表面貼裝電子器件的制作方法
【專利說明】表面貼裝電子器件
[0001]優(yōu)先權(quán)聲明
[0002]本申請要求2014年12月24日提交的申請?zhí)枮門02014A001106的意大利專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述申請的全部內(nèi)容在法律允許最大范圍內(nèi)通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本實(shí)用新型涉及表面貼裝電子器件。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體器件，如集成電路和微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件密封在相應(yīng)封裝內(nèi)，所述封裝執(zhí)行保護(hù)功能及與外部世界的交互功能。例如，現(xiàn)有的已知封裝能夠在印刷電路板(PCB)上實(shí)現(xiàn)所謂的表面貼裝。
[0005]更詳細(xì)地，例如表面貼裝封裝包括所謂的“方形扁平無引線”(QFN)類型封裝，也稱為“微型引線框架”(MLF)或“小外形無引線”(SON)封裝。
[0006]例如關(guān)于QFN類型封裝通常包括樹脂區(qū)，樹脂區(qū)內(nèi)部是引線框架，引線框架依次形成至少一排端子，所述端子從封裝底表面暴露出來和/或延伸出來。發(fā)明人為費(fèi)利克斯(Felix)等人的公開號為2005/0116321的美國專利申請描述了包含引線框架的封裝的制造方法示例，所述專利申請的全部內(nèi)容通過引用合并于此。
[0007]傳統(tǒng)上，引線框架被制成帶材，隨后在制造過程中使用這些帶材。因此，盡管現(xiàn)在從引線框架帶材開始生產(chǎn)封裝的技術(shù)比較穩(wěn)定，但是這些技術(shù)仍然相對成本昂貴。此外，利用這些技術(shù)獲得的封裝相對較重。
[0008]半導(dǎo)體器件封裝需要至少部分地克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0009]本公開的目的之一是提供一種表面貼裝電子器件。
[0010]根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種表面貼裝電子器件，包括半導(dǎo)體材料主體；以及引線框架，所述引線框架包括電連接到所述半導(dǎo)體材料主體的多個(gè)接觸端子；以及所述多個(gè)接觸端子由燒結(jié)材料制成。
[0011]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件還包括由底表面界定的封裝；以及其中所述多個(gè)接觸端子延伸到所述底表面。
[0012]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的所述封裝還由至少一個(gè)側(cè)表面界定；以及所述多個(gè)接觸端子延伸到所述至少一個(gè)側(cè)表面。
[0013]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的所述封裝還包括絕緣區(qū)和封裝介電區(qū)，所述封裝介電區(qū)覆蓋在所述半導(dǎo)體材料主體、所述絕緣區(qū)和至少部分所述引線框架上；所述絕緣區(qū)形成界定相鄰凹槽的多個(gè)橫向齒部；以及所述多個(gè)接觸端子中的每個(gè)接觸端子都延伸到對應(yīng)的凹槽中并部分地覆蓋在所述絕緣區(qū)上。
[0014]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的所述引線框架包括布置在所述絕緣區(qū)上的多個(gè)焊盤和多個(gè)跡線，所述多個(gè)跡線中的每個(gè)跡線將對應(yīng)的焊盤電連接到所述多個(gè)接觸端子中的對應(yīng)的接觸端子。
[0015]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件還包括裸片焊盤，所述半導(dǎo)體材料主體布置在所述裸片焊盤上并通過焊線電連接到所述多個(gè)接觸端子。
[0016]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件還包括封裝，所述封裝包括絕緣區(qū)和封裝介電區(qū)，所述封裝介電區(qū)覆蓋在所述半導(dǎo)體材料主體、所述絕緣區(qū)和至少部分所述引線框架上，并且其中所述絕緣區(qū)形成界定相鄰凹槽的多個(gè)橫向齒部；以及所述多個(gè)接觸端子中的每個(gè)接觸端子都延伸到對應(yīng)的凹槽中并部分地覆蓋在所述絕緣區(qū)上。
[0017]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的封裝介電區(qū)形成所述封裝的前表面，并且其中所述多個(gè)接觸端子延伸到所述前表面。
[0018]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的所述多個(gè)接觸端子中的每個(gè)接觸端子都具有底表面，并且所述表面貼裝電子器件還包括由底表面界定的封裝，所述多個(gè)接觸端子中的每個(gè)接觸端子的底表面與所述封裝的所述底表面共面。
[0019]優(yōu)選地，表面貼裝電子器件中的所述表面貼裝電子器件為方形扁平無引線類型或焊區(qū)柵格陣列類型。
[0020]本公開的實(shí)施例提供了一種表面貼裝電子器件，從而避免了從引線框架帶材開始生產(chǎn)封裝的技術(shù)相對成本昂貴且利用這些技術(shù)獲得的封裝相對較重的缺點(diǎn)。
【附圖說明】
[0021]為了更好地理解本實(shí)用新型，現(xiàn)在參照附圖并且僅以非限定的實(shí)例的方式描述本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，其中:
[0022]圖1至圖3為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的截面圖；
[0023]圖4、圖5和圖7為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖；
[0024]圖6為沿圖5中示出的剖面線V1-VI繪制的圖5所示中間結(jié)構(gòu)的部分橫截面的示意圖；
[0025]圖8A為所述制造方法的實(shí)施例的處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的部分的側(cè)視示意圖；
[0026]圖8B為圖8A所示的同一步驟中的中間結(jié)構(gòu)的部分的示意性的頂視圖；
[0027]圖9和圖10為所述制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的側(cè)視示意圖；
[0028]圖11至圖14為所述制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的截面圖；
[0029]圖15和圖16為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖；
[0030]圖17和圖18為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖；
[0031]圖19至圖25為所述制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的截面圖；
[0032]圖26和圖34為半導(dǎo)體器件的示意性的截面圖；
[0033]圖27和圖28為所述制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的截面圖；
[0034]圖29和圖30為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖；
[0035]圖31為三維電子結(jié)構(gòu)的示意性的截面圖；
[0036]圖32和圖33為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中的中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖；以及
[0037]圖35和圖36為本實(shí)用新型制造方法的實(shí)施例的連續(xù)處理步驟中中間結(jié)構(gòu)的各部分的示意性的頂視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]圖1示出了水溶性支承結(jié)構(gòu)2，其包括第一層4和第二層6，在下文中分別稱為第一支承層4和第二支承層6。各示意圖都不是按比例繪制的。
[0039]第一支承層4和第二支承層6布置為彼此接觸并形成已知類型的粘合帶。第一支承層4例如由聚乙酸乙烯酯(PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的薄膜形成，其厚度例如可以介于10 μ??和30 μ??之間。第二支承層6例如由可溶于水的壓敏粘附膜(PSA膜)形成，其厚度可以介于20 μ m和30 μ m之間。更具體地，第二支承層6例如可以由包含聚乙酸乙烯酯和硅酸鈉混合物的凝膠形成。
[0040]如圖1所示，按照本實(shí)用新型制造方法，支承結(jié)構(gòu)2機(jī)械地耦合到作為加強(qiáng)構(gòu)件的板8，板8例如由鋼制成并且厚度例如可以介于0.2mm和0.5mm之間。
[0041]更具體地，支承結(jié)構(gòu)2是疊層結(jié)構(gòu)；即支承結(jié)構(gòu)2以使第二支承層6接觸板8的方式地布置在板8上。為了消除在加熱第二支承層