專利名稱：：帶有接合膜的基材、接合方法及接合體的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及帶有接合膜的基材、接合方法及接合體。
背景技術(shù)：
：在接合(粘接)兩個部件(基材)時，以往多采用使用了環(huán)氧系粘接劑、尿烷系粘接劑、硅酮系粘接劑等粘接劑的方法。粘接劑通常不取決于接合的部件的材質(zhì)，而顯示優(yōu)越的粘接性。因此，可以將由各種材料構(gòu)成的部件之間進行各種組合而粘接。例如，噴墨打印機具備的液滴噴出頭(噴墨式記錄頭)通過使用粘接劑粘接由樹脂材料、金屬材料及硅系材料等異種材料構(gòu)成的部件之間而組裝。在這樣使用粘接劑粘接部件之間時，在粘接面涂敷液態(tài)或糊狀粘接劑，通過涂敷的粘接劑貼合部件之間。然后，通過熱量或光的作用，使粘接劑硬化(固化)，由此粘接部件之間。然而，在這樣的使用了粘接劑的接合中，存在以下問題。粘接強度低。尺寸精度低。固化時間長，因此，粘接需要長時間。另外，在大量的情況下，為了提高粘接強度，需要使用底層漆，為此的成本、和勞力和時間導致粘接工序的高成本化、復雜化。另一方面，作為不使用的粘接劑的接合方法，有利用固體接合的方法。固體接合是不夾有粘接劑等中間層，直接接合部件之間的方法(例如，參照專利文獻l)。根據(jù)這樣的固體接合可知，不使用粘接劑之類的中間層，因此，能夠得到尺寸精度高的接合體。然而，在固體接合中存在以下問題。在接合的部件的材質(zhì)上有限制。'在接合工序中伴隨高溫(例如，70080(TC左右〉下的熱處理。接合工序中的氣氛限制在減壓氣氛。受到這樣的問題，正在尋求不取決于供給于接合的部件的材質(zhì)，以高的尺寸精度牢固，且在低溫下效率良好地接合部件之間的方法。專利文獻1特開平5—82404號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供具備能夠?qū)φ掣襟w，以高的尺寸精度牢固地，且在低溫下效率良好地接合的接合膜的帶有接合膜的基材、將所述帶有接合膜的基材和粘附體在低溫下效率良好地接合的接合方法、及將所述帶有接合膜的基材和粘附體以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。這樣的目的通過以下的本發(fā)明來實現(xiàn)。本發(fā)明一種帶有接合膜的基材，其特征在于，具有基材；接合膜，其包含金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和在所述金屬原子及所述氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基；中間層，其夾在所述基材和所述接合膜之間，且厚度能夠通過被賦予應力而變化，所述接合膜在至少一部分區(qū)域被賦予能量，在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從所述金屬原子及所述氧原子的至少一方脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯示與其他的被粘附體的粘接性。由此，得到具備能夠?qū)φ掣襟w，以高的尺寸精度牢固地，且在低溫下效率良好地接合的接合膜的帶有接合膜的基材。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基在所述接合膜的表面附近不均勻。由此，能夠使接合膜適當發(fā)揮作為金屬氧化物膜的功能。即，除了作為接合膜的功能之外，還能夠使接合膜適當發(fā)揮作為導電性或透光性等特性優(yōu)越的金屬氧化物膜的功能。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述金屬原子為銦、錫、鋅、鈦、及銻中的至少一種。通過使接合膜3含有這些金屬原子，接合膜發(fā)揮優(yōu)越的導電性和透明性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基為氫原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子、或這些各原子構(gòu)成的原子團中的至少一種。這些脫離基的通過能量的賦予的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)越。因此，通過賦予能量，得到比較簡單地，且均一地脫離的脫離基，能夠進一步條帶有接合膜的基材的粘接性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選在所述接合膜中，作為脫離基，向銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)或二氧化鈦(Ti02)導入氫原子。所述結(jié)構(gòu)的接合膜其自身具有優(yōu)越的機械特性。另外，對大量的材料顯示尤其優(yōu)越的粘接性。從而，這樣的接合膜特別牢固地接合于基板，并且，對對置基板也顯示特別強的粘附力，其結(jié)果，能夠牢固地接合基板和對置基板。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜中的金屬原子和氧原子的存在比為3:77:3。由此，接合膜的穩(wěn)定性變高，能夠更牢固地接合帶有接合膜的基材和其他的被粘附體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材，其特征在于，基材；接合膜，其包含金屬原子、和由有機成分構(gòu)成的脫離基；中間層，其夾在所述基材和所述接合膜之間，且厚度能夠通過被賦予應力而變化，所述接合膜在至少一部分區(qū)域被賦予能量，在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯示與其他的被粘附體的粘接性。由此，得到具備能夠?qū)φ掣襟w，以高的尺寸精度牢固地，且在低溫下效率良好地接合的接合膜的帶有接合膜的基材。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜是將有機金屬材料作為原材料，使用有機金屬化學氣相生長法來成膜的。根據(jù)所述方法可知，能夠比較簡單工序，將均一的膜厚的接合膜成膜。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜是在低還原性氣氛下成膜的。由此，在基板上不形成純粹的金屬膜，能夠以殘留含于有機金屬材料中的有機物的一部分的狀態(tài)成膜。即，能夠形成作為接合膜及金屬膜兩者的特性優(yōu)越的接合膜。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基是含于所述有機金屬材料的有機物的一部分殘留的。通過形成為將在這樣成膜時殘留于膜中的殘留物作為脫離基使用的結(jié)構(gòu)，在形成的金屬膜中不需要導入脫離基，能夠以比較簡單的工序來成膜接合膜。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基由將碳原子作為必要成分，包含氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子中的至少一種的原子團構(gòu)成。這些脫離基的通過能量的賦予的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)越。因此，通過賦予能量，得到比較簡單且均一地脫離的脫離基，能夠進一步高度化基板的粘接性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述脫離基為烷基。由烷基構(gòu)成的脫離基的化學穩(wěn)定性高，因此，作為脫離基具備垸基的接合膜的耐氣候性及耐藥品性優(yōu)越。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述有機金屬材料為金屬絡合物。通過使用金屬絡合物將接合膜成膜，能夠以殘留含于金屬絡合物中的有機物的一部分的狀態(tài)可靠地形成接合膜。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述金屬原子為銅、鋁、鋅及鐵中的至少一種。通過使接合膜含有這些金屬原子，接合膜發(fā)揮優(yōu)越的導電性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比為3:77:3。通過將金屬原子和碳原子的存在比設定在所述范圍內(nèi)，接合膜的穩(wěn)定性變高，能夠更牢固地接合粘接片和粘附體。另外，能夠使接合膜發(fā)揮優(yōu)越的導電性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述中間層直接接合于所述接由此，賦予應力而引起的中間層的厚度的變化直接作用于接合膜，因此，能夠根據(jù)中間層的變化，可靠地變形接合膜。其結(jié)果，進一步提高接合膜的與其他的被粘附體的粘附性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述中間層是彈性變形的。由此，即使在其他的被粘附體上接合帶有接合膜的基材后，其他的被粘附體及基板重復變形而使用，中間層也不會發(fā)生疲勞破損，能夠?qū)谄渌谋徽掣襟w及基板的形狀而變形。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述中間層的貯存彈性模量為0.0110MPa。由此，能夠可靠地防止在中間層發(fā)生疲勞破損的情況，因此，能夠使中間層可靠地對應于其他的被粘附體及基板的形狀而變形。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述中間層的平均厚度為510000nm。由此，能夠使中間層對應于在其他的被粘附體的表面存在的彎曲或凹凸等形狀來變形。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選在將所述中間層的平均厚度設為A[nm]，將所述接合膜的平均厚度設為B[nm]時，A/B滿足0.1《細《1000的關(guān)系。通過設定在所述范圍內(nèi)，在中間層的厚度變化時，能夠追隨該厚度的變化而使接合膜的厚度可靠地變化。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜在至少表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離后，產(chǎn)生活性鍵(活性手)。由此，得到對其他的被粘附體，基于化學鍵，能夠牢固地接合的帶有接合膜的基材。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述活性鍵為未結(jié)合鍵(未結(jié)合手)或羥基。由此，能夠相對于其他的被粘附體，特別牢固地接合。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜的平均厚度為l1000nm。由此，能夠防止接合了帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合體的尺寸精度顯著降低的情況，同時，能夠更牢固地接合這些。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述接合膜呈不具有流動性的固態(tài)。由此，使用帶有接合膜的基材得到的接合體的尺寸精度與以往相比非常高。另外，與以往相比，能夠在短時間內(nèi)進行牢固的接合。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選至少所述基材的與所述中間層接觸的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料構(gòu)成。由此，即使不實施表面處理，也得到充分的強度。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選在所述中間層的與所述接合膜接觸的一側(cè)的面，預先實施有提高與所述接合膜的粘附性的表面處理。由此，清潔化及活性化基材的表面，能夠提高接合膜和對置基板的接合強度。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選所述表面處理為等離子體處理。由此，為了形成接合膜，能夠特別最佳化基材的表面。本發(fā)明的接合方法，其特征在于，包括-準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材、和所述其他的被粘附體的工序；向該帶有接合膜的基材具有的所述接合膜的至少一部分的區(qū)域賦予能量的工序；以使所述接合膜和所述其他的被粘附體粘附的方式，貼合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體，得到接合體的工序。由此，能夠在低溫下效率良好地接合帶有接合膜的基材和粘附體。本發(fā)明的接合方法，其特征在于，包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材、和所述其他的被粘附體的工序；以使所述接合膜和所述其他的被粘附體粘附的方式，貼合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體，得到層疊體的工序；通過向該層疊體中的所述接合膜的至少一部分的區(qū)域賦予能量，接合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體，得到接合體的工序。由此，能夠在低溫下效率良好地接合帶有接合膜的基材和粘附體。另外，在層疊體的狀態(tài)下，帶有接合膜的基材和粘附體之間沒有接合，因此，在重疊帶有接合膜的基材和粘附體后，能夠容易地微調(diào)這些的位置。其結(jié)果，能夠提高接合膜的表面方向上的位置精度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述能量的賦予通過向所述接合膜照射能量射線的方法、加熱所述接合膜的方法、及向所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。由此，能夠比較簡單地，且效率良好地對接合膜賦予能量。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述能量射線為波長126300nm的紫外線。由此，最佳化向接合膜賦予的能量，因此，能夠使接合膜中的脫離基可靠地脫離。其結(jié)果，能夠防止接合膜的特性(機械妥特性、化學特性等)降低的情況，同時，能夠在接合膜顯示粘接性。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述加熱的溫度為2510(TC。由此，能夠可靠地防止接合體由于熱量而變質(zhì)、劣化，同時，能夠可靠地提高接合強度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述壓縮力為0.210MPa。由此，能夠防止由于壓力過高而導致基板或粘附體發(fā)生損傷等的情況，同時，能夠可靠地提高接合體的接合強度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述能量的賦予在大氣氣氛中進行。由此，在控制氣氛時，不需要勞力和工時或成本，能夠更簡單地進行能量的賦予。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述其他的被粘附體預先具有實施了提高與所述接合膜的粘附性的表面處理的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜粘附的方式貼合于所述實施了表面處理的表面。由此，能夠進一步提高帶有接合膜的基材和粘附體的接合強度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述其他的被粘附體預先具有具有選自官能團、原子團、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物構(gòu)成的組的至少一個基團或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜粘附的方式，貼合于具有所述基團或物質(zhì)的表面。由此，能夠充分地提高帶有接合膜的基材和粘附體的接合強度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選對所述接合體，進行提高所述接合體的接合強度的處理的工序。由此，能夠進一步提高接合體的接合強度。在本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選所述進行提高接合強度的處理的工序通過向所述接合體照射能量射線的方法、加熱所述接合體的方法、及向所述接合體賦予壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。由此，能夠進一步提高接合體的接合強度。本發(fā)明的接合體，其特征在于，具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材、和粘附體，這些經(jīng)由所述接合膜接合。由此，得到以高的尺寸精度接合帶有接合膜的基材和粘附體而成的可靠性高的接合體。本發(fā)明的接合體，其特征在于，具有-兩片本發(fā)明的帶有接合膜的基材，這些以使所述接合膜之間對置的方式接合。由此，得到以高的尺寸精度接合帶有接合膜的基材和粘附體而成的可靠性高的接合體。圖l是用于說明本發(fā)明的帶有接合膜的基材的圖(立體圖)。圖2是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的I的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖。圖3是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的I的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖。圖4是以示意性表示在將I的結(jié)構(gòu)的接合膜成膜時使用的成膜裝置的縱向剖面圖。圖5是表示圖4所示的成膜裝置具備的離子源的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的II的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖。圖7是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的II的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖。圖8是以示意性表示在將II的結(jié)構(gòu)的接合膜成膜時使用的成膜裝置的縱向剖面圖。圖9是用于說明帶有接合膜的基材的其他結(jié)構(gòu)的圖(立體圖)。圖10是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第一實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖11是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第一實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖12是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第二實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖13是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第三實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖14是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第三實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖15是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第四實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖16是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第五實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖17是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第六實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖18是使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第七實施方式的圖(縱向剖面圖)。圖19是表示適用本發(fā)明的接合體而得到的彈性表面波元件的俯視圖。圖20是圖19所示的彈性表面波元件的縱向剖面圖。圖21是表示適用本發(fā)明的接合體而得到的彈性表面波元件的分解立體圖。圖中l(wèi)一帶有接合膜的基材；2、21、22—基板；25、251、252—上表面；3、30、31、32、3a、3b—接合膜；303—脫離基；304—活性鍵；3c—間隙；35、351、352—表面；350—規(guī)定區(qū)域；4一對置基板；5、5a、5a，、5b、5c、5d、5e—接合體;6—掩模;61—窗部;7、71、72、7a—中間層；200—成膜裝置；211—腔室；212—基板支撐架；215—離子源；216一靶體；217—靶體支撐架；219—氣體供給源；220—第一開閉器；221—第二開閉器；230—排氣機構(gòu)；231—排氣線路；232—泵；233—閥；250一開口；253—格柵；254—格柵；255—磁鐵；256—離子產(chǎn)生室；257—燈絲；260—氣體供給機構(gòu)；261—氣體供給線路；262—泵；263—閥；264一氣體容器；410—配線基板；412—電極；413—絕緣基板；414一導線；415—電極；416—導電層；500—成膜裝置；511—腔室；512—基板支撐架；521—開閉器；530—排氣機構(gòu)；531—排氣線路；532—泵；533—閥；560—有機金屬供給機構(gòu)；561—氣體供給線路；562—貯存槽；563—閥；564—泵；565—氣體容器；570—氣體供給機構(gòu)；571—氣體供給線路；573一閥；574—泵；575—氣體容器；610—彈性表面波元件；620—基板；621一基部；622—基底層；623—壓電體層；630—IDT(輸入側(cè)電極)；631一電極指；640—IDT(輸出側(cè)電極)；641—電極指；650—絕緣保護膜。具體實施例方式以下，基于附圖所示的適當?shù)膶嵤┓绞剑敿氄f明本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法及接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有基板(基材)、接合膜、和在這些基板和接合膜之間設置的中間層，并用于與對置基板(其他的被粘附體)的接合中。在該帶有接合膜的基材中，接合膜接合膜含有金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和與這些金屬原子及氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基。這樣的具有接合膜的帶有接合膜的基材通過向接合膜的至少一部分區(qū)域即俯視的情況下的接合膜的整個面或一部分區(qū)域賦予能量而使在所述接合膜的表面附近存在的脫離基從金屬原子及氧原子的至少一方脫離。還有，其特征在于，該接合膜通過脫離基的脫離，在該表面的賦予了能量的區(qū)域顯示與對置基板的粘接性。進而，中間層通過賦予應力，可以變化其厚度。通過形成為具備這樣的中間層的結(jié)構(gòu)，即使在將帶有接合膜的基材接合(粘接)于在表面具有彎曲或凹凸的對置基板的情況下，將帶有接合膜的基材壓緊于對置基板而貼合時，也對中間層賦予應力，中間層的厚度對應(追隨)于對置基板表面的彎曲或凹凸的形狀而變化。其結(jié)果，夾在中間層和對置基板之間的接合膜也對應于中間層的形狀的變化，其形狀變化，因此，在表面具有彎曲或凹凸的對置基板上也能夠可靠地接合帶有接合膜的基材。具有以上的特征的本發(fā)明的帶有接合膜的基材相對于對置基板，能夠以高的尺寸精度牢固地，且在低溫下效率良好地接合。還有，通過使用所述帶有接合膜的基材，得到牢固地接合基板和對置基板而成的可靠性高的接合體。<第一實施方式>首先，說明本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和對置基板(其他的被粘附體)的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第一實施方式。圖1是用于說明本發(fā)明的帶有接合膜的基材的圖(立體圖)，圖2是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的I的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖，圖3是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的I的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的局部放大圖，圖4是以示意性表示在將I的結(jié)構(gòu)的接合膜成膜時使用的成膜裝置的縱向剖面圖，圖5是表示圖4所示的成膜裝置具備的離子源的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖6是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的II的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖，圖7是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材具備的II的結(jié)構(gòu)的接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的局部放大圖，圖8是以示意性表示在將II的結(jié)構(gòu)的接合膜成膜時使用的成膜裝置的縱向剖面圖，圖9是用于說明帶有接合膜的基材的其他結(jié)構(gòu)的圖(立體圖)，圖10及圖11是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材接合于其他的被粘附體的接合方法的第一實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖1圖11中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，首先，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材的第一實施方式進行說明。在本實施方式中，帶有接合膜的基材1如圖1所示，具有基板2、接合膜3、和在基板2及接合膜3之間設置的中間層7。該帶有接合膜的基材1相對于后述的對置基板4，經(jīng)由接合膜3及中間層7粘接基板2時使用?；?具有支撐在其一方的面?zhèn)刃纬傻闹虚g層7及接合膜3的功能。因此，該基板2只要是具有支撐中間層7及接合膜3的程度的剛性，就可以由任意的構(gòu)成材料構(gòu)成。具體來說，基板2的構(gòu)成材料可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯一丙烯共聚物、乙烯一醋酸乙酯過氧化物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚一(4一甲基戊烯一1)、離聚物、丙烯酸系樹脂、聚甲基甲基丙烯酸酯、丙烯腈一丁二烯一苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈一苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯一苯乙烯共聚物、聚氧亞甲基、聚乙烯醇(PVA)、乙烯一乙烯基醇共聚物(EVOH)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反聚異戊二烯系、氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、尿素樹脂、蜜胺樹脂、芳族聚酰胺系樹脂、不飽和聚酯、硅酮樹脂、聚氨酯等、或以這些為主的共聚物、混合體、聚合物一合金等樹脂系材料、Fe、Ni、C0、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、T1、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm之類的金屬、或含有這些金屬的合金、碳鋼、不銹鋼、銦錫氧化物(ITO)、鎵砷之類的金屬系材料、Si、Ge、InP、GaPN之類的半導體系材料、單晶硅、多晶硅、非晶質(zhì)硅、聚硅之類的硅系材料、硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸鈉玻璃、鈉玻璃、鉀鈣玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼酸玻璃之類的玻璃系材料、氧化鋁、氧化鋯、鐵素體、羥基磷灰石、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化銻之類的陶瓷系材料、石墨之類的碳系材料、或組合這些各材料的一種或兩種以上的復合材料等。另外，對基板2的表面實施Ni鍍敷之類的鍍敷處理、鉻酸鹽處理之類的堅固態(tài)化處理、或氮化處理等也可。另外，基板(基材)2的形狀只要是具有支撐接合膜3的面的形狀即可，不限定于板狀。S卩，基材的形狀例如可以為塊狀(block狀)或棒狀等。還有，如本實施方式一樣，基板2呈板狀的情況下，基板2的平均厚度不特別限定，但優(yōu)選0.0110mm左右，更優(yōu)選0.13mm左右。中間層7在本實施方式中，在基板2和接合膜3之間設置為與這些兩者接觸。該中間層7具有通過被賦予應力，可變化厚度的功能。通過將帶有接合膜的基材1形成為具備這樣的中間層7的結(jié)構(gòu)，即使在將帶有接合膜的基材l接合(粘接)于在表面具有彎曲或凹凸的對置基板4的情況下，在將帶有接合膜的基材1壓緊于對置基板4而貼合時，也向中間層7賦予應力，中間層7的厚度對應(追隨)于對置基板4的表面的彎曲或凹凸的形狀而變化。其結(jié)果，在中間層7上形成的接合膜3也對應于中間層7的形狀的變化，其形狀也變化，因此，在表面具有彎曲或凹凸的對置基板4上也能夠可靠地接合帶有接合膜的基材1，能夠提高接合膜3的與對置基板4的密接性。這樣的中間層7可以為彈性變形，或塑性變形的任一種，但優(yōu)選具有彈性變形。由此，即使在將帶有接合膜的基材1接合于對置基板4后，對置基板4及基板2反復變形而使用的情況下，中間層7也不會發(fā)生疲勞破壞而可對應于對置基板4及基板2的形狀而變形。在中間層7為彈性變形性的情況下，中間層7的貯存彈性模量優(yōu)選0.0110MPa，更優(yōu)選0.11MPa。由此，能夠可靠地抑制或防止在中間層7產(chǎn)生疲勞破壞的情況，因此，能夠使中間層7可靠地對應于對置基板4及基板2的形狀而變形。這樣的中間層7由致密體構(gòu)成也可，但優(yōu)選由多孔體構(gòu)成。由此，中間層7通過被賦予應力，其厚度能夠更可靠地變化。另外，作為所述中間層7的構(gòu)成材料，例如，可以舉出聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚酯、聚醚、聚氨酯之類的樹脂系材料、具有噻吩骨架、亞苯基骨架及吡咯骨架等的導電性高分子系材料、Cu、Al、Ti之類的金屬、或含有這些金屬的合金之類的金屬系材料、聚硅之類的硅系材料、及氧化鋁、氧化鋯、鐵素體之類的陶瓷系材料，這些中的一種或兩種以上可以組合使用。中間層7的平均厚度優(yōu)選510000nm，更優(yōu)選1001000nm。由此，中間層7能夠?qū)谠趯χ没?表面存在的彎曲或凹凸等的形狀而變形。另外，在將中間層7的平均厚度設為A[nm]，將后述的接合膜3的平均厚度設為B[nm]時，A/B優(yōu)選滿足0.1《A/B《1000的關(guān)系，更優(yōu)選滿足5《A/B《100的關(guān)系。通過將A/B的大小設定為所述范圍內(nèi)，在中間層7的厚度變化時，可以追隨其厚度的變化，使接合膜3的厚度可靠地變化。接合膜3在將帶有接合膜的基材1粘接于對置基板4時，承擔基板2和對置基板4的接合。在該接合膜3中，通過對應于其至少一部分的區(qū)域、即俯視的情況下的接合膜的整個面或一部分的區(qū)域的能量的賦予，在接合膜3的表面附近存在的脫離基303發(fā)生脫離(參照圖2)。還有，這樣的接合膜3通過脫離基303的脫離，在其表面的賦予了能量的區(qū)域顯示與對置基板(其他的被粘附體)4的粘接性。在本發(fā)明的帶有接合膜的基材1中，主要在該接合膜3的結(jié)構(gòu)上具有特征，具體來說，作為接合膜3，使用如下的I或II的結(jié)構(gòu)。以下，對I及II的結(jié)構(gòu)的接合膜3分別詳述。I:首先，I結(jié)構(gòu)的接合膜3設置于基板2上，包含金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和在這些金屬原子及氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基303(參照圖2)。換而言之，接合膜3可以說是向由金屬氧化物構(gòu)成的金屬氧化物膜導入了脫離基303。這樣的接合膜3在被賦予能量的情況下，脫離基303從接合膜3(金屬原子及氧原子的至少一方)脫離，如圖3所示，在接合膜3的至少表面35附近產(chǎn)生活性鍵304。還有，由此，在接合膜3表面顯示粘接性。若顯示所述粘接性，則具備接合膜3的帶有接合膜的基材1相對于對置基板4，能夠以高的尺寸精度牢固地，效率良好地接合。另外，接合膜3由金屬原子、和與該金屬原子結(jié)合的氧原子構(gòu)成，即在金屬氧化物結(jié)合了脫離基303，因此，接合膜3自身的尺寸精度高，在將帶有接合膜的基材1粘接于對置基板4而得到的后述的接合體5中，也得到高的尺寸精度。進而，接合膜3呈不具有流動性的固體狀。因此，與以往就開始使用的具有流動性的液態(tài)或粘液態(tài)(半固態(tài))的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)的厚度或形狀幾乎不變化。從而，使用帶有接合膜的基材1而得到的接合體5的尺寸精度與以往相比非常高。進而，不需要粘接劑的固化所需的時間，因此，能夠在短時間內(nèi)進行牢固的接合。另外，在本發(fā)明中，在將接合膜3形成為I的結(jié)構(gòu)的情況下，接合膜3優(yōu)選具有導電性。由此，在后述的接合體5中，中間層7也同樣具有導電性的情況下，可以將接合膜3作為電連接基板2和對置基板4的端子等來使用。進而，接合膜3優(yōu)選具有透光性。由此，在中間層7也同樣具有透光性的情況下，可以將本發(fā)明的接合體5適用于光學元件等中的需要透光性的區(qū)域。還有，脫離基303至少存在于接合膜3的表面35附近即可，在接合膜3的大致整體上存在也可，在接合膜3的表面35附近不均勻也可。還有，通過形成為脫離基303在表面35附近不均勻的結(jié)構(gòu)，能夠使接合膜3適當發(fā)揮作為金屬氧化物膜的功能。即，除了對接合膜3賦予作為接合膜的功能之外，得到能夠適當賦予作為導電性或透光性等特性優(yōu)越的金屬氧化物膜的功能的優(yōu)點。在以上的接合膜3中，為了能夠適當發(fā)揮作為接合膜3的功能，選擇金屬原子。具體來說，作為金屬原子，不特別限定，但例如，.可以舉出Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Ti及Pb等。其中，優(yōu)選組合In(銦)、Sn(錫)、Zn(鋅)、Ti(鈦)及Sb(銻)中的一種或兩種以上而使用。通過將接合膜3作為含有這些金屬原子，即向含有這些金屬原子的金屬氧化物中導入脫離基303，接合膜3發(fā)揮優(yōu)越的導電性和透明性。更具體來說，作為金屬氧化物，例如，可以舉出銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)及二氧化鈦(Ti02)等。還有，在作為金屬氧化物使用銦錫氧化物(ITO)的情況下，銦和錫的原子比(銦/錫比)優(yōu)選99/180/20，更優(yōu)選97/385/15。由此，能夠更顯著地發(fā)揮如上所述的效果。另外，接合膜3中的金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選3:77:3左右，更優(yōu)選4:66:4左右。通過將金屬原子和氧原子的存在比設為所述范圍內(nèi)，接合膜3的穩(wěn)定性變高，能夠更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。另外，脫離基303如上所述，通過金屬原子及氧原子的至少一方脫離，使接合膜3產(chǎn)生活性鍵。從而，脫離基303選擇通過被賦予能量，比較簡單地且均一地脫離，但在不被賦予能量時不脫離的方式而可靠地與接合膜3結(jié)合的脫離基。從所述觀點來說，脫離基303適當使用氫原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子、或這些各原子構(gòu)成的原子團中的至少一種。所述脫離基303的通過能量的賦予引起的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)越。因此，這樣的脫離基303能夠充分滿足如上所述的必要性，能夠進一步提高帶有接合膜的基材1的粘接性。還有，作為由上述各原子構(gòu)成的原子團(基團)，例如，可以舉出甲基、乙基之類的垸基、甲氧基、乙氧基之類的烷基、羧基、氨基及磺酸基等。在以上的各原子及原子團中，在I的結(jié)構(gòu)的接合膜3中，脫離基303尤其優(yōu)選氫原子。由氫原子構(gòu)成的脫離基303的化學穩(wěn)定性高，因此，作為脫離基303具備氫原子的接合膜3的耐氣候性及耐藥品性優(yōu)越。若考慮以上情況，則作為接合膜3，適當選擇在銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)或二氧化鈦(Ti02)的金屬氧化物中導入作為脫離基303的氫原子的接合膜。所述結(jié)構(gòu)的接合膜3其自身具有優(yōu)越的機械特性。另外，對大量的材料尤其顯示優(yōu)越的粘接性。從而，這樣的接合膜3相對于基板2尤其牢固地粘接，并且，相對于對置基板4也顯示尤其強的粘接力，其結(jié)果，能夠牢固地接合基板2和對置基板4。另外，接合膜3的平均厚度優(yōu)選11000nm左右，更優(yōu)選2800nm左右。通過將接合膜3的平均厚度設為所述范圍內(nèi)，能夠防止接合帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合體5的尺寸精度顯著降低的情況，同時，能夠?qū)⑦@些更牢固地接合。艮P，在接合膜3的平均厚度小于所述下限值的情況下，有可能得不到充分的接合強度。另一方面，在接合膜3的平均厚度大于所述上限值的情況下，有可能接合體5的尺寸精度顯著降低。進而，若接合膜3的平均厚度為所述范圍內(nèi)，則確保接合膜3的某種程度的形狀追隨性。因此，例如，在基板2的接合面(與接合膜3鄰接的面)存在有凹凸的情況下，也取決于其凹凸的高度，但能夠以追隨凹凸的形狀的方式粘附接合膜3。其結(jié)果，接合膜3吸收凹凸，能夠緩和在其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。還有，在貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4時，能夠提高接合膜3的相對于對置基板4的密接性。即，通過控制接合膜3的厚度，對接合膜3也能夠賦予與上述中間層7相同的功能。還有，如上所述的形狀追隨性的程度是接合膜3的厚度越厚而越顯著。從而，為了充分地確保形狀追隨性，盡量增加接合膜3的厚度。如上所述的接合膜3在接合膜3的大致整體上存在有脫離基303的情況下，例如，I一A:可以在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下，利用物理氣相成膜法，將含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物材料成膜，由此來形成。另外，在接合膜3的表面35附近不均勻的情況下，例如，I一B:可以在將含有金屬原子和所述氧原子的金屬氧化物膜成膜后，在該金屬氧化物膜的表面附近含有的金屬原子及氧原子的至少一方導入脫離基303，由此來形成。以下，對在基板2上形成中間層7后，使用I一A及I一B的方法，將接合膜3成膜的情況進行詳述。I一A:在I一A的方法中，接合膜3如上所述，在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下，利用物理氣相成膜法(PVD法)，將含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物材料成膜來形成。若形成為這樣使用PVD法的構(gòu)成，則在使金屬氧化物材料朝向基板2噴射時，能夠向金屬原子及氧原子的至少一方比較容易地導入脫離基303，因此，能夠在接合膜3的大致整體上導入脫離基303。進而，根據(jù)PVD法可知，能夠效率良好地成膜致密且均勻的接合膜3。由此，由PVD法成膜的接合膜3能夠相對于對置基板4尤其牢固地接合。進而，由PVD法成膜的接合膜3在較長時間內(nèi)維持被賦予能量而活性化的狀態(tài)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體5的制造過程的簡單化、效率化。另外，作為PVD法，可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍方法、激光磨損法等，但其中，優(yōu)選使用濺射法。根據(jù)濺射法可知，能夠在金屬原子和氧原子的結(jié)合不被切斷而在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛中敲出金屬氧化物的粒子。還有，在敲打出金屬氧化物的粒子的狀態(tài)下，能夠與構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體接觸，因此，能夠更順暢地向金屬氧化物(金屬原子或氧原子)導入脫離基303。以下，作為利用PVD法將接合膜3成膜的方法，以利用濺射法(離子束濺射法)，將接合膜3成膜的情況為代表進行說明。首先，在說明接合膜3的成膜方法之前，對在基板2設置的中間層7上利用離子束濺射法，將接合膜3成膜時使用的成膜裝置200進行說明。圖4所示的成膜裝置200構(gòu)成為，利用離子束濺射法的接合膜3的形成能夠在腔室(裝置)內(nèi)進行。具體來說，成膜裝置200具有腔室(真空腔室)211;設置于該腔室211內(nèi)，且保持基板2(成膜對象物)的基板支撐架(成膜對象物保持部)212;設置于腔室211內(nèi)，且朝向腔室211內(nèi)照射離子束B的離子源(離子供給部)215;將通過離子束B的照射，產(chǎn)生含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物(例如，ITO)的靶體(金屬氧化物材料)216保持的耙體支撐架(耙體保持部)217。另外，腔室211具有向腔室211內(nèi)供給含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體(例如，氫氣)的氣體供給機構(gòu)260;進行腔室211的排氣，控制壓力的排氣機構(gòu)230。還有，在本實施方式中，基板支撐架212安裝于腔室211的頂板部。該基板支撐架212能夠轉(zhuǎn)動。由此，能夠以均勻且均一的厚度，在基板2上將接合膜3成膜。離子源(離子槍)215如圖5所示，具有形成有幵口(照射口)250的離子產(chǎn)生室256;設置于離子產(chǎn)生室256的燈絲257;格柵253、254;設置于離子產(chǎn)生室256的外側(cè)的磁鐵255。另外,如圖4所示，在離子產(chǎn)生室256連接有向其內(nèi)部供給氣體(濺射用氣體)的氣體供給源219。在該離子源215中，若從氣體供給源219向離子產(chǎn)生室256內(nèi)供給了氣體的狀態(tài)下，將燈絲257通電加熱，則從燈絲257放出電子，放出的電子通過磁鐵255的磁場而運動，與供給于離子產(chǎn)生室256內(nèi)的氣體分子沖撞。由此，氣體分子被離子化。該氣體的離子I+通過格柵253和格柵254之間的電壓梯度，從離子產(chǎn)生室256內(nèi)被引出，并且被加速，經(jīng)由開口250作為離子束B，從離子源215放出(照射)。從離子源215照射的離子束B與靶體216的表面沖撞，從靶體216敲打出粒子(濺射粒子)。該靶體216由如上所述的金屬氧化物材料構(gòu)成。在該成膜裝置200中，離子源215以其開口250位于腔室211內(nèi)的方式而固定(設置)于腔室211的側(cè)壁。還有，離子源215也可以配置于從腔室211間隔的位置，形成為經(jīng)由連接部與腔室211連接的結(jié)構(gòu)，但通過形成為本實施方式的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)成膜裝置200的小型化。另外，離子源215設置為，其開口250為與基板支撐架212不相同的方向，在本實施方式中朝向腔室211的底部側(cè)。還有，離子源215的設置個數(shù)不限定于一個，也可以為多個，設置為多個離子源215，由此能夠進一步提高接合膜3的成膜速度。另外，在靶體支撐架217及基板支撐架212的附近分別配設能夠覆蓋這些的第一開閉器220及第二開閉器221。這些遮蔽器220、221分別用于防止靶體216、基板2、中間層7及接合膜3暴露于無用的氣氛等中的情況。另外，排氣機構(gòu)230包括泵232;連通泵232和腔室211的排氣線路231;在排氣線路231的中途設置的閥233，能夠?qū)⑶皇?11內(nèi)減壓為期望的壓力。進而，氣體供給機構(gòu)260包括貯存含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體(例如，氫氣)的氣體容器264;從氣體容器264向腔室211引導該氣體的氣體供給線路261;在氣體供給線路261的中途設置的泵262及閥263，能夠?qū)⒑袠?gòu)成脫離基303的原子成分向腔室211內(nèi)供給。使用如上所述的結(jié)構(gòu)的成膜裝置200，在如下所述地設置于基板2的中間層7上形成接合膜3。首先，準備設置有中間層7的基板2，將該基板2向成膜裝置200的腔室211內(nèi)送入，以使中間層7成為下側(cè)的方式，將其裝配(設置)于基板支撐架212。其次，運行排氣機構(gòu)230，即運行了泵232的狀態(tài)下，打開閥233，由此將腔室211內(nèi)形成為減壓狀態(tài)。該減壓的程度(真空度)不特別限定，但優(yōu)選1X10—71X10—"Torr左右，更優(yōu)選1X10—61X10—5Torr左右。進而，運行氣體供給機構(gòu)260，即在運行了泵262的狀態(tài)下打開閥263，由此向腔室211內(nèi)供給含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體。由此，能夠?qū)⑶皇覂?nèi)形成為含有所述氣體的氣氛下(氫氣氣氛下)。含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的流量優(yōu)選1100ccm左右，更優(yōu)選1060ccm左右。由此，能夠向金屬原子及氧原子的至少一方可靠地導入脫離基303。另外，腔室211內(nèi)的溫度為25。C以上即可，但優(yōu)選25100。C左右。通過設定為所述范圍內(nèi)，效率良好地進行金屬原子或氧原子、和含有所述原子成分的氣體的反應，能夠向金屬原子及氧原子可靠地導入含有所述原子成分的氣體。其次，打開第二開閉器221，進而將第一開閉器220設為打開的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，向離子源215的離子產(chǎn)生室256內(nèi)導入氣體，并且，向燈絲257導電而加熱。由此，從燈絲257放出電子，該放出的電子與氣體分子沖撞，由此氣體分子被離子化。該氣體的離子I+被格柵253和格柵254加速，從離子源215放出，與由陰極材料構(gòu)成的耙體216沖撞。由此，從耙體216敲打出金屬氧化物(例如，ITO)的粒子。此時，腔室211內(nèi)為含有將構(gòu)成脫離基303的原子成分含有的氣體的氣氛下(例如，氫氣氣氛下)，因此，向在腔室211內(nèi)敲打出的粒子中所含有的金屬原子及氧原子導入脫離基303。還有，通過在中間層7上粘附導入有該脫離基303的金屬氧化物而形成接合膜3。還有，在本實施方式中說明的離子束濺射法中，在離子源215的離子產(chǎn)生室256內(nèi)進行放電，產(chǎn)生電子e—，但該電子e一被格柵253遮蔽，防止向腔室211內(nèi)放出。進而，離子束B的照射方向(離子源215的開口250)朝向靶體216(與腔室211的底部側(cè)不相同的方向)，因此，更可靠地防止在離子產(chǎn)生室256內(nèi)產(chǎn)生的紫外線照射于成膜的接合膜3的情況，能夠可靠地防止在接合膜3的成膜中導入的脫離基303脫離的情況。如上所述，能夠?qū)⒃诤穸确较虻拇笾抡w上脫離基303存在的接合膜3成膜。I一B:另外，在I一B方法中，接合膜3通過將含有金屬原子和氧原子的金屬氧化物膜成膜后，向在該金屬氧化物膜的表面附近含有的金屬原子及氧原子的至少一方導入脫離基303而形成。根據(jù)所述方法可知，是比較簡單的工序，能夠在金屬氧化物膜的表面附近將脫離基303以不均勻的狀態(tài)導入，能夠形成作為接合膜及金屬氧化物膜的兩者的特性優(yōu)越的接合膜3。在此，金屬氧化物膜通過任意方法來成膜也可，例如，可以通過PVD法(物理氣相成膜法)、CVD法(化學氣相成膜法)、等離子體聚合法之類的各種氣相成膜法、或各種液相成膜法等來成膜，但其中，尤其優(yōu)選利用PVD法來成膜。根據(jù)PVD法可知，能夠效率良好地成膜致密且均勻的金屬氧化物膜。另外，作為PVD法，可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍方法、及激光磨損法等，但其中，優(yōu)選使用濺射法。根據(jù)濺射法可知，金屬原子和氧原子的結(jié)合不被切斷而能夠向氣氛中敲打出金屬氧化物的粒子，將其向在基板2上設置的中間層7上供給，因此，能夠?qū)⑻匦詢?yōu)越的金屬氧化物膜成膜。進而，作為在金屬氧化物膜的表面附近導入脫離基303的方法，使用各種方法，例如，可以舉出I一B1:在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下熱處理(退火)金屬氧化物膜的方法、I一B2:離子鍍方法等，但其中，尤其優(yōu)先使用I一B1的方法。根據(jù)I一B1的方法可知，能夠比較容易地將脫離基303在金屬氧化物膜的表面附近有選擇地導入。另外，通過適當設定在實施熱處理時的氣氛溫度或處理時間等處理條件，能夠可靠地進行導入的脫離基303的量、進而導入脫離基303的金屬氧化物膜的厚度的控制。以下，以利用濺射法(離子束濺射法)將金屬氧化物膜成膜，其次，將得到的金屬氧化物膜在含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣氛下熱處理，由此得到接合膜3的情況為代表進行說明。還有，在使用I一B的方法來成膜接合膜3的情況下，也使用與在采用I一A的方法成膜接合膜3時使用的成膜裝置200相同的成膜裝置，因此，省略關(guān)于成膜裝置的說明。首先，準備設置有中間層7的基板2。還有，將該基板2送入成膜裝置200的腔室211內(nèi)，以使中間層7成為下側(cè)的方式，裝配(設置)于基板支撐架212。其次，運行排氣機構(gòu)230，即運行了泵232的狀態(tài)下打開閥233,由此將腔室211內(nèi)形成為減壓狀態(tài)。該減壓的程度(真空度)不特別限定，但優(yōu)選1X10—lXl(T^Torr左右，更優(yōu)選1X10—61X10—5Torr左右。另外，此時，運行加熱機構(gòu)，加熱腔室211內(nèi)。腔室211內(nèi)的溫度為25。C以上即可，但優(yōu)選2510(TC左右。通過設定在所述范圍內(nèi)，能夠?qū)⒛っ芏雀叩慕饘傺趸锬こ赡?。其次，打開第二開閉器221，進而將第一開閉器220設為打開的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，向離子源215的離子產(chǎn)生室256內(nèi)導入氣體，并且，向燈絲257通電而加熱。由此，從燈絲257放出電子，該放出的電子與氣體分子沖撞，由此氣體分子被離子化。該氣體的離子I+被格柵253和格柵254加速，從離子源215放出，與由陰極材料構(gòu)成的靶體216沖撞。由此，從耙體216敲打出金屬氧化物(例如，ITO)的粒子，粘附在基板2上設置的中間層7上，形成含有金屬原子和與該金屬原子結(jié)合的氧原子的金屬氧化物膜。還有，在本實施方式中說明的離子束濺射法中，在離子源215的離子產(chǎn)生室256內(nèi)進行放電，產(chǎn)生電子e—，但該電子e'被格柵253遮蔽，防止向腔室211內(nèi)放出。進而，離子束B的照射方向(離子源215的開口250)朝向靶體216(與腔室211的底部側(cè)不相同的方向)，因此，更可靠地防止在離子產(chǎn)生室256內(nèi)產(chǎn)生的紫外線照射于成膜的接合膜3的情況，能夠可靠地防止在接合膜3的成膜中導入的脫離基303發(fā)生脫離的情況。其次，在打開了第二開閉器221的狀態(tài)下，關(guān)閉第一開閉器220。在該狀態(tài)下，運行加熱機構(gòu)，進而加熱腔室211內(nèi)。腔室211內(nèi)的溫度設定為脫離基303效率良好地導入金屬氧化物膜的表面的溫度，優(yōu)選10060(TC左右，更優(yōu)選15030(TC左右。通過設定在所述范圍內(nèi)，在接下來工序中，不使基板2及金屬氧化物膜變質(zhì)/劣化，能夠?qū)⒚撾x基303效率良好地導入金屬氧化物膜的表面。其次，運行氣體供給機構(gòu)260，即在運行了泵262的狀態(tài)下打開閥263，由此，向腔室211內(nèi)供給含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體。由此，能夠?qū)⑶皇?11內(nèi)形成為含有所述氣體的氣氛下(氫氣氣氛下)。這樣，在前工序中將腔室211內(nèi)加熱的狀態(tài)下，若將腔室211內(nèi)形成為含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的氣氛下(例如，氫氣氣氛下)，則向在金屬氧化物膜的表面附近存在的金屬原子及氧原子的至少一方導入脫離基303，形成接合膜3。含有構(gòu)成脫離基303的原子成分的氣體的流量優(yōu)選1100ccm左右，更優(yōu)選1060ccm左右。由此，能夠向金屬原子及氧原子的至少一方可靠地導入脫離基303。還有，腔室211內(nèi)在所述工序中，優(yōu)選維持通過運行排氣機構(gòu)230來調(diào)節(jié)的減壓狀態(tài)。由此，能夠更順暢地進行對金屬氧化物膜的表面的脫離基303的導入。另外，通過在維持所述工序的減壓狀態(tài)的情況下，直接形成為在本工序中將腔室211內(nèi)減壓的結(jié)構(gòu)，省略再次減壓的勞力和時間，因此，還得到能夠?qū)崿F(xiàn)成膜時間及成膜成本等的優(yōu)點。該減壓的程度(真空度)不特別限定，但優(yōu)選1X1(T71X10—4Torr左右，更優(yōu)選1X10—g1X10一SToit左右。另外，實施熱處理的時間優(yōu)選15120分鐘左右，更優(yōu)選3060分鐘左右。根據(jù)導入的脫離基303的種類等而不同，但通過將實施熱處理時的條件(腔室211內(nèi)的溫度、真空度、氣體流量、處理時間)設定為上述范圍內(nèi)，能夠有選擇地向金屬氧化物膜的表面附近導入脫離基303。如上所述，能夠?qū)⒃诒砻?5附近脫離基303不均勻的接合膜3成膜。II:其次，1I的結(jié)構(gòu)的接合膜3設置于在基板2設置的中間層7上，含有金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基303(參照圖6)。這樣的接合膜3在被賦予能量的情況下，脫離基303從接合膜3的至少表面35附近脫離，如圖7所示，在接合膜3的至少表面35附近產(chǎn)生活性鍵304。還有，由此，在接合膜3的表面顯示粘接性。若顯示所述粘接性，則具備接合膜3的帶有接合膜的基材1相對于對置基板4，能夠以高的尺寸精度且牢固地，效率良好地接合。另外，接合膜3是含有金屬原子、和由有機成分構(gòu)成的脫離基303的膜即有機金屬膜，因此，形成為比較難以變形的牢固的膜。因此，接合膜3自身的尺寸精度高，在將帶有接合膜的基材1粘接于對置基板4而得到的后述的接合體5中得到高的尺寸精度。這樣的接合膜3呈不具有流動性的固體狀。因此，與以往就開始使用的具有流動性的液態(tài)或粘液態(tài)(半固態(tài))的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)的厚度或形狀幾乎不變化。從而，使用帶有接合膜的基材1而得到的接合體5的尺寸精度與以往相比非常高。進而，不需要粘接劑的固化所需的時間，因此，能夠在短時間內(nèi)進行牢固的接合。另外，在本發(fā)明中，在將接合膜3形成為II的結(jié)構(gòu)的情況下，接合膜3優(yōu)選具有導電性。由此，在后述的接合體中，中間層7也同樣具有導電性的情況下，可以將接合膜3作為電連接基板2和對置基板4的端子等來使用。在以上的接合膜3中，為了能夠適當發(fā)揮作為接合膜3的功能，選擇金屬原子及脫離基303。具體來說，作為金屬原子，不特別限定，但例如，可以舉出Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各種鑭系元素、各種錒系元素之類的過渡金屬元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Tl、Pd、Bi、Po之類的典型金屬元素等。在此，就過渡金屬元素來說，在各過渡金屬元素之間，最外層電子的數(shù)量不同僅這一點不同，因此，物性類似。還有，通常，過渡金屬的硬度或熔點高，導電性及熱傳導性高。因此，在作為金屬原子使用了過渡金屬元素的情況下，能夠進一步提高在接合膜3顯示的粘接性。另外，與此同時，能夠進一步提高接合膜3的導電性。另外，作為金屬原子，在組合Cu、Al、Zn及Fe中的一種或兩種以上而使用的情況下，接合膜3發(fā)揮優(yōu)越的導電性。另外，在使用后述的有機金屬化學氣相生長法將接合膜3成膜的情況下，將含有這些金屬的金屬絡合物等作為原材料使用，能夠比較容易成膜均一的接合膜3。另外，脫離基303如上所述，通過從接合膜3脫離，使接合膜3產(chǎn)生活性鍵。從而，脫離基303適當選擇通過被賦予能量，比較簡單且均一地脫離，但在不被賦予能量時，以不脫離的方式可靠地結(jié)合于接合膜3的脫離基303。具體來說，在II的結(jié)構(gòu)的接合膜3中，作為脫離基303，適當選擇以碳原子作為必須成分，且含有氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子中的至少一種的原子團。所述脫離基303的通過能量的賦予的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)越。因此，這樣的脫離基303能夠充分滿足如上所述的必要性，能夠進一步提高帶有接合膜的基材1的粘接性。更具體來說，作為原子團(基團)，例如，除了甲基、乙基之類的烷基、甲氧基、乙氧基之類的烷氧基、羧基之外，可以舉出所述烷基的末端由異氰酸酯基、氨基及磺酸基等結(jié)束的原子團等。在以上的原子團中，脫離基303尤其優(yōu)選烷基。由烷基構(gòu)成的脫離基303的化學穩(wěn)定性高，因此，作為脫離基303具備烷基的接合膜3的耐氣候性及耐藥品性優(yōu)越。另外，在所述結(jié)構(gòu)的接合膜3中，金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選3:77:3左右，更優(yōu)選4:66:4左右。通過將金屬原子和碳原子的存在比設為所述范圍內(nèi)，接合膜3的穩(wěn)定性變高，能夠更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。另外，能夠使接合膜3發(fā)揮優(yōu)越的導電性。另外，接合膜3的平均厚度優(yōu)選11000nm左右，更優(yōu)選2800nm左右。通過將接合膜3的平均厚度設為所述范圍內(nèi)，能夠防止接合了帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合體5的尺寸精度顯著降低，同時，能夠更牢固地接合這些。艮P，在接合膜3的平均厚度小于所述下限值的情況下，有可能得不到充分的接合強度。另一方面，在接合膜3的平均厚度大于所述上限值的情況下，有可能接合體5的尺寸精度顯著降低。進而，若接合膜3的平均厚度為所述范圍內(nèi)，則確保接合膜3的某種程度的形狀追隨性。因此，例如，即使在基板2的接合面(與接合膜3鄰接的面)存在有凹凸的情況下，也取決于其凹凸的高度，但能夠以追隨凹凸的形狀的方式粘附接合膜3。其結(jié)果，接合膜3吸收凹凸，能夠緩和在其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。還有，在貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4時，能夠提高接合膜3的相對于對置基板4的粘附性。即，通過控制接合膜3的厚度，對接合膜3也能夠賦予與上述中間層7相同的功能。還有，如上所述的形狀追隨性的程度是接合膜3的厚度越厚而越顯著。從而，為了充分地確保形狀追隨性，盡量增加接合膜3的厚度。如上所述的接合膜3可以由任意方法來成膜，但例如，可以舉出n—A:在由金屬原子構(gòu)成的金屬膜上，向金屬膜的大致整體賦予含有脫離基(有機成分)303，形成接合膜3的方法、II一B:在由金屬原子構(gòu)成的金屬膜上，將含有脫離基(有機成分)303的有機物向金屬膜的表面附近有選擇地賦予(化學修飾)，形成接合膜3的方法、II一C:將具有金屬原子、和含有脫離基(有機成分)303的有機物的有機金屬材料作為原材料，使用有機金屬化學氣相生長法，形成接合膜3的方法等。其中，優(yōu)選利用n一C方法來將接合膜3成膜的方法。根據(jù)所述方法可知，該方法是比較簡單的工序，且能夠形成均一的接合膜3。以下，以n—c的方法、即將具有金屬原子、和含有脫離基(有機成分)303的有機物的原材料作為原材料，使用有機金屬化學氣相生長法，形成接合膜3的方法，得到接合膜3的情況為代表進行說明。首先，在說明接合膜3的成膜方法之前，對將接合膜3成膜時使用的成膜裝置500進行說明。圖8所示的成膜裝置500構(gòu)成為，在腔室511內(nèi)進行利用有機金屬化學氣相生長法(以下，有時還省略為"MOCVD法")的接合膜3的形成。具體來說，成膜裝置500具有腔室(真空腔室)511;設置于該腔室511內(nèi)，且保持形成有中間層7的基板2(成膜對象物)的基板支撐架(成膜對象物保持部)512;向腔室511內(nèi)供給氣化或霧化的有機金屬材料的有機金屬供給機構(gòu)560;供給用于將腔室511內(nèi)設為低還原性氣氛下的氣體的氣體供給機構(gòu)570;進行腔室511內(nèi)的排氣而控制壓力的排氣機構(gòu)230;加熱基板支撐架512的加熱機構(gòu)(未圖示)?；逯渭?12在本實施方式中，安裝于腔室511的底部。該基板支撐架512通過馬達的運行來能夠轉(zhuǎn)動。由此，能夠以均勻且均一的厚度，在基板2上成膜。另外，在基板支撐架512的附近分別配設有能夠覆蓋這些的幵閉器521。該開閉器521用于防止基板2、中間層7及接合膜3暴露于不需要的氣氛等中。有機金屬供給機構(gòu)560連接于腔室511。該有機金屬供給機構(gòu)560具有貯存固態(tài)有機金屬材料的貯存槽562;貯存將氣化或霧化的有機金屬材料向腔室511內(nèi)輸送的載體氣體的氣體容器565;將載體氣體和氣化或霧化的有機金屬材料向腔室511內(nèi)引導的氣體供給線路561;在氣體供給線路561的中途設置的泵564及閥563。在所述結(jié)構(gòu)的有機金屬供給機構(gòu)560中，貯存槽562具有加熱機構(gòu)，通過該加熱機構(gòu)的運行，能夠加熱固態(tài)的有機金屬材料，并使其氣化。因此，在將閥563打開的狀態(tài)下，運行泵564，將載體氣體從氣體容器565向貯存槽562供給的情況下，氣化或霧化的有機金屬材料與該載體氣體一同通過供給線路561內(nèi)，供給于腔室511內(nèi)。還有，作為載體氣體，不特別限定，例如，適當使用氮氣、氬氣及氦氣等。另外，在本實施方式中，氣體供給機構(gòu)570與腔室511連接。氣體供給機構(gòu)570包括貯存用于將腔室511內(nèi)設為低還原性氣氛下的氣體容器575;將所述用于設為低還原性氣氛下的氣體向腔室511內(nèi)引導的氣體供給線路571;在氣體供給線路571的中途設置的泵574及閥573。在所述結(jié)構(gòu)的氣體供給機構(gòu)570中，在將閥573打開的狀態(tài)下，若運行泵574，則所述用于設為低還原性氣氛下的氣體從氣體容器575經(jīng)由供給線路571,供給于腔室511內(nèi)。通過將氣體供給機構(gòu)570設為所述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑶皇?11內(nèi)可靠地設為相對于有機金屬材料低還原的氣氛。其結(jié)果，在將有機金屬材料作為原材料，使用MOCVD法，將接合膜3成膜時，以將含于有機金屬材料的有機成分的至少一部分作為脫離基303殘留的狀態(tài)下而成膜接合膜3。作為將腔室511內(nèi)設為低還原性氣氛下的氣體，不特別限定，但例如可以舉出氮氣及氦氣、氬氣、氖氣之類的稀有氣體等，其中的一種或兩種以上可以組合使用。還有，作為有機金屬材料，如后述的2，4一戊二酮(^y夕^才氺一卜)一銅(II)或[Cu(hfac)(VTMS)]等之類，使用在分子結(jié)構(gòu)中含有氧原子的有機金屬材料的情況下，優(yōu)選向用于設為低還原性氣氛下的氣體中添加氫氣。由此，能夠提高對氧原子的還原性，能夠在接合膜3不殘留過度的氧原子的情況下將接合膜3成膜。其結(jié)果，該接合膜3的膜中的金屬氧化物的存在率低，從而發(fā)揮優(yōu)越的導電性。另外，在作為載體氣體使用氮氣、氬氣及氦氣中的至少一種的情況下,還能夠使該載體氣體發(fā)揮作為用于設為低還原性氣氛下的氣體的功能。另外，排氣機構(gòu)530包括泵532;連通泵532和腔室511的排氣線路531;在排氣線路531的中途設置的閥533，能夠?qū)⑶皇?11內(nèi)減壓為期望的壓力。通過使用如上所述的結(jié)構(gòu)的成膜裝置500，利用MOCVD法，如下所述地在基板2上形成接合膜3。首先，準備設置有中間層7的基板2。還有，將該基板2向成膜裝置500的腔室511內(nèi)送入，以使中間層7成為上側(cè)的方式，將其裝配(設置)于基板支撐架512。其次，運行排氣機構(gòu)530，即運行了泵532的狀態(tài)下，打開閥533，由此將腔室511內(nèi)形成為減壓狀態(tài)。該減壓的程度(真空度)不特別限定，但優(yōu)選1X10—71X10—4化訂左右，更優(yōu)選1X10—g1X10—SToit左右。另外，通過運行氣體供給機構(gòu)570，即在運行泵574的狀態(tài)下打開閥573，向腔室511內(nèi)供給用于設為低還原性氣氛下的氣體，將腔室511內(nèi)設為低還原性氣氛下?；跉怏w供給機構(gòu)570的所述氣體的流量不特別限定，但優(yōu)選0.110sccm左右，更優(yōu)選0.55sccm左右。進而，此時，運行加熱機構(gòu)，加熱基板支撐架512?；逯渭?12的溫度根據(jù)形成的接合膜3的種類、即形成接合膜3時使用的原材料的種類而不同，但優(yōu)選80300。C左右，更優(yōu)選100275。C左右。通過設定在所述范圍內(nèi)，能夠使用后述的有機金屬材料，將具有優(yōu)越的粘接性的接合膜3成膜。其次，將開閉器521設為打開的狀態(tài)。還有，通過運行貯存有固態(tài)有機金屬材料的貯存槽562具備的加熱機構(gòu)，在使有機金屬材料氣化的狀態(tài)下，運行泵564，并且，打開閥563，由此將氣化或霧化的有機金屬材料與載體氣體一同向腔室內(nèi)導入。這樣，在所述工序中加熱基板支撐架512的狀態(tài)下，若向腔室511內(nèi)供給氣化或霧化的有機金屬材料，則在中間層7上加熱有機金屬材料，由此能夠在含于有機金屬材料的有機物的一部分殘留的狀態(tài)下，在基板2上形成接合膜3。艮P，根據(jù)MOCVD法可知，能夠以使含于有機金屬材料的有機物的一部分殘留的方式形成含有金屬原子的膜，能夠在中間層7上形成該有機物的一部分發(fā)揮作為脫離基303的功能的接合膜3。作為使用于這樣的MOCVD法的有機金屬材料不特別限定，但例如，可以舉出2，4一戊二酮一銅(11)、三(8—喹啉酯)鋁(Alq3)、三(4一甲基一8喹啉酯)鋁(III)(Almq3)、(8—羥基喹啉)鋅(Znq2)、銅酞花青、Cu(六氟乙?；?(乙烯基三甲基硅垸)[Cu(hfac)(VTMS)]、Cu(六氟乙?；?(2—甲基一l一己烯一3_烯)[Cu(hfac)(MHY)]、Cu(全氟乙?；?(乙烯基三甲基硅垸)[Cu(pfac)(VTMS)]、Cu(全氟乙?；?(2—甲基一1—己烯一3—烯)[Cu(pfac)(MHY)]之類的金屬絡合物、三甲基鎵、三甲基鋁、二乙基鋅之類的垸基金屬、或其衍生物等。其中，作為有機金屬材料，優(yōu)選金屬絡合物。通過使用金屬絡合物，能夠在含于金屬絡合物中的有機物的一部分殘留的狀態(tài)下，可靠地形成接合膜3。另外，在本實施方式中，通過運行氣體供給機構(gòu)570，腔室511內(nèi)設為低還原性氣氛下，但通過設為這樣的氣氛下，不會在中間層7上形成純粹的金屬膜，能夠在含于有機金屬材料中的有機物的一部分殘留的狀態(tài)下成膜。即，能夠形成作為接合膜及金屬膜的兩者的特性優(yōu)越的接合膜3。氣化或霧化的有機金屬材料的流量優(yōu)選0.1100ccm左右，更優(yōu)選0.560ccm左右。由此，能夠以均一的膜厚，且在有機金屬材料中含有的有機物的一部分殘留的狀態(tài)，將接合膜3成膜。如上所述，通過形成為將在成膜接合膜3時殘留于膜中的殘留物作為脫離基303使用的結(jié)構(gòu)，不需要在形成的金屬膜等中導入脫離基，能夠以比較簡單的工序成膜接合膜3。還有，使用有機金屬材料形成的接合膜3中殘留的所述有機物的一部分其全部作為脫離基303發(fā)揮功能也可，其一部分作為脫離基303發(fā)揮功能也可。如上所述，能夠在基板2上設置的中間層7上成膜接合膜3。還有，優(yōu)選在設置于基板2的中間層7的至少應形成接合膜3的區(qū)域，利用上述方法形成接合膜3之前，根據(jù)中間層7的構(gòu)成材料，預先實施提高中間層7和接合膜3的粘附性的表面處理。作為所述表面處理，例如，可以舉出濺射處理、等離子體處理之類的物理表面處理、使用了氧等離子體、氮等離子體的等離子體處理、電暈放電處理、蝕刻處理、電子射線照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理之類的化學表面處理、或組合這些的處理等。通過實施這樣的處理，能夠清潔化中間層7的應形成接合膜3的區(qū)域，并且，能夠活性化該區(qū)域。由此，能夠提高接合膜3和中間層7的接合強度。另外，通過在這些各表面處理中也使用等離子體處理，能夠為了形成接合膜3，將中間層7的表面尤其最佳化。還有，實施表面處理的中間層7的表面由樹脂材料(高分子材料)構(gòu)成的情況下，尤其適當使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。另外，根據(jù)中間層7的構(gòu)成材料的不同，不實施如上所述的表面處理，接合膜3的接合強度也變得充分高。作為得到這樣的效果的中間層7的構(gòu)成材料，例如，可以舉出以如上所述的各種樹脂系材料、各種導電性高分子系材料、各種陶瓷系材料等為主材料的構(gòu)成材料。由這樣的材料構(gòu)成的中間層7其表面由氧化膜覆蓋，在該氧化膜的表面結(jié)合有活性比較高的羥基。從而，若使用由這樣的材料構(gòu)成的中間層7，則即使不實施如上所述的表面處理，也能夠牢固地接合帶有接合膜的基材1(接合膜3)和對置基板4。另外，設置有中間層7的基板2例如通過在基板2上成膜中間層7而得到。該中間層7根據(jù)其構(gòu)成材料而不同，但可以使用各種方法來成膜。例如，可以使用浸漬法、旋涂法、簾前涂法、輥涂凹版涂敷法、濺涂法、流涂法、靜電涂法、電鍍涂法等涂敷法或電解鍍敷、浸漬鍍敷、無電解鍍敷等濕式鍍敷法(濕式工序)、以及蒸鍍、濺射法、CVD、PVD、離子鍍方法等氣相成膜法、火焰噴涂法等來成膜。如上所述，能夠制造在基板2的一面從基板2側(cè)依次層疊有中間層7和接合膜3的帶有接合膜的基材1。還有，帶有接合膜的基材1除了其形狀為如上所述的板狀(片狀)的情況之外，也可以像梳齒形狀一樣形成有圖案(參照圖9)。圖9所示的呈梳齒形狀的帶有接合膜的基材1除了可以通過預先準備呈梳齒形狀的基板2后，在該基板2上依次形成中間層7及接合膜3而得到之外，也可以使用各種蝕刻法，對上述板狀帶有接合膜的基材形成圖案而得到。進而，形成的圖案的形狀不限于梳齒形狀，可以為L字形狀、U字形狀、框狀及彎曲形狀等任意的形狀。另外，在帶有接合膜的基材l中，中間層7可以插入基板2和接合膜3之間，在基板2和中間層7之間及/或接合膜3和中間層7之間的至少一方設置有其他層也可。但是，如本實施方式，中間層7直接接合于接合膜3的情況下，通過被賦予應力而引起的中間層7的厚度的變化直接作用于接合膜3，因此，能夠根據(jù)中間層7的形狀的變化，可靠地變形接合膜3。其結(jié)果，進一步提高接合膜3的相對于對置基板4的粘附性。其次，對本實施方式的帶有接合膜的基材的接合方法進行說明。本實施方式的接合方法包括準備帶有接合膜的基材的工序；對帶有接合膜的基材的接合膜賦予能量，使脫離基從接合膜中脫離，由此活性化接合膜的工序；準備對置基板(其他的被粘附體)，使帶有接合膜的基材具備的接合膜和其他的被粘附體密接，由此將帶有接合膜的基材貼合于其他的被粘附體，得到接合體的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。[l]首先，使用所述方法，準備帶有接合膜的基材1(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)(參照圖10(a))。[2]其次，對帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35賦予能量。在此，若向接合膜3賦予能量，則在接合膜3中，脫離基303的結(jié)合鍵被切斷，從接合膜3的表面35附近脫離，在脫離基303脫離后，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生活性鍵。由此，在接合膜3的表面35顯示與對置基板4的粘接性。這樣的狀態(tài)的帶有接合膜的基材1能夠基于化學鍵，與對置基板4牢固地接合。在此，對接合膜3賦予的能量使用任意方法來賦予也可，但例如，可以舉出向接合膜3照射能量射線的方法、加熱接合膜3的方法、向接合膜3賦予壓縮力(物理能量)的方法、將接合膜3暴露(賦予等離子體能量)于等離子體中的方法、將接合膜3暴露(賦予化學能量)于臭氧氣體的方法等。其中，在本實施方式中，作為向接合膜3賦予能量的方法，尤其優(yōu)選使用向接合膜3照射能量射線的方法。所述方法中可以比較簡單且效率良好地向接合膜3賦予能量，因此，作為賦予能量的方法適當使用。其中，作為能量射線，例如，可以舉出紫外線、激光之類的光、X射線、Y射線、電子射線、離子束之類的粒子射線等、或?qū)⑦@些能量射線組合兩種以上的能量射線。在這些能量射線中，也尤其優(yōu)選使用波長126300nm左右的紫外線(參照圖10(b))。根據(jù)所述范圍內(nèi)的紫外線，最佳化賦予的能量，因此，能夠使接合膜3中的脫離基303可靠地脫離。由此，能夠防止接合膜3的特性(機械特性、化學特性等)降低的情況，同時，能夠使接合膜3可靠地顯示粘接性。另外，根據(jù)紫外線可知，能夠在廣的范圍內(nèi)沒有不均的情況下短時間內(nèi)進行處理，因此，能夠效率良好地進行脫離基303的脫離。進而，紫外線還具有能夠用UV燈等簡單的設備產(chǎn)生的優(yōu)點。還有，紫外線的波長更優(yōu)選126200nm左右。另外，在使用UV燈的情況下，其輸出根據(jù)接合膜3的面積而不同，但優(yōu)選lmW/cm2lW/cm2左右，更優(yōu)選5mW/cm250mW/cm2左右。還有，在這種情況下，UV燈和接合膜3的間隔距離優(yōu)選33000mm左右，更優(yōu)選101000mm左右。另外，照射紫外線的時間優(yōu)選能夠使接合膜3的表面35附近的脫離基303脫離的程度的時間、即對接合膜3不照射必要以上的紫外線的程度的時間。由此，能夠有效地防止接合膜3變質(zhì)、劣化。具體來說，根據(jù)紫外線的光量、接合膜3的構(gòu)成材料等而略微不同，但優(yōu)選0.530分鐘左右，更優(yōu)選110分鐘左右。另外，紫外線也可以連接時間照射，但間歇(脈沖狀)照射也可。另一方面，作為激光，例如，優(yōu)選使用受激準分子激光器之類的脈沖振蕩激光器(脈沖激光器)、二氧化碳激光器、半導體激光器之類的連續(xù)振蕩激光器等。其中，優(yōu)選使用脈沖激光器。在脈沖激光器中，在接合膜3的被照射激光的部分難以經(jīng)時蓄積熱量，因此，能夠可靠地防止蓄積的熱量引起的接合膜3的變質(zhì)、劣化。即，根據(jù)脈沖激光器可知，能夠防止蓄積至接合膜3的內(nèi)部的熱量產(chǎn)生影響的情況。另外，脈沖激光器的脈沖寬度在考慮了熱量的影響的情況下，優(yōu)選盡量短。具體來說，優(yōu)選脈沖寬度為lps(皮(可)秒)以下，更優(yōu)選500fs(飛(母托)秒)以下。若將脈沖寬度設為所述范圍內(nèi)，則能夠可靠地抑制伴隨激光照射而在接合膜3產(chǎn)生的熱量的影響。還有，脈沖寬度小至所述范圍內(nèi)程度的脈沖激光器被稱為"飛(母托)秒激光器"。另夕卜，激光的波長不特別限定，但例如，優(yōu)選2001200nm左右，更優(yōu)選4001000nm左右。另外，激光的峰輸出在脈沖激光器的情況下，根據(jù)脈沖寬度而不同，但優(yōu)選0.110W左右，更優(yōu)選15W左右。進而，脈沖激光器的重復頻率優(yōu)選0.1100kHz左右，更優(yōu)選l100kHz左右。通過將脈沖激光器的頻率設定為所述范圍內(nèi)，照射激光的部分的溫度顯著上升，能夠?qū)⒚撾x基303從接合膜3的表面35附近可靠地切斷。還有，這樣的激光的各種條件如下，照射激光的部分的溫度優(yōu)選適當調(diào)節(jié)為常溫(室溫)600。C左右，更優(yōu)選20060(TC左右，進而優(yōu)選30040(TC左右。由此，照射激光的部分的溫度顯著上升，能夠?qū)⒚撾x基303從接合膜3可靠地切斷。另外，照射于接合膜3的激光優(yōu)選其焦點對準接合膜3的表面35的狀態(tài)下，沿該表面35而掃描。由此，由于激光的照射而產(chǎn)生的熱量局部地蓄積在表面35附近。其結(jié)果，能夠使在接合膜3的表面35存在的脫離基303有選擇地脫離。另外，對接合膜3的能量射線的照射可以在任意的氣氛中進行也可，具體來說，可以舉出大氣、氧之類的氧化性氣體氣氛、氫之類的還原性氣體氣氛、氮、氬氣之類的惰性氣體氣氛、或?qū)⑦@些氣氛減壓的減壓(真空)氣氛等，但其中尤其優(yōu)選在大氣氣氛中進行。由此，，在控制氣氛時不花費勞力和工時或成本，能夠更簡單地進行能量射線的照射。這樣，根據(jù)照射能量射線的方法可知，能夠容易地對接合膜3的表面35附近有選擇地賦予能量，因此，例如，能夠能量的賦予引起的基板2、中間層7及接合膜3的變質(zhì)/劣化、即防止帶有接合膜的基材1的變質(zhì)/劣化。另外，根據(jù)照射能量射線的方法可知，能夠精度良好地，簡單地調(diào)節(jié)賦予的能量的大小。因此，能夠調(diào)節(jié)從接合膜3脫離的脫離基303的脫離量。通過這樣調(diào)節(jié)脫離基303的脫離量，能夠容易地控制帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的接合強度。艮口，通過增加脫離基303的脫離量，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生更大量的活性鍵，因此，能夠進一步提高在接合膜3顯示的粘接性。另一方面，通過減少脫離基303的脫離量，減少在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生的活性鍵，能夠抑制在接合膜3顯示的粘接性。還有，為了調(diào)節(jié)賦予的能量的大小，例如，調(diào)節(jié)能量射線的種類、能量射線的輸出、能量射線的照射時間等條件也可。進而，根據(jù)照射能量射線的方法可知，能夠在短時間內(nèi)賦予大的能量，因此，能夠進一步效率良好地進行能量的賦予。在此，賦予能量之前的接合膜3如圖2及圖6所示，在表面35附近具有脫離基303。若向所述接合膜3賦予能量，則脫離基303(在圖2中為氫原子，在圖6中為甲基)從接合膜3脫離。由此，如圖3及圖7所示，在接合膜3的表面35產(chǎn)生活性鍵304，并被活性化。其結(jié)果，在接合膜3的表面顯示粘接性。在此，在本說明書中，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)除了如上所述地接合膜3的表面35及內(nèi)部的脫離基303脫離，在接合膜3的構(gòu)成原子中沒有末端化的結(jié)合鍵(以下，還稱為"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵(danglingbond)")產(chǎn)生的狀態(tài)之外，包括該未結(jié)合鍵通過羥基(OH基)被末端化的狀態(tài)、及這些狀態(tài)混合存在的狀態(tài)，將其稱為接合膜3被"活性化"的狀態(tài)。從而，活性鍵304如圖3及圖7所示，是指未結(jié)合鍵(懸空鍵)、或未結(jié)合鍵通過羥基而被末端化的鍵。若這樣的活性鍵304存在，則能夠相對于對置基板4進行尤其牢固的接合。還有，后者的狀態(tài)(未結(jié)合鍵通過羥基而被末端化的狀態(tài))例如通過對接合膜3在大氣氣氛中照射能量射線，大氣中的水分將未結(jié)合鍵末端化，由此容易地生成。另外，在本實施方式中，在將帶有接合膜的基材1粘接(貼合)于對置基板4之前，預先說明了對帶有接合膜的基材1的接合膜3賦予能量的情況，但所述能量的賦予在貼合(重疊)帶有接合膜的基材1和對置基板4時，或貼合(重疊)后進行也可。還有，關(guān)于這樣的情況，在后述的第二實施方式中進行說明。[3]其次，準備對置基板(其他的被粘附體)4。還有，如圖10(C)所示，使被活性化的接合膜3和對置基板4密接，使帶有接合膜的基材1與對置基板4接觸。由此，在所述工序[2]中，接合膜3顯示對對置基板4的粘接性，因此，化學結(jié)合接合膜3和對置基板4，將帶有接合膜的基材l粘接于對置基板4，得到圖ll(d)所示的接合體5。在這樣的得到的接合體5中，不是像以往的接合方法中使用的粘接劑一樣主要基于錨定效果之類的物理結(jié)合來粘接，而是基于共價鍵之類的短時間內(nèi)產(chǎn)生的牢固的化學鍵，接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。因此，能夠在短時間內(nèi)形成接合體5，且極難以剝離，也難以發(fā)生接合不均等。另外，根據(jù)得到使用這樣的帶有接合膜的基材1得到的接合體5的方法可知，不像以往的固體接合一樣，需要高溫(例如，70(TC以上)下的熱處理，因此，能夠?qū)⒂赡蜔嵝缘偷牟牧蠘?gòu)成的基板2及對置基板4供給于接合。另外，基板2和對置基板4經(jīng)由接合膜3及中間層7接合，因此，還具有在基板2或?qū)χ没?的構(gòu)成材料上沒有限制的優(yōu)點。因此，根據(jù)本發(fā)明可知，能夠分別擴大基板2及對置基板4的各構(gòu)成材料的選擇的范圍。另外，在固體接合中，沒有經(jīng)由接合層，因此，在基板2和對置基板4之間的熱膨脹率存在差異的情況下，基于所述差異，應力容易集中于接合界面，可能發(fā)揮剝離等，但在接合體(本發(fā)明的接合體)5中，通過中間層7及接合膜3來緩和應力集中，能夠可靠地抑制或防止剝離的發(fā)生。在此，粘接帶有接合膜的基材l的對置基板4與基板2相同地，可以由任意的材料來構(gòu)成。具體來說，對置基板4可以由與基板2的構(gòu)成材料相同的材料來構(gòu)成。另夕卜，對置基板4不限于圖IO所示的板狀，例如，可以為塊狀(block狀)、棒狀等。還有，對置基板4的構(gòu)成材料可以與基板2相同，也可以不相同，但優(yōu)選基板2和對置基板4的各熱膨脹率大致相等。若基板2和對置基板4的熱膨脹率大致相等，則在貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4時，難以在其接合界面產(chǎn)生伴隨熱膨脹的應力，其結(jié)果，在最終得到的接合體5中，能夠可靠地防止剝離等不妥善的情況發(fā)生。另外，在后詳述，但即使在基板2及對置基板4的各熱膨脹率相互不同的情況下，也優(yōu)選將貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4時的條件如下所述地最佳化。由此，能夠以高的尺寸精度，牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。艮P，在基板2和對置基板4的熱膨脹率相互不同的情況下，優(yōu)選盡量在低溫下進行接合。通過在低溫下進行接合，能夠進一步降低在接合界面產(chǎn)生的熱應力。具體來說，取決于基板2和對置基板4的熱膨脹率的差異，但優(yōu)選在基板2及對置基板4的溫度為255(tc左右的狀態(tài)下，將帶有接合膜的基材1貼合于對置基板4，更優(yōu)選在254(tc左右的狀態(tài)下貼合。若為這樣的溫度范圍，則即使基板2和對置基板4的熱膨脹率的差異大至某種程度，也能夠充分減少在接合界面產(chǎn)生的熱應力。其結(jié)果，能夠可靠地抑制或防止接合體5中的翹起或剝離等的發(fā)生。另外，在這種情況下，具體的基板2和對置基板4之間的熱膨脹系數(shù)的差異為5x10—Vk以上的情況下，如上所述，尤其推薦在盡量低的低溫下進行接合。進而，優(yōu)選基板2和對置基板4的剛性相互不同。由此，能夠更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。優(yōu)選在供給于如上所述的對置基板4與帶有接合膜的基材1的接合的區(qū)域，與中間層7相同地，根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料，進行接合之前，預先實施提高對置基板4和接合膜3的粘附性的表面處理。由此，能夠進一步提高帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合強度。還有，作為表面處理，可以適用與對中間層7實施的如上所述的表面處理相同的處理。另外，根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料，不實施如上所述的表面處理也可，在供給于對置基板4的與帶有接合膜的基材1的接合的區(qū)域的表面具有以下的基團或物質(zhì)的情況下，不實施如上所述的表面處理，也能夠充分提高帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合強度。作為這樣的基團或物質(zhì)，例如，可以舉出選自氫原子、羥基、硫醇基、羧基、氨基、硝基、咪唑基之類的官能團、原子團、開環(huán)分子、雙鍵、三鍵之類的不飽和鍵、F、Cl、Br、I之類的鹵素、過氧化物構(gòu)成的組的至少一種基團或物質(zhì)。具有這樣的基團或物質(zhì)的表面能夠進一步提高帶有接合膜的基材1的相對于接合膜3的接合強度。另外，為了得到具有這樣的物質(zhì)的表面，適當選擇進行如上所述的各種表面處理，由此得到能夠與帶有接合膜的基材1尤其牢固地接合的對置基板4。另外，代替表面處理，在供給于對置基板4的與帶有接合膜的基材1的接合的區(qū)域，預先形成具有提高與接合膜3的粘附性的功能的中間層也可。由此，通過經(jīng)由所述中間層接合帶有接合膜的基材1和對置基板4，得到更高接合強度的接合體5。所述中間層的構(gòu)成材料可以使用與中間層7的構(gòu)成材料相同的材料。在此，在本工序中，對接合帶有接合膜的基材1和對置基板4的機制進行說明。例如，以在供給于對置基板4的與帶有接合膜的基材1的接合的區(qū)域，羥基露出的情況為例進行說明如下，在本工序中，以使帶有接合膜的基材1的接合膜3和對置基板4接觸的方式貼合它們時，帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35上存在的羥基、和在對置基板4的所述區(qū)域存在的羥基通過氫鍵相互吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推斷為通過該引力，帶有接合膜的基材1和對置基板4被接合。另外，通過該氫鍵相互吸引的羥基之間根據(jù)溫度條件等，伴隨脫水縮合而從表面被切斷。其結(jié)果，在帶有接合膜的基材1和對置基板4的接觸界面中，結(jié)合有羥基的結(jié)合鍵之間結(jié)合。由此，推斷為帶有接合膜的基材1和對置基板4被更牢固地接合。還有，在所述工序[2]中被活性化的接合膜3的表面其活性狀態(tài)被經(jīng)時緩和。因此，在所述工序[2]結(jié)束后，優(yōu)選盡早進行本工序[3]。具體來說，在所述工序[2]結(jié)束后，優(yōu)選在60分鐘以內(nèi)進行本工序[3],更優(yōu)選5分鐘以內(nèi)進行。若在所述時間內(nèi)，則接合膜3的表面維持充分的活性狀態(tài)，因此，在本工序中將帶有接合膜的基材1(接合膜3)貼合于對置基板4時,能夠在它們之間得到充分的接合強度。換而言之，被活性化前的接合膜3是在具備脫離基303的狀態(tài)下化學性比較穩(wěn)定的膜，耐氣候性優(yōu)越。因此，被活性化前的接合膜3適合長期的保存中。從而，從接合體5的制造效率的觀點來說，有效的是將那樣的帶有接合膜的基材1(具備接合膜3的基板2)大量制造或購入而保存，進行本工序的貼合臨前，僅對必要的個數(shù)進行所述工序[2]所示的能量賦予。如上所述，能夠得到圖11(d)所示的接合體(本發(fā)明的接合體)5。還有，在圖11(d)中，以覆蓋帶有接合膜的基材1的接合膜3的整個面的方式重疊了對置基板4，但這些相對位置相互錯開也可。即，以使對置基板4從接合膜3突出的方式，重疊帶有接合膜的基材1和對置基板4也可。這樣得到的接合體5優(yōu)選基板2和對置基板4之間的接合強度為5MPa(50kg^cm2)以上，更優(yōu)選10MPa(100kgfi^cm2)以上。具有這樣的接合強度的接合體5能夠充分防止其剝離。還有，如后所述，使用接合體5，例如，構(gòu)成彈性表面波元件的情況下，得到耐久性優(yōu)越的彈性表面波元件。另外，根據(jù)本發(fā)明的帶有接合膜的基材l可知，能夠效率良好地制作基板2和對置基板4以如上所述的大的接合強度接合的接合體5。還有，在以往的直接接合硅基板之間的固體接合中，即使將供給于接合的基板的表面活性化，其活性狀態(tài)也只能維持幾秒幾十秒左右的極短的時間。因此，在進行表面的活性化后，存在不能充分確保貼合所接合的兩個基板的作業(yè)等所需的時間的問題。對此，根據(jù)本發(fā)明可知，能夠在比較長的時間內(nèi)維持活性狀態(tài)。因此，能夠充分地確保貼合作業(yè)所需的時間，能夠提高接合作業(yè)的效率化。還有，能夠在比較長的時間內(nèi)維持活性狀態(tài)的情況被推斷為由有機成分構(gòu)成的脫離基303脫離的活性化狀態(tài)穩(wěn)定化的情況引起的。還有，在得到接合體5時，或得到接合體5后，對該接合體5(帶有接合膜的基材1和對置基板4的層疊體)，根據(jù)需要進行以下的三個工序([4A]、[4B]及[4C])中的至少一個工序(提高接合體5的接合強度的工序)也可。由此，能夠進一步提高接合體5的接合強度。在本工序中，如圖11(e)所示，將得到的接合體5向基板2和對置基板4相互靠近的方向加壓。由此，接合膜3的表面分別進一步接近基板2的表面及對置基板4的表面，能夠進一步提高接合體5中的接合強度。另外，通過對接合體5加壓，壓扁接合體5中的接合界面中殘留的間隙，能夠進而擴大接合面積。由此，能夠進一步提高接合體5中的接合強度。進而，在將帶有接合膜的基材1接合(粘接)于表面具有彎曲或凹凸的對置基板4的情況下，也通過對接合體5加壓，能夠?qū)χ虚g層7可靠地賦予應力。其結(jié)果，對應(追隨)對置基板4表面的彎曲或凹凸的形狀，中間層7的厚度變化，因此，能夠?qū)в薪雍夏さ幕?更可靠地接合于對置基板4。此時，對接合體5加壓時的壓力為接合體5不受損傷的程度的壓力，優(yōu)選盡量高。由此，能夠與該壓力成比例地提高接合體5中的接合強度。還有，該壓力根據(jù)基板2、中間層7及對置基板4的各構(gòu)成材料或各厚度，對應接合裝置等條件適當調(diào)節(jié)即可。具體來說，根據(jù)基板2、中間層7及對置基板4的各構(gòu)成材料或各厚度等而略微不同，但優(yōu)選0.210MPa左右，更優(yōu)選l5MPa左右。由此，能夠可靠地提高接合體5的接合強度。還有，即使該壓力大于所述上限值也無妨，但根據(jù)基板2、中間層7及對置基板4的各構(gòu)成材料，基板2、中間層7及對置基板4可能發(fā)生損傷等。另外，加壓的時間不特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘左右。還有，加壓的時間根據(jù)加壓時的壓力來適當變更即可。具體來說，對接合體5加壓時的壓力越高，加壓的時間越短，也能夠提高接合強度。在本工序中，如圖ll(e)所示，加熱得到的接合體5。由此，能夠進一步提高接合體5中的接合強度。此時，加熱接合體5時的溫度只要比室溫高，小于接合體5的耐熱溫度，就不特別限定，但優(yōu)選2510(TC左右，更優(yōu)選5010(TC左右。若以所述范圍的溫度加熱，則能夠可靠地防止接合體5由于加熱而變質(zhì)、劣化的情況，同時，能夠可靠地提高接合強度。另外，加熱時間不特別限定，但優(yōu)選130分鐘左右。另外，在進行所述工序[4A]、[4B]兩者的情況下，優(yōu)選同時進行這些工序。即，如圖11(e)所示，優(yōu)選對接合體5加壓，同時，進行加熱。由此，加壓引起的效果、和加熱引起的效果相輔相成地發(fā)揮，能夠特別地提高接合體5的接合強度。在本工序中，如圖ll(f)所示，向得到的接合體5照射紫外線。由此，能夠增加在接合膜3和基板2及對置基板4之間形成的化學鍵，能夠分別提高基板2及對置基板4和接合膜3之間的接合強度。其結(jié)果，能夠特別地提高接合體5的接合強度。此時照射的紫外線的條件與所述工序[2]所示的紫外線的條件相同即可。另外，在進行本工序[4C]的情況下，需要基板2及對置基板4中任一方具有透光性。還有，通過從具有透光性的基板側(cè)照射紫外線，能夠?qū)雍夏?可靠地照射紫外線。通過進行以上的工序，能夠容易地進一步提高接合體5中的接合強度。<第二實施方式>'其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第二實施方式進行說明。圖12是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第二實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖12的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第二實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式的接合方法除了在將帶有接合膜的基材l重疊(接觸)于對置基板4之外，向接合膜3賦予能量，將帶有接合膜的基材1粘接于對置基板4之外，與所述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；準備對置基板(其他的被粘附體)4,以粘附帶有接合膜的基材l具備的接合膜3和對置基板4的方式，重疊這些的工序；對重疊而成的層疊體中的接合膜3賦予能量，活性化接合膜3，由此，得到接合帶有接合膜的基材1和對置基板4而成的接合體5的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。首先，與所述第一實施方式相同地，準備帶有接合膜的基材1(參照圖12(a))。其次，如圖12(b)所示，準備對置基板4，以接合膜3的表面35和對置基板4粘附(接觸)的方式，重疊帶有接合膜的基材1和對置基板4，得到層疊體。還有，在該層疊體的狀態(tài)下，帶有接合膜的基材1和對置基板4之間沒有被接合，因此，能夠調(diào)節(jié)帶有接合膜的基材1的相對于對置基板4的相對位置。由此，重疊帶有接合膜的基材1和對置基板4后，能夠容易地微調(diào)這些的位置。其結(jié)果，能夠提高接合膜3的表面35方向上的位置精度。其次，如圖12(c)所示，對層疊體中的接合膜3賦予能量。若向接合膜3賦予能量，則在接合膜3顯示與對置基板4的粘接性。由此，接合帶有接合膜的基材1和對置基板4，得到接合體5(參照圖12(d))。在此，向接合膜3賦予的能量可以通過任意的方法來賦予，但例如，通過所述第一實施方式中舉出的方法來賦予。另外，在本實施方式中，作為向接合膜3賦予能量的方法，尤其，優(yōu)選使用向接合膜3照射能量射線的方法、加熱接合膜3的方法、及向接合膜3賦予壓縮力(物理能量)的方法中的至少一種方法。這些方法能夠比較簡單地，效率良好地對接合膜3賦予能量，因此，作為能量賦予方法適合。其中，作為向接合膜3照射能量射線的方法，可以使用與所述第一實施方式相同的方法。還有，在這種情況下，能量射線透過基板2或?qū)χ没?，透過基板2的情況下，也透過中間層7，向接合膜3照射。從而，基板2或?qū)χ没?中照射能量射線的一側(cè)的基板由具有透過性的物質(zhì)構(gòu)成，進而，在從基板2側(cè)照射的情況下，中間層7也由具有透光性的物質(zhì)構(gòu)成。另一方面，通過加熱接合膜3，對接合膜3賦予能量的情況下，優(yōu)選將加熱溫度設定為2510(TC左右，更優(yōu)選設定為5010(TC左右。若以所述范圍的溫度加熱，則能夠可靠地防止基板2及對置基板4由于熱量而變質(zhì)、劣化，同時，能夠可靠地活性化接合膜3。另外，加熱時間設為能夠脫離接合膜3的脫離基303的程度的時間即可，具體來說，若加熱溫度為所述范圍內(nèi)，則優(yōu)選130分鐘左右。另外，接合膜3通過任意方法來加熱也可，但例如，可以通過使用加熱器的方法、照射紅外線的方法、與火焰接觸的方法等各種方法來加熱。還有，在使用照射紅外線的方法的情況下，基板2或?qū)χ没?優(yōu)選由具有光吸收性的材料構(gòu)成。由此，被照射紅外線的基板2或?qū)χ没?效率良好地放熱。其結(jié)果，效率良好地加熱接合膜3。另外，在采用使用加熱器的方法或與火焰接觸的方法的情況下，基板2或?qū)χ没?中接觸加熱器或火焰的一側(cè)的基板優(yōu)選由熱傳導性優(yōu)越的材料來構(gòu)成。由此，能夠經(jīng)由基板2或?qū)χ没?，效率良好地向接合膜3傳遞熱量，能夠效率良好地加熱接合膜3。另外，通過向接合膜3賦予壓縮力，對接合膜3賦予能量的情況下，優(yōu)選向帶有接合膜的基材1和對置基板4相互靠近的方向，以0.210MPa左右的壓力壓縮，更優(yōu)選以15MPa左右的壓力來壓縮。由此，能夠僅通過壓縮，就能夠?qū)雍夏?簡單地賦予適當?shù)哪芰?，在接合?顯示與對置基板4的充分的粘接性。還有，即使該壓力大于所述上限值也無妨，但根據(jù)基板2、中間層7及對置基板4的各構(gòu)成材料，在基板2、中間層7及對置基板4可能發(fā)生損傷等。另外，賦予壓縮力的時間不特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘左右。還有，賦予壓縮力的時間根據(jù)壓縮力的大小來適當變更即可。具體來說，壓縮力的大小越大，越能夠縮短賦予壓縮力的時間。如上所述，能夠?qū)в薪雍夏さ幕?粘接于對置基板4，得到接合體5。<第三實施方式>其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第三實施方式進行說明。圖13及圖14是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第三實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖13及圖14的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第三實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式及所述第二實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式的接合方法除了接合兩片帶有接合膜的基材1之間以外，與所述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備兩片本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對各自的帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32分別賦予能量，活性化各接合膜31、32的工序；以各接合膜31、32之間粘附的方式，貼合兩片帶有接合膜的基材l之間，得到接合體5a的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。[l]首先，與所述第一實施方式相同地，準備兩片帶有接合膜的基材1(參照圖13(a))。還有，在本實施方式中，作為該兩片帶有接合膜的基材l，使用圖13(a)所示的具有基板21、中間層71、和接合膜31，中間層71及接合膜31依次設置于基板21上的帶有接合膜的基材1、和具有基板2、中間層72、和接合膜32，中間層72及接合膜32依次設置于基板2上的帶有接合膜的基材l。其次，如圖13(b)所示，對兩片帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32，分別賦予能量。若向各接合膜31、32賦予能量，則在各接合膜31、32中，圖2及圖6所示的脫離基303從接合膜3脫離。還有，在脫離基303脫離后，如圖3及圖7所示，在各接合膜31、32的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，各接合膜31、32被活性化。由此，在給接合膜31、32分別顯示粘接性。還有，這樣的狀態(tài)的兩片帶有接合膜的基材1分別能夠相互粘接。還有，作為能量賦予方法，可以使用與所述第一實施方式相同的方法。在此，在本說明書中，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)除了如所述第一實施方式所述，接合膜3的表面35及內(nèi)部的脫離基303脫離，金屬原子及氧原子的至少一方?jīng)]有末端化的結(jié)合鍵(以下，還稱為"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵(danglingbond)")產(chǎn)生的狀態(tài)之外，包括該未結(jié)合鍵通過羥基(OH基)被末端化的狀態(tài)、及這些狀態(tài)混合存在的狀態(tài)，將其稱為接合膜3被"活性化"的狀態(tài)。從而，在本說明書中，活性鍵304如圖3及圖7所示，是指未結(jié)合鍵(懸空鍵)、或未結(jié)合鍵通過羥基而被末端化的鍵。其次，如圖13(c)所示，以顯示粘接性的各接合膜3之間粘附的方式，貼合兩片帶有接合膜的基材l之間，得到接合體5a。在此，在本工序中，接合兩片帶有接合膜的基材l之間，但該接合被推斷為基于以下兩個機制(i)、(ii)兩者或一方。(0例如，以在各接合膜31、32的表面35K352露出羥基的情況為例進行說明如下，在本工序中，以各接合膜31、32之間粘附的方式，貼合兩片帶有接合膜的基材1之間時，在各帶有接合膜的基材1的接合膜31、32的表面351、352上存在的羥基之間通過氫鍵來相互吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推斷為通過該引力，兩片帶有接合膜的基材1之間更牢固地接合o此外，利用該氫鍵而相互吸引的羥基之間根據(jù)溫度條件等，伴隨脫水縮合而從表面切斷。其結(jié)果，在兩片帶有接合膜的基材l之間，羥基結(jié)合的結(jié)合鍵之間結(jié)合。由此推斷兩片帶有接合膜的基材1之間更牢固地接合。(ii)若貼合兩片帶有接合膜的基材l之間，則在各接合膜31、32的表面351、352附近產(chǎn)生的未被末端化的結(jié)合鍵(未結(jié)合鍵)之間再次結(jié)合。該再次結(jié)合相互重疊(互相纏繞)地復雜發(fā)生，因此，在接合界面形成網(wǎng)絡狀結(jié)合。由此，通過構(gòu)成各接合膜31、32的金屬原子及氧原子的任一方之間相互直接接合，各接合膜31、32之間一體化。通過以上的(i)或(ii)的機制，得到圖13(d)所示的接合體5a。還有，在得到接合體5a后，對該接合體5a,根據(jù)需要，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一種工序也可。例如，如圖14(e)所示，對接合體5a加壓，同時加熱，由此使接合體5a的各基板21、22之間進一步接近。由此，促進各接合膜31、32的界面中的羥基的脫水縮水或未結(jié)合鍵之間的再次結(jié)合。還有，進一步促進各接合膜31、32之間的一體化。其結(jié)果，如圖14(f)所示，得到具有大致完全一體化的接合膜30的接合體5a'。<第四實施方式>其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第四實施方式進行說明。圖15是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第四實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖15的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第四實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式所述第三實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式的接合方法除了通過有選擇地僅活性化接合膜3的一部分的規(guī)定區(qū)域350，將帶有接合膜的基材1在對置基板4以所述規(guī)定區(qū)域350部分地粘接(接合)之外，與所述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對帶有接合膜的基材1的接合膜3，有選擇地對一部分的規(guī)定區(qū)域350賦予能量，有選擇地活性化所述規(guī)定區(qū)域350的工序；準備對置基板(其他的被粘附體)4，以帶有接合膜的基材1具備的接合膜3和對置基板4粘附的方式，貼合這些，得到帶有接合膜的基材1和對置基板4在所述規(guī)定區(qū)域350部分地接合而成的接合體5b的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。首先，準備帶有接合膜的基材1(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)(參照圖15(a))。其次，如圖15(b)所示，對帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35中局部的規(guī)定區(qū)域350有選擇地賦予能量。若賦予能量，則在接合膜3中，在規(guī)定區(qū)域350中，圖2及圖6所示的脫離基303從接合膜3脫離。還有，在脫離基303脫離后，在規(guī)定區(qū)域350中，如圖3及圖7所示，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，接合膜3被活性化。由此，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350顯示與對置基板4的粘接性，另一方面，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域完全不顯示該粘接性，或幾乎不顯示。這樣的狀態(tài)的帶有接合膜的基材1在規(guī)定區(qū)域350中，能夠與對置基板4部分粘接。在此，向接合膜3賦予的能量通過任意方法來賦予也可，但例如，通過在所述第一實施方式中舉出的方法來賦予。另外，在本實施方式中，作為向接合膜3賦予能量的方法，尤其優(yōu)選使用向接合膜3照射能量射線的方法。該方法能夠?qū)雍夏?比較簡單地，效率良好地賦予能量，因此，作為能量賦予方法適合。另外，在本實施方式中，作為能量射線，尤其，優(yōu)選使用激光、電子射線之類的指向性高的能量射線。若為所述能量射線，則通過朝向目的方向照射，能夠?qū)σ?guī)定區(qū)域有選擇地且簡單地照射能量射線。另外，即使為指向性低的能量射線，也只要將接合膜3的表面35中應照射能量射線的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域覆蓋(隱藏)而照射，就能夠?qū)σ?guī)定區(qū)域350有選擇地照射能量射線。具體來說，如圖15(b)所示，在接合膜3的表面35的上方設置具有對應于應照射能量射線的規(guī)定區(qū)域350的形狀的形狀的窗部61的掩模6，經(jīng)由該掩模6照射能量射線即可。若這樣進行，則能夠?qū)σ?guī)定區(qū)域350，容易地有選擇照射能量射線。其次，如圖15(c)所示，準備對置基板(其他的被粘附體)4。還有，以有選擇地活性化規(guī)定區(qū)域350的接合膜3和對置基板4粘附的方式，貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4。由此，得到圖15(d)所示的接合體5b。這樣得到的接合體5b不是接合基板2和對置基板4的對置面整體，而是僅部分接合一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)。還有，在該接合時，僅通過控制對接合膜3賦予能量的區(qū)域，就能夠簡單地選擇被接合的區(qū)域。由此，例如，通過控制活性化帶有接合膜的基材1的接合膜3區(qū)域(在本實施方式中為規(guī)定區(qū)域350)的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5b的接合強度。其結(jié)果，例如，得到容易地分離接合的部位的接合體5b。另外，通過適當控制圖15(d)所示的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積或形狀，能夠緩和在接合部產(chǎn)生的應力的局部集中。由此，例如，在基板2和對置基板4之間熱膨脹率的差異大的情況下，也能夠可靠地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。200810148990.8說明書第48/88頁進而，在接合體5b中，在帶有接合膜的基材1和對置基板4的間隙中接合的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，產(chǎn)生有微小的間隙(殘留)。從而，通過適當調(diào)節(jié)該規(guī)定區(qū)域350，在帶有接合膜的基材1和對置基板4之間，例如，能夠容易地形成密閉空間或流路等。還有，如上所述，通過控制帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積，能夠調(diào)節(jié)接合體5b的接合強度，同時，能夠調(diào)節(jié)分離接合體5b時的強度(割裂強度)。從所述觀點來說，在制作能夠容易地分離接合體5b的情況下，接合體5b的強度優(yōu)選能夠用人的手來容易地分離的程度的大小。由此，在分離接合體5b時，不使用裝置等，能夠簡單地進行。如上所述地能夠得到接合體5b。還有，在得到接合體5b后，對該接合體5b，根據(jù)需要，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序也可。此時，在接合體5b的接合膜3和對置基板4的界面中的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)產(chǎn)生微小的間隙(殘留)。從而，優(yōu)選對接合體5b加壓的同時加熱時，在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域中，在不接合接合膜3和對置基板4的條件下進行。另外，考慮上述情況，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序的情況下，優(yōu)選將這些工序?qū)σ?guī)定區(qū)域350有選擇地進行。由此，能夠防止在規(guī)定區(qū)域350以往的區(qū)域，接合膜3和對置基板4接合的情況。<第五實施方式>其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第五實施方式進行說明。圖16是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第五實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖16的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第五實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式所述第四實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式的接合方法除了僅在基板2的上表面25中一部分的規(guī)定區(qū)域350依次有選擇地層疊中間層7a及接合膜3a而形成，由此將帶有接合膜的基材1和對置基板4在所述規(guī)定區(qū)域350中部分地接合之外，與所述第一實施方式相同。艮口，本實施方式的接合方法包括準備具有基板2、和僅在基板2上的一部分的規(guī)定區(qū)域350形成的中間層7a及接合膜3a的帶有接合膜的基材h對帶有接合膜的基材1的接合膜3a賦予能量，活性化接合膜3a的工序；準備對置基板(其他的被粘附體)4，以帶有接合膜的基材1具備的接合膜3a和對置基板4粘附的方式，將這些貼合，得到將帶有接合膜的基材1和對置基板4經(jīng)由中間層7a及接合膜3a接合而成的接合體5c的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。首先，如圖16(a)所示，在基板2的上方設置具有對應于規(guī)定區(qū)域350的形狀的形狀的窗部61的掩模6。其次，經(jīng)由掩模6，在基板2的上表面25，依次將中間層7a及接合膜3a成膜。例如，首先，經(jīng)由掩模6將中間層7a成膜，在規(guī)定區(qū)域350有選擇地形成中間層7a后，經(jīng)由掩模6成膜接合膜3a，在規(guī)定區(qū)域350有選擇地形成接合膜3a，由此在規(guī)定區(qū)域350依次形成中間層7a及接合膜3a(參照圖16(a))。其次，如圖16(b)所示，對接合膜3a賦予能量。由此，在帶有接合膜的基材l中，在接合膜3a顯示與對置基板4的粘接性。還有，在本工序中賦予能量時，對接合膜3a有選擇地賦予能量也可，但對包含接合膜3a的基板2的上表面25整體上賦予能量也可。另外，向接合膜3a賦予的能量可以通過任意方法來賦予，但例如，通過與所述第一實施方式中舉出的方法相同的方法來賦予。其次，如圖16(c)所示，準備對置基板(其他的被粘附體)4。還有，以粘附接合膜3a和對置基板4的方式，貼合帶有接合膜的基材1和對置基板4。由此，得到圖16(d)所示的接合體5c。這樣得到的接合體5c不是接合基板2和對置基板4的對置面整體，而是僅部分地接合一部分的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)。還有，在形成接合膜3a時，通過僅控制形成區(qū)域，能夠簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如，通過控制形成接合膜3a的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5c的接合強度。其結(jié)果，例如，得到能夠容易地分離接合的部位的接合體5c。另外，通過適當控制圖16(d)所示的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積或形狀，能夠緩和在接合部產(chǎn)生的應力的局部集中。由此，例如，在基板2和對置基板4之間熱膨脹率的差異大的情況下，也能夠可靠地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。進而，在接合體5c的基板2、和對置基板4之間，除了規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域之外，形成有與接合膜3a的厚度相稱的間隔距離的間隙3c(參照圖16(d))。從而，通過適當調(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域350的形狀或接合膜3a的厚度，能夠在基板2和對置基板4之間容易地形成期望的形狀的密閉空間或流路等。如上所述地能夠得到接合體5c。還有，在得到接合體5c后，對該接合體5c，根據(jù)需要，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中至少一個工序也可。<第六實施方式>其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第六實施方式進行說明。圖17是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第六實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖17的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第六實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式所述第五實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式所述的接合方法除了準備兩片帶有接合膜的基材1，在其中一方的帶有接合膜的基材1中，有選擇地僅活性化接合膜3的一部分的規(guī)定區(qū)域350后，以兩片帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32接觸的方式，重疊這些，由此將兩片帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350中接合之外，與所述第一實施方式相同。艮口，本實施方式的接合方法包括準備兩片本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序、對各自的帶有接合膜的基材1的接合膜3K32，分別向不同的區(qū)域賦予能量，活性化所述區(qū)域的工序；貼合兩片帶有接合膜的基材1之間，得到兩片帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350中部分地接合而成的接合體5d的工序。以下，對本實施方式所述的接合方法的各工序依次進行說明。首先，與所述第一實施方式相同地，準備兩片帶有接合膜的基材1(參照圖17(a))。還有，在本實施方式中，作為該兩片帶有接合膜的基材l，如圖17(a)所示，使用具有基板21、中間層71、和接合膜31，中間層71及接合膜31依次設置于基板21上的帶有接合膜的基材1、和具有基板2、中間層72、和接合膜32,中間層72及接合膜32依次設置于基板2上的帶有接合膜的基材1。其次，如圖17(b)所示，向兩片帶有接合膜的基材1中的一方的帶有接合膜的基材1的接合膜31的表面351的整個面賦予能量。由此，在接合膜31的表面351的整個面顯示粘接性。另一方面，向兩片帶有接合膜的基材1中另一方的帶有接合膜的基材1的接合膜32的表面352，對一部分的規(guī)定區(qū)域350有選擇地賦予能量。作為對規(guī)定區(qū)域350有選擇地賦予能量的方法，例如，可以使用與所述第四實施方式相同的方法。若對各接合膜31、32分別賦予能量，則脫離基303從各接合膜31、32脫離。還有，在脫離脫離基303后，在各接合膜31、32的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，各接合膜31、32被活性化。由此，在接合膜31的表面351的整個面、和接合膜32的表面352的規(guī)定區(qū)域350分別顯示粘接性。另外，另一方面，接合膜32的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域幾乎不顯示該粘接性。這樣的狀態(tài)的兩片帶有接合膜的基材1能夠在規(guī)定區(qū)域350中部分地粘接。其次，如圖17(c)所示，以顯示粘接性的各接合膜31、32之間粘附的方式，貼合兩片帶有接合膜的基材l之間。由此，得到圖17(d)所示的接合體5d。這樣得到的接合體5d不是以對置面整體來接合兩片帶有接合膜的基材1之間，而是僅將一部分的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)部分地接合。還有，在該接合時，僅通過控制對接合膜32賦予能量的區(qū)域，能夠簡單地選擇被接合的區(qū)域。由此，例如，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5d的接合強度。如上所述地能夠得到接合體5d。還有，在得到接合體5c后，對該接合體5c，根據(jù)需要，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序也可。例如，通過對接合體5c的同時加熱，接合體5c的各基板21、22之間進一步接近。由此，促進各接合膜31、32的界面中的羥基的脫水縮合或未結(jié)合鍵之間的再次結(jié)合。還有，在規(guī)定區(qū)域350形成的接合部中，進一步進展一體化，最終，大致完全一體化。還有，此時，在接合膜31的表面351和接合膜32的表面352的界面中規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)中，在各表面351、352之間產(chǎn)生微小間隙(殘留)。從而，優(yōu)選在對接合體5c加壓的同時加熱時，在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，各接合膜31、32不接合的條件下進行。另夕卜，考慮上述情況，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序的情況下，優(yōu)選對規(guī)定區(qū)域350有選擇地進行這些工序。由此，能夠防止在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域中，各接合膜31、32被接合的情況。<第七實施方式>其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合該帶有接合膜的基材和其他的被粘附體的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第七實施方式進行說明。圖18是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材，將帶有接合膜的基材粘接于其他的被粘附體的接合方法的第七實施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖18的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，對第七實施方式的接合方法進行說明，但以與所述第一實施方式所述第六實施方式不同點為中心進行說明，對于相同的事項省略說明。本實施方式的接合方法除了通過僅在各基板21、22的上表面251、252中各自一部分的規(guī)定區(qū)域350有選擇地依次層疊中間層7a、7b及接合膜3a、3b而形成，準備兩片帶有接合膜的基材l，在這些帶有接合膜的基材l具有的各接合膜3a、3b部分地接合之外，與所述第一實施方式相同。艮P，本實施方式所述的接合方法包括準備具有各基板21、22、僅在該基板21、22的各規(guī)定區(qū)域350分別形成的中間層7a、7b及接合膜3a、3b的兩片帶有接合膜的基材1的工序；對各帶有接合膜的基材1的各接合膜3a、3b賦予能量，活性化各接合膜3a、3b的工序；貼合兩片帶有接合膜的基材1之間，得到兩片帶有接合膜的基材1之間在所述規(guī)定區(qū)域350形成的各接合膜3a、3b中部分地接合而成的接合體5e的工序。以下，對本實施方式的接合方法的各工序依次進行說明。首先，如圖18(a)所示，在各基板21、22分別設置具有對應于規(guī)定區(qū)域350的形狀的形狀的窗部61的掩模6。其次，經(jīng)由掩模6，在各基板21、22的上表面251、252分別成膜中間層7a、7b及接合膜3a、3b。例如，經(jīng)由掩模6，成膜中間層7a、7b，在規(guī)定區(qū)域350有選擇地形成中間層7a、7b后，經(jīng)由掩模6成膜接合膜3a、3b，在規(guī)定區(qū)域350有選擇地形成接合膜3a、3b，由此在規(guī)定區(qū)域350依次形成中間層7a、7b及接合膜3a、3b(參照圖8)。其次，如圖18(b)所示，向各接合膜3a、3b賦予能量。由此，在各帶有接合膜的基材l中，在接合膜3a、3b顯示粘接性。還有，在本工序中賦予能量時，對各接合膜3a、3b有選擇地賦予能量也可，但對包含各接合膜3a、3b的基板21、22的上表面251、252整體分別賦予能量也可。另外，向各接合膜3a、3b賦予的能量通過任意方法來賦予也可，但例如，通過所述第一實施方式中舉出的方法來賦予也可。其次，如圖18(c)所示，以顯示粘接性的各接合膜3a、3b之間粘附的方式，貼合兩片帶有接合膜的基材l之間。由此，得到圖18(d)所示的接合體5e。這樣得到的接合體5e不是以對置面整體接合兩片帶有接合膜的基材1之間，而是僅將一部分的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)部分地接合。還有，在該接合時，僅通過控制對接合膜32賦予能量的區(qū)域，能夠簡單地選擇被接合的區(qū)域。由此，例如，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體5e的接合強度。另外，在接合體5e的各基板21、22之間，除了規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，形成有與接合膜3a的厚度相稱的間隔距離的間隙3c(參照圖18(d))。從而，通過適當調(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域350的形狀或各接合膜3a、3b的厚度，能夠在各基板21、22容易地形成期望的形狀的密閉空間或流路等。如上所述地能夠得到接合體5e。還有，在得到接合體5e后，對該接合體5e，根據(jù)需要，進行所述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序也可。例如，通過對接合體5e的同時加熱，接合體5e的各基板21、22之間進一步接近。由此，促進各接合膜31、32的界面中的羥基的脫水縮合或未結(jié)合鍵之間的再次結(jié)合。還有，在規(guī)定區(qū)域350形成的接合部中，進一步進展一體化，最終，大致完全一體化。以上的所述各實施方式中的使用了帶有接合膜的基材1的接合方法可以使用于各種對置基板4上的帶有接合膜的基材1的接合中。作為通過這樣的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合得到的部件(接合體)，例如，可以舉出晶體管、二極管、存儲器之類的半導體元件、水晶振子、彈性表面波元件之類的壓電元件、反射鏡、光學透鏡、折射格子、濾光器之類的光學元件、太陽電池之類的光電轉(zhuǎn)換元件、半導體基板和其上搭載的半導體元件、絕緣性基板和配線或電極、噴墨式記錄頭、微型反應器、微鏡之類的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件、壓力傳感器、加速度傳感器之類的傳感器部件、半導體元件或電子部件的封裝部件、磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)之類的記錄介質(zhì)、液晶顯示元件、有機EL元件、電泳顯示元件之類的顯示元件用部件、燃料電池用部件等。<彈性表面波元件>在此，對將本發(fā)明的接合體適用于彈性表面波元件(SAW設備)的情況的實施方式進行說明。圖19是適用本發(fā)明的接合體得到的彈性表面波元件的俯視圖，圖20是圖19所示的彈性表面波元件的縱向剖面圖。還有，在以下的說明中，圖20中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。圖19及圖20所示的彈性表面波元件610是橫向型結(jié)構(gòu)的彈性表面波元件，具有至少在表面附近具有壓電性的基板620;設置于基板620的輸入用IDT630及輸出用IDT640;在各IDT630、640的上表面設置的絕緣保護膜650。基板620在基部621上依次層疊基底層622及壓電體層623而構(gòu)成。作為基部621的構(gòu)成材料，例如，可以舉出Si、GaSi、SiGe、GaAs、STC、InP之類的各種半導體材料、各種玻璃材料、各種陶瓷材料、聚酰亞胺、聚碳酸酯之類的各種樹脂材料等。基部621的平均厚度不特別限定，但優(yōu)選0.05lmm左右，更優(yōu)選0.10.8mm左右。另外，基部621不僅可以由單層構(gòu)成，也可以由多層的層疊體構(gòu)成，在這種情況下，各層可以將所述材料任意組合而使用?；讓?22具有設定(規(guī)定)在壓電體層623中被激振的彈性表面波的特性(條件)的功能。作為該特性，例如，可以舉出振蕩頻率、振幅、傳送速度等。通過設置基底層622，適當設定其構(gòu)成材料，能夠?qū)椥员砻娌ǖ奶匦栽O定為期望的特性。作為該基底層622的構(gòu)成材料，例如，優(yōu)選以金剛石、硅、藍寶石、玻璃、水晶、鉭酸鋰、鈮酸鉀、鈮酸鋰中的至少一種為主的材料，尤其，適合的是以金剛石、藍寶石、鉭酸鋰、鈮酸鉀中的至少一種為主的材料。由此，能夠?qū)o線LAN或光通信等高速通信領域中的適用作為目的而要求的彈性表面波的高頻率化起到貢獻作用?；讓?22的平均厚度不特別限定，但優(yōu)選120!im左右，更優(yōu)選310pm左右，進而優(yōu)選35pm左右。另外，基底層622僅可以由單層構(gòu)成，也可以根據(jù)作為目的的彈性表面波的特性，由多層的層疊體構(gòu)成。還有，基底層622根據(jù)需要來設置，也可以省略。壓電體層623作為彈性表面波的傳送介質(zhì)而發(fā)揮作用。作為該壓電體層623的構(gòu)成材料，優(yōu)選以氧化鋅、氮化鋁、碳酸鋰、鈮酸鋰、鈮酸鉀中的至少一種為主的材料。通過用這樣的材料構(gòu)成壓電體層623，得到高頻，且溫度特性優(yōu)越的彈性表面波元件610。另外，壓電體層623的平均厚度不特別限定，但例如，優(yōu)選0.015pm，更優(yōu)選0.12pm左右。還有，基板620可以代替多層結(jié)構(gòu)，使用單層結(jié)構(gòu)的基板。IDT(輸入側(cè)電極)630具有向壓電體層623施加電壓，在壓電體層623使彈性表面波激振的功能，另一方面，IDT(輸出側(cè)電極)640具有檢測在壓電體層623傳送的彈性表面波，，將彈性表面波轉(zhuǎn)換為電信號，向外部輸出的功能。從而，若向IDT630輸入驅(qū)動電壓，則在壓電體層623中彈性表面波被激振，從IDT640輸出基于過濾功能的特定的頻帶區(qū)域的電信號。各IDT630、640分別由具有電極指631、641的呈梳齒形狀的一對梳齒電極構(gòu)成，通過調(diào)節(jié)梳齒電極的電極指631、641的寬度、間隔、厚度等，能夠?qū)椥员砻娌ǖ恼袷庮l率的特性設定為期望的特性。作為各IDT(基材)630、640的構(gòu)成材料，分別例如可以舉出Al、Cu、W、Mo、Ti、Au、Y、Pb、Sc或含有這些的合金等，可以組合其中的一種或兩種以上而使用。絕緣保護膜650防止在IDT630、640的表面附著異物，防止經(jīng)由異物的電極指631、641之間的短路。該絕緣保護膜650在IDT(梳齒電極)630、640的上表面形成為與這些大致相等的形狀且大致相等的面積。在該彈性表面波元件610中，絕緣保護膜650及IDT630、640分別由基板2及接合膜3構(gòu)成。所述結(jié)構(gòu)的彈性表面波元件610分別可以通過將具備對應于絕緣保護膜650及IDT630、640的形狀的基板2及接合膜3的帶有接合膜的基材1粘接于基板(其他的被粘附體)620而制作。通過這樣的結(jié)構(gòu)，在彈性表面波傳送的路徑上，沒有從絕緣保護膜650到基板620的材質(zhì)變化，該路徑上的材質(zhì)變化基本上僅是電極指631、641到基板620的變化。從而，抑制材質(zhì)變化引起的彈性表面波的反射及該反射引起的能量損失，得到高的輸入輸出效率。<配線基板>進而，對將本發(fā)明的接合體適用于配線基板的情況下的實施方式進行說明。圖21是表示適用本發(fā)明的接合體得到的配線基板的立體圖。圖21所示的配線基板410具有絕緣基板413;在絕緣基板413上配設的電極412;導線414;在導線414的一端與電極412對置地設置的電極415;電方面接合電極412和電極415的導電層416。在該配線基板410中，電極415及導電層416分別由基板2及接合膜3構(gòu)成。在所述配線基板410中，可以分別將具備對應于電極415及導電層416的形狀的基板2及接合膜3的帶有接合膜的基材1粘接于電極412而制造。在這樣制造的配線基板410中，電極412、415之間通過導電層416牢固地接合，可靠地防止各電極412、415之間的層間剝離等，并且，得到可靠性高的配線基板410。另外，導電層416還發(fā)揮接合電極415及導電層416,并且，導通各電極412、415之間的功能。導電層416即使非常薄，也發(fā)揮充分的接合力。因此，能夠進一步減小各電極412、415之間的間隙，能夠減少各電極412、415之間的電阻成分(接觸電阻)。其結(jié)果，能夠進一步提高各電極412、415之間的導電性。另外，導電層416如上所述，能夠以高的精度容易地控制其厚度。由此，配線基板410的尺寸精度更高，也能夠容易地控制各電極412、415之間的導電性。以上，基于圖示的實施方式，說明了本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法及接合體，但本發(fā)明不限定于此。例如，本發(fā)明的接合方法可以組合所述各實施方式中的任意一個或兩個以上。另外，在本發(fā)明的接合方法中，根據(jù)需要，追加一個以上的任意的工序也可。實施例其次，對本發(fā)明的具體實施例進行說明。(實施例1A)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容形成有中間層的單晶硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，成膜了在ITO中導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>耙體ITO'腔室的到達真空度2X10—6Torr'成膜時的腔室內(nèi)的壓力lXl(T3T0rr氫氣的流量60sccm'腔室內(nèi)的溫度20°C離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的施加電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘這樣成膜的接合膜由在ITO中導入了氫原子的材料構(gòu)成，包含金屬原子(銦及錫)、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和在所述金屬原子及所述氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基(氫原子)。由此，得到在單晶硅基板上依次形成了中間層及接合膜的本發(fā)明的帶有接合膜的基材。其次，在以下所示的條件下，向得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣，氣氛氣體的溫度20°C'氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa).紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘另一方面，對玻璃基板(對置基板)的一面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使接合膜的照射紫外線的面、和玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例2A)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從80'C變更為25'C以外，與所述實施例1A相同地，得到了接合體。(實施例3A11A)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別如表1所示變更以外，與所述實施例1同樣得到接合體。(實施例12A、13A)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在13(TCX10分鐘下進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例1A相同地得到接合體。(實施例14A)首先，與所述實施例1A相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和玻璃基板(對置基板)，分別進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在設置于各基板的中間層的實施了表面處理的面上，與所述實施例1A相同地成膜接合膜。由此，得到了帶有接合膜的基材。其次，以使在帶有接合膜的基材設置的接合膜、和玻璃基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了帶有接合膜的基材和玻璃基板。還有，在以下所示的條件下對重疊的各基板照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣*氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa),*紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例15A)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿烷構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容這些基板兩者，在各基板設置的中間層的表面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，成膜了在ITO中導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>耙體ATO'腔室的到達真空度2X10—6Torr'成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr氫氣的流量60sccm腔室內(nèi)的溫度20°C*離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的施加電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V'離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘其次，在以下所示的條件下，向得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣，氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)，紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使接合膜的照射紫外線的面之間接觸的方式，重疊各基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在80。C下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例16A)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從8(TC變更為25'C以外，與所述實施例15A相同地，得到了接合體。(實施例17A25A)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料，除此之外，與所述實施例15A相同地得到接合體。(實施例26A、27A),將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在13(TCX10分鐘下進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例15A相同地得到接合體。(實施例28A)首先，與所述實施例15A相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和設置有中間層的玻璃基板(對置基板)，在各自設置的中間層進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在各基板設置的中間層的實施了表面處理的面分別與所述實施例15A相同地，成膜接合膜。由此，得到了兩片帶有接合膜的基材。其次，以使接合膜之間接觸的方式，重疊兩片帶有接合膜的基材，得到了層疊體。還有，在以下所示的條件下，從層疊體的玻璃基板側(cè)照射紫外線。<紫外線照射條件〉"氣氛氣體的組成氮氣*氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例29A)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lMm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容這些基板兩者，在各基板設置的中間層的表面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，成膜了在ITO中導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>耙體ITO'腔室的到達真空度2X10—6Torr'成膜時的腔室內(nèi)的壓力lXl(T3T0rr氫氣的流量60sccm'腔室內(nèi)的溫度20°C離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的施加電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘其次，分別在以下所示的條件下向得到的接合膜照射了紫外線。還有，照射紫外線的區(qū)域為在單晶硅基板形成的接合膜的表面整體、和在玻璃基板形成的接合膜的表面中的周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣*氣氛氣體的溫度20°C'氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)'紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘其次，以使接合膜的照射紫外線的面之間接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例30A)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從80"C變更為25X:以外，與所述實施例29A相同地，得到了接合體。(實施例31A、35A37A、39A、40A)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料之外，與所述實施例29A相同地得到了接合體。(實施例32A)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容形成有中間層的單晶硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，成膜了在ITO中導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件與所述實施例29A相同。其次，與所述實施例A29相同地，向接合膜照射了紫外線。還有，照射紫外線的區(qū)域為在硅基板形成的接合膜的表面中的周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。其次，與硅基板相同地，在不銹鋼基板上也進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，以使接合膜的照射了紫外線的面、和不銹鋼基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了硅基板和不銹鋼基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在80。C下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例33A)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從8(TC變更為25t:以外，與所述實施例32A相同地，得到了接合體。(實施例34A、38A、41A)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料以外，與所述實施例32A相同地得到了接合體。(實施例1B)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容形成有中間層的單晶硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，成膜了在ITO中導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>耙體ITO.腔室的到達真空度2Xl(T6Torr'成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr.腔室內(nèi)的溫度20°C*離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的施加電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘其次，在以下所示的條件下對得到的金屬氧化物膜實施實施熱處理，向金屬氧化物膜(ITO膜)的表面附近導入氫原子而形成了接合膜。還有，熱處理的條件如下所示。<熱處理的條件>熱處理時的腔室內(nèi)的壓力；1X10—3Torr氫氣的流量60sccm.腔室內(nèi)的溫度150°C處理時間60分鐘這樣成膜的接合膜由在ITO中導入了氫原子的材料構(gòu)成，包含金屬原子(銦及錫)、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和在所述金屬原子及所述氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基(氫原子)。由此，得到在單晶硅基板上依次形成了中間層及接合膜的本發(fā)明的帶有接合膜的基材。其次，在以下所示的條件下，向得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>*氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)'紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘另一方面，對玻璃基板(對置基板)的一面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使接合膜的照射紫外線的面、和玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例2B)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從80。C變更為25。C以外，與所述實施例1B相同地，得到了接合體。(實施例3B11B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表3所示的材料以外，與所述實施例1B相同地得到了接合體。(實施例13B、13B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表3所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在13(TCX10分鐘下進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例1B相同地得到接合體。(實施例14B)首先，與所述實施例1B相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和玻璃基板(對置基板)，分別進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在設置于硅基板的中間層的實施了表面處理的面上，與所述實施例1B相同地成膜接合膜。由此，得到了帶有接合膜的基材。其次，以使在帶有接合膜的基材設置的接合膜、和玻璃基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了帶有接合膜的基材和玻璃基板。還有，在以下所示的條件下對重疊的各基板照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成大氣(空氣)*氣氛氣體的溫度20'C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例15B)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板及玻璃基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿烷構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容這些基板兩者，在各基板設置的中間層的表面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，作為金屬氧化物膜，分別成膜了平均厚度100nm的ATO膜。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>耙體ATO*腔室的到達真空度2Xl(T6T0rr'成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr'腔室內(nèi)的溫度20°C*離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的施加電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘其次，在以下所示的條件下，對在各基板設置的中間層上得到的金屬氧化物膜實施熱處理，在金屬氧化物膜(ITO膜)的表面附近導入氫原子而形成了接合膜。還有，熱處理的條件如下所示。<熱處理的條件>熱處理時的腔室內(nèi)的壓力；1X10—3Torr氫氣的流量60sccm'腔室內(nèi)的溫度150°C-處理時間60分鐘其次，在以下所示的條件下，向在各基板上得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成大氣(空氣)*氣氛氣體的溫度20°C，氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使接合膜的照射紫外線的面之間接觸的方式，重疊各基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在80'C下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例16B)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從8(TC變更為25"C以外，與所述實施例15B相同地，得到了接合體。(實施例17B25B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表3所示的材料，除此之外，與所述實施例15B相同地得到接合體。(實施例26B、27B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表3所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在13(TCX10分鐘下進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例15B相同地得到接合體。(實施例28B)首先，與所述實施例15B相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和設置有中間層的玻璃基板(對置基板)，在各自設置的中間層進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在各基板設置的中間層的實施了表面處理的面分別與所述實施例15B相同地，成膜接合膜。由此，得到了兩片帶有接合膜的基材。其次，以使接合膜之間接觸的方式，重疊兩片帶有接合膜的基材，得到了層疊體。還有，在以下所示的條件下，從層疊體的玻璃基板側(cè)照射紫外線。<紫外線照射條件>*氣氛氣體的組成大氣(空氣)'氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例29B)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板及玻璃基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容這些基板兩者，在各基板設置的中間層的表面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，使用離子束濺射法，作為金屬氧化物膜，分別成膜了平均厚度100nm的ITO膜。還有，成膜條件如下所示。<離子束濺射的成膜條件>*耙體ITO.腔室的到達真空度2X10—6TOrr*成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr腔室內(nèi)的溫度20°C*離子束的加速電壓600V離子產(chǎn)生室側(cè)的向格柵的時間電壓+400V腔室側(cè)的向格柵的施加電壓一200V離子束電流200mA供給于離子產(chǎn)生室的氣體種類Kr氣體處理時間20分鐘其次，在以下所示的條件下，對在各基板設置的中間層上得到的金屬氧化物膜實施熱處理，在金屬氧化物膜(ITO膜)的表面附近導入氫原子而形成了接合膜。還有，熱處理的條件如下所示。<熱處理的條件>熱處理時的腔室內(nèi)的壓力；1X10—3Torr氫氣的流量60sccm*腔室內(nèi)的溫度150°C處理時間60分鐘-其次，分別在以下所示的條件下向在各基板上得到的接合膜照射了紫外線。還有，照射紫外線的區(qū)域為在單晶硅基板形成的接合膜的表面整體、和在玻璃基板形成的接合膜的表面中的周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。<紫外線照射條件>-氣氛氣體的組成大氣(空氣)，氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)'紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘其次，以使接合膜的照射紫外線的面之間接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在80'C下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例30B)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從8(TC變更為25'C以外，與所述實施例29B相同地，得到了接合體。(實施例31B、35B37B、3犯、40B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表4所示的材料，除此之外，與所述實施例29B相同地得到接合體。(實施例32B)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為下側(cè)的方式，在圖4所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)收容形成有中間層的單晶硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，成膜了在ITO表面附近導入氫原子的接合膜(平均厚度100nm)。還有，成膜條件與所述實施例29B相同。其次，與所述實施例29B相同地，向接合膜照射了紫外線。還有，照射紫外線的區(qū)域為在硅基板形成的接合膜的表面中的周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。其次，與硅基板相同地，在不銹鋼基板上也進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，以使接合膜的照射了紫外線的面、和不銹鋼基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了硅基板和不銹鋼基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例33B)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從8(TC變更為25'C以外，與所述實施例32B相同地，得到了接合體。(實施例34B、38B、41B)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料以外，與所述實施例32B相同地得到了接合體。(實施例1C)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿烷構(gòu)成的中間層。其次，在圖8所示的成膜裝置500的腔室511內(nèi)收容形成有中間層的單晶硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，將原材料作為2，4一戊二酮一銅(II)，使用MOCVD法，成膜了平均厚度100nm的接合膜。還有，成膜條件如下所示。<成膜條件>*腔室內(nèi)的氣氛氮氣+氫氣'有機金屬材料(原材料)2，4一戊二酮一銅(II)霧化的有機金屬材料的流量lsccm*載體氣體氮氣載體氣體的流量500sccm氫氣的流量0.2sccm.腔室的到達真空度2X10—6Torr*成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr，基板支撐架的溫度275°C處理時間10分鐘如上所述地成膜的接合膜含有銅原子作為金屬原子，作為脫離基，含于2，4一戊二酮一銅(II)的有機物的一部分殘留。由此，得到在單晶硅基板上依次形成有中間層及接合膜的本發(fā)明的帶有接合膜的基材。其次，在以下所示的條件下，向得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>*氣氛氣體的組成氮氣*氣氛氣體的溫度20°C-氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘另一方面，對玻璃基板(對置基板)的一面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使接合膜的照射紫外線的面、和玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到了接合體。其次，以10MPa加壓的同時，在12(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例2C)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從12(TC變更為25'C以外，與所述實施例1C相同地，得到了接合體。(實施例3CHC)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表5所示的材料，除此之外，與所述實施例1C相同地得到接合體。(實施例12C、13C)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表5所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在熱板上以13(TCX10分鐘進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例1C相同地得到接合體。(實施例14C)首先，與所述實施例1C相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和玻璃基板(對置基板)，分別進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在設置于硅基板的中間層的實施了表面處理的面上，與所述實施例1C相同地成膜接合膜。由此，得到了帶有接合膜的基材。其次，以使在帶有接合膜的基材設置的接合膜、和玻璃基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了帶有接合膜的基材和玻璃基板。還有，在以下所示的條件下對重疊的各基板照射紫外線。<紫外線照射條件>*氣氛氣體的組成氮氣氣氛氣體的溫度20°C-氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以10MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例15C)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板及玻璃基板上供給，由此形成了由平均厚度l)im的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為上側(cè)的方式，在圖8所示的成膜裝置500的腔室511內(nèi)收容這些基板兩者，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，將原材料作為2，4一戊二酮一銅(11)，使用MOCVD法，成膜了平均厚度100nm的接合膜。還有，成膜條件如下所示。<成膜條件>，腔室內(nèi)的氣氛氮氣+氫氣'有機金屬材料(原材料)2，4—戊二酮一銅(II)霧化的有機金屬材料的流量lsccm*載體氣體氮氣載體氣體的流量500sccm氫氣的流量0.2sccm'腔室的到達真空度2X10—6Torr*成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr基板支撐架的溫度275°C，處理時間10分鐘其次，在以下所示的條件下，向得到的接合膜照射紫外線。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣*氣氛氣體的溫度2(TC*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)'紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間；5分鐘其次，從照射紫外線后，經(jīng)過一分鐘后，以使照射了紫外線的面之間接觸的方式，重疊各基板。由此，得到了接合體。其次，以10MPa加壓的同時，在12(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例16C)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從12(TC變更為25'C以外，與所述實施例15C相同地，得到了接合體。(實施例17C25C)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表5所示的材料，，除此之外，與所述實施例15C相同地得到了接合體。(實施例26C、27C)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表5所示的材料，通過將對苯乙烯(PPV)的水分散液利用旋涂法涂敷于單晶硅基板上后，在熱板上以13(TCX10分鐘進行退火處置而形成中間層，除此之外，與所述實施例15C相同地得到接合體。(實施例28C)首先，與所述實施例15C相同地，準備設置有中間層的單晶硅基板(基板)、和設置有中間層的玻璃基板(對置基板)，對各自設置的中間層進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在設置于各基板的中間層的實施了表面處理的面上，與所述實施例15C相同地成膜接合膜。由此，得到了兩片帶有接合膜的基材。其次，以接合膜之間接觸的方式，重疊了兩片帶有接合膜的基材和玻璃基板，得到了層疊體。還有，在以下所示的條件下，從層疊體的玻璃基板側(cè)照射紫外線。<紫外線照射條件>氣氛氣體的組成氮氣氣氛氣體的溫度20'C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)*紫外線的波長172nm，紫外線的照射時間；5分鐘由此，接合各基板，得到了接合體。接著，以10MPa加壓的同時，在8(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例29C)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板及玻璃基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿烷構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為上側(cè)的方式，在圖8所示的成膜裝置500的腔室511內(nèi)收容這些基板兩者，在各基板設置的中間層的表面進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，將原材料作為2，4一戊二酮一銅(n)，使用MOCVD法，成膜了平均厚度100nm的接合膜。還有，成膜條件如下所示。<成膜條件>，腔室內(nèi)的氣氛氮氣+氫氣有機金屬材料(原材料)2，4一戊二酮一銅(II)霧化的有機金屬材料的流量lsccm，載體氣體氮氣載體氣體的流量500sccm氫氣的流量0.2sccm*腔室的到達真空度2X10—6Torr*成膜時的腔室內(nèi)的壓力1X10—3Torr基板支撐架的溫度275°C處理時間10分鐘其次，分別在以下所示的條件下向得到的接合膜照射了紫外線。還有，照射了紫外線的區(qū)域為在單晶硅基板形成的接合膜的表面整體、和在玻璃基板形成的接合膜的表面中的周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。<紫外線照射條件>，氣氛氣體的組成氮氣，氣氛氣體的溫度20°C*氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa).紫外線的波長172mn*紫外線的照射時間；5分鐘其次，以使接合膜的照射了紫外線的面之間接觸的方式，重疊單晶硅基板和玻璃基板。由此，得到了接合體。其次，以10MPa加壓的同時，在12(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例30C)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從120'C變更為8(TC以外，與所述實施例29C相同地，得到了接合體。(實施例31C、35C37C、39C、40C)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表6所示的材料，除此之外，與所述實施例29C相同地得到接合體。(實施例32C)首先，作為基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的單晶硅基板，作為對置基板，準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm、平面度500nm(JISB0621中規(guī)定)的玻璃基板。其次，作為聚異氰酸酯，準備甲苯二異氰酸酯("T一80"、日本聚氨酯工業(yè)公司制)，作為多元醇，準備聚醚多元醇("OHV35"、三洋化成工業(yè)公司制)，作為催化劑，準備辛酸第一錫("MRH110"、城北化學公司制)，將這些在水的存在下混合，同時，向單晶硅基板上供給，由此形成了由平均厚度lpm的發(fā)泡尿垸構(gòu)成的中間層。其次，以中間層成為上側(cè)的方式，在圖8所示的成膜裝置500的腔室511內(nèi)收容形成有中間層的硅基板，進行了利用氧等離子體的表面處理。其次，在中間層的進行了表面處理的面上，與所述實施例29C相同地,成膜了接合膜(平均厚度100nm)。其次，與所述實施例29C相同地，向接合膜照射了紫外線。還有，照射紫外線的區(qū)域為在硅基板上形成的接合膜的表面中周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域。其次，與硅基板相同地，在不銹鋼基板上也迸行了利用氧等離子體的表面處理。其次，以使接合膜的照射了紫外線的面、和不銹鋼基板的進行了表面處理的面接觸的方式，重疊了硅基板和不銹鋼基板。由此，得到了接合體。其次，以3MPa加壓的同時，在12(TC下加熱得到的接合體，維持15分鐘。由此，提高了接合體的接合強度。(實施例33C)將加壓的同時加熱接合體時的加熱溫度從12(TC變更為8(TC以外，與所述實施例32C相同地，得到了接合體。(實施例34C、38C、41C)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表6所示的材料以外，與所述實施例32C相同地得到了接合體。(比較例13)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別作為表5所示的材料，將各基材之間用環(huán)氧系粘接劑粘接，除此之外，與所述實施例1C相同地，得到了接合體。(比較例46)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別作為表5所示的材料，將各基材之間用Ag糊劑粘接，除此之外，與所述實施例1C相同地，得到了接合體。(比較例79)將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別作為表6所示的材料，將各基材之間在周緣部的寬度3mm的框狀區(qū)域用環(huán)氧系粘接劑部分地粘接，除此之外，與所述實施例1C相同地，得到了接合體。2.接合體的評價2.1接合強度(割裂強度)的評價對于各實施例1A28A、各實施例1B28B、各實施例1C28C、及各比較例16中得到的接合體，分別測定了接合強度。接合強度的測定通過在剝離各基板2時，測定剝離臨前的強度而進行。還有，按照以下的基準，評價接合強度。<接合強度的評價基準>◎:lOMPa(100kgPcm2)以上〇5MPa(50kgf/cm2)以上、小于10MPa(100kgfW)△:lMPa(10kgf/cm2)以上、小于5MPa(50kgf/cm2)X:小于IMPa(10kgfcm2)2.2尺寸精度的評價對于各實施例及各比較例得到的接合體，分別測定厚度方向的尺寸精度。尺寸精度的測定通過測定正方形的接合體的各角部，算出四處厚度的最大值和最小值而進行。還有，按照以下基準，評價該差。<尺寸精度的評價基準>〇小于lOjimX:10pm以上2.3耐藥品性的評價在以下的條件下，在維持8(TC的噴墨打印機用墨液(愛普生公司制、"HQ4")中浸漬各實施例及各比較例中得到的接合體。然后，剝離基板2，確認墨液是否浸入了接合界面。還有，按照以下基準，評價其結(jié)果。<耐藥品性的評價基準>完全沒有浸入〇角部略有浸入沿緣部浸入X:向內(nèi)側(cè)浸入2.4電阻率的評價對于各實施例12A、13A、26A、27A、12B、13B、26B、27B、12C、13C、26C、27C、及各比較例5、6中得到的層疊體分別測定了接合部分的電阻率。還有，按照以下的基準，評價了測定的電阻率。<電阻率的評價基準>〇小于1X10_3QcmX:1X10—3Qcm以上2.5形狀變化的評價對于各實施例29A41A、各實施例29B41B、各實施例29C41C及各比較例79中得到的接合體，測定各自的接合體的接合前后中的形狀變化。具體來說，在接合前后測定接合體的翹起量，按照以下的基準進行評<翹起的評價基準>在接合前后，翹起量幾乎不變化〇在接合前后，翹起量略微變化在接合前后，翹起量略微大幅度變化X:在接合前后，翹起量大幅度變化以上，2.12.5的各評價結(jié)果示出在表1表6中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage90</column></row><table>*PET:聚對苯二甲酸乙二醇酯PL聚酰亞胺200810148990.8轉(zhuǎn)溜齒被84/88M表3:<table>tableseeoriginaldocumentpage91</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage92</column></row><table>表5:<table>tableseeoriginaldocumentpage93</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage94</column></row><table>權(quán)利要求1.一種帶有接合膜的基材，其特征在于，具有基材；接合膜，其包含金屬原子、與該金屬原子結(jié)合的氧原子、和在所述金屬原子及所述氧原子的至少一方結(jié)合的脫離基；中間層，其夾在所述基材和所述接合膜之間，且厚度能夠根據(jù)施加的應力而變化，所述接合膜在至少一部分區(qū)域被賦予能量，存在于所述接合膜的表面附近的所述脫離基從所述金屬原子及所述氧原子的至少一方脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯示與其他的被粘附體的粘接性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基在所述接合膜的表面附近不均勻。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶有接合膜的基材，其中，所述金屬原子為銦、錫、鋅、鈦及銻中的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基為氫原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子、或由這些各原子構(gòu)成的原子團中的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，在所述接合膜中，作為脫離基，向銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銻錫氧化物(ATO)、含氟銦錫氧化物(FTO)、氧化鋅(ZnO)或二氧化鈦(Ti02)導入氫原子。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜中的金屬原子和氧原子的存在比為3:77:3。7.—種帶有接合膜的基材，其特征在于，基材；接合膜，其包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基；中間層，其夾在所述基材和所述接合膜之間，且厚度能夠通過施加的應力而變化，所述接合膜在至少一部分區(qū)域被賦予能量，存在于所述接合膜的表面附近的所述脫離基從該接合膜脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯示與其他的被粘附體的粘接性。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜是將有機金屬材料作為原材料，使用有機金屬化學氣相生長法來成膜的接合膜。9.根據(jù)權(quán)利要求S所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜是在低還原性氣氛下成膜的接合膜。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基是含于所述有機金屬材料的有機物的一部分殘留的脫離基。11.根據(jù)權(quán)利要求810中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基以碳原子作為必要成分，且包含氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵素原子中的至少一種的原子團構(gòu)成。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的帶有接合膜的基材，其中，所述脫離基為烷基。13.根據(jù)權(quán)利要求812中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述有機金屬材料為金屬絡合物。14.根據(jù)權(quán)利要求713中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述金屬原子為銅、鋁、鋅及鐵中的至少一種。15.根據(jù)權(quán)利要求714中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比為3:77:3。16.根據(jù)權(quán)利要求115中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述中間層直接接合于所述接合層。17.根據(jù)權(quán)利要求116中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述中間層是彈性變形的。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的帶有接合膜的基材，其中，所述中間層的貯存彈性模量為0.0110MPa。19.根據(jù)權(quán)利要求118中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述中間層的平均厚度為510000nm。20.根據(jù)權(quán)利要求119中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，在將所述中間層的平均厚度設為A[nm]，將所述接合膜的平均厚度設為B[nm]時，A/B滿足0.1《A/B《1000的關(guān)系。21.根據(jù)權(quán)利要求120中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜在至少表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離后，產(chǎn)生活性鍵。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的帶有接合膜的基材，其中，所述活性鍵為未結(jié)合鍵或羥基。23.根據(jù)權(quán)利要求122中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜的平均厚度為11000nm。24.根據(jù)權(quán)利要求123中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，所述接合膜呈不具有流動性的固體狀。25.根據(jù)權(quán)利要求124中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，至少所述基材的與所述中間層接觸的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料構(gòu)成。26.根據(jù)權(quán)利要求125中任一項所述的帶有接合膜的基材，其中，在所述中間層的與所述接合膜接觸的一側(cè)的面，預先實施有提高與所述接合膜的密接性的表面處理。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的帶有接合膜的基材，其中，所述表面處理為等離子體處理。28.—種接合方法，其特征在于，包括準備權(quán)利要求127中任一項所述的帶有接合膜的基材、和所述其他的被粘附體的工序；向該帶有接合膜的基材所具有的所述接合膜的至少一部分的區(qū)域賦予能量的工序；以使所述接合膜和所述其他的被粘附體密接的方式，貼合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體而得到接合體的工序。29.—種接合方法，其特征在于，包括準備權(quán)利要求127中任一項所述的帶有接合膜的基材、和所述其他的被粘附體的工序；以使所述接合膜和所述其他的被粘附體密接的方式，貼合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體而得到層疊體的工序；通過向該層疊體中的所述接合膜的至少一部分的區(qū)域賦予能量，接合所述帶有接合膜的基材和所述其他的被粘附體而得到接合體的工序。30.根據(jù)權(quán)利要求28或29所述的接合方法，其中，所述能量的賦予通過向所述接合膜照射能量射線的方法、加熱所述接合膜的方法、及向所述接合膜施加壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的接合方法，其中，所述能量射線為波長126300nm的紫外線。32.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的接合方法，其中，所述加熱的溫度為25100'C。33.根據(jù)權(quán)利要求3032中任一項所述的接合方法，其中，所述壓縮力為0.210MPa。34.根據(jù)權(quán)利要求3033中任一項所述的接合方法，其中，所述能量的賦予在大氣氣氛中進行。35.根據(jù)權(quán)利要求2834中任一項所述的接合方法，其中，所述其他的被粘附體具有預先實施了提高與所述接合膜的密接性的表面處理的表面，所述帶有接合膜的基材對于所述實施了表面處理的表面以所述接合膜密接的方式來貼合。36.根據(jù)權(quán)利要求2835中任一項所述的接合方法，其中，所述其他的被粘附體預先具有具有選自官能團、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物構(gòu)成的組的至少一個基團或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材對于具有所述基團或物質(zhì)的表面以所述接合膜密接的方式來貼合。37.根據(jù)權(quán)利要求2836中任一項所述的接合方法，其中，還包括對于所述接合體，進行提高所述接合體的接合強度的處理的工序。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的接合方法，其中，所述進行提高接合強度的處理的工序通過向所述接合體照射能量射線的方法、加熱所述接合體的方法、及向所述接合體施加壓縮力的方法中的至少一種方法來進行。39.—種接合體，其特征在于，具有權(quán)利要求127中任一項所述的帶有接合膜的基材和被粘附體，且將它們經(jīng)由所述接合膜接合而成。40.—種接合體，其特征在于，具有兩片權(quán)利要求127中任一項所述的帶有接合膜的基材，且將它們以使所述接合膜之間對置的方式接合而成。全文摘要本發(fā)明提供具備能夠以高的尺寸精度，且在低溫下效率良好地接合于粘附體的帶有接合膜的基材、能夠?qū)⑺鰩в薪雍夏さ幕暮驼掣襟w在低溫下效率良好地接合的接合方法、及帶有接合膜的基材和粘附體以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有基板(2)、接合膜(3)、和夾在這些基板(2)和接合膜(3)之間的中間層(7)，能夠與對置基板(其他的被粘附體)(4)接合。該帶有接合膜的基材具備的接合膜(3)在其至少一部分的區(qū)域被賦予能量，在表面(35)附近存在的脫離基脫離，由此在接合膜(3)的表面(35)顯示與對置基板4的粘接性。文檔編號B32B37/00GK101391496SQ200810148990公開日2009年3月25日申請日期2008年9月22日優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日發(fā)明者五味一博申請人:精工愛普生株式會社