Igbt器件的散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著中國經(jīng)濟的高速發(fā)展，高鐵、地鐵、城市軌道交通、風電、太陽能、清潔能源等領(lǐng)域均在不斷發(fā)展，在這些領(lǐng)域中，IGBT模塊被廣泛的應用于這些領(lǐng)域的逆變裝置中。同時，由于科學技術(shù)的進步和發(fā)展，高技術(shù)含量、結(jié)構(gòu)復雜的變流裝置專業(yè)化分工極強、更加趨于模塊化。如此大規(guī)模的模塊化部件生產(chǎn)，對IGBT模塊在產(chǎn)品一致性及可靠性等方面要求極高。IGBT模塊一般包括底板以及散熱結(jié)構(gòu)，其中上述底板和散熱結(jié)構(gòu)對模塊的穩(wěn)定工作所起的作用尤為重要，但是IGBT模塊為了滿足標準化等需求，其長寬尺寸通常是保持不變，因此在固定尺寸的要求下，無法采用較大尺寸的底板和散熱結(jié)構(gòu)，從而提高產(chǎn)品散熱效果則變的非常困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，以克服現(xiàn)有的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)散熱效果不佳的問題。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案如下:
[0005]一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干凹槽，所述底板上設(shè)置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0006]作為本發(fā)明的進一步改進，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。
[0007]作為本發(fā)明的進一步改進，所述若干凹槽等間距且平行設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)的表面。
[0008]作為本發(fā)明的進一步改進，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。
[0009]作為本發(fā)明的進一步改進，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有導熱硅脂。
[0010]作為本發(fā)明的進一步改進，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結(jié)構(gòu)。
[0011]為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明還提供一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干盲孔，所述底板上設(shè)置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性、以及安全性，同時延長了產(chǎn)品的使用壽命。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)一【具體實施方式】的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)另一【具體實施方式】的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)再一【具體實施方式】的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]本發(fā)明公開一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干凹槽，所述底板上設(shè)置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0018]作為本發(fā)明的進一步改進，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。
[0019]作為本發(fā)明的進一步改進，所述若干凹槽等間距且平行設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)的表面。
[0020]作為本發(fā)明的進一步改進，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。
[0021]作為本發(fā)明的進一步改進，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有導熱硅脂。
[0022]作為本發(fā)明的進一步改進，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結(jié)構(gòu)。
[0023]本發(fā)明還公開另一種在相同發(fā)明構(gòu)思下的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干盲孔，所述底板上設(shè)置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0024]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0025]如圖1所示，本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)40設(shè)置于IGBT器件中，該IGBT器件包括基板10、以及設(shè)置于基板10上的IGBT芯片20。具體地，上述IGBT芯片20通過焊料焊接于基板10上，本實施方式中，上述基板10為DBC板。上述IGBT器件還包括底板30，上述基板10通過底板30設(shè)置于散熱結(jié)構(gòu)40上，從而IGBT芯片20產(chǎn)生的熱量依次通過基板10、底板30傳遞至散熱結(jié)構(gòu)40上，并通過散熱結(jié)構(gòu)40散發(fā)出去。
[0026]進一步地，上述散熱結(jié)構(gòu)40與底板30相對的表面設(shè)置有若干凹槽401，底板30上設(shè)置有與上述若干凹槽401相配合的若干凸起301。從而，如此設(shè)置，底板30與散熱結(jié)構(gòu)40之間具有較大的接觸面積，從而增大了散熱結(jié)構(gòu)40的散熱面積，提高了散熱的效果。為了使底板30與散熱結(jié)構(gòu)40能夠穩(wěn)固連接，上述底板30與散熱結(jié)構(gòu)40之間還設(shè)置有導熱娃脂。
[0027]配合參照圖2所示，具體地，上述若干凹槽401為錐形槽，優(yōu)選地，上述若干錐形槽等間距平行排列于上述散熱結(jié)構(gòu)40的表面。作為一種等效的替代實施方式，上述若干凹槽401的底面為弧形面，且上述若干具有弧形面的凹槽401形成波形結(jié)構(gòu)。上述波形結(jié)構(gòu)具體指上述若干凹槽401呈高低起伏形式排列，即上述兩相鄰凹槽401的連接處形成波峰，弧形面底部形成波谷。相應地，上述底板30上設(shè)置有與上述具有弧形面的凹槽401相配合的弧形凸起301。
[0028]如圖3所示，基于上述發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)204，其設(shè)置于IGBT器件中，該IGBT器件包括:基板201、設(shè)置于基板201上的IGBT芯片202，上述IGBT器件還包括底板203，其中，基板201通過底板203設(shè)置于散熱結(jié)構(gòu)204上。進一步地，散熱結(jié)構(gòu)204與底板203相對的表面設(shè)置有若干盲孔2041，且底板203上設(shè)置有與上述若干盲孔2041相配合的若干凸起2031，當上述底板203與散熱結(jié)構(gòu)204相配合時，若干凸起2031相應地收容于盲孔2041中。如此，同樣可增大底板與散熱結(jié)構(gòu)之間的接觸面積，進而增大散熱結(jié)構(gòu)的散熱面積，提高散熱效果。
[0029]綜上所述，本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性、以及安全性，同時延長了產(chǎn)品的使用壽命。
[0030]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0031]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干凹槽，所述底板上設(shè)置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述若干凹槽為錐形槽，所述若干凸起為形狀與所述錐形槽相配合的錐形凸起。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述若干凹槽等間距且平行設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)的表面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為DBC板，所述IGBT芯片通過焊料焊接于所述DBC板上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有導熱硅脂。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的底面為弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形結(jié)構(gòu)。7.—種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干盲孔，所述底板上設(shè)置有與所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、設(shè)置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件還包括底板，所述基板通過所述底板設(shè)置于所述散熱結(jié)構(gòu)上，所述散熱結(jié)構(gòu)與所述底板相對的表面設(shè)置有若干凹槽，所述底板上設(shè)置有與所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板與所述散熱結(jié)構(gòu)相配合時，所述若干凸起收容于所述凹槽中。本發(fā)明的IGBT器件的散熱結(jié)構(gòu)在IGBT器件尺寸固定的情況下，具有良好的散熱效果，保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性、以及安全性，同時延長了產(chǎn)品的使用壽命。
【IPC分類】H01L23/367
【公開號】CN104882421
【申請?zhí)枴緾N201410073570
【發(fā)明人】吳磊
【申請人】西安永電電氣有限責任公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年2月28日