專利名稱：光致抗蝕劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光致抗蝕劑組合物。
背景技術(shù)：
光致抗蝕劑組合物用于使用光刻技術(shù)方法的半導(dǎo)體微制造。US 2007/0100096A1公開了光致抗蝕劑組合物，其包括包括以下結(jié)構(gòu)單元的樹
脂
權(quán)利要求
1.ー種光致抗蝕劑組合物，其包括由式(I)表示的鹽
2.根據(jù)權(quán)利要求I的光致抗蝕劑組合物，其中由式(II-O)表示的鹽是由式(II)表示的鹽
3.根據(jù)權(quán)利要求I的光致抗蝕劑組合物，其中由式(II-O)表示的鹽是由式(II)表示的鹽。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的光致抗蝕劑組合物，其中X1是*-C0-0-CH2-，其中*表示與-C(R1)(R2)-的鍵合位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的光致抗蝕劑組合物，其中(Z1)+是三芳基锍陽離子。
6.根據(jù)權(quán)利要求I的光致抗蝕劑組合物，其中(Z2)+是三芳基锍陽離子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的光致抗蝕劑組合物，其進(jìn)ー步包括溶剤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的光致抗蝕劑組合物，其進(jìn)ー步包括堿性化合物。
9.一種用于產(chǎn)生光致抗蝕劑圖案的方法，其包括 (1)將根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)的光致抗蝕劑組合物施加在基材上而形成光致抗蝕劑組合物層的步驟， (2)通過干燥所形成的光致抗蝕劑組合物層形成光致抗蝕劑薄膜的步驟， (3)使光致抗蝕劑薄膜暴露于輻射的步驟， (4)在暴露后加熱光致抗蝕劑薄膜的步驟，和 (5)在加熱后顯影光致抗蝕劑薄膜的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑組合物，其包括由式(I)表示的鹽其中R1和R2獨(dú)立地每一個(gè)表示氟原子或C1-C6全氟烷基，X1表示C1-C17二價(jià)飽和烴基團(tuán)，等，s1表示1或2，和t1表示0或1，前提是s1和t1的和是1或2，R3表示C1-C12飽和烴基團(tuán)，等，u1表示0-8的整數(shù)，和(Z1)+表示有機(jī)陽離子，由式(II-0)表示的鹽其中R4表示C1-C24烴基團(tuán)等，X2表示C1-C6烷烴二基基團(tuán)等，和(Z2)+表示有機(jī)陽離子，和樹脂，其在堿水溶液中是不溶的或可溶性差的但在酸的作用下變得可溶于堿水溶液。
文檔編號(hào)G03F7/004GK102736417SQ201210138439
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月13日
發(fā)明者向井優(yōu)一, 坂本宏, 市川幸司 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社