一種五氧化三鈦晶體的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種五氧化三鈦晶體，包括一圓柱薄片，且該圓柱薄片的兩側(cè)面分別形成有一平切面，且兩所述平切面關(guān)于圓柱薄片的縱中心對稱設(shè)置。本實用新型的有益效果在于：片狀Ti3O5晶體可縮短預(yù)熔時間，甚至可去除預(yù)熔工序，大大縮短了鍍膜時間；且用片狀Ti3O5晶體制得的鍍膜層產(chǎn)品，其純度和質(zhì)量得到了有效提升。
【專利說明】一種五氧化三鈦晶體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型具體涉及一種五氧化三鈦晶體。

【背景技術(shù)】
[0002] 五氧化三鈦（Ti305)屬于斜方晶系，密度約為4. 6g/cm3,熔點約為1760°C · Ti305是 鈦的低價系列氧化物中相對穩(wěn)定的化合物，具有類金屬特性，在常溫下具有很高的導(dǎo)電性， 與貴金屬電極材料相比，它價格低廉、耐酸堿腐蝕性強，因此可以用作電極材料來替代貴金 屬。Ti 305是一種非化學(xué)計量化合物，Ο/Ti可在1. 66-1. 70之間變化，其內(nèi)部含有大量的氧 空位，準(zhǔn)自由電子濃度較高，其電阻可隨氣氛的改變而改變，因此是一種潛在的氧敏材料。
[0003] 五氧化三鈦晶體現(xiàn)己廣泛用于光電子器件的真空鍍膜用材料，因其蒸鍍過程穩(wěn)定 的性質(zhì)，得到業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可，目前已取代二氧化鈦，成為顯示【技術(shù)領(lǐng)域】高折射率膜料中的 主要應(yīng)用材料為。然而，目前行業(yè)內(nèi)廣泛使用的五氧化三鈦均為顆粒態(tài)晶體，常規(guī)規(guī)格為 1?3mm、3?5mm等。而顆粒狀的五氧化三鈦在鍍膜前必須預(yù)先熔料，很大程度上影響了鍍 膜的效率，增加了鍍膜生產(chǎn)成本。同時，顆粒狀的五氧化三鈦在制備過程均容易引入雜質(zhì)， 形成大量氣孔，存在含氧量相對差異較大的物質(zhì)，從而影響制得的鍍膜層的純度和質(zhì)量。 實用新型內(nèi)容
[0004] 本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供了一種全新結(jié)構(gòu)的片狀的五氧化三鈦 晶體。
[0005] 本實用新型是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的：一種五氧化三鈦晶體，包 括一圓柱薄片，且該圓柱薄片的兩側(cè)面分別形成有一平切面，且兩所述平切面關(guān)于圓柱薄 片的縱中心對稱設(shè)置。
[0006] 優(yōu)選地，所述圓柱薄片的厚度為5?15mm。
[0007] 優(yōu)選地，所述圓柱薄片的厚度為10mm。
[0008] 優(yōu)選地，所述圓柱薄片的底面圓的直徑為10?30mm。
[0009] 優(yōu)選地，所述圓柱薄片的底面圓的直徑為25mm。
[0010] 優(yōu)選地，所述平切面具有一長邊，且該長邊所對應(yīng)的銳角圓心角為20?35°。
[0011] 優(yōu)選地，所述長邊所對應(yīng)的銳角圓心角為25°。
[0012] 本實用新型的有益效果在于：片狀Ti305晶體可縮短預(yù)熔時間，甚至可去除預(yù)熔工 序，大大縮短了鍍膜時間；且用片狀Ti 305晶體制得的鍍膜層產(chǎn)品，其純度和質(zhì)量得到了有 效提升。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 下面參照附圖結(jié)合實施例對本實用新型作進一步的描述。
[0014] 圖1為本實用新型一種五氧化三鈦晶體的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0015] 請參閱圖1，一種五氧化三鈦晶體100,包括一圓柱薄片1，且該圓柱薄片1的兩側(cè) 面分別形成有一平切面2,且兩所述平切面2關(guān)于圓柱薄片1的縱中心對稱設(shè)置。平切面2 的設(shè)置可以更好地實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)以及方便下料所需，量產(chǎn)需要模具間有一定的接觸面積以 便于熔融晶體流動，得到的片狀晶體與高溫鑰模具間有一定的黏附，需用薄型刀片從平切 面2的底部取出。
[0016] 請再參閱圖1，所述平切面2具有一長邊21，且該長邊21所對應(yīng)的銳角圓心角α 為20?35°，所述長邊所對應(yīng)的銳角圓心角優(yōu)選為25°。
[0017] 請再參閱圖1，所述圓柱薄片1的厚度Τ為5?15mm;所述圓柱薄片1的厚度Τ優(yōu) 選為10mm。所述圓柱薄片1的底面圓的直徑D為10?30mm ;所述圓柱薄片1的底面圓的 直徑D優(yōu)選為25_。因為晶體形成大小需要特定的下降溫度支持，過大的片狀晶體容易在 冷卻過程中產(chǎn)生裂紋。結(jié)合實際鍍膜過程中蒸鍍坩堝的直徑在15-30mm之間，故五氧化三 鈦晶體100的直徑D優(yōu)選為25mm，厚度優(yōu)選為10mm。
【權(quán)利要求】
1. 一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：包括一圓柱薄片，且該圓柱薄片的兩側(cè)面分別 形成有一平切面，且兩所述平切面關(guān)于圓柱薄片的縱中心對稱設(shè)置。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述圓柱薄片的厚度為 5 ?15mm〇
3. 如權(quán)利要求2所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述圓柱薄片的厚度為 10mm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述圓柱薄片的底面圓的 直徑為10?30mm。
5. 如權(quán)利要求4所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述圓柱薄片的底面圓的 直徑為25mm。
6. 如權(quán)利要求1所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述平切面具有一長邊，且 該長邊所對應(yīng)的銳角圓心角為20?35°。
7. 如權(quán)利要求6所述的一種五氧化三鈦晶體，其特征在于：所述長邊所對應(yīng)的銳角圓 心角為25°。
【文檔編號】C30B29/16GK203846137SQ201420032221
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】陳欽忠, 張瑜 申請人:福州阿石創(chuàng)光電子材料有限公司