驟S103)。例如，通過清潔過程去除拋光碎肩和磨料(漿液)以獲得干凈的表面。作為清潔方法，可以執(zhí)行水清潔或者有機清潔，并且另外，可以執(zhí)行超聲波清潔或者任何其他清潔?？梢赃M一步執(zhí)行UV(紫外線)清潔或者臭氧清潔。
[0069](預處理)
[0070]在清潔材料襯底10的表面之后，在形成平坦化膜20之前，執(zhí)行預處理(在圖1中的步驟S104)。在預處理中，可以執(zhí)行UV處理、等離子體處理、涂布硅烷偶聯(lián)劑、或者用于改進平坦化膜20的粘合力的任何其他預處理。
[0071](在材料襯底10的表面上形成平坦化膜20的過程)
[0072]在完成預處理之后，在材料襯底10的表面上形成平坦化膜20，如圖5所圖示的(在圖1中的步驟S105)。由此，用平坦化膜20填充存在于材料襯底10的表面上的凹進缺陷12和由拋光過程導致的拋光瑕疵13。與此同時，用平坦化膜20覆蓋在拋光之后余留的突出缺陷11。由此，形成平坦化膜20的平滑表面。
[0073]平坦化膜20可以是樹脂膜或者無機膜。樹脂膜的非限制示例可以包括丙烯酸樹脂膜和聚酰亞胺基樹脂膜。無機膜的非限制示例可以包括S1x膜、SiNx膜、S1N膜、和A1203膜。而且，平坦化膜20可以是樹脂膜和無機膜的混合膜。平坦化膜20可以由TE0S(原硅酸四乙酯)制成，并且即使凹進缺陷12存在于材料襯底10的表面上，也可以容易地整平平坦化膜20的表面。
[0074]作為形成平坦化膜20的技術(shù)，在樹脂膜的情況下，可以使用諸如狹縫涂布、絲網(wǎng)印刷、凹版涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、和噴涂等方法。在無機膜的情況下，除了前述方法之外，可以使用CVD (化學汽相沉積)、ALD (原子層沉積)、濺射方法、和任何其他方法。
[0075]在平坦化膜20與材料襯底10之間的熱行為存在很大差異的情況下，由制造過程中的熱過程累積了應變應力。例如，在熱膨脹系數(shù)之差較大的情況下，在加熱過程中可能會發(fā)生襯底翹曲或者膜剝離，并且在熱收縮率之差較大的情況下，當溫度在加熱過程之后回到室溫時可能會發(fā)生襯底翹曲或者膜剝離。為此，平坦化膜20可以優(yōu)選地由具有相同或者基本相同的熱行為(諸如，熱膨脹系數(shù)和熱收縮率)的材料制成。而且，平坦化膜20可以優(yōu)選地由，例如但不限于，對用于材料襯底10的化學組分和官能團具有高親和性的材料制成。另外，平坦化膜20可以優(yōu)選地對在稍后過程中形成功能區(qū)3期間的溫度具有耐熱性。
[0076]平坦化膜20的厚度T20可以優(yōu)選地小于材料襯底10的厚度T10。在材料襯底10比平坦化膜20更薄的情況下，可能不會覆蓋到在對材料襯底10的表面拋光之后余留的突出缺陷11。而且，當平坦化膜20的熱收縮率較大時，在稍后過程中形成功能區(qū)期間的加熱過程增加了平坦化膜20的膜收縮率，從而導致襯底1的翹曲。進一步地，厚度T20越大，越增加了對其的影響。因此，平坦化膜20的厚度T20可以優(yōu)選地，例如，等于或者小于材料襯底10的厚度T10的五分之一，更加優(yōu)選地等于或者小于七分之一，并且再更加優(yōu)選地等于或者小于十分之一。
[0077](后烘焙)
[0078]在平坦化材料襯底10的表面上形成平坦化膜20之后，用例如但不限于烘箱或者IR(紅外)爐對平坦化膜20執(zhí)行燒結(jié)(后烘焙)(在圖1中的步驟S106)。在執(zhí)行該過程時的溫度可以優(yōu)選地等于或者低于包括材料襯底10、平坦化膜20、支撐體30和粘合層40的堆疊結(jié)構(gòu)的相應層的材料的耐熱溫度。而且，在執(zhí)行該過程時的烘焙溫度可以優(yōu)選地是使樹脂膜在稍后過程中不分解的溫度。進一步地，可以優(yōu)選地充分執(zhí)行加熱，直到從樹脂膜或者任何其他膜不再釋放出氣體。
[0079](形成阻擋涂層)
[0080]在完成后烘焙之后，在平坦化膜20的表面上形成阻擋涂層50，如圖6所圖示的(在圖1中的步驟S107)。阻擋涂層50可以優(yōu)選地具有，例如，數(shù)十納米至數(shù)百納米(包括數(shù)十納米和數(shù)百納米)的厚度，并且可以優(yōu)選地由諸如S1x膜、SiNx膜、S1N膜、A1203膜、和TE0S膜等無機膜制成。由此，完成襯底1。
[0081](制造電子器件(顯示單元)的方法)
[0082]參照圖7至圖13，下面將對制造根據(jù)本實施例的電子器件(顯示單元)的方法進行描述。一種制造根據(jù)本實施例的電子器件2的方法包括:在通過前述制造襯底1的方法形成襯底1之后，在襯底1上形成功能區(qū)3，該功能區(qū)3具有所需的功能，諸如顯示圖像或者傳感；并且執(zhí)行切割和模塊形成。
[0083](形成功能區(qū)3的過程)
[0084]首先，在襯底1的阻擋涂層50的表面上形成TFT層60，如圖8所圖示的(在圖7中的步驟S201)。
[0085]接下來，在TFT層60上形成顯示器本體70，如圖9所圖示的(在圖7中的步驟S202)。由此，在襯底1上形成顯示圖像的功能區(qū)3。
[0086](執(zhí)行切割和模塊形成的過程)
[0087]在襯底1上形成功能區(qū)3之后，如圖10中的箭頭R1所示，從支撐體30和粘合層40去除包括材料襯底10、平坦化膜20和阻擋涂層50的襯底本體4 (在圖7中的步驟S301)。
[0088]接下來，如圖11所圖示的，將襯底本體4和功能區(qū)3沿著切割線CL切割為具有預定尺寸的預定形狀，并且將它們耦合至柔韌的布線襯底5以形成模塊6(在圖7中的步驟S302)。最后，將模塊6并入外殼(未圖不)中，以完成電子器件2。
[0089]可替代地，在執(zhí)行切割和模塊6的形成之后，可以從支撐體30去除襯底本體4。在這種情況下，例如，在襯底1上形成功能區(qū)3之后，如圖12所圖示的，將襯底1和功能區(qū)3沿著切割線CL切割為具有預定尺寸的預定形狀，并且將它們耦合至柔韌的布線襯底5以形成模塊6 (在圖7中的步驟S303)。
[0090]接下來，如圖13中的箭頭R2所示，在由此獲得的模塊6中，從支撐體30和粘合層40去除包括材料襯底10、平坦化膜20、和阻擋涂層50的襯底本體4(在圖7中的步驟S304)。最后，將模塊6并入外殼(未圖不)中，以完成電子器件2。
[0091](形成電泳器件作為顯示器本體70的示例)
[0092]參照圖14至圖17，將對形成電泳器件作為顯示器本體70并且制造電子紙顯示器作為電子器件2的示例進行說明。
[0093]圖14圖示了作為顯示器本體70的示例的電泳器件71的平面配置，并且圖15圖示了電泳器件71的截面配置。電泳器件71配置為借助電泳現(xiàn)象提供對照，并且可以應用于，例如，諸如顯示單元等各種電子設備。電泳器件71包括在絕緣液體72中的迀移粒子73(第一粒子)和具有細孔74A的多孔層74。注意，圖14和圖15示意性地圖示了電泳器件71的配置，并且其尺寸及其形狀可以與實際尺寸和實際形狀不同。
[0094]絕緣液體72可以由，例如，諸如石蠟或者異鏈烷烴等有機溶劑制成。作為絕緣液體72，可以使用一種有機溶劑或者多種有機溶劑。絕緣液體72的粘性和折射率可以優(yōu)選地盡可能低。當絕緣液體72的粘性較低時，提高了迀移粒子73的迀移率(響應速度)。而且，因此減少了迀移粒子73的移動所需的能量(功耗)。當絕緣液體72的折射率較低時，增加了絕緣液體72與多孔層74之間的折射率之差，以增加多孔層74的反射率。
[0095]例如，可以向絕緣液體72添加著色劑、電荷控制劑、分散穩(wěn)定劑、粘性改性劑、表面活性劑、樹脂、或者任何其他添加劑。
[0096]分散在絕緣液體72中的迀移粒子73是一個或者兩個或者更多個帶電粒子，并且這種帶電迀移粒子73根據(jù)電場移動穿過細孔74A。迀移粒子73具有任何給定的光學反射特性(光反射率)，并且在迀移粒子73與多孔層74之間的光反射率之差提供了對照。例如，可以由迀移粒子73執(zhí)行在亮態(tài)下的顯示并且由多孔層74執(zhí)行在暗態(tài)下的顯示，并且可替代地，可以由迀移粒子73執(zhí)行在暗態(tài)下的顯示并且由多孔層74執(zhí)行在亮態(tài)下的顯示。
[0097]當從外部看電泳器件71時，在由迀移粒子73執(zhí)行在亮態(tài)下的顯示的情況下，可以直觀地將迀移粒子73識別為，例如，白色或者接近白色的顏色，并且，在由迀移粒子73執(zhí)行在暗態(tài)下的顯示的情況下，可以直觀地將迀移粒子73識別為，例如，黑色或者接近黑色的顏色。該迀移粒子73的顏色不做特別限制，只要可以提供對照即可。
[0098]迀移粒子73可以由，例如，有機顏料、無機顏料、染料、碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃、或者高分子材料(樹脂)的粒子(粉末)制成。對于迀移粒子73而言，可以使用這些材料中的一種或者這些材料中的兩種或者更多種。迀移粒子73可以由粉狀粒子、膠囊粒子、或者包括前述粒子的樹脂固體的任何其他粒子制成。注意，與前述碳材料、前述金屬材料、前述金屬氧化物、前述玻璃、或者前述高分子材料對應的材料被排除在與有機顏料、無機顏料、或者染料對應的材料之外。迀移粒子73的粒子直徑可以是，例如，30nm至300nm (包括 30nm 和 300nm)。
[0099]前述有機顏料的示例可以包括偶氮基顏料、金屬復合物偶氮基顏料、聚縮偶氮基顏料、黃烷士酮基顏料、苯并咪唑酮基顏料、酞菁基顏料、喹吖啶酮基顏料、蒽醌基顏料、二萘嵌苯基顏料、環(huán)酮基顏料、蒽并吡啶基顏料、皮蒽酮基顏料、二惡嗪基顏料、硫靛基顏料、異吲哚啉酮基顏料、喹酞酮基顏料、和陰丹士林基顏料。無機顏料的示例可以包括鋅白、銻白、鐵黑、硼化鈦、氧化鐵紅、瑪皮珂黃、鉛丹、鎘黃、硫化鋅、鋅鋇白、硫化鋇、砸化鎘、碳酸鈣、硫酸鋇、鉻酸鉛、硫酸鉛、碳酸鋇、鉛白和礬土白。染料的例子可以包括苯胺黑基染料、偶氮基染料、酞菁基染料、喹諾酞酮基染料、蒽醌基染料和次甲基染料。碳材料的例子可以包括碳黑。金屬材料的例子可以包括金、銀和銅。金屬氧化物的示例可以包括氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鉀、銅鉻氧化物、銅錳氧化物、銅鐵錳氧化物、銅鉻錳氧化物和銅鐵鉻氧化物。高分子材料的示例可以包括引入有在可見光區(qū)域中具有光吸收區(qū)域的官能團的高分子化合物。只要高分子化合物在可見光區(qū)域中具有光吸收區(qū)域，該高分子化合物的類型不做特別限制。
[0100]例如，可以基于迀移粒子73在提供對照中所起的作用，來選擇迀移粒子73的具體材料。在由迀移粒子73執(zhí)行在亮態(tài)下的顯示的情況下，例如，可以將諸如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、碳酸鋇、或者碳酸鉀等金屬氧化物用于迀移粒子73。在由迀移粒子73執(zhí)行在暗態(tài)下的顯示的情況下，例如，可以將諸如碳黑等碳材料、諸如銅鉻氧化物、銅錳氧化物、銅鐵錳氧化物、銅鉻錳氧化物、和銅鐵鉻氧化物等金屬氧化物用于迀移粒子73。具體而言，碳材料可以優(yōu)選地用于迀移粒子73。由碳材料制成的迀移粒子73顯示出高化學穩(wěn)定性、高迀移率、和高光吸收率。
[0101]在絕緣液體72中的迀移粒子73的含量(濃度)可以是，例如，但不特別限于，在0.1界1:%至10界1:%范圍內(nèi)(包括0.1界1:%和10wt% )。在該濃度范圍內(nèi)，確保了迀移粒子73的遮蔽性能和迀移率。更加具體地，當迀移粒子73的含量小于0.1被％時，迀移粒子73難以遮蔽(隱蔽)多孔層74，并且存在難以提供足夠?qū)φ盏目赡苄?。當迀移粒子10的含量大于10wt %時，迀移粒子73的分散性降低，并且因此，迀移粒子73變得難以迀移，并且可能從而凝聚結(jié)塊。
[0102]可以優(yōu)選的是，迀移粒子73易于分散在絕緣液體72中并且長時間帶電，并且變得難以被多孔層74吸收。為此，例如，可以向絕緣液體72添加分散劑。而且，可以同時使用分散劑和電荷控制劑。
[0103]該分散劑或者該電荷控制劑可以具有，例如，正電荷和負電荷中的一種或者兩種，并且用于增加在絕緣液