制造襯底的方法和制造電子器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本技術(shù)涉及一種制造可專門適用于形成具有高撓性的電子器件的襯底的方法、以及一種通過使用制造襯底的方法來制造電子器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在諸如顯示單元等電子器件中，在襯底表面上設(shè)置有包括電子電路、顯示器本體和其他部件的功能區(qū)。在襯底表面具有諸如刮痕和凹痕等缺陷的情況下，為了減少對電子電路的損害，需要在形成電子電路之前修復(fù)這種缺陷。例如，在專利文件1中，提出了將修復(fù)材料注入到襯底表面上，該襯底表面諸如是具有諸如刮痕和凹痕等缺陷的玻璃，并且將修復(fù)材料硬化，并且之后，對硬化的修復(fù)材料局部地拋光以使襯底表面平坦化。
[0003]引用列表
[0004]專利文件
[0005]專利文件1:日本特開2010-15123號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]襯底表面不僅具有諸如刮痕和凹痕等凹進(jìn)缺陷，而且還具有諸如突出等突出缺陷，但是尚不存在能夠同時處理凹進(jìn)缺陷和突出缺陷的平坦化技術(shù)。
[0007]需要提供一種制造允許增強(qiáng)襯底表面平滑度的襯底的方法、以及一種通過使用制造襯底的方法來制造電子器件的方法。
[0008]—種制造根據(jù)本公開的一個實(shí)施例的襯底的方法包括:對材料襯底的表面拋光；以及，在對材料襯底的表面拋光之后，在材料襯底的表面上形成平坦化膜。
[0009]在制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的襯底的該方法中，當(dāng)對材料襯底的表面拋光時，去除存在于材料襯底的表面上的諸如突出等突出缺陷。之后，當(dāng)在襯底材料的表面上形成平坦化膜時，用平坦化膜來填充存在于材料襯底的表面上的諸如凹槽等凹進(jìn)缺陷或者由拋光引起的瑕疵。
[0010]一種制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的襯底的方法包括:形成襯底；以及在襯底上形成功能區(qū)，并且通過前述制造根據(jù)本公開的襯底的方法來執(zhí)行襯底的形成。
[0011]根據(jù)制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的襯底的方法或者制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的電子器件的方法，在對材料襯底的表面拋光之后，在材料襯底的表面上形成平坦化膜；因此，這些方法能夠同時處理在襯底表面上的凹進(jìn)缺陷和突出缺陷，從而允許增強(qiáng)襯底表面的平滑度。
【附圖說明】
[0012]圖1是制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的襯底的方法的流程的示意圖。
[0013]圖2是材料襯底的示例的截面圖。
[0014]圖3是在圖2中圖示的材料襯底粘結(jié)至支撐體的狀態(tài)的截面圖。
[0015]圖4是對在圖3中圖示的材料襯底的表面拋光的過程的截面圖。
[0016]圖5是在圖4中圖示的材料襯底的表面上形成平坦化膜的過程的截面圖。
[0017]圖6是在圖5中圖示的材料襯底的表面上形成阻擋涂層的過程的截面圖。
[0018]圖7是制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的電子器件(顯示單元)的方法的流程的示意圖。
[0019]圖8是在圖6中圖示的襯底上形成TFT層的過程的截面圖。
[0020]圖9是在TFT層上形成顯示器本體的過程的截面圖。
[0021]圖10是從支撐體去除包括材料襯底和平坦化膜的襯底本體的過程的截面圖。
[0022]圖11是切割襯底本體以形成模塊的過程的截面圖。
[0023]圖12是切割襯底以形成模塊的過程的透視圖。
[0024]圖13是從支撐體去除包括材料襯底和平坦化膜的襯底本體的過程的截面圖。
[0025]圖14是作為在圖8中圖示的顯示器本體的示例的電泳器件的配置的平面圖。
[0026]圖15是圖示了在圖14中圖示的電泳器件的配置的截面圖。
[0027]圖16是包括在圖14中圖示的電泳器件的電子器件(顯示單元)的配置的截面圖。
[0028]圖17是用于描述在圖16中圖示的電子器件(顯示單元)的動作的截面圖。
[0029]圖18是制造根據(jù)修改示例1的電子器件(顯示單元)的方法的流程的示意圖。
[0030]圖19是在材料襯底的表面上形成平坦化膜的過程的截面圖。
[0031]圖20是作為在根據(jù)修改示例2的電子器件(顯示單元)中的在圖8中圖示的顯示器本體的另一示例的有機(jī)EL器件的配置的截面圖。
[0032]圖21是包括在圖20中圖示的有機(jī)EL器件的電子器件(顯示單元)的整個配置的示意圖。
[0033]圖22是在圖21中圖示的像素驅(qū)動電路的示例的示意圖。
[0034]圖23是電子器件的應(yīng)用示例1的外觀的透視圖。
[0035]圖24是應(yīng)用示例1的外觀的另一個透視圖。
[0036]圖25是電子器件的應(yīng)用示例2的外觀的透視圖。
[0037]圖26是電子器件的應(yīng)用示例3的外觀的透視圖。
[0038]圖27是電子器件的應(yīng)用示例4的外觀的透視圖。
[0039]圖28是從電子器件的應(yīng)用示例5的正面看到的外觀的透視圖。
[0040]圖29是從應(yīng)用示例5的背面看到的外觀的透視圖。
[0041]圖30是電子器件的應(yīng)用示例6的外觀的透視圖。
[0042]圖31是電子器件的應(yīng)用示例7的外觀的透視圖。
[0043]圖32是在電子器件的應(yīng)用示例8打開的狀態(tài)下的透視圖。
[0044]圖33是在電子器件的應(yīng)用示例8關(guān)閉的狀態(tài)下的透視圖。
[0045]圖34是在電子器件的應(yīng)用示例9關(guān)閉的狀態(tài)下的示意圖。
[0046]圖35是在電子器件的應(yīng)用不例9打開的狀態(tài)下的不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]下面將參照附圖對本公開的一些實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。注意，將按照以下順序進(jìn)行說明。
[0048]1、實(shí)施例(形成樹脂膜作為平坦化膜并且在平坦化膜的表面上形成由無機(jī)膜制成的阻擋涂層的示例)
[0049]2、修改示例1 (平坦化形成還用作阻擋涂層的無機(jī)膜作為平坦化膜的示例)
[0050]3、修改示例2 (包括有機(jī)EL (電致發(fā)光)器件作為顯示器本體的示例)
[0051]4、應(yīng)用示例
[0052](制造襯底的方法)
[0053]首先，下面將參照圖1至圖6對制造根據(jù)本公開的實(shí)施例的襯底的方法進(jìn)行描述。該制造根據(jù)本實(shí)施例的襯底1的方法涉及:使用具有撓性的材料襯底10，諸如塑料膜，并且整平存在于材料襯底10的表面上的凹進(jìn)缺陷和突出缺陷以形成具有高度平滑表面的襯底1。該制造根據(jù)本實(shí)施例的襯底1的方法包括:對材料襯底10的表面拋光；以及在對材料襯底10的表面拋光之后，在材料襯底10的表面上形成平坦化膜20。由此獲得的襯底1用于制造諸如顯示單元和傳感器等電子器件。
[0054](將材料襯底10粘結(jié)至支撐體30的過程)
[0055]襯底10可以由具有撓性的樹脂片(塑料片)制成，例如，如圖2所圖示的。更加具體地，材料襯底10的厚度可以優(yōu)選地是，例如，200 μ m或者更小，并且更加優(yōu)選地是50 μ m或者更小。材料襯底10的材料的非限制示例可以包括由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、聚烯烴、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、硅樹脂、和丙烯酸樹脂制成的塑料片。
[0056]突出缺陷11和凹進(jìn)缺陷12存在于材料襯底10的表面上，仍如圖2所圖示的。突出缺陷11的示例可以包括離參照表面10A 2 μπι或者更大高度的高突出11Α以及離參照表面10Α 2 μπι或者更小高度的低突出11Β。凹進(jìn)缺陷12的示例可以包括以坑狀形式從參照表面10Α凹進(jìn)的沉降12Α和以楔形形狀從參照表面10Α掘入的刮痕12Β。注意，離沉降12Α的參照表面10Α的深度可以是，例如，2.0 μπι或者更小，并且離刮痕12Β的參照表面10Α的深度可以是，例如，1.0 μπι或者更小。
[0057]在拋光過程之前，使用粘合層40將該材料襯底10粘結(jié)至支撐體30，如圖3所圖示的(在圖1中的步驟S101)。這使得可以在材料襯底10粘結(jié)至支撐體30的狀態(tài)下執(zhí)行拋光的過程和形成平坦化膜20的過程，以確保材料襯底10的后表面的平面性。
[0058]例如，將材料襯底10粘結(jié)至支撐體30可以如下執(zhí)行。首先，通過印刷方法進(jìn)行涂布，諸如旋轉(zhuǎn)涂布、裸片涂布或者凹版涂布，或者通過附接粘合帶，在支撐體30或者材料襯底10上形成粘合層40。接下來，通過層合機(jī)將材料襯底10鍵合并且固定至支撐體30。
[0059]對于支撐體30，可以優(yōu)選地使用具有500°C或者更高熔點(diǎn)的材料，諸如石英玻璃、耐熱玻璃、金屬、或者陶瓷。支撐體30的線性膨脹系數(shù)可以優(yōu)選地是，例如，10ppm/K或者更小。更加優(yōu)選地，支撐體30的線性膨脹系數(shù)可以是從0.lppm/K至10ppm/K (包括0.lppm/K和10ppm/K)。根據(jù)機(jī)械強(qiáng)度和處理，支撐體30的厚度T30可以優(yōu)選地是，例如，0.3mm或者更大。更加優(yōu)選地，支撐體30的厚度T30可以是從0.3mm至2.0mm (包括0.3mm和2.0mm)。
[0060]作為粘合層40，可以使用通用粘合劑或者通用粘合帶。這使得可以從支撐體30去除材料襯底10而不執(zhí)行弱化粘合力的特殊過程，并且可以在襯底1上形成稍后將描述的功能區(qū)3和任何其他部件。更加具體地，作為粘合層40，可以使用丙烯酸基粘合劑、硅基粘合劑、娃氧燒基粘合劑、天然橡膠基粘合劑、合成橡膠基粘合劑、或者任何其他粘合劑。
[0061 ](對材料襯底10的表面拋光的過程)
[0062]在將材料襯底10固定至支撐體30之后，使用拋光構(gòu)件P對材料襯底10的表面拋光，如圖4所圖示的(在圖1中的步驟S102)。由此，將存在于材料襯底10的表面上的突出缺陷11刮掉。
[0063]此處使用的拋光方法可以是機(jī)械拋光或者是通過使用，例如但不限于，具有用于提高拋光效率的適當(dāng)調(diào)節(jié)的PH的磨料(漿液)的拋光。更加具體地，作為拋光方法，可以使用諸如CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)、帶拋光、和乳輥拋光等技術(shù)。
[0064]在該拋光過程中，可以優(yōu)選地對材料襯底10的整個表面拋光。當(dāng)對材料襯底10的表面的一部分局部拋光時，突出缺陷11可能會余留在尚未執(zhí)行拋光的區(qū)域中。余留的突出缺陷11可能不會被待在稍后過程中形成的平坦化膜20覆蓋(這取決于余留的突出缺陷的高度)，從而導(dǎo)致襯底1的表面平滑度下降。
[0065]在該拋光過程中，可以優(yōu)選地執(zhí)行拋光直到將突出缺陷11的高度減小到等于或者小于待在稍后過程中形成的平坦化膜20的厚度的值。當(dāng)突出缺陷11的高度是1 ym或者更小時，可以用待在稍后過程中形成的平坦化膜20覆蓋突出缺陷11。
[0066]在拋光過程中，在材料襯底10的表面上形成拋光瑕疵13是可接受的。拋光瑕疵13導(dǎo)致表面面積增加，這增加了在材料襯底10與平坦化膜20之間的接觸面積并且導(dǎo)致固著效應(yīng)，從而影響改進(jìn)粘合力的效果。拋光瑕疵13的深度D13可以優(yōu)選地等于或者小于待在稍后過程中形成的平坦化膜20的厚度，例如，3 μ m或者更小，并且更加優(yōu)選地1 μ m或者更小。只要拋光瑕疵13具有該深度D13，便可以通過待在稍后過程中形成的平坦化膜20進(jìn)行平坦化。
[0067](清潔)
[0068]在對材料襯底10的表面拋光之后，清潔材料襯底10的表面，為在后續(xù)過程中形成平坦化膜20做準(zhǔn)備(在圖1中的步