本實(shí)用新型涉及電子工業(yè)領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于蝕刻處理的蝕刻裝置。

背景技術(shù)：

許多電子產(chǎn)品例如電視、移動(dòng)電話、冰箱或甚至在汽車中都可見與平板顯示器的搭配應(yīng)用。液晶顯示面板由于具有良好的顯示及觸控質(zhì)量以及相對(duì)較低的成本，目前已成為平板顯示器的主流產(chǎn)品。一般來說，液晶顯示及觸控面板需經(jīng)由一至二道蝕刻工藝，完成導(dǎo)電線路成型的工藝。蝕刻機(jī)使用的頻度極高，各大面板廠在蝕刻房建制成本逐步提升。因此，對(duì)于作為蝕刻液的酸液氣的腐蝕性防護(hù)處理，顯的格外重要。

因此，亟需這樣的一種蝕刻裝置，其能夠有效避免酸蝕刻液和/或蝕刻氣外泄，從而避免對(duì)人員可能發(fā)生的傷害及蝕刻房銹蝕。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了提供一種能夠有效避免蝕刻過程中蝕刻液和/ 或蝕刻氣，例如，酸和/或酸氣，外泄的技術(shù)方案。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括：

蝕刻區(qū)，該蝕刻區(qū)允許待蝕刻物件在其中進(jìn)行蝕刻處理，且該蝕刻區(qū)的上部呈突起狀，所述突起的外側(cè)面與所述蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)是間隔開的；

水封區(qū)，該水封區(qū)由所述蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)、所述突起的外側(cè)面和所述蝕刻區(qū)的頂部所形成，該水封區(qū)用于捕獲由所述蝕刻區(qū)外逸的蝕刻液和/或蝕刻氣。

優(yōu)選的，所述突起為錐體狀、圓柱狀或多面體狀。

優(yōu)選的，所述水封區(qū)通過流體入口和流體出口被持續(xù)的供給用于捕獲外漏的蝕刻液和/或蝕刻氣的流體。

優(yōu)選的，所述水封區(qū)還包括溢流出口，該溢流出口用于外排過量的流體，以使得所述水封區(qū)內(nèi)的流體的高度等于或低于所述突起的高度。

優(yōu)選的，所述水封區(qū)還包括抽氣孔，該抽氣孔用于外排由所述蝕刻區(qū)外逸的蝕刻氣和/或蝕刻液，且其高度高于水封區(qū)中流體的高度。

優(yōu)選的，所述蝕刻裝置還包括內(nèi)蓋，該內(nèi)蓋用于封閉位于所述蝕刻區(qū)上部突起的開口。

優(yōu)選的，所述內(nèi)蓋是蝕刻氣和/或蝕刻液可透過的。

優(yōu)選的，所述蝕刻裝置還包括外蓋，該外蓋用于封閉整個(gè)蝕刻裝置。

優(yōu)選的，所述外蓋是蝕刻氣和/或蝕刻液不可透過的。

優(yōu)選的，所述外蓋呈水平狀或中間高兩端低的折角狀。

通過在蝕刻裝置中設(shè)置水封區(qū)，在刻蝕機(jī)啟動(dòng)之后，在所述水封區(qū)內(nèi)持續(xù)補(bǔ)給能夠捕獲蝕刻液和/或蝕刻氣的流體并將捕獲的蝕刻液和/或蝕刻氣送至待處理處，可有效避免蝕刻液和/或蝕刻氣外泄到蝕刻房里，造成污染銹蝕。優(yōu)選的情況下，在水封區(qū)高于流體的位置，設(shè)置一抽風(fēng)口，將蝕刻裝置中剩余的蝕刻液和/或蝕刻氣持續(xù)抽離，可進(jìn)一步降低蝕刻液和/或蝕刻氣的外逸。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的蝕刻裝置的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1 蝕刻區(qū) 2 水封區(qū) 21 抽氣孔

3 流體入口 4 流體出口 5 溢流口

6 內(nèi)蓋 7 外蓋

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

在本實(shí)用新型中，在未作相反說明的情況下，使用的術(shù)語如：

“上部”是指蝕刻裝置水平放置時(shí)，蝕刻區(qū)1水平線最高處所形成的突起；

“突起的外側(cè)面”是指突起部位背離蝕刻區(qū)1而面向水封區(qū)2的側(cè)面；

“蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)”是指蝕刻裝置外殼的內(nèi)側(cè)，也即，面向水封區(qū)2或是蝕刻區(qū)1的一面；

“蝕刻區(qū)1的頂部”是指蝕刻區(qū)1未與蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)間隔開的部分的水平線最高處。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括蝕刻區(qū) 1，該蝕刻區(qū)1允許待蝕刻物件在其中進(jìn)行蝕刻處理，且該蝕刻區(qū)1的上部呈突起狀，所述突起的外側(cè)面與所述蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)是間隔開的；水封區(qū)2，該水封區(qū)2由所述蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)、所述突起的外側(cè)面和所述蝕刻區(qū)1的頂部所形成，該水封區(qū)2用于捕獲由所述蝕刻區(qū)1外逸的蝕刻液和 /或蝕刻氣。

根據(jù)本實(shí)用新型，一般情況下，所述蝕刻區(qū)1向外散逸的主要為蝕刻液所形成的蝕刻氣或者為蝕刻區(qū)1的噴嘴噴灑蝕刻液所散逸成的微小液滴，而所述外漏的蝕刻液基本上是指由所述外逸的蝕刻氣冷凝后所形成的蝕刻液滴和所述微小液滴。

根據(jù)本實(shí)用新型，所述蝕刻區(qū)1的上部突起的形狀沒有特別的要求，只要其外側(cè)面和所述蝕刻區(qū)1的頂部以及所述蝕刻裝置的外壁內(nèi)側(cè)能夠形成可存儲(chǔ)流體的通道即可。例如，所述突起的形狀可以為但不限于椎體狀、圓柱狀或多面體狀。優(yōu)選的，所述突起的形狀為多面體狀，更優(yōu)選為長(zhǎng)方體狀(包括正方體狀)。

本實(shí)用新型提供的蝕刻裝置還可以包括多個(gè)蝕刻區(qū)1和水封區(qū)2所形成的重復(fù)單元，例如，所述重復(fù)單元可以有多個(gè)，如可以有三個(gè)或四個(gè)。但實(shí)用新型并不限于此，還可以有更多個(gè)，如5個(gè)或6個(gè)。蝕刻液通常通過噴淋的方式噴灑在蝕刻區(qū)1內(nèi)的待蝕刻物件上，當(dāng)蝕刻裝置包括蝕刻區(qū)1和水封區(qū)2的重復(fù)單元時(shí)，待蝕刻物件可以按照順序依次在多個(gè)重復(fù)單元內(nèi)分別經(jīng)過一段時(shí)間的噴淋后，完成整個(gè)蝕刻處理。在實(shí)用新型的技術(shù)方案中，主要是在蝕刻裝置中(蝕刻區(qū)1的外周)設(shè)置了水封區(qū)2，以吸收外逸的蝕刻液和/或蝕刻氣，從而有效避免蝕刻液和/或蝕刻氣的外漏給工作人員以及蝕刻房造成的危害，而并未對(duì)蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)及其工作過程做重大改進(jìn)，因此可以參考傳統(tǒng)的蝕刻裝置進(jìn)行時(shí)刻處理。

根據(jù)本實(shí)用新型，如圖1所示的，所述突起還包括有向上的開口，由此，本實(shí)用新型所提供的蝕刻裝置還包括用于封閉所述開口的內(nèi)蓋6和整個(gè)蝕刻裝置的外蓋7。其中，為了實(shí)現(xiàn)所述蝕刻區(qū)1內(nèi)的水汽平衡，所述內(nèi)蓋6的材質(zhì)是蝕刻液和/或蝕刻氣所能夠通透的(酸氣或酸液因蝕刻槽內(nèi)噴淋,蝕刻液呈現(xiàn)霧狀的水汽，酸氣流動(dòng)性高，故內(nèi)層蓋板無法完全將酸氣隔絕，因此，酸氣可進(jìn)入到內(nèi)蓋6和外蓋7所形成的空間)，例如，可以為PVC材質(zhì)。當(dāng)所述蝕刻氣穿透所述內(nèi)蓋6進(jìn)入至內(nèi)蓋6和外蓋7所形成的空間后，由于溫度的降低，會(huì)部分冷凝形成蝕刻液滴從而粘附在所述外蓋7的內(nèi)側(cè)(其中，所述外蓋7的材質(zhì)為蝕刻液和/或蝕刻氣不可通透的，例如，可以為但并不限于不可通透的PVC材質(zhì))。當(dāng)液滴不斷增重至超過其負(fù)荷后便會(huì)滴落至所述水封區(qū)2中，而被水封區(qū)2中的流體帶走。

其中，本實(shí)用新型對(duì)于所述外蓋7的形狀沒有特別的要求，其可以為水平狀的，或是具有一定傾角的。優(yōu)選的，為了便于所述蝕刻液滴能夠更好的滴落至所述水封區(qū)2中，所述外蓋7的形狀優(yōu)選為中間高而兩端低的折角狀。

根據(jù)本實(shí)用新型，所述水封區(qū)2通過不斷的流體流動(dòng)而將滴落至水封區(qū) 2中的蝕刻液帶走，其中，本實(shí)用新型對(duì)于水封區(qū)2內(nèi)的流體的種類并沒有特別的限制，例如，其可以為純水或堿水等，只要其能夠?qū)⑺鑫g刻液帶離至待處理處而不會(huì)對(duì)蝕刻工藝造成影響即可。

其中，如圖1所示的，所述水封區(qū)2還包括流體入口3和流體出口4，所述流體的流動(dòng)通過所述流體入口3和流體出口4不斷的供給流體而完成。所述流體的流動(dòng)速度本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際待處理的蝕刻液的情況進(jìn)行調(diào)整。

其中，優(yōu)選的，為了進(jìn)一步保證水封區(qū)2中的流體的高度不會(huì)超過所述突出部位以造成流體內(nèi)漏至蝕刻區(qū)1中，所述水封區(qū)2還包括有溢流口5，以使得水封區(qū)2內(nèi)的流體相對(duì)于所述突出的高度達(dá)到平衡狀態(tài)。

根據(jù)本實(shí)用新型，所述蝕刻區(qū)1中的蝕刻液可以為本領(lǐng)域任意的常規(guī)用于蝕刻的蝕刻液，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的情況而具體的選擇，例如，所述蝕刻液為可以為酸。

根據(jù)本實(shí)用新型的一種更為優(yōu)選的實(shí)施方式，為了進(jìn)一步防止蝕刻液和 /或蝕刻氣的外漏，如圖1所示的，本實(shí)用新型的蝕刻裝置的水封區(qū)2還包括一個(gè)或多個(gè)抽氣孔21，以進(jìn)一步外排沒有滴落至水封區(qū)2的流體中的蝕刻液和/或蝕刻氣，從而更加有效地防止蝕刻液和/或蝕刻氣的外漏。

其中，所述抽氣孔21的高度高于水封區(qū)2中流體的高度，以能夠順利的將剩余的蝕刻氣以及蝕刻液抽走。所述抽氣孔21的高出水封區(qū)2中流體的高度以使得在抽氣系統(tǒng)啟動(dòng)后不會(huì)或基本上不會(huì)由于抽力的作用而將水封區(qū)2中的流體抽走。

現(xiàn)結(jié)合圖1對(duì)本實(shí)用新型的一種具體的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)介紹。

首先，將水封區(qū)2中的流體入口3打開，并控制流量，使作為流體的水流入水封區(qū)2內(nèi)，待水封區(qū)2中的水達(dá)到預(yù)定的高度時(shí)，打開流體出口4以及溢流口5，同時(shí)調(diào)整水流量使得入水與出水和溢流情況穩(wěn)定并達(dá)到平衡狀態(tài)，在所述平衡狀態(tài)時(shí)，水封區(qū)內(nèi)水的高度低于所述突起的高度(其中，所述突起呈正方體狀)。待水封區(qū)2中的入水和出水達(dá)到平衡狀態(tài)后，蓋上蝕刻液和蝕刻氣可透過的內(nèi)蓋6，同時(shí)開啟抽氣系統(tǒng)，并保證設(shè)置在水封區(qū)2 中高于流體水的位置處的抽氣孔21正常運(yùn)作。之后，蓋上蝕刻液和蝕刻氣不可透過的水平外蓋7并啟動(dòng)蝕刻區(qū)1內(nèi)的蝕刻工序。其中，所述蝕刻區(qū)1 內(nèi)設(shè)置有多個(gè)向待蝕刻物件噴射蝕刻液的噴嘴，在噴射蝕刻液的過程中蝕刻液會(huì)部分散逸為微小的液滴，并通過所述內(nèi)蓋6而逃離到內(nèi)蓋6和外蓋7所形成的空間，另外，在蝕刻的過程中所產(chǎn)生的蝕刻氣也會(huì)通過所述內(nèi)蓋6而逃離到內(nèi)蓋6和外蓋7所形成的空間。當(dāng)逃離的微小液滴粘附在外蓋7下層并累積成超過其負(fù)荷的水珠后便會(huì)滴落至水封區(qū)2內(nèi)，從而被水封區(qū)2中流水所帶走，而未形成水珠的微小液滴或蝕刻氣則會(huì)通過抽氣孔21而被抽離出體系外。

通過采用本實(shí)用新型提供的蝕刻裝置，可有效地避免蝕刻過程中蝕刻液和/或蝕刻氣外漏至機(jī)房中，從而避免對(duì)工作人員造成的傷害以及對(duì)其他部件所造成的污染銹蝕。此外，本實(shí)用新型提供的蝕刻裝置操作方便，設(shè)備結(jié)構(gòu)也比較簡(jiǎn)單，且水封區(qū)2的維修和清洗液較為方便和容易。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。