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一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板的制作方法

文檔序號:2466222閱讀:132來源:國知局
專利名稱:一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板。
背景技術(shù)
目前巿場上金屬基覆銅絕緣板絕緣介質(zhì)是以環(huán)氧樹脂或防改性環(huán)氧樹脂構(gòu) 成,無法滿足電子通訊的發(fā)展對高頻化、微波化的高性能金屬基復(fù)合材料的需 求。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供一份高頻化、微波化的高性能金屬基復(fù)合介 質(zhì)覆銅箔板。
本發(fā)明一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其金屬板上覆蓋復(fù)合材料層,復(fù)合
材料層上覆蓋銅箔;復(fù)合材料層可以是帶有聚四氟乙烯涂層的玻璃布,也可以 是聚四氟乙烯與陶瓷或金紅石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金紅石 的混合物。
本發(fā)明一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,金屬板的材料是銅、鋁或者鐵、玻
璃布的聚四氟乙烯涂層為幾層至幾十層,三層重量比為金屬基復(fù)合材料銅 箔=4-7: 2-5: 0.1-2,聚四氟乙烯與陶瓷和金紅石、單獨(dú)陶瓷或單獨(dú)金紅石的 重比為5-7: 2-5。
本發(fā)明在復(fù)合材料層上覆蓋銅箔復(fù)合材料層可以是帶有聚四氟乙烯涂層 的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯與陶瓷或金紅石的混合物,也可以是聚四氟乙 烯、陶瓷和金紅石的混合物。能使復(fù)合材料層有較高的熱分解性,提高其玻璃 化溫度,進(jìn)而達(dá)到高耐熱性、高散熱性和高介電常數(shù),介電常數(shù)為2.25-10.2。 滿足電子通訊的發(fā)展對高頻化、微波化的高性能金屬基復(fù)合材料的需求。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施施工進(jìn)一步說明。 附圖l為本發(fā)展的結(jié)構(gòu)圖
具體實(shí)施例方式
3實(shí)施例一、根據(jù)附圖所示,其制備過程為將原材料加四氟乙烯與陶瓷或金 紅石,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金紅石按比例混合,數(shù)次進(jìn)行烘干,燒結(jié)
成復(fù)合材料層;按比例對銅、鋁或鐵進(jìn)行配比,對銅、鋁或鐵基表面進(jìn)行處理, 將復(fù)合材料層2和銅、鋁或鐵i用導(dǎo)熱粘粉粘結(jié),復(fù)合材料層與銅箔3進(jìn)行一
次模壓成型。三層重量比控制在金屬基復(fù)合材料銅箔=4-7: 2-5: 0.1-2的范 圍。聚四氟乙烯與陶瓷和金紅石、單獨(dú)陶瓷或單獨(dú)金紅石的重量比控制在5-7: 2-5范圍。
實(shí)施例二、復(fù)合材料層2為是帶有聚四氟乙烯涂層的玻璃布,其玻璃布的 聚四氟乙烯涂層根據(jù)要求為幾層至幾十層。其余制備過程和實(shí)施例一相同。
權(quán)利要求
1、一種金屬基復(fù)合質(zhì)質(zhì)覆銅箔板,其金屬板(1)上覆蓋復(fù)合材料層(2),復(fù)合材料層(2)上覆蓋銅箔(3);復(fù)合材料層(2)可以是帶有聚四氟乙烯涂層的的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯與陶瓷或金紅石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金紅石的混合物。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其特征是金屬板的材 質(zhì)是銅、鋁或者鐵。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其特征是玻璃布的聚 四氟乙烯涂層為幾層或幾十層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其特征是三層重量比 為金屬基復(fù)合材料銅箔=4-7: 2-5: 0.1-2。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其特征是聚四氟乙烯 與陶瓷和金紅石、單獨(dú)陶瓷或單獨(dú)金紅石的重量比為5-7: 2-5。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板。本發(fā)明一種金屬基復(fù)合介質(zhì)覆銅箔板,其金屬板上覆蓋復(fù)合材料層,復(fù)合材料層上覆蓋銅箔復(fù)合材料層可以是帶有聚四氟乙烯涂層的玻璃布,也可以是聚四氟乙烯與陶瓷或金紅石的混合物,也可以是聚四氟乙烯、陶瓷和金紅石的混合物。它滿足電子通訊的發(fā)展對高頻化、微波化的高性能金屬基復(fù)合材料的需求。
文檔編號B32B15/04GK101564918SQ200910027889
公開日2009年10月28日 申請日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者顧根山 申請人:顧根山
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