對(duì)置電極(counter electrode)，用相對(duì)于陣列基板的主面大致平行的橫電場將液晶分子進(jìn)行開關(guān)。一般而言，在IPS模式中使用梳齒形狀的像素電極，在FFS模式中使用具有狹縫的像素電極。
[0004]此外，近年來要求液晶顯示裝置的高精細(xì)化。為了使液晶顯示裝置高精細(xì)化，需要將像素電極等的I像素的構(gòu)成要素形成得較小。在形成梳齒形狀的像素電極或具有狹縫的像素電極時(shí)，在使用通常的曝光機(jī)的圖案形成中，正不斷接近加工極限，難以進(jìn)行向進(jìn)一步的高精細(xì)化的對(duì)應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的液晶顯示裝置，具備:第I基板，該第I基板具備:第I布線，第2布線，與上述第I布線及上述第2布線電氣地連接的開關(guān)元件，通用電極，配置在上述通用電極之上的絕緣膜，與上述開關(guān)元件電氣地連接并且配置在上述絕緣膜之上、且隔著上述絕緣膜與上述通用電極對(duì)置的像素電極，以及將上述像素電極覆蓋的第I取向膜；第2基板，具備第2取向膜；以及液晶層，包括被保持在上述第I取向膜與上述第2取向膜之間的液晶分子。上述像素電極具有在由上述第I布線及上述第2布線所規(guī)定的像素區(qū)域中以帶狀延伸的I條主像素電極。
[0006]本發(fā)明的液晶顯示裝置，具備:第I基板，該第I基板具備:第I布線，第2布線，與上述第I布線及上述第2布線電氣地連接的開關(guān)元件，通用電極，配置在上述通用電極之上的絕緣膜，與上述開關(guān)元件電氣地連接并且配置在上述絕緣膜之上、且隔著上述絕緣膜與上述通用電極對(duì)置的像素電極，以及將上述像素電極覆蓋的第I取向膜；第2基板，具備第2取向膜；以及液晶層，包括被保持在上述第I取向膜與上述第2取向膜之間的液晶分子；上述像素電極在由上述第I布線及上述第2布線規(guī)定的像素區(qū)域中具備具有第I邊緣和第2邊緣而延伸的主像素電極；上述主像素電極在上述第I邊緣及上述第2邊緣之間不具有其他邊緣。
【附圖說明】
[0007]圖1是概略地表不有關(guān)一實(shí)施方式的液晶顯不裝置具備的液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)及等價(jià)電路的圖。
[0008]圖2是表示圖1所示的I個(gè)像素的構(gòu)造的一例的概略平面圖。
[0009]圖3是表示沿著圖2的切斷線III 一 III的截面的一例的圖。
[0010]圖4是表示在上述實(shí)施方式的陣列基板上形成的多個(gè)像素的一例的概略平面圖。
[0011]圖5是表示上述實(shí)施方式的像素電極的一例的平面圖。
[0012]圖6是表示作為上述實(shí)施方式的主像素電極的寬度可以采用的上限值及下限值的測量結(jié)果的曲線圖。
[0013]圖7是用來說明在具有狹縫的像素電極與通用電極之間產(chǎn)生的電場給液晶分子帶來的影響的示意圖。
[0014]圖8是用來說明在上述實(shí)施方式的像素電極與通用電極之間產(chǎn)生的電場給液晶分子帶來的影響的示意圖。
[0015]圖9是表示在具備具有I個(gè)狹縫的像素電極的液晶顯示面板中測量與驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的色度的結(jié)果的曲線圖。
[0016]圖10是表示在具備上述實(shí)施方式的像素電極的液晶顯示面板中測量與驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的色度的結(jié)果的曲線圖。
[0017]圖11是表示有關(guān)第I變形例的像素電極的平面圖。
[0018]圖12是表示包括有關(guān)第I變形例的像素電極的多個(gè)像素的概略平面圖。
[0019]圖13是表示在使用上述實(shí)施方式的像素電極的像素中測量光的透射率的結(jié)果的透射率分布圖。
[0020]圖14是表示在使用第I變形例的像素電極的像素中測量光的透射率的結(jié)果的透射率分布圖。
[0021]圖15是表示有關(guān)第2變形例的像素電極的平面圖。
[0022]圖16是表示有關(guān)第3變形例的像素電極的平面圖。
[0023]圖17是表示有關(guān)第4變形例的像素電極的平面圖。
[0024]圖18是表示有關(guān)第5變形例的像素電極的平面圖。
[0025]圖19是表示有關(guān)第6變形例的像素電極的平面圖。
[0026]圖20是表示有關(guān)第7變形例的像素電極的平面圖。
[0027]圖21是表示有關(guān)第8變形例的像素電極的平面圖。
[0028]圖22是表示有關(guān)第9變形例的像素電極的平面圖。
[0029]圖23是表示有關(guān)第10變形例的像素電極的平面圖。
[0030]圖24是表示有關(guān)第11變形例的像素電極的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031 ] 大體上，根據(jù)一實(shí)施方式，液晶顯示裝置具備第I基板、第2基板和液晶層。上述第I基板具備:第I布線；第2布線；與上述第I布線及上述第2布線電氣地連接的開關(guān)元件；通用電極；配置在上述通用電極之上的絕緣膜；與上述開關(guān)元件電氣地連接并配置在上述絕緣膜之上、且隔著上述絕緣膜與上述通用電極對(duì)置的像素電極；以及將上述像素電極覆蓋的第I取向膜。上述第2基板具備第2取向膜。上述液晶層包括保持在上述第I取向膜與上述第2取向膜之間的液晶分子。并且，上述像素電極在由上述第I布線及上述第2布線規(guī)定的像素區(qū)域中具有以帶狀延伸的I條主像素電極?；蛘撸鲜鱿袼仉姌O在由上述第I布線及上述第2布線規(guī)定的像素區(qū)域中具有第I邊緣和第2邊緣并延伸的主像素電極，上述主像素電極在上述第I邊緣及上述第2邊緣之間不具有其他邊緣。
[0032]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一些實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0033]另外，本公開不過是一例，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員保持著發(fā)明的主旨的適當(dāng)變更、能夠容易地想到者，當(dāng)然也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，圖面為了使說明更明確，有相比實(shí)際的形態(tài)關(guān)于各部的寬度、厚度、形狀等示意地表示的情況。但是，這些圖只不過是一例，并不限定本發(fā)明的解釋。此外，在本說明書和各圖中，有對(duì)于相同或類似的構(gòu)成要素賦予相同的標(biāo)號(hào)而省略詳細(xì)的說明的情況。
[0034]圖1是概略地表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置具備的液晶顯示面板LPN的結(jié)構(gòu)及等價(jià)電路的圖。液晶顯示裝置具備有源矩陣型且透射型(transmissive type)的液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN具備作為第I基板的陣列基板AR、對(duì)置于陣列基板AR配置的作為第2基板的對(duì)置基板CT、和保持在陣列基板AR與對(duì)置基板CT之間的液晶層LQ。這樣的液晶顯示面板LPN具備顯示圖像的有源區(qū)ACT。該有源區(qū)ACT由mXn個(gè)(m、n是正整數(shù))的配置為矩陣狀的多個(gè)像素PX構(gòu)成。
[0035]陣列基板AR在有源區(qū)ACT中，具備沿著X方向(第I方向)分別延伸的多個(gè)柵極布線G(G1?Gn)、沿著與X方向正交的Y方向(第2方向)分別延伸的多個(gè)源極布線S (SI?Sm)、在各像素PX中與柵極布線G及源極布線S電氣地連接的開關(guān)元件SW、在各像素PX中電氣地連接在開關(guān)元件SW上的像素電極PE、和與像素電極PE面對(duì)的通用電極CE等。
[0036]通用電極CE遍及多個(gè)像素PX通用地形成。像素電極PE在各像素PX中形成為島狀。像素容量CS如后述那樣，形成在經(jīng)由絕緣膜對(duì)置的像素電極PE與通用電極CE之間。
[0037]各柵極布線G被引出到有源區(qū)ACT的外側(cè)，連接在柵極驅(qū)動(dòng)器⑶上。各源極布線S被引出到有源區(qū)ACT的外側(cè)，連接在源極驅(qū)動(dòng)器SD上。通用電極CE與被供給公共電壓的供電部VS電氣地連接。柵極驅(qū)動(dòng)器⑶及源極驅(qū)動(dòng)器SD例如其至少一部分形成在陣列基板AR上，與驅(qū)動(dòng)IC芯片2連接。在圖示的例子中，作為驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板LPN所需要的信號(hào)源的驅(qū)動(dòng)IC芯片2在液晶顯示面板LPN的有源區(qū)ACT的外側(cè)安裝在陣列基板AR上。
[0038]此外，圖示的例子的液晶顯示面板LPN是能夠應(yīng)用于FFS模式的結(jié)構(gòu)，在陣列基板AR上具備像素電極PE及通用電極CE。在這樣的結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板LPN中，主要利用形成在像素電極PE及通用電極CE之間的橫電場(例如，邊緣電場中的與基板的主面大致平行的電場)使構(gòu)成液晶層LQ的液晶分子被開關(guān)。
[0039]圖2是從對(duì)置基板CT側(cè)觀察的圖1所示的陣列基板AR的I個(gè)像素PX的構(gòu)造的概略平面圖。如圖2所示，沿著Y方向分別延伸的源極布線Sj、Sj+l(j是正整數(shù))沿著X方向以第I間距px配置。沿著X方向分別延伸的柵極布線G1、Gi+l(i是正整數(shù))沿著Y方向以比第I間距px大的第2間距py配置。另外，在圖2的例子中，源極布線Sj在從柵極布線Gi到柵極布線Gi+Ι之間遍及多次彎曲。由柵極布線G1、Gi+l和源極布線Sj、Sj+l規(guī)定的區(qū)域是與I個(gè)像素PX對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域。
[0040]在陣列基板AR上設(shè)有半導(dǎo)體層SC。半導(dǎo)體層SC例如由聚硅或非晶硅、氧化物半導(dǎo)體等形成。半導(dǎo)體層SC其一部分沿著源極布線Sj延伸，跨過柵極布線Gi，大致垂直地2次彎曲，再次跨過柵極布線Gi。半導(dǎo)體層SC與柵極布線Gi等一起，構(gòu)成作為開關(guān)元件SW發(fā)揮功能的雙柵極型的薄膜晶體管。另外，開關(guān)元件SW并不一定需要是雙柵極型的薄膜晶體管，也可以是單柵極型的薄膜晶體管等其他種類的開關(guān)元件。
[0041]半導(dǎo)體層SC經(jīng)由接觸孔CHl與源極布線Sj電氣地連接。此外，半導(dǎo)體層SC經(jīng)由接觸孔CH2、CH3與像素電極PE電氣地連接。
[0042]圖3是表示沿著圖2的切斷線III 一 III的截面的一例的圖。在圖3中，不僅是陣列基板AR，還表示了包含在液晶顯示面板LPN中的其他要素的截面。
[0043]如圖3所示，陣列基板AR使用玻璃基板等的具有光透射性的第I絕緣基板10形成。該陣列基板AR在第I絕緣基板10的與對(duì)置基板CT對(duì)置的一側(cè)具備開關(guān)元件SW、通用電極CE、像素電極PE、第I絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第4絕緣膜14、第I取向膜ALl等。
[0044]這里所示的開關(guān)元件SW例如是底柵極型的薄膜晶體管。另外，開關(guān)元件SW也可以是頂柵極型。構(gòu)成開關(guān)元件SW的柵極電極GE配置在第I絕緣基板10之上。柵極電極GE例如是柵極布線Gi的一部分。柵極電極GE被第I絕緣膜11覆蓋。此外，該第I絕緣膜11也配置在第I絕緣基板10之上。
[0045]半導(dǎo)體層SC配置在第I絕緣膜11之上。半導(dǎo)體層SC被第2絕緣膜12覆蓋。此夕卜，該第2絕緣膜12也配置在第I絕緣膜11之上。
[0046]開關(guān)元件SW的源極電極SE及漏極電極DE形成在第2絕緣膜12之上。源極電極SE例如是源極布線Sj的一部分。源極電極SE經(jīng)由將第2絕緣膜12貫通的接觸孔CHl接觸在