專利名稱：抗蝕劑圖案,形成抗蝕劑圖案的工藝以及形成布線圖案的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及抗蝕劑圖案、其形成處理，并涉及形成布線圖案的工藝。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及形成形狀、尺寸、精確度以及其它性質(zhì)穩(wěn)定的抗蝕劑圖案的技術(shù)。另外，本發(fā)明涉及通過(guò)電鍍或提升處理而形成精細(xì)的布線圖案的工藝。抗蝕劑圖案、形成抗蝕劑圖案的工藝、形成布線圖案的工藝可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于半導(dǎo)體裝置制造工藝或電子部件制造工藝，這些工藝需要精細(xì)的圖案。
作為形成厚度超過(guò)1μm的精細(xì)布線的工藝，可以提及一種如圖9A到9G所示的半添加(電鍍)工藝，以及如

圖10A到10F所示的提升工藝。
首先，將描述半添加工藝。根據(jù)這個(gè)工藝，在基片31上形成由金屬材料制成的饋送薄膜32(或電鍍基礎(chǔ))(如圖9A)，然后將正的抗蝕劑33施加到饋送薄膜32上(圖9B)。結(jié)果，通過(guò)光掩模34的孔34a(如圖9C)使抗蝕劑33暴露于紫外線輻射，然后經(jīng)受顯像處理(圖9D)?？刮g劑33的暴露于紫外線輻射的區(qū)域變得可溶，由此曝光后的區(qū)域通過(guò)顯像而溶解，以給出抗蝕劑圖案35，其截面是矩形的。
在這個(gè)步驟之后，將電壓施加到饋送薄膜32，使實(shí)行電鍍，并將電鍍金屬沉淀在饋送薄膜32未由抗蝕劑圖案35覆蓋的區(qū)域中(圖9E)，以形成電鍍薄膜36。在完成電鍍后，去掉抗蝕劑圖案35(圖9F)，并通過(guò)蝕刻將未由電鍍薄膜36未覆蓋的區(qū)域內(nèi)的饋送薄膜32去掉，以在基片31上給出目標(biāo)布線圖案37。
接著，將描述提升工藝。根據(jù)這個(gè)工藝，將負(fù)性抗蝕劑42施加到如圖10A中所示的基片的表面上(圖10B)，然后通過(guò)光掩模43的孔43a(圖10C)使抗蝕劑42暴露于紫外線輻射，并使曝光的抗蝕劑經(jīng)受顯像處理(圖10D)。在暴露于紫外線輻射的區(qū)域中的抗蝕劑42變得不可溶，而曝光的區(qū)域在顯像后依然保留，以給出抗蝕劑圖案44，它的截面是逐漸增厚的。
接著，電極材料45從抗蝕劑圖案44上沉淀在基片41上(圖10E)，將抗蝕劑圖案44和沉淀在抗蝕劑圖案44上的電極材料45去掉，給出基片41上的目標(biāo)布線圖案46(圖10F)。
如從上述解釋顯而易見的，半添加工藝和提升工藝都需要形成抗蝕劑圖案，其厚度大于目標(biāo)需要的布線的厚度，由它們的操作表明，這需要形成比較厚的抗蝕劑圖案。另外，由半添加工藝形成的抗蝕劑圖案截面必需是矩形的，而由提升工藝形成的抗蝕劑圖案截面必需是逐漸增厚的。
另外，半添加工藝和提升工藝的特征都在于，在形成抗蝕劑圖案后形成布線材料薄膜，以給出布線圖案。布線圖案的尺寸、形狀和精度反映出抗蝕劑圖案的尺寸、形狀和精度。結(jié)果，重要的是要保持抗蝕劑圖案的形狀，直到形成布線材料的圖案的工藝已經(jīng)結(jié)束，目的是提供精細(xì)的布線，足夠具有目標(biāo)需要的尺寸、形狀和精度。
但是，根據(jù)傳統(tǒng)的形成抗蝕劑圖案的工藝，當(dāng)要形成的抗蝕劑薄膜的厚度增加時(shí)，會(huì)發(fā)生下面的結(jié)果(1)由于抗蝕劑在光刻階段烘焙時(shí)的除氣(氣體發(fā)射)抗蝕劑圖案的體積的收縮，(2)因?yàn)椴季€材料的飛動(dòng)的微粒和氣體微粒之間的碰撞引起布線材料的有缺陷的薄膜，其中氣體微粒隨著在形成布線材料薄膜中溫度的增加而來(lái)自除氣，及(3)布線材料的應(yīng)力。
由于這些結(jié)果引起的抗蝕劑的凹陷或變形，以及抗蝕劑的理想的形狀無(wú)法保持，結(jié)果，當(dāng)形成布線材料的薄膜時(shí)，無(wú)法得到目標(biāo)需要的布線圖案。
本發(fā)明已經(jīng)解決了上述技術(shù)問(wèn)題，其目的是提供形成布線圖案的工藝，這種工藝可以生產(chǎn)一種具有目標(biāo)尺寸、形狀和精度的精細(xì)的布線圖案，同時(shí)抑制由于熱或應(yīng)力引起的抗蝕劑圖案的變形。
根據(jù)本發(fā)明的抗蝕劑圖案包括多個(gè)形成在其表面上的凹陷，凹陷未達(dá)到抗蝕劑圖案的背面。
由于本發(fā)明的抗蝕劑圖案具有多個(gè)形成在其表面上的凹陷，該凹陷既不穿透圖案，也不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面，故抗蝕劑圖案的體積可以較小，其表面積可以比通常的大。由于通過(guò)如上所述在抗蝕劑圖案上形成凹陷減小抗蝕劑圖案的體積，故可以減小抗蝕劑圖案在烘焙時(shí)除氣的體積，從而抗蝕部圖案的體積收縮可以減少。另外，通過(guò)使抗蝕劑圖案截面為齒狀或梳形，可以減小從布線圖案施加的應(yīng)力，由此減小抗蝕劑圖案中的變形。
另外，當(dāng)抗蝕劑圖案的表面積增加時(shí)，當(dāng)烘焙抗蝕劑圖案時(shí)，氣體可以充分地從抗蝕劑圖案放出。因此，可以減小薄膜形成步驟中放出的氣體的體積，以避免由從抗蝕劑圖案發(fā)出的氣體微粒引起布線圖案的飛動(dòng)的微粒散布，并確?；系谋∧さ母街?。結(jié)果例如由抗蝕劑圖案的體積收縮引起的抗蝕劑圖案的變形可以被抑制，并且布線材料的薄膜的形成步驟不會(huì)受到來(lái)自抗蝕劑圖案的氣體發(fā)射的妨礙，這導(dǎo)致形成精確的以及令人滿意的布線圖案。據(jù)此，由于凹陷部分不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面，故它們不影響布線圖案的圖案形狀。
更具體地說(shuō)，厚度為2μm或更大的厚的抗蝕劑常常遭受體積收縮和/或變形，并且將這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用于厚度為2μm或更大的抗蝕劑達(dá)到顯著的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的抗蝕劑圖案的形成工藝包括步驟通過(guò)光掩模使抗蝕劑曝光，并使曝光的抗蝕劑顯像，光掩模具有線寬等于或小于分辨極限的圖案，用于在抗蝕劑圖案的表面上形成凹陷，凹陷不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面。
根據(jù)這種用于形成抗蝕劑圖案的工藝，可以通過(guò)一種傳統(tǒng)的方法，使凹陷形成在抗蝕劑圖案的表面上，其中該凹陷不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面，并且只使用了具有其線寬等于或小于分辨極限的圖案的光掩模。結(jié)果，可以照樣使用傳統(tǒng)的曝光設(shè)備等，將可以容易地以低成本形成抗蝕劑圖案。
根據(jù)本發(fā)明的形成金屬化的工藝包括步驟將抗蝕劑施加到底板饋送薄膜上，通過(guò)光掩模使抗蝕劑曝光，其中光掩模具有其線寬等于或小于分辨極限的圖案，使曝光的抗蝕劑顯像，以在抗蝕劑圖案的表面上形成槽凹陷，凹陷不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面，在饋送薄膜上未由抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域內(nèi)沉淀電鍍金屬，在沉淀后去掉抗蝕劑圖案，并選擇性地去掉未由電鍍金屬覆蓋的區(qū)域內(nèi)的饋送薄膜。
上述處理是根據(jù)所謂的半添加工藝來(lái)形成布線圖案的工藝。將上面所解釋的工藝應(yīng)用于這個(gè)工藝可以減小抗蝕劑圖案的體積，并且可以增加抗蝕劑圖案的表面積，由此，可以減小在抗蝕劑圖案烘焙，以給出抗蝕劑圖案的目標(biāo)需要的形狀時(shí)，抗蝕劑圖案的體積的收縮。結(jié)果，可以形成目標(biāo)需要的的精細(xì)布線圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的形成布線的工藝包括步驟將抗蝕劑施加到基片上，通過(guò)光掩模使抗蝕劑曝光，其中光掩模具有其線寬等于或小于分辨精細(xì)的圖案，使曝光的抗蝕劑曝光，以在抗蝕劑圖案的表面上形成槽凹陷，凹陷部分不達(dá)到抗蝕劑圖案的背面，使金屬材料沉淀在抗蝕劑圖案和基片上，然后從基片上去掉抗蝕劑，以去掉抗蝕劑上的金屬材料。
上述的工藝是根據(jù)所謂的提升工藝形成布線圖案的工藝。當(dāng)上面所解釋的工藝應(yīng)用于這個(gè)工藝時(shí)，抗蝕劑圖案的體積更小，并且其表面積可以比平時(shí)更大，由此，可以減小在金屬材料沉積時(shí)隨著溫度增加時(shí)除氣的體積，并且可以顯著地抑制抗蝕劑圖案體積收縮和/或變形。另外，通過(guò)在抗蝕劑圖案表面上形成凸出和凹陷，金屬材料的應(yīng)力可以沿方向散布開，并可以顯著地減小施加在抗蝕劑圖案的邊緣上的應(yīng)力。通過(guò)這些效果，可以防止由金屬材料的薄膜的形成引起的抗蝕劑圖案的變形。另外，即使是薄膜形成后，也可以保持抗蝕劑圖案的形狀，并可以通過(guò)提升工藝形成目標(biāo)布線圖案，并且可以得到具有精確的需要的形狀、尺寸、精度等的抗蝕劑圖案。
為了描述本發(fā)明，這里示出了幾個(gè)目前較佳的形式，但是應(yīng)該知道，本發(fā)明不限于這里示出的精確的安排和手段。
從下面對(duì)本發(fā)明參照附圖的描述，本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。
圖1A到1F是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于形成布線圖案的工藝。
圖2是描述用于上述工藝中的光掩模的示圖。
圖3A到3G是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，用于形成布線圖案的工藝。
圖4是描述用于上述工藝的光掩模的附圖。
圖5A是示出光掩模的一個(gè)例子的俯視圖，圖5B是通過(guò)使用這種光掩模曝光和顯像而得到的抗蝕圖形。
圖6A是俯視圖，示出光掩模的另一個(gè)例子，圖6B是使用目前的光掩模曝光和顯像得到的抗蝕圖形的截面圖。
圖7A是示出光掩模的另一個(gè)例子的俯視圖，圖7B是使用目前的光掩模曝光和顯像得到的抗蝕圖形的截面圖。
圖8A是示出光掩模的另一個(gè)例子的俯視圖，圖8B是使用目前的光掩模曝光和顯像得到的抗蝕圖形的截面圖。
圖9A到9G是示出通過(guò)半添加(電鍍)工藝形成布線圖案的工藝的截面圖。
圖10A到10F示出通過(guò)提升工藝形成布線圖案的工藝的截面圖。
下面，參照附圖詳細(xì)地解釋本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
參照?qǐng)D1A到1F，將化學(xué)感光負(fù)性抗蝕劑2旋轉(zhuǎn)地施加到如圖1A中所示的玻璃基片1上，其中化學(xué)感光負(fù)性抗蝕劑2的厚度為5μm，并將所涂敷的抗蝕劑預(yù)焙在90℃的電熱板上90秒鐘(圖1B)。
使用光掩模3(圖1C)將形成在基片1上的抗蝕劑2暴露于紫外線輻射(i-射線)。在這個(gè)過(guò)程中，將曝光量設(shè)置得大于正常的過(guò)度曝光。這里所使用的光掩模具有掩模圖案3a和掩模圖案3b，用于形成槽5，這將在下面描述。掩模圖案3a形成在去掉了抗蝕劑的區(qū)域內(nèi)，并且其線寬(5到200μm)等于或大于分辨極限。掩模圖案3b的線寬(1.5μm)等于或小于分辨極限，如圖2所示(光掩模的掩模圖案3a、3b的區(qū)域是圖2中的斜線陰影部分)。將5∶1減量投影式光刻機(jī)(分步重復(fù)系統(tǒng))用于曝光，將曝光量設(shè)置為80mJ/cm2。
將上述基片1放置在110℃的電熱板上，并后曝光烘焙(PEB；Post ExposureBake)60秒鐘，并在堿性顯像劑中顯像、用水清洗、并通過(guò)N2吹風(fēng)干燥，以在基片1上給出抗蝕劑圖案4(圖1D)。在這個(gè)階段，基片1上的抗蝕劑圖案包含有三種類型的區(qū)域，即區(qū)域4a“抗蝕劑2完全溶解的部分”(相應(yīng)于掩模圖案3a)、區(qū)域4b“沒有抗蝕劑2溶解的部分”(相應(yīng)于工業(yè)3的透射區(qū)域3c)、以及區(qū)域4c“抗蝕劑2部分地而不是全部溶解的部分”(相應(yīng)于掩模圖案3b)。
抗蝕劑2完全溶解和去掉的區(qū)域4a是這樣的區(qū)域，即紫外線輻射完全被光掩模3中的掩模圖案3a截?cái)嗟膮^(qū)域，其掩模圖案3a的線寬等于或大于分辨極限。沒有抗蝕劑2溶解的區(qū)域4b是這樣的區(qū)域，即通過(guò)光掩模3中的透射區(qū)域曝光的區(qū)域?？刮g劑部分地而不是完全溶解的區(qū)域4c是這樣的區(qū)域，即紫外線輻射被線寬等于或小于分辨極限的掩模圖案3b截?cái)?，并形成為齒狀或梳形，并由窄槽5構(gòu)成(每一個(gè)窄槽的深度不達(dá)到基片1)，并具有波紋表面。另外，抗蝕劑圖案4的邊緣是倒錐形的。
接著，通過(guò)真空鍍膜(圖1E)，在基片1上形成Ti/Cu膜6，它由Cu上層和Ti下層構(gòu)成，然后將基片1浸入丙酮中，抗蝕劑圖案4和形成在抗蝕劑圖案4上的Ti/Cu膜6通過(guò)提升工藝被剝?nèi)?，以給出目標(biāo)要求的精細(xì)的布線圖案7(圖1F)。在真空鍍膜過(guò)程中基片不被加熱，并將膜的厚度設(shè)置為Ti50nm和Cu4μm。
當(dāng)線寬等于或小于分辨極限的掩模圖案3b形成在區(qū)域上，以曝光，并且紫外線輻射到基片上以部分地溶解抗蝕劑，并且由此使曝光區(qū)域截面成為齒狀或梳形(如在本實(shí)施例中)時(shí)，抗蝕劑圖案4的體積可以比通常的小。隨著在形成Ti/Cu膜時(shí)溫度的升高從抗蝕劑圖案4發(fā)射出的氣體的體積于是減少。結(jié)果，可以顯著地抑制由除氣引起的體積的收縮和抗蝕劑圖案4的變形。
另外，通過(guò)在形成Ti/Cu膜時(shí)減小除氣的體積，可以保護(hù)包含Cu和Ti的薄膜形成微粒不受到與氣體粒子碰撞的影響，由此允許它不受阻礙地沉淀在基片上。由此可以以高精度得到布線圖案。
另外，通過(guò)賦于齒狀或梳形的抗蝕劑圖案4的面，Ti/Cu膜的應(yīng)力(矩)減小，而抗蝕劑圖案4的邊緣上所施加的應(yīng)力可以大為減小。通過(guò)這些效果，可以防止抗蝕劑圖案4的變形，這變形是由形成Ti/Cu膜而引起的。另外，即使是在形成了薄膜后，也可以保持抗蝕劑圖案的形狀，可以通過(guò)提升工藝形成目標(biāo)所需的布線圖案，并可以制備具有例如想要的形狀、尺寸和精度的抗蝕劑圖案4。
在本實(shí)施例中使用的抗蝕劑不限于化學(xué)感光負(fù)性抗蝕劑，而可以使用任何種能夠提供可以提升的形狀的抗蝕劑。曝光系統(tǒng)也不限于減量型投影式光刻機(jī)，任何能夠產(chǎn)生目標(biāo)所需分辨力的類型的曝光系統(tǒng)都可以得到類似的優(yōu)點(diǎn)。用于薄膜形成的工藝也不限于真空鍍膜處理，任何能夠執(zhí)行提升工藝的技術(shù)都可以自由使用。基片和布線的材料不限于上面所提到的，本實(shí)施例也可以應(yīng)用于其它不同的材料。
第二實(shí)施例圖3A到3G是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，形成布線圖案的工藝。在本實(shí)施例中，通過(guò)電鍍工藝(半添加工藝)形成精細(xì)的布線。本來(lái)，如圖3A所示，在藍(lán)寶石基片11上形成底板饋送薄膜(Ti/Au膜)12，它由Au的上層(200nm厚)和Ti的下層(50nm厚)構(gòu)成；將感光正抗蝕劑13旋轉(zhuǎn)地施加到饋送薄膜12上，抗蝕劑13的厚度為7μm，并且產(chǎn)品在100℃的電熱板上預(yù)焙90秒鐘(圖3B)。
結(jié)果，使用通過(guò)光掩模14(圖3C)，使形成在基片11上的正抗蝕劑13曝光。在這一步驟中的曝光量應(yīng)該設(shè)置在正常的曝光量，或多少比正常的曝光量小。這一步驟中使用的光掩模14包括透射圖案14a和透射圖案14b，如圖4所示(光掩模14中的掩模圖案14c的區(qū)域在圖4中是斜線陰影)。透射圖案14a形成在這樣的區(qū)域內(nèi)，即抗蝕劑13要被去掉，并且線寬(10到400μm)等于或大于分辨極限，并且透射圖案14b的線寬(1μm)等于或小于分辨極限。在曝光中使用1∶1投影式光刻機(jī)(鏡面投影系統(tǒng))，并將曝光量設(shè)置在230mJ/cm2。
得到的基片用堿性顯像劑顯像，并且抗蝕劑13的暴露的區(qū)域溶解并被去掉，以形成抗蝕劑圖案15(圖3D)。結(jié)果，用水清潔基片11，然后通過(guò)N2吹風(fēng)干燥?？刮g劑在通過(guò)透射圖案14b(它線寬等于或小于分辨極限)而暴露的區(qū)域中不充分地溶解，并且在這個(gè)階段，抗蝕劑圖案15具有形成在其表面上的波浪形的突出和凹陷(或槽)15a(如圖3D所示)。
接著，將基片11放在120℃的電熱板上烘焙10秒鐘，并通過(guò)電鍍將厚度為5μm的Au膜沉淀，以形成Au的電鍍板16(圖3E)。此后，將基片11浸入有機(jī)溶劑，去掉抗蝕劑圖案15(圖3F)，在未由沉淀薄膜16覆蓋的區(qū)域中的饋送薄膜12被蝕刻，并由通過(guò)離子碾磨被去掉，以給出目標(biāo)需要的布線圖案17(圖3G)。
如在本發(fā)明中，當(dāng)在未曝光的區(qū)域中也形成透射圖案14(其線寬等于或小于分辨極限)，并且紫外線輻射到那里，則抗蝕劑部分地溶解，未曝光區(qū)域的表面為波浪形，從而能夠減小抗蝕劑圖案15的體積，并增加其表面積。由此，可以減小抗蝕劑圖案15在烘焙時(shí)體積的收縮，并可以減小布線圖案的薄膜形成中除氣的體積。結(jié)果，可以得到抗蝕劑圖案的目標(biāo)需要的圖案，以高度的精確給出目標(biāo)需要的精細(xì)布線圖案17。
在本實(shí)施例中，要使用的抗蝕劑不限于正的抗蝕劑，而包括任何能夠提供電鍍薄膜的目標(biāo)需要的形狀的類型的抗蝕劑；曝光系統(tǒng)也不限于1∶1投影光刻機(jī)曝光，而可以將任何能夠生產(chǎn)目標(biāo)需要的分辨率的類型的曝光系統(tǒng)用于得到類似的優(yōu)點(diǎn)。用于薄膜形成的處理同樣也不限于電鍍工藝，可以包括無(wú)電鍍工藝。用于基片和布線的材料不限于上述那些材料，任何類型的能夠電鍍的材料都可以使用。
(掩模圖案)要形成在掩模上，并且光束寬度等于或小于分辨極限的掩膜圖案或透射圖案可以是任何形狀的。圖5A、5B到圖8A、8B分別描述了形成在光掩膜上，并且線寬等于或小于分辨極限的透射圖案，以及通過(guò)使用光掩膜形成的抗蝕劑圖案的截面圖。更具體地說(shuō)，圖5A、5B示出使用具有線狀透射圖案21a的光掩膜21曝光和顯像得到的抗蝕劑圖案22的截面圖，其中透射圖案21a的線寬等于或小于分辨極限。圖6A、6B描述了使用線寬等于或小于分辨極限的格式圖案23a曝光和顯像得到的抗蝕劑圖案24的截面圖。圖7A、7B示出使用光點(diǎn)圖像25a的光掩膜25曝光和顯像得到的抗蝕劑圖案26。圖8A、8B示出使用具有同心圓圖案27a的光掩膜27曝光和顯像得到的抗蝕劑圖案28。另外，圖案可以是弧形的、多邊形的、卵形或其它形狀的，并且線寬等于或小于分辨極限。它也可以是這些形狀的組合的形狀。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，實(shí)現(xiàn)這里所揭示的原理的各種模式都包含在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。由此，知道本發(fā)明的范圍只由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種具有抗蝕劑圖案的基片，其中所述抗蝕圖案具有表面和背面，其特征在于所述抗蝕劑圖案包含形成在其表面上的多個(gè)凹陷，所述凹陷未達(dá)到抗蝕劑圖案的背面。
2.如權(quán)利要求1所述的具有抗蝕劑圖案的基片，其特征在于所述抗蝕劑的厚度等于或大于2μm。
3.用于形成抗蝕劑圖案的工藝，其特征在于所述工藝包含步驟通過(guò)光掩膜使抗蝕劑暴露于光；及使曝光后的抗蝕劑顯像，以形成抗蝕劑圖案，它具有表面和背面，所述光掩膜具有線寬等于或小于光的分辨極限的圖案，以在抗蝕劑圖案的表面上形成凹陷，所述凹陷不到達(dá)抗蝕劑圖案的背面。
4.一種形成布線圖案的工藝，所述工藝包含步驟將抗蝕劑涂覆在底板的饋送薄膜上；通過(guò)光掩模將抗蝕劑暴露于光，所述光掩模具有線寬等于或小于光分辨極限的圖案；使所述曝光的抗蝕劑顯像，以形成具有表面和背面的抗蝕劑圖案，抗蝕劑圖案表面上具有槽凹陷，所述凹陷未達(dá)到抗蝕劑圖案的背面；在沉淀后去掉抗蝕劑圖案；及在未由電鍍金屬覆蓋的區(qū)域中選擇性地去掉饋送薄膜。
5.一種形成如權(quán)利要求4所述的布線圖案的工藝，其特征在于所述抗蝕劑是正抗蝕劑。
6.一種形成布線圖案的工藝，其特征在于所述工藝包含步驟將抗蝕劑涂覆到基片上；通過(guò)光掩膜使抗蝕劑暴露于光，所述光掩膜具有線寬等于或小于光的分辨極限的圖案；使所述曝光后的抗蝕劑顯像，以形成具有表面和背面的抗蝕劑圖案，抗蝕劑圖案的表面上具有槽凹陷，所述凹陷未達(dá)到抗蝕劑圖案的背面；將金屬材料沉淀在所述抗蝕劑圖案和所述基片上；及隨后將抗蝕劑從基片上去掉，以去掉抗蝕劑上的所述金屬材料。
7.一種形成如權(quán)利要求6所述1布線圖案的工藝，其特征在于所述抗蝕劑是負(fù)性抗蝕劑。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種形成布線圖案的工藝,包含步驟:通過(guò)光掩膜使抗蝕劑曝光,所述光掩膜具有線寬等于或小于分辨極限的圖案;并使曝光后的抗蝕劑顯像,以形成抗蝕劑圖案,它的表面上具有槽凹陷,凹陷未達(dá)到抗蝕劑圖案的背面?？刮g劑可以是正抗蝕劑,其中抗蝕劑圖案形成在底板饋送薄膜上;電鍍金屬沉淀在饋送薄膜未由抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域中;在沉淀后將抗蝕劑去掉;在未由電鍍金屬覆蓋的區(qū)域中將饋送薄膜選擇性地去掉。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1254944SQ9912487
公開日2000年5月31日 申請(qǐng)日期1999年11月18日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月19日
發(fā)明者豐田祐二, 越戶義弘, 長(zhǎng)谷川正幸 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所