一種光波導(dǎo)及其制備方法、電子器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光波導(dǎo)及其制備方法、電子器件。所述方法包括步驟S1：提供襯底；步驟S2：在所述襯底上依次形成底覆層、芯層和頂覆層，以形成光波導(dǎo)，其中所述底覆層和/或所述頂覆層通過噴射打印的方法形成。本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種基于聚合物的光波導(dǎo)的制備方法，在所述方法中選用氣凝膠噴射打印形成所述底覆層和/或所述頂覆層，通過所述方法解決現(xiàn)有技術(shù)中尺寸的限制，而且所述方法具有優(yōu)越的性能，例如低傳播損失(low-propagation loss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(high bandwidth)以及與MMF和光電探測器(photodetectors)具有高耦合效率(high coupling efficiency)。
【專利說明】
一種光波導(dǎo)及其制備方法、電子器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種光波導(dǎo)及其制備方法、電子器件。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子消費領(lǐng)域，多功能設(shè)備越來越受到消費者的喜愛，相比于功能簡單的設(shè)備，多功能設(shè)備制作過程將更加復(fù)雜，比如需要在電路版上集成多個不同功能的芯片，因而出現(xiàn)了 3D 集成電路(integrated circuit，IC)技術(shù)，3D 集成電路(integrated circuit，IC)被定義為一種系統(tǒng)級集成結(jié)構(gòu)，將多個芯片在垂直平面方向堆疊，從而節(jié)省空間。
[0003]微電子封裝技術(shù)面臨著電子產(chǎn)品“高性價比、高可靠性、多功能、小型化及低成本”發(fā)展趨勢帶來的挑戰(zhàn)和機遇。隨著對高性能計算機(high-performance computers,HPCs)中數(shù)據(jù)處理速度的不斷提高，目前基于電線的背板(backplane)和板上(on-board)之間的互連成為高性能計算機的瓶頸。
[0004]對于更先進的下一代高性能計算機，光學(xué)互連(optical interconnect)技術(shù)實現(xiàn)了低功率消耗、高密度以及低成本的連接，上述各種優(yōu)點引起了廣泛的興趣，在過去的數(shù)十年中，并行多模光纖(Mult1-Mode Fiber,MMF)模塊在一些高性能計算機的機架到機架的互聯(lián)(rack-to-rack interconnects)中得到發(fā)展。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中通過實驗顯示了相對與常規(guī)硅芯(S1-core)梯度折射率(graded-1ndex, GI)-芯聚合物光學(xué)波導(dǎo)的優(yōu)越性能，例如低傳播損失(low-propagat1nloss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(high bandwidth)以及與 MMF 和光電探測器(photodetectors)具有高親合效率(high coupling efficiency)。
[0006]目前所述光波導(dǎo)的制備方法不僅步驟繁瑣而且精確度較低，制約了所述光波導(dǎo)的應(yīng)用，因此需要進一步改進所述光波導(dǎo)的制備方法，以進一步提高器件的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。
[0008]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種光波導(dǎo)的制備方法，包括:
[0009]步驟S1:提供襯底；
[0010]步驟S2:在所述襯底上依次形成底覆層、芯層和頂覆層，以形成光波導(dǎo)，其中所述底覆層和/或所述頂覆層通過噴射打印的方法形成。
[0011 ] 可選地，所述步驟S2包括:
[0012]步驟S21:在所述襯底上依次形成所述底覆層和所述芯層；
[0013]步驟S22:在所述芯層上通過氣凝膠噴射打印的方法形成低折射率頂覆材料層和高折射率頂覆材料層間隔設(shè)置的所述頂覆層。
[0014]可選地，所述步驟S2包括:
[0015]步驟S21:在所述襯底上通過所述噴射打印的方法形成底部電極以及覆蓋所述底部電極的底覆層，其中在所述底覆層中形成有若干相互間隔的凹槽；
[0016]步驟S22:形成所述芯層，以覆蓋所述底覆層并填充所述凹槽；
[0017]步驟S23:在所述芯層上形成所述頂覆層，以覆蓋所述芯層；
[0018]步驟S24:在所述頂覆層上形成頂部電極。
[0019]可選地，所述步驟S22包括:
[0020]步驟S221:通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成具有若干開口的所述低折射率頂覆材料層；
[0021]步驟S222:通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成所述高折射率頂覆材料層，以填充所述開口，形成所述頂覆層。
[0022]可選地，在所述步驟S221和所述步驟S222之間還進一步包括對所述開口進行修整和凍結(jié)的步驟。
[0023]可選地，在所述步驟S24中，選用聚焦離子束氣體輔助沉積的方法形成所述頂部電極。
[0024]可選地，所述底部電極選用銀電極；
[0025]所述頂部電極選用銀電極。
[0026]可選地，在所述步驟S21和所述步驟S22之間還進一步包括:在所述凹槽的側(cè)壁上形成覆層間隙壁。
[0027]可選地，在形成所述覆層間隙壁之后還進一步包括等離子體修整的步驟。
[0028]可選地，所述底覆層和頂覆層具有不同的折射率。
[0029]可選地，所述方法還進一步包括步驟S3:執(zhí)行紫外線固化步驟，以固化所述光波
B
寸ο
[0030]可選地，所述底覆層、所述芯層和所述頂覆層選用聚合物材料。
[0031]本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的光波導(dǎo)。
[0032]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的光波導(dǎo)。
[0033]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種基于聚合物的光波導(dǎo)的制備方法，在所述方法中選用氣凝膠噴射打印形成所述底覆層和/或所述頂覆層，通過所述方法解決現(xiàn)有技術(shù)中尺寸的限制，而且所述方法具有優(yōu)越的性能，例如低傳播損失(low-propagat1n loss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(highbandwidth)以及與MMF和光電探測器(photodetectors)具有高親合效率(high couplingefficiency)。
【附圖說明】
[0034]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0035]圖1a-1b為現(xiàn)有技術(shù)一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖；
[0036]圖2a_2e為現(xiàn)有技術(shù)另一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖；
[0037]圖3a_3d為現(xiàn)有技術(shù)一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖；
[0038]圖4a_4d為現(xiàn)有技術(shù)另一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖；
[0039]圖5為本發(fā)明一【具體實施方式】中所述光波導(dǎo)的制備工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0040]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0041]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0042]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0043]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0044]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0045]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0046]目前光波導(dǎo)的制備方法具有很多中，下面將結(jié)合附圖對所述制備方法分別進行說明，其中圖1a-1b為現(xiàn)有技術(shù)一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖；圖2a_2e為現(xiàn)有技術(shù)另一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖。
[0047]首先第一種方法如圖1a所示，首先提供襯底101，在所述襯底101上形成芯層(core layer) 102，然后在所述芯層102上形成光掩膜層(photo-mask)，然后進行紫外光照射，加熱，以得到光波導(dǎo)。
[0048]第二種方法如圖1b所示，為了提高光波導(dǎo)的性能，提供襯底101，在所述襯底101上形成底覆層(bottom cladding) 104，然后形成芯層(core layer) 102，然后在所述芯層102上形成頂覆層(top cladding) 105，在所述頂覆層105上形成光掩膜層(photo-mask) 103，然后進行紫外光照射，加熱，其中，所述底覆層和所述頂覆層具有不同的折射率。
[0049]第三種方法如圖2a_2e所示，首先，提供襯底201，并在所述襯底上形成底部電極202，如圖2a所示；然后形成底覆層203，以覆蓋所述底部電極202，如圖2b所示。
[0050]接著選用鑄塑軟模具(flexible mold) 204圖案化所述底覆層203，以在所述底覆層203中形成凹槽，如圖2c所示。
[0051]然后形成芯層205以覆蓋所述底覆層203并填充所述凹槽，如圖2d所示。
[0052]最后在所述頂覆層206上形成頂部電極207，如圖2e所示。
[0053]雖然現(xiàn)有技術(shù)中存在多種制備方法，但是所述方法不僅繁瑣而且效果和性能不夠理想。
[0054]實施例1
[0055]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種新的光波導(dǎo)的制備方法，下面結(jié)合附圖對所述方法作進一步的說明，其中圖3a_3d為現(xiàn)有技術(shù)一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖。
[0056]首先執(zhí)行步驟301，提供襯底301，在所述襯底上形成底覆層302和芯層302。
[0057]具體地，如圖3a所示，在該步驟中所述襯底301可以選用本領(lǐng)域常用的半導(dǎo)體襯底，所述襯底301可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0058]可選地，在所述襯底301上形成底部電極(圖中未示出)，所述底部電極可以選用常用的導(dǎo)電材料，并不局限于某一種，在該實施例中，所述底部電極選用金屬銀。
[0059]進一步，在所述襯底301上形成底覆層(bottom cladding) 302，以覆蓋所述襯底301和所述底部電極。
[0060]其中所述底覆層選用具有較低或者較高折射率的聚合物材料。
[0061]然后在所述底覆層302上形成芯層(core layer) 303，其中，以覆蓋所述底覆層，所述芯層303可以選用本領(lǐng)域常用的各種材料，并不局限于某一種。
[0062]執(zhí)行步驟302，通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成具有開口圖案的低折射率頂覆材料層。
[0063]具體地，如圖3b所示，在該步驟中選用氣凝膠噴射打印(Aerosol Jet Printing)的方法形成所述頂覆層。
[0064]本申請中選用氣凝膠噴射打印(Aerosol Jet Printing)的方法形成所述頂覆層為低溫度工藝方法，而且所述方法對環(huán)境更加溫和，減小了廢料的產(chǎn)生，還可以在非平面的襯底上進行打印，而且更加準(zhǔn)確。
[0065]執(zhí)行步驟303，所述開口圖案進行修正和凍結(jié)的步驟。
[0066]具體地，所述方法可以選用本領(lǐng)域常用的方法，并不局限于某一種，在此不再贅述。
[0067]執(zhí)行步驟304，通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成高折射率頂覆材料層305，以填充所述開口圖案，形成所述頂覆層(top cladding) 304。
[0068]具體地，如圖3c所示，在該步驟中選用所述氣凝膠噴射打印的方法形成高折射率頂覆材料層305，以填充所述開口圖案，形成梯度折射率(graded-1ndex，GI)的聚合物光學(xué)波導(dǎo)，其具有更加優(yōu)異的性能，例如低傳播損失(low-propagat1n loss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(high bandwidth)以及與 MMF 和光電探測器(photodetectors)具有高親合效率(high coupling efficiency)。
[0069]在該實施例中還可以通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成具有開口圖案的高折射率頂覆材料層；然后通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成低折射率頂覆材料層，以填充所述開口圖案，形成所述頂覆層304。
[0070]其中所述低折射率頂覆材料層和高折射率頂覆材料層的折射率差別可以根據(jù)具體需要進行選擇。
[0071]執(zhí)行步驟305，執(zhí)行紫外線固化步驟，以固化所述光波導(dǎo)。
[0072]具體地，如圖3d所示，在該步驟中所述紫外線固化可以選用常規(guī)的方法，并不局限于某一種。
[0073]至此，完成了本發(fā)明實施例的光波導(dǎo)過程的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實施例的制備方法還可以在上述各個步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實現(xiàn)，此處不再贅述。
[0074]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種基于聚合物的光波導(dǎo)的制備方法，在所述方法中選用氣凝膠噴射打印形成所述底覆層和/或所述頂覆層，通過所述方法解決現(xiàn)有技術(shù)中尺寸的限制，而且所述方法具有優(yōu)越的性能，例如低傳播損失(low-propagat1n loss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(highbandwidth)以及與MMF和光電探測器(photodetectors)具有高親合效率(high couplingefficiency)。
[0075]圖5為本發(fā)明一具體地實施方式中所述聚合物光波導(dǎo)的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟:
[0076]步驟S1:提供襯底；
[0077]步驟S2:在所述襯底上依次形成底覆層、芯層和頂覆層，以形成光波導(dǎo)，其中所述底覆層和/或所述頂覆層通過噴射打印的方法形成。
[0078]實施例2
[0079]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種新的光波導(dǎo)的制備方法，下面結(jié)合附圖對所述方法作進一步的說明，其中圖4a_4d為現(xiàn)有技術(shù)一實施例中光波導(dǎo)的制備過程示意圖。
[0080]首先執(zhí)行步驟401，在所述襯底401上通過所述噴射打印的方法形成底部電極402以及覆蓋所述底部電極的底覆層403，其中所述底覆層403中具有若干相互間隔的凹槽。
[0081]具體地，如圖4a所示，在該步驟中所述襯底401可以選用本領(lǐng)域常用的半導(dǎo)體襯底，所述襯底301可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0082]可選地，所述底部電極402可以選用常用的導(dǎo)電材料，并不局限于某一種，在該實施例中，所述底部電極選用金屬銀。
[0083]進一步，在所述襯底401上形成底覆層(bottom cladding) 403，以覆蓋所述襯底401和所述底部電極402。
[0084]其中所述底覆層選用具有較低或者較高折射率的聚合物材料。
[0085]其中所述底覆層403中具有若干相互間隔的凹槽，以用于在后續(xù)的步驟中形成圖案化的芯層。
[0086]在本申請中選用膠噴射打印(Jet Printing)的方法形成所述底部電極402以及覆蓋所述底部電極的底覆層403，所述方法為低溫度工藝方法，而且所述方法對環(huán)境更加溫和，減小了廢料的產(chǎn)生，還可以在非平面的襯底上進行打印，而且更加準(zhǔn)確。
[0087]執(zhí)行步驟402，在所述凹槽的側(cè)壁上形成覆層間隙壁。
[0088]具體地，在該步驟中選用氟化聚合物(fluorinated polymer)形成所述覆層間隙壁，以調(diào)整所述凹槽的開口以及深度。
[0089]可選地，接著執(zhí)行等離子體修整的步驟，以進一步提高所述凹槽的輪廓，提高器件的性能。
[0090]執(zhí)行步驟403，形成所述芯層404，以覆蓋所述底覆層403并填充所述凹槽。
[0091]具體地，如圖4b所示，在該步驟中形成的所述芯層404填充所述凹槽，通過所述方法形成圖案化的芯層404。
[0092]其中所述芯層選用聚合物，但并不局限于某一種在此不再贅述。
[0093]執(zhí)行步驟404，在所述芯層404上形成所述頂覆層405，以覆蓋所述芯層404。
[0094]具體地，如圖4c所示，所述頂覆層405和所述底覆層具有不同的折射率，以形成具有形成梯度折射率(graded-1ndex，GI)的聚合物光學(xué)波導(dǎo)，其具有更加優(yōu)異的性能，例如低傳播損失(low-propagat1n loss)、低串?dāng)_(low interchannel crosstalk)高帶寬(high bandwidth)以及與MMF和光電探測器(photodetectors)具有高親合效率(highcoupling efficiency)。
[0095]執(zhí)行步驟405，在所述頂覆層405上形成頂部電極406。
[0096]具體地，如圖4d所示，在該步中所述頂部電極406可以選用常用的導(dǎo)電材料，并不局限于某一種，在該實施例中，所述頂部電極406選用金屬銀。
[0097]具體地，選用聚焦離子束(focused 1n beam)氣體輔助沉積(gas assisteddeposit1n)的方法形成所述頂部電極406。
[0098]所述聚焦離子束(focused1n beam)氣體輔助沉積(gas assisted deposit1n)法可以選用常規(guī)的操作參數(shù)，并不局限于某一范圍，在此不再詳細(xì)的描述。
[0099]至此，完成了本發(fā)明實施例的光波導(dǎo)過程的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實施例的制備方法還可以在上述各個步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實現(xiàn)，此處不再贅述。
[0100]實施例3
[0101]本發(fā)明還提供了一種光波導(dǎo)，所述光波導(dǎo)選用實施例1或2所述的方法制備。通過本發(fā)明方法制備得到的光波導(dǎo)具有更低的能耗，還可以進一步提高光波導(dǎo)的性能和良率。
[0102]實施例4
[0103]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實施例3所述的光波導(dǎo)。其中，光波導(dǎo)件為實施例3所述的半導(dǎo)體器件，或根據(jù)實施例1或2所述的制備方法得到的光波導(dǎo)。
[0104]本實施例的電子裝置，可以是手機、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機、電視機、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機、攝像機、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而具有更好的性能。
[0105]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
[0106]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項】
1.一種光波導(dǎo)的制備方法，包括: 步驟S1:提供襯底； 步驟S2:在所述襯底上依次形成底覆層、芯層和頂覆層，以形成光波導(dǎo)，其中所述底覆層和/或所述頂覆層通過噴射打印的方法形成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括: 步驟S21:在所述襯底上依次形成所述底覆層和所述芯層； 步驟S22:在所述芯層上通過氣凝膠噴射打印的方法形成低折射率頂覆材料層和高折射率頂覆材料層間隔設(shè)置的所述頂覆層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括: 步驟S21:在所述襯底上通過所述噴射打印的方法形成底部電極以及覆蓋所述底部電極的底覆層，其中在所述底覆層中形成有若干相互間隔的凹槽； 步驟S22:形成所述芯層，以覆蓋所述底覆層并填充所述凹槽； 步驟S23:在所述芯層上形成所述頂覆層，以覆蓋所述芯層； 步驟S24:在所述頂覆層上形成頂部電極。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S22包括: 步驟S221:通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成具有若干開口的所述低折射率頂覆材料層； 步驟S222:通過所述氣凝膠噴射打印的方法形成所述高折射率頂覆材料層，以填充所述開口，形成所述頂覆層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步驟S221和所述步驟S222之間還進一步包括對所述開口進行修整和凍結(jié)的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S24中，選用聚焦離子束氣體輔助沉積的方法形成所述頂部電極。7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述底部電極選用銀電極； 所述頂部電極選用銀電極。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S21和所述步驟S22之間還進一步包括:在所述凹槽的側(cè)壁上形成覆層間隙壁。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述覆層間隙壁之后還進一步包括等離子體修整的步驟。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述底覆層和頂覆層具有不同的折射率。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括步驟S3:執(zhí)行紫外線固化步驟，以固化所述光波導(dǎo)。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述底覆層、所述芯層和所述頂覆層選用聚合物材料。13.—種基于權(quán)利要求1至12之一所述的方法制備得到的光波導(dǎo)。14.一種電子裝置，包括權(quán)利要求13所述的光波導(dǎo)。
【文檔編號】G02B6/122GK105842783SQ201510014269
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月12日
【發(fā)明人】張海洋
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司