專利名稱：電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本 發(fā)明屬于電子鎮(zhèn)流器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及高強(qiáng)度氣體放電燈電子鎮(zhèn)流器中產(chǎn)生高壓脈沖觸發(fā)的電路。
背景技術(shù)：
氣體放電燈是ー種具有負(fù)阻特性的電光源，必須和鎮(zhèn)流器一起配套使用。電子鎮(zhèn)流器因?yàn)楦咝Ч?jié)能等許多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。氣體放電燈必須由高電壓來(lái)觸發(fā)點(diǎn)亮，所以高壓觸發(fā)電路是電子鎮(zhèn)流器的ー個(gè)重要組成部分。一般來(lái)說(shuō)高壓觸發(fā)電路分成兩大類脈沖高壓觸發(fā)電路和諧振高壓觸發(fā)電路。脈沖高壓觸發(fā)電路由于電路簡(jiǎn)單而得到廣泛應(yīng)用。脈沖高壓一般是由ー個(gè)初、次級(jí)匝數(shù)比很大的變壓器產(chǎn)生，一個(gè)充滿電的電容器通過(guò)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)對(duì)變壓器的初級(jí)繞組放電，在變壓器的次級(jí)產(chǎn)生高電壓。這個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)一般是場(chǎng)效應(yīng)晶體管或可控硅。使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的缺點(diǎn)是成本高，使用可控硅的缺點(diǎn)是很難可靠地使可控硅關(guān)斷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種可靠關(guān)斷可控硅功率開(kāi)關(guān)的電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，采用的技術(shù)方案是電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，由可控硅門(mén)極觸發(fā)電路和可控硅主電路構(gòu)成，其特征是可控硅主電路由充電電阻、可控硅、鉗位ニ極管、電容、高壓脈沖變壓器和穩(wěn)壓管組成；高壓脈沖變壓器分別與可控硅及電容的陽(yáng)極相連接，可控硅的負(fù)極與電容負(fù)極相連；充電電阻與直流電源正極相連，依次與由電容、高壓脈沖變壓器和可控硅構(gòu)成的電容放電回路及穩(wěn)壓管串聯(lián)后與電源地相連。所述的鉗位ニ極管反向并聯(lián)在可控硅的陰極與陽(yáng)極之間。所述穩(wěn)壓管的陰極分別與可控硅及電容的陰極連接，穩(wěn)壓管D的陽(yáng)極與電源地連接，為可控硅門(mén)極提供反向偏置電壓，使可控硅可靠關(guān)斷。本實(shí)用新型的有益效果是充電電阻與由電容、高壓脈沖變壓器和可控硅構(gòu)成的電容放電回路，及穩(wěn)壓管構(gòu)成串聯(lián)電路，穩(wěn)壓管的陰極分別與可控硅及電容的陰極連接，給門(mén)極提供反向偏置電壓，使可控硅能可靠關(guān)斷。當(dāng)電路對(duì)電容充電時(shí)，充電電阻、電容及穩(wěn)壓管串聯(lián)，電流也流過(guò)穩(wěn)壓管，不論電流的大小，穩(wěn)壓管兩端都能產(chǎn)生ー個(gè)恒定的電壓，可控硅的陰極受到這個(gè)恒定電壓的抬升，高于地電平，使可控硅能可靠關(guān)斷；如果可控硅一直導(dǎo)通，則充電電阻、可控硅和穩(wěn)壓管組成ー個(gè)串聯(lián)電路的關(guān)系，同樣，在穩(wěn)壓管兩端會(huì)產(chǎn)生ー個(gè)恒定的電壓，使可控娃能可靠關(guān)斷。以下結(jié)合附圖
與具體實(shí)施方案對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步的說(shuō)明圖I是實(shí)施例I電路示意圖圖2是實(shí)施例2電路示意圖
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一如圖I所示電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，由可控硅門(mén)極觸發(fā)電路和可控硅主電路構(gòu)成。可控硅主電路由充電電阻R1、可控硅Q1、鉗位ニ極管D3、電容Cl、高壓脈沖變壓器Tl和穩(wěn)壓管Dl組成，充電電阻Rl —端與直流電源Udc正極相連，另一端依次與由電容Cl、高壓脈沖變壓器Tl和可控硅Ql構(gòu)成的放電回路，及穩(wěn)壓管Dl串聯(lián)后與電源地相連。電容Cl的陽(yáng)極與充電電阻Rl相連，直流電源Udc經(jīng)充電電阻Rl為電容Cl提供充電電流。電容Cl和高壓脈沖變壓器Tl的初級(jí)繞組Wl及可控硅Ql連接成ー個(gè)閉合放電回路，當(dāng)電容Cl充電后，可控硅Ql被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)就能在次級(jí)繞組W2上產(chǎn)生高壓脈沖Uout。鉗位ニ極管D3與可控硅Ql反向并聯(lián)，可以保護(hù)可控硅Ql免受反向電壓的損壞。高壓脈沖變壓器Tl分別與可控硅Ql及電容的陽(yáng)極相連接；可控硅Ql的負(fù)極與電容Cl負(fù)極相連；穩(wěn)壓管Dl的陰極分別與可控硅Ql及電容Cl的陰極連接，穩(wěn)壓管D的陽(yáng)極與電源地連接，提供可控硅Ql門(mén)極反向偏置電壓，使可控硅Ql能可靠關(guān)斷。可控硅門(mén)極觸發(fā)電路由電阻R2、R3、R4和電容C2以及觸發(fā)ニ極管D2組成；電阻R2、R3形成一個(gè)電阻串聯(lián)分壓電路，此電路對(duì)電容C2充電。當(dāng)電容C2的電壓達(dá)到觸發(fā)ニ極管D2的擊穿電壓時(shí)，可控硅就會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通，同時(shí)C2被放電，觸發(fā)ニ極管D2恢復(fù)截止。當(dāng)控制電路使晶體管Q2導(dǎo)通吋，電容C2被短路，觸發(fā)ニ極管D2保持截止，可控硅不導(dǎo)通，高壓觸發(fā)脈沖就被關(guān)閉。電阻Rl對(duì)電容Cl的充電電流會(huì)流過(guò)穩(wěn)壓管D1，根據(jù)穩(wěn)壓管的特性，不論電流的大小，其兩端的電壓是恒定的，使可控硅Ql的陰極電壓抬升，從而保證Ql的可靠關(guān)斷。實(shí)施例ニ 如圖2所不,與實(shí)施例一的不同之處在于實(shí)施例一中，可控娃主電路中由電容Cl、高壓脈沖變壓器Tl和可控硅Ql構(gòu)成的放電回路，電容Cl的陽(yáng)極直接與充電電阻Rl連接，可控硅Ql的陽(yáng)極經(jīng)高壓脈沖變壓器Tl與充電電阻Rl連接。本實(shí)施例中電容Cl的陽(yáng)極經(jīng)高壓脈沖變壓器Tl與充電電阻Rl連接，可控硅Ql的陽(yáng)極與充電電阻Rl連接。充電電阻Rl經(jīng)高壓脈沖變壓器Tl的初級(jí)繞組Wl對(duì)電容器Cl充電。由于充電電阻Rl對(duì)電容器Cl的充電電流也流過(guò)穩(wěn)壓ニ極管Dl，所以在穩(wěn)壓管Dl兩端會(huì)產(chǎn)生ー個(gè)恒定的電壓，從而使可控硅Ql的陰極電壓抬高，使可控硅Ql可靠關(guān)斷。
權(quán)利要求1.電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，由可控硅門(mén)極觸發(fā)電路和可控硅主電路構(gòu)成，其特征是可控硅主電路由充電電阻、可控硅、鉗位ニ極管、電容、高壓脈沖變壓器和穩(wěn)壓管組成；高壓脈沖變壓器分別與可控硅及電容的陽(yáng)極相連接，可控硅的負(fù)極與電容負(fù)極相連；充電電阻與直流電源正極相連，依次與由電容、高壓脈沖變壓器和可控硅構(gòu)成的電容放電回路及穩(wěn)壓管串聯(lián)后與電源地相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，其特征是所述的鉗位ニ極管反向并聯(lián)在可控硅的陰極與陽(yáng)極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，其特征是所述穩(wěn)壓管的陰極分別與可控硅及電容的陰極連接，穩(wěn)壓管的陽(yáng)極與電源地連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電子鎮(zhèn)流器高壓脈沖觸發(fā)電路，由可控硅門(mén)極觸發(fā)電路和可控硅主電路構(gòu)成，其特點(diǎn)是可控硅主電路由充電電阻與由電容、高壓脈沖變壓器和可控硅構(gòu)成的電容放電回路及穩(wěn)壓管串聯(lián)構(gòu)成；電容放電時(shí)在高壓脈沖變壓器次級(jí)產(chǎn)生高壓脈沖；穩(wěn)壓管的陰極分別與可控硅及電容的陰極連接，穩(wěn)壓管D的陽(yáng)極與電源地連接，為可控硅門(mén)極提供反向偏置電壓，使可控硅可靠關(guān)斷。
文檔編號(hào)H05B41/282GK202455635SQ20122006362
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月24日
發(fā)明者楊英君, 顧曉藝 申請(qǐng)人:上海特優(yōu)仕照明電器有限公司