專利名稱：多層基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多層基板及其制造方法，特別涉及具有配線圖形和通孔電極的多層基 板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，對于高密度安裝的要求日益嚴(yán)格。由此，作為印刷基板上搭載的各種模塊 用的基板，多采用多個絕緣層層疊而成的“多層基板”。通過在構(gòu)成多層基板的各絕緣層上形成配線圖形等，對其進行層疊，從而進行多 層基板的制造。通過貫穿絕緣層的通孔來進行不同絕緣層上形成的配線圖形之間的連接 (參照日本國特許第2857270號公報、特開平10-322021號公報)。在各絕緣層上的配線圖形的形成中，通常采用稱為“消去法”的方法和稱為“添加 法”的方法的2種方法。根據(jù)“消去法”，通過對預(yù)先在絕緣層上均勻地形成的導(dǎo)電層進行 蝕刻，形成所需的圖形。一般，基于消去法的圖形形成具有下述的性質(zhì)，即，由于采用厚度一 定的銅箔作為導(dǎo)電層，故容易獲得厚度精度，但是，難于高精度地控制其寬度，導(dǎo)體的厚度 越大，寬度精度越低。根據(jù)添加法，由于對打算通過干膜、抗蝕劑等描繪圖形的部分進行曝 光，顯影，使鍍層沿圖形生長后，去除干膜等，最終完成所需的圖形?；谔砑臃ǖ膱D形形成 具有下述的性質(zhì)，即，由于通過曝光、顯影后的干膜等已經(jīng)確定了寬度方向的精度，故寬度 方向的精度高，但是，由于厚度方向的精度取決于鍍層面的偏差，故厚度的差異較大，難于 高精度地對厚度進行控制。這樣，消去法和添加法各自具有優(yōu)缺點，當(dāng)打算重視寬度方向的精度時，選擇添加 法，而當(dāng)打算重視厚度方向的精度時，選擇消去法。另外，在圖形形成中，采用這兩種方法中 的任意一種就夠了，無需對同一個面混合地進行這兩種方法。近年來，對于在基板中不僅內(nèi)置配線圖形，而且還內(nèi)置電感(L)和電容(C)的、所 謂的嵌入化的要求看漲。對于該內(nèi)置LC有下述的要求。首先，對于在高頻電路中使用的L，重要的是在控制阻抗的基礎(chǔ)上進行圖形寬度方 向上的控制。即使圖形的厚度薄一些，對傳送特性的影響也較小。另一方面，在用于電源系 統(tǒng)的平滑電路等的L(扼流圈)中，優(yōu)選為直流電阻較低。于是，重要的是導(dǎo)體圖形的截面 積取多大。另外，在高頻電路所使用的C中，重要的是減小靜電電容的偏差，具體來說，必須 將靜電電容的偏差抑制在不超過士5%。為了實現(xiàn)該效果，重要的是圖形寬度方向上的控 制，而即使在圖形的厚度薄一些，也沒有問題。另外，對于配線圖形而言，重要的是在控制阻 抗的基礎(chǔ)上，還要減小圖形的寬度和厚度的偏差。在這樣的條件下，比如，象功率放大器用基板那樣，必須構(gòu)成要求圖形的寬度方向的精度的“匹配電路用L”、和要求直流電阻盡可能低(要求導(dǎo)體的厚度)的“電源電路用 L(扼流圈)，，的情況下，在選擇上述任意的圖形形成方法時，具有無法在多層基板的同一層 內(nèi)形成兩個L的問題。即，如果要對圖形的寬度和厚度要求所需的精度，則由于無法在同一層內(nèi)形成厚 度不同的圖形的結(jié)構(gòu)上的限制/矛盾，故設(shè)計的自由度受到限制，難于應(yīng)對小型化、高性能 化的要求。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供設(shè)計的自由度高，可任意地選擇各元件所要求的最 佳圖形形狀、偏差的多層基板及其制造方法。本發(fā)明的多層基板的特征在于，包括層疊的多個絕緣層；和在所述多個絕緣層 各個之間形成的、未貫穿該多個絕緣層中的任意一層的配線圖形，并且，所述配線圖形包括 具有預(yù)定厚度的第1配線圖形和厚度大于第1配線圖形的第2配線圖形。在這里，“同一 層內(nèi)”指相接的絕緣層之間的邊界附近，其包含第1和第2配線圖形均跨過絕緣層之間的 邊界而存在的情況、第1和第2配線圖形均與邊界面的一個面接觸的情況，以及第1和第2 配線圖形中的任意一個與邊界面的一個面接觸，并且另一個與邊界面的另一個面接觸的情 況。另外，還考慮在增長層(build-up layer)上再形成增長層的情況等，由于由相同材料 形成的絕緣層的層疊而難于進行絕緣層之間的邊界的明確判別的情況，但是，即使在這樣 的情況下，由于第1和第2配線圖形顯然位于上下的絕緣層之間，故在此情況下，可視為在 第1和第2配線圖形附近存在絕緣層之間的邊界。按照本發(fā)明，例如，可以在同一層內(nèi)構(gòu)成作為第1配線圖形而構(gòu)成的高頻電路用 LC圖形和通常的配線圖形、和作為第2配線圖形而構(gòu)成的扼流圈用L圖形等，可任意地選擇 各元件所要求的最佳圖形形狀和偏差。即，可實現(xiàn)設(shè)計的自由度高，適合高密度安裝的高性 能的多層基板。在本發(fā)明中，可以是上述第1配線圖形在上述多個絕緣層中的預(yù)定的絕緣層的表 面上形成，上述第2配線圖形中的至少一部分嵌入上述預(yù)定的絕緣層內(nèi)，也可以是上述第1 配線圖形和上述第2配線圖形均在上述多個絕緣層中的預(yù)定的絕緣層的表面上形成。按照 本發(fā)明，由于可通過消去法形成第1配線圖形，可通過添加法形成第2配線圖形，故可任意 地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀和偏差。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第1配線圖形和上述第2配線圖形中的至少一方構(gòu)成為 蝕刻率不同的多個導(dǎo)電層的層疊體。按照本發(fā)明，由于可在對復(fù)合材料進行構(gòu)圖而預(yù)先形 成較厚的配線圖形后，將其粘貼于核心基板上，然后，進一步對核心基板上的復(fù)合材料進行 構(gòu)圖而形成較薄的配線圖形，故可以僅通過消去法來形成配線圖形。由此，有用于以消去法 進行加工的設(shè)備就夠了，完全不需要用于以添加法進行加工的設(shè)備。在本發(fā)明中，進一步優(yōu)選為上述層疊體由2個導(dǎo)電層構(gòu)成，上述2個導(dǎo)電層的組 合為銅(Cu)與鋁(Al)、鋁(Al)與銅(Cu)、銅(Cu)與鎳(M)、鎳(Ni)與銅(Cu)、銅(Cu) 與鈀(Pd)、銅(Cu)與銀(Ag)、不銹鋼(SUS)與鈀(Pd)、不銹鋼(SUS)與銀(Ag)、銀(Ag)與 不銹鋼(SUS)J^ (Cu)與不銹鋼(SUS)中的任意一種組合。如果2個導(dǎo)電層的組合為這些 中的任意一種，則可通過導(dǎo)電層的圖形蝕刻處理，可靠地形成厚度不同的配線圖形。
在本發(fā)明中，優(yōu)選為，還包括連接不同的層上存在的配線圖形的通孔。由此，第2 配線圖形可與通孔同時地形成，因此可在不增加工序的情況下，在通常的工序范圍內(nèi)，形成 第2配線圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第1配線圖形的厚度(tl)在Iym 18μπι的范圍內(nèi)選 擇，選擇上述第2配線圖形的厚度(t2)，使得上述第1配線圖形的厚度與上述第2配線圖形 的厚度之比(t2/tl)在1.5 20的范圍內(nèi)。如果在該范圍內(nèi)，則可以在不對設(shè)計自由度造 成妨礙的情況下，在必要的部位繪制最佳的電路圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第2配線圖形的至少一部分用作為扼流圈。由此，例如， 可以實現(xiàn)特性良好的功率放大器用的多層基板。本發(fā)明的多層基板的制造方法的特征在于，包括在構(gòu)成多層基板的一部分的絕 緣層的表面上形成具有預(yù)定厚度的第1配線圖形的第1工序；在上述絕緣層上形成圖形形 成用槽的第2工序；以及，以導(dǎo)電性材料對上述圖形形成用槽的內(nèi)部進行填充，形成厚度大 于上述第1配線圖形的第2配線圖形的第3工序。按照本發(fā)明，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的圖形，故例如，對于通過導(dǎo)電 層的構(gòu)圖而形成的較薄的圖形，形成高頻電路用LC圖形和通常的配線圖形，對于圖形形成 用槽的較厚的圖形，形成扼流用L圖形，由此，可實現(xiàn)特性良好的功率放大器用多層基板 等，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀和偏差。即，可制造出設(shè)計自由度高，適 合高密度安裝的高性能的多層基板。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第1工序包括對上述絕緣層的至少一個表面上形成的 導(dǎo)電層進行構(gòu)圖的工序，上述第3工序包括形成基底導(dǎo)電層的工序、在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材 料的區(qū)域形成掩模的工序、和通過電解電鍍法生長上述導(dǎo)電性材料的工序。按照本發(fā)明，由于可通過消去法形成相對較薄的第1配線圖形，可通過添加法形 成相對較厚的第2配線圖形，故可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀和偏差，可 制造出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的多層基板。在這里，優(yōu)選為在幾乎整個面上形成感 光材料后，通過曝光，對上述感光材料進行構(gòu)圖，或者優(yōu)選為通過絲網(wǎng)印刷法，有選擇地形 成上述絕緣性材料，從而進行形成上述掩模的工序。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第2工序包括形成通孔的工序，上述第3工序包括用上述 導(dǎo)電性材料填充上述通孔的內(nèi)部的工序。按照本發(fā)明，由于第2配線圖形可與通孔形成工 序同時地形成，故可在不增加工序的情況下，在普通工序范圍內(nèi)，形成圖形形成用槽所實現(xiàn) 的配線圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第2工序按照另一絕緣層中包含的導(dǎo)電層構(gòu)成上述通孔 的底部的方式形成上述通孔。按照本發(fā)明，使用可將具有底部的孔幾乎完全填充的電鍍液， 形成導(dǎo)電性材料，由此，可簡化工序。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第3工序是有選擇地形成填充上述通孔和圖形形成用槽 的內(nèi)部的導(dǎo)電性材料的工序。按照本發(fā)明，由于有選擇地形成填充通孔和圖形形成用槽的 內(nèi)部的至少一部分的導(dǎo)電性材料，故可抑制由于研磨產(chǎn)生的絕緣層厚度偏差。此外，本發(fā)明的多層基板的制造方法的特征在于，包括在構(gòu)成多層基板的一部分 的絕緣層的表面上形成具有預(yù)定厚度的第1配線圖形的第1工序；和在上述絕緣層的表面 上形成厚度大于上述第1配線圖形的第2配線圖形的第2工序。
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按照本發(fā)明，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的圖形，故例如，對于通過導(dǎo)電 層的構(gòu)圖而形成的較薄的圖形，形成高頻電路用LC圖形和通常的配線圖形，對于通過電鍍 形成的較厚的配線圖形，形成扼流用L圖形，由此，可實現(xiàn)特性良好的功率放大器用多層基 板等，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀和偏差。即，可制造出設(shè)計自由度高， 適合高密度安裝的高性能的多層基板。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第1工序包括對上述絕緣層的至少一個表面上形成的導(dǎo) 電層進行構(gòu)圖的工序，上述第2工序包括在幾乎整個面上形成基底導(dǎo)電層的工序；在不應(yīng) 形成導(dǎo)電性材料的區(qū)域形成掩模的工序；和通過電解電鍍法生長導(dǎo)電性材料的工序。按照本發(fā)明，由于通過消去法形成相對較薄的第1配線圖形，通過添加法形成相 對較厚的第2配線圖形，故可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀和偏差，可制造 出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的多層基板。在這里，優(yōu)選為通過在幾乎整個面上形成感 光材料后，通過曝光，對上述感光材料進行構(gòu)圖，從而進行形成上述掩模的工序，也可通過 絲網(wǎng)印刷法，有選擇地形成絕緣性材料而進行。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第2工序包括形成通孔的工序；和用上述導(dǎo)電性材料填 充上述通孔的內(nèi)部的工序。按照本發(fā)明，由于可與通孔形成工序同時地形成第2配線圖形， 故可在不增加工序的情況下，在通常的工序的范圍內(nèi)，形成第2配線圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第2工序按照另一絕緣層中包含的導(dǎo)電層構(gòu)成上述通孔 的底部的方式形成上述通孔。按照本發(fā)明，通過采用可幾乎完全地填充具有底部的孔的電 鍍液，形成導(dǎo)電性材料，可簡化工序。另外，本發(fā)明的多層基板的制造方法的特征在于，包括第1工序，對構(gòu)成為蝕刻 率不同的多個導(dǎo)電層的層疊體的復(fù)合材料的一個面進行圖形蝕刻，形成具有預(yù)定厚度的第 1配線圖形；第2工序，將所述復(fù)合材料的所述一個面粘貼于構(gòu)成多層基板的一部分的絕緣 層的表面上；和第3工序，對粘貼于所述絕緣層上的所述復(fù)合材料的另一面進行圖形蝕刻， 形成厚度與所述第1配線圖形不同的第2配線圖形。按照本發(fā)明，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的圖形，故例如，對于通過導(dǎo)電 層的構(gòu)圖而形成的較薄的圖形，形成高頻電路用LC圖形和通常的配線圖形，對于圖形形成 用槽所實現(xiàn)的較厚的圖形，形成扼流圈用L圖形，由此，可以實現(xiàn)特性良好的功率放大器用 多層基板。進而，由于在對復(fù)合材料進行圖形蝕刻處理，預(yù)先形成較厚的配線圖形之后，將 其粘貼于核心基板上，然后，進一步對核心基板上的復(fù)合材料進行圖形蝕刻處理，形成相對 較薄的配線圖形，故僅通過消去法就可形成配線圖形。由此，只要具有用于通過消去法進行 加工的設(shè)備就夠了，完全不需要用于通過添加法進行加工的設(shè)備。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述多個導(dǎo)電層的厚度相互不同，最好，設(shè)置于上述復(fù)合材料 的一個面?zhèn)鹊膶?dǎo)電層的厚度大于設(shè)置于上述復(fù)合材料的上述另一面?zhèn)鹊膶?dǎo)電層的厚度。按 照本發(fā)明，能夠可靠地形成厚度不同的高精度的配線圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述復(fù)合材料構(gòu)成為第1導(dǎo)電層、第2導(dǎo)電層和第3導(dǎo)電層 依次層疊而成的導(dǎo)電層的層疊體，上述第1導(dǎo)電層和上述第3導(dǎo)電層均由預(yù)定的蝕刻材料 形成，上述第2導(dǎo)電層由預(yù)定的蝕刻終止材料形成，上述蝕刻材料和上述蝕刻終止材料的 組合為銅(Cu)與鋁(Al)、鋁(Al)與銅(Cu)、銅(Cu)與鎳(Ni)、鎳(Ni)與銅(Cu)、銅(Cu) 與鈀(Pd)、銅(Cu)與銀(Ag)、不銹鋼(SUS)與鈀(Pd)、不銹鋼(SUS)與銀(Ag)、銀(Ag)與不銹鋼(SUS)JH (Cu)與不銹鋼(SUS)中的任意一種。如果蝕刻材料和蝕刻終止材料的組 合為它們中的任意一種，則可通過導(dǎo)電層的圖形蝕刻，可靠地形成厚度不同的配線圖形。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選為上述第1導(dǎo)電層形成上述復(fù)合材料的上述一個面，第3 導(dǎo)電層形成上述復(fù)合材料的上述另一面。由此，可通過第1導(dǎo)電層的圖形蝕刻，形成較厚的 圖形，可通過第3和第2導(dǎo)電層的圖形蝕刻，形成較薄的配線圖形，由此，能夠可靠地形成厚 度不同的配線圖形。在本發(fā)明中，優(yōu)選為還包括形成通孔的工序和有選擇地形成填充上述通孔的內(nèi)部 的導(dǎo)電性材料的工序。由此，由于在用導(dǎo)電性材料填充通孔的內(nèi)部時，在形成導(dǎo)電性材料的 區(qū)域之外形成掩模，并有選擇地形成導(dǎo)電性材料，故可抑制由于研磨而產(chǎn)生的導(dǎo)電層的厚 度偏差，在通過消去法對導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成配線圖形的情況下，可大幅度地提高其圖 形精度。另外，由于主要研磨選擇性地形成的導(dǎo)電性材料的突起部分，故與對整個面進行研 磨的情況相比較，不易產(chǎn)生翹曲。由此，例如，即使在核心基板上形成高頻電路用LC等的無 源元件的情況下，仍可抑制阻抗的偏差。在本發(fā)明中，上述絕緣層可以為核心基板，也可以為設(shè)置于上述核心基板上的增 長層。還可以為這兩者。在本發(fā)明應(yīng)用于核心基板和增長層這兩者的情況下，由于對于在 核心基板的表面上形成的配線圖形和在增長層的表面上形成的配線圖形這兩者而言，厚度 偏差變小，故可從整體上提高圖形精度。這樣，按照本發(fā)明，對于圖形的寬度和厚度的偏差小、并且要求絕緣層的圖形厚度 精度的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配的通常的配線圖形(第1配線圖形)，通過消去 法對厚度一定的導(dǎo)電層進行圖形蝕刻處理，由此，可使圖形的厚度變得較薄，對于扼流圈用 L圖形(第2配線圖形)，在與通孔形成相同的工序中，通過開孔加工，形成圖形形成用槽， 然后，與通孔同時地在圖形形成用槽內(nèi)部填充導(dǎo)電性材料，由此，可形成長寬比高、導(dǎo)體截 面積較大(直流電阻低)的圖形。即，按照本實施例，由于可任意地選擇各元件所要求的最 佳圖形形狀和偏差，故可實現(xiàn)設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的高性能的多層基板。另外，按照本發(fā)明，由于由研磨產(chǎn)生的導(dǎo)電性材料的厚度偏差受到抑制，故在通過 消去法等的圖形形成法形成配線圖形的情況下，可大幅度地提高圖形精度。由此，例如，即 使在多層基板的內(nèi)部設(shè)置電容和電感等的無源元件的情況下，仍可抑制阻抗的偏差。


圖1為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備核心基板)的概 略截面圖。圖2為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概略 截面圖。圖3為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概略 截面圖。圖4為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的概 略截面圖。圖5為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概略 截面圖。
圖6為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(通孔和圖形形成用槽 的形成)的概略截面圖。圖7為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形成) 的概略截面圖。圖8為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概略 截面圖。圖9為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概略 截面圖。圖10為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形成) 的概略截面圖。圖11為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖12為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖13為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖14為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖15為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的 概略截面圖。圖16為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖，示出了加工完成核心基板。圖17為表示配線圖形為對向圖形的示例的概略平面圖。圖18為表示配線圖形為蛇形的圖形的示例的概略平面圖。圖19為表示配線圖形為螺旋形的圖形的示例的概略平面圖。圖20為表示配線圖形為立體螺旋形的圖形的示例的概略平面圖。圖21為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(樹脂貼附金屬箔的 按壓)的概略截面圖。圖22為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備多層基板)的 概略截面圖。圖23為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖24為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖25為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的 概略截面圖。圖26為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖27為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(通孔和圖形形成用
9槽的形成)的概略截面圖。圖28為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形成) 的概略截面圖。圖29為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖30為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖31為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形成) 的概略截面圖。圖32為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖33為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖34為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖35為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖36為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的 概略截面圖。圖37為表示本發(fā)明的第1實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖，示出了完成后的多層基板。圖38為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(樹脂貼附金屬箔的 按壓)的概略截面圖。圖39為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備多層基板)的 概略截面圖。圖40為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖41為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖42為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的 概略截面圖。圖43為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖44為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(通孔和圖形形成用 槽的形成)的概略截面圖。圖45為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形成) 的概略截面圖。圖46為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。
圖47為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖48為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形成) 的概略截面圖。圖49為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖50為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖51為表示本發(fā)明的第2實施方式的制造方法的一個工序(軟蝕刻)的概略截 面圖，示出了已完成的多層基板。圖52為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖53為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻)的 概略截面圖。圖54為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖55為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(通孔的形成)的概 略截面圖。圖56為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形成) 的概略截面圖。圖57為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖58為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖59為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形成) 的概略截面圖。圖60為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖61為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖62為表示本發(fā)明的第3實施方式的制造方法的一個工序(軟蝕刻)的概略截 面圖，示出了加工完成核心基板。圖63為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(樹脂貼附金屬 箔的按壓)的概略截面圖。圖64為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備多層基板) 的概略截面圖。圖65為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成) 的概略截面圖。圖66為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概略截面圖。圖67為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的蝕刻) 的概略截面圖。圖68為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離) 的概略截面圖。圖69為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(通孔的形成) 的概略截面圖。圖70為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的 形成)的概略截面圖。圖71為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成) 的概略截面圖。圖72為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖) 的概略截面圖。圖73為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的 形成)的概略截面圖。圖74為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨) 的概略截面圖。圖75為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離) 的概略截面圖。圖76為表示本發(fā)明的第3另一實施方式的制造方法的一個工序(軟蝕刻)的概 略截面圖，示出了已完成的多層基板。圖77為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備復(fù)合材料)的概略 截面圖。圖78為表示本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖79為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖80為表示本發(fā)明的第4 刻)的概略截面圖。圖81為表示本發(fā)明的第4 略截面圖。圖82為表示本發(fā)明的第4 概略截面圖。圖83為表示本發(fā)明的第4 的概略截面圖。圖84為表示本發(fā)明的第4 略截面圖。圖85為表示本發(fā)明的第4
略截面圖。
實施方式的制造方法的一個工序(復(fù)合材料的圖形蝕 實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備核心基板)的 實施方式的制造方法的一個工序(復(fù)合材料的粘合) 實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概
圖86為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(復(fù)合材料的蝕刻) 的概略截面圖。圖87為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖88為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(通孔的形成)的概 略截面圖。圖89為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形成) 的概略截面圖。圖90為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖91為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖92為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形成) 的概略截面圖。圖93為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖94為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖95為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖96為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖97為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的圖形蝕刻) 的概略截面圖。圖98為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖，示出了加工好的基板。圖99為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(復(fù)合材料的粘合) 的概略截面圖。圖100為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(樹脂貼附金屬箔的 制作)的概略截面圖。圖101為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(準(zhǔn)備加工完成核心 基板)的概略截面圖。圖102為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(樹脂貼附金屬箔的 層疊)的概略截面圖。圖103為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖104為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖105為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(復(fù)合材料的蝕刻)的概略截面圖。圖106為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖107為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(通孔的形成)的概 略截面圖。圖108為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(基底導(dǎo)電層的形 成)的概略截面圖。圖109為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖110為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖111為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電性材料的形 成)的概略截面圖。圖112為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離)的概 略截面圖。圖113為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(表面的研磨)的概 略截面圖。圖114為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的形成)的概 略截面圖。圖115為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(干膜的構(gòu)圖)的概 略截面圖。圖116為表示本發(fā)明的第4實施方式的制造方法的一個工序(導(dǎo)電層的圖形蝕 刻)的概略截面圖。圖117為表示本發(fā)明的第4另一實施方式的制造方法的一個工序(干膜的剝離) 的概略截面圖，示出了已完成的多層基板。
具體實施例方式下面參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行具體說明。本實施方式的多層基板的制造方法可應(yīng)用于構(gòu)成多層基板的“核心基板”和設(shè)置 于該核心基板上的“增長層”這兩者。首先，參照作為概略截面圖的圖1 圖16，對在“核 心基板”上應(yīng)用本發(fā)明的第1實施方式的多層基板的制造方法的情況進行說明。首先，準(zhǔn)備核心基板10(圖1)。加工前的核心基板10由絕緣層11和絕緣層11 的兩面上分別形成的導(dǎo)電層12、13構(gòu)成。絕緣層11發(fā)揮在多層基板的制作中確保整體的 機械強度的作用，雖然其材料不是特別限定的，但是，其材料優(yōu)選采用在由玻璃布、凱夫拉 爾(Kevlar)、液晶聚合物等樹脂布、氟樹脂的多孔質(zhì)片材等形成的芯材中含浸熱硬化樹脂 或熱塑性樹脂等而形成的材料，其厚度優(yōu)選設(shè)定在20 μ m 200 μ m左右。另外，為了使激 光加工條件均勻，也可將不是LCP、PPS、PES、PEEK、PI等芯材的片材用作絕緣層11。導(dǎo)電 層12、13優(yōu)選由金屬箔，特別是由銅箔形成，其厚度(tl)優(yōu)選設(shè)定在1 18 μ m左右。在 由銅箔形成導(dǎo)電層12、13的情況下，如果采用用作印刷配線板的電解銅箔(通過電鍍輥，對在硫酸銅水溶液中對銅進行溶解離子化而形成的物質(zhì)連續(xù)進行電鍍，形成銅箔)，或壓延銅 箔，則可使其厚度偏差變得極小。另外，也可根據(jù)需要，通過掃除、等方式，調(diào)整 銅箔的厚度。接著，在核心基板10的兩個面上分別粘貼由感光材料構(gòu)成的干膜14、15(圖2)。 由此，形成導(dǎo)電層12、13的幾乎整個面被干膜14、15覆蓋的狀態(tài)。然后，通過對干膜14進 行曝光、顯影處理，去除干膜14的一部分，使導(dǎo)電層12的一部分12a、12b露出(圖3)。接著，將干膜14作為掩模，對導(dǎo)電層12進行蝕刻處理，使絕緣層11局部露出(圖 4)。絕緣層露出的區(qū)域的一部分Ila形成通孔的開口部，另一部分lib形成圖形形成用槽 的開口部。接著，剝離干膜14、15(圖5)，通過激光加工，在絕緣層11的露出區(qū)域的一部分 Ila形成通孔16，并且在絕緣層11的露出區(qū)域的另一部分lib形成圖形形成用槽17 (圖6)。 在激光加工過程中，使激光功率和照射時間針對各個部位為最佳程度，由此，分別制作了通 孔16和圖形形成用槽17。通孔16穿過了絕緣層11，但是，此時，導(dǎo)電層13起終止部的作 用，由此，該導(dǎo)電層13構(gòu)成了通孔16的底部16a。對于通孔16的直徑?jīng)]有特別限定，但是 其直徑優(yōu)選設(shè)定在30 200 μ m左右。另一方面，圖形形成用槽17在絕緣層11中深入到 預(yù)定的深度，不象通孔16那樣貫穿絕緣層11。圖形形成用槽17的深度優(yōu)選設(shè)定為使得導(dǎo) 電層12、13的厚度(tl)與采用圖形形成用槽17而最終形成的配線圖形的厚度(t2)之比 (t2/tl)處于1. 5 20的范圍內(nèi)。接著，在包括通孔16和圖形形成用槽17的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形 成基底導(dǎo)電層18(圖7)。作為基底導(dǎo)電層18的形成方法，優(yōu)選采用非電解電鍍法、濺射法、 蒸鍍法等。由于基底導(dǎo)電層18發(fā)揮在此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常 薄，例如，可在數(shù)百人 3· Ομπι的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。接著，將由感光材料構(gòu)成的干膜19粘貼于核心基板10的表面上(圖8)。由此，形 成基底導(dǎo)電層18的幾乎整個表面被干膜19覆蓋的狀態(tài)。然后，對干膜19進行曝光、顯影 處理，去除位于通孔16和圖形形成用槽17的開口部的干膜19 (圖9)。殘留的干膜19用作 在之后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜19覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料20(圖10)。 即，不在核心基板10的整個表面，而是有選擇地在未被干膜19覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材料 20。由此，通孔16的內(nèi)部處于幾乎完全被導(dǎo)電性材料20填充的狀態(tài)。另外，圖形形成用槽 17的內(nèi)部也處于被導(dǎo)電性材料20填充的狀態(tài)。電解電鍍優(yōu)選以通孔16和圖形形成用槽17的內(nèi)部完全被導(dǎo)電性材料20填充的 方式進行?？蓪﹄婂円旱姆N類進行適當(dāng)選擇，例如，在導(dǎo)電性材料20為銅(Cu)的情況下， 電鍍液可采用硫酸銅。在通孔16的內(nèi)部殘留有空洞這樣的情況下，優(yōu)選以導(dǎo)電性樹脂對通 孔16的內(nèi)部進行填充。如果殘留有空洞，則在空洞的內(nèi)部殘留有電鍍液等，其造成通孔的 腐蝕。也可采用絕緣性樹脂代替導(dǎo)電性樹脂，但是，優(yōu)選采用導(dǎo)電性樹脂，以便可靠地通過 通孔16實現(xiàn)上下層之間的電連接。接著，在剝離干膜19之后(圖11)，按照與核心基板10的表面平行的方式對導(dǎo)電 性材料20進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖12)。此時，通過以去除掉基底導(dǎo)電層 18，進而稍微研磨導(dǎo)電層12的表面的程度進行研磨，能夠可靠地使整個面平坦。研磨可以
15僅采用化學(xué)研磨和使用了拋光輪的機械研磨中的任何一種，但是，優(yōu)選并用這些方式。特別 是，如果首先進行化學(xué)研磨之后，進行采用拋光輪的機械研磨，則可確保非常好的平坦性。在上述研磨工序中，如果導(dǎo)電層12的表面被大幅度地研磨，則會有導(dǎo)電層12的厚 度偏差稍稍增大的可能性，但是，由于不在整個面，而是有選擇地形成導(dǎo)電性材料20，故即 使伴隨導(dǎo)電性材料20的研磨，導(dǎo)電層12被研磨，其研磨量仍非常小，由此，厚度偏差的增加 也非常小。與此相對，在不采用干膜19，而在整個面上形成導(dǎo)電性材料20的情況下，由于必 須在整個面對較厚的(例如，20μπι)導(dǎo)電性材料20進行研磨，故導(dǎo)電層12的最終厚度偏差 變大。在本實施方式中，在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料20的區(qū)域形成由于膜19形成的掩模，就是 考慮到了這一點。但是，在本發(fā)明中，不是必須在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料20的區(qū)域形成掩模。接著，分別將干膜21、22粘貼于核心基板的兩個面上(圖13)，對干膜21、22進行 曝光、顯影處理，由此對干膜21、22進行構(gòu)圖，使導(dǎo)電層12、13部分地露出(圖14)。然后， 通過蝕刻，去除導(dǎo)電層12、13的露出部分(圖15)。此時，由于構(gòu)圖后的導(dǎo)電層12、13的厚 度偏差被抑制得非常小，故可進行高精度的構(gòu)圖。殘留的導(dǎo)電層12、13形成通常的配線圖 形(第1配線圖形)23和通孔上的電極圖形25的一部分。最后，通過剝離干膜21、22，完成 核心基板10的一系列加工，完成形成有相對較薄的第1配線圖形23、相對較厚的第2配線 圖形24和通孔上的電極圖形25的加工完成核心基板26 (圖16)。圖17 圖19為表示配線圖形的各種形狀的俯視圖，圖20為表示配線圖形的又一 形狀的立體圖。例如，通過使配線圖形23的形狀成為圖17所示的對向圖形，可以構(gòu)成電容元件， 另外，通過使配線圖形23 (或24)的形狀成為圖18所示的蛇形圖形，或圖19所示那樣的螺 旋狀圖形，或者圖20所示的立體螺旋形的圖形，可構(gòu)成阻抗元件。另外，在圖19中，在螺旋 形的圖形的中心形成通孔16上的電極圖形25，通過填充了導(dǎo)電性材料20的通孔16與其它 層的配線圖形連接。另外，在圖20中，在基本呈環(huán)狀的圖形的終端部分形成通孔16上的電 極圖形25，通過填充了導(dǎo)電性材料20的通孔16與其它層的基本呈環(huán)狀的圖形連接，由此， 圖形整體構(gòu)成為立體螺旋形的圖形。這些無源元件的阻抗隨配線圖形的寬度和厚度而發(fā)生 較大變化，但是，如果采用本實施方式的方法，則可進行高精度的構(gòu)圖，由此，可大幅度地降 低這些無源元件的特性的偏差。象上面說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差較小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹 配的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比 較高，導(dǎo)體截面積較大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由圖形形成用槽所實現(xiàn)的第2 配線圖形構(gòu)成，且可在同一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、 寬度和厚度偏差。即，可制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的核心基板。另外，按照本實施方式，由于在與激光加工所實現(xiàn)的通孔形成相同的工序中形成 圖形形成用槽，然后，在以導(dǎo)電性材料對通孔的內(nèi)部進行填充的工序中，以導(dǎo)電性材料對圖 形形成用槽的內(nèi)部進行填充，形成第2配線圖形，故可在不增加工序的情況下，在通常的工 序的范圍內(nèi)，形成第2配線圖形。此外，按照本實施方式，由于在以導(dǎo)電性材料對通孔和圖形形成用槽的內(nèi)部進行 填充時，在形成導(dǎo)電性材料的區(qū)域之外形成掩模，從而有選擇地形成導(dǎo)電性材料，故可抑制因研磨產(chǎn)生的導(dǎo)電層的厚度偏差，在對導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成配線圖形的情況下，可大幅 度地提高該圖形精度。由此，例如，即使在核心基板上形成高頻用LC等無源元件的情況下， 仍可抑制阻抗的偏差。下面參照作為概略截面圖的圖21 圖37，對本實施方式的多層基板的制造方法 應(yīng)用于“增長層”的情況進行說明。本實施方式的方法既可用于通過借助圖1 16說明的方法制作的加工完成核心 基板26上層疊的增長層，也可用于通過后述的其它方法制作的核心基板上層疊的增長層， 但是，不管是哪一種情況，最好都是應(yīng)用于在通過本發(fā)明的多層基板制造方法制作的核心 基板上層疊的增長層。由此，由于對于在核心基板的表面上形成的配線圖形和在增長層的 表面上形成的配線圖形這兩者，厚度偏差變小，故可在整體上提高圖形精度。下面以本實施 方式應(yīng)用于上述加工完成核心基板26 (參照圖16)上層疊的增長層的情況為例進行說明。首先，準(zhǔn)備通過采用圖1 圖16說明的方法制作的加工完成核心基板26，在核心 基板26上層疊增長層(圖21)。加工前的增長層30由在B階環(huán)氧樹脂等所形成的熱硬化 樹脂31上設(shè)置金屬箔32而形成的片(樹脂貼附金屬箔)形成。按照熱硬化樹脂31側(cè)朝 向核心基板26的方式貼合該片，如果對該層疊體進行熱壓，則由于熱硬化樹脂31硬化，故 增長層30與核心基板26形成一體(圖22)。由此，熱硬化樹脂31成為增長層的絕緣層，金 屬箔32成為導(dǎo)電層。接著，將由感光材料構(gòu)成的干膜33粘貼于增長層30的表面上(圖23)。由此，形 成導(dǎo)電層32的幾乎整個面被干膜33覆蓋的狀態(tài)。另外，通過對該干膜33進行曝光、顯影 處理，去除干膜33的一部分，使導(dǎo)電層32的一部分32a、32b露出(圖24)。接著，將干膜33作為掩模，對導(dǎo)電層32進行蝕刻，使絕緣層31部分地露出(圖 25)。絕緣層的露出區(qū)域的一部分31a形成通孔的開口部，另一部分31b形成圖形形成用槽 的開口部。接著，剝離干膜33 (圖26)，通過激光加工，在絕緣層31的露出區(qū)域的一部分31a 形成通孔34，并且在絕緣層31的露出區(qū)域的另一部分31b形成圖形形成用槽35 (圖27)。 在激光加工過程中，針對每個部位，使激光功率和照射時間為最佳的程度，由此，分別制作 了通孔34和圖形形成用槽35。通孔34穿過絕緣層31，但是，此時，核心基板26上的導(dǎo)電 層(在這里，為電極圖形25)起終止部的作用，由此，該導(dǎo)電層構(gòu)成通孔34的底部34a。對 于通孔34的直徑?jīng)]有特別的限定，但是，該直徑優(yōu)選設(shè)定在30 200 μ m左右。另一方面， 圖形形成用槽35在絕緣層31中深入到預(yù)定的深度，由此，其不象通孔34那樣貫穿絕緣層 31。最好，把圖形形成用槽35的深度設(shè)定為使得導(dǎo)電層32的厚度(tl)與采用圖形形成用 槽35而最終形成的配線圖形的厚度(t2)之比(t2/tl)處于1.5 20的范圍內(nèi)。接著，在包括通孔34和圖形形成用槽35的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形 成基底導(dǎo)電層36(圖28)?；讓?dǎo)電層36的形成方法優(yōu)選采用非電解電鍍法、濺射法、蒸鍍 法等。由于基底導(dǎo)電層36發(fā)揮此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常薄，例如， 可在數(shù)百人 3· 0 μ m的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。接著，將由感光材料構(gòu)成的干膜37粘貼于增長層30的表面上(圖29)。由此，形 成基底導(dǎo)電層36的幾乎整個表面被干膜37覆蓋的狀態(tài)。然后，對干膜37進行曝光、顯影 處理，去除位于通孔34和圖形形成用槽35的開口部的干膜37 (圖30)。殘留的干膜37用作此后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜37覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料38(圖31)。 即，不在核心基板增長層的整個面，而是有選擇地在未被干膜37覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材 料38。由此，通孔34的內(nèi)部處于幾乎完全被導(dǎo)電性材料38填充的狀態(tài)。另外，圖形形成用 槽35的內(nèi)部也處于由導(dǎo)電性材料填充的狀態(tài)。接著，在剝離干膜37之后(圖32)，按照與核心基板30的表面平行的方式對導(dǎo)電 性材料38進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖33)。在這里也與前述實施方式相同，按 照去除基底導(dǎo)電層36，進而稍微研磨導(dǎo)電層12的表面的程度，進行研磨，能夠可靠地使整 個面平坦。同樣在此情況下，首先進行化學(xué)研磨之后，進行采用拋光輪的機械研磨，可確保 非常好的平坦性。在上述研磨工序中，如果大幅度地對導(dǎo)電層32的表面進行研磨，則會有導(dǎo)電層32 的厚度偏差稍稍增加的可能性，但是，由于不在整個面、而是有選擇地形成導(dǎo)電性材料38， 故即使在伴隨導(dǎo)電性材料38的研磨、導(dǎo)電層32被研磨的情況下，其研磨量仍非常小，由此， 厚度偏差的增加也非常小。但是，在本發(fā)明中，不是必須在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料38的區(qū)域 形成掩模。接著，將干膜39粘貼于增長層的表面上(圖34)，對干膜39進行曝光、顯影處理， 由此對干膜39進行構(gòu)圖，使導(dǎo)電層32部分地露出(圖35)。然后，通過蝕刻，去除導(dǎo)電層 32露出的部分(圖36)。此時，由于構(gòu)圖后的導(dǎo)電層32的厚度偏差被抑制得非常小，故可 進行高精度的構(gòu)圖。殘留的導(dǎo)電層32形成通常的配線圖形(第1配線圖形)40和通孔上 的電極圖形42的一部分。最后，通過剝離干膜39，完成增長層30的一系列的加工，完成形 成有相對較薄的第1配線圖形40、相對較厚的第2配線圖形41和通孔上的電極圖形42的 多層基板43 (圖37)。象以上說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差較小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹 配的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比 較高、導(dǎo)體截面積較大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由圖形形成用槽所實現(xiàn)的第2 配線圖形構(gòu)成，可在同一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬 度和厚度偏差。即，可制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的增長層。另外，按照本實施例，由于在與激光加工所實現(xiàn)的通孔形成相同的工序中形成圖 形形成用槽，然后，在用導(dǎo)電性材料填充通孔內(nèi)部的工序中，用導(dǎo)電性材料填充圖形形成用 槽的內(nèi)部，形成第2配線圖形，故可在不增加工序的情況下，在通常的工序的范圍內(nèi)，形成 第2配線圖形。此外，按照本實施例，由于在用導(dǎo)電性材料填充通孔和圖形形成用槽的內(nèi)部時，在 形成導(dǎo)電性材料的區(qū)域之外形成掩模，從而有選擇地形成導(dǎo)電性材料，故可抑制因研磨產(chǎn) 生的導(dǎo)電層的厚度偏差，在對導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成配線圖形的情況下，可大幅度地提高 其圖形精度。由此，例如，即使在增長層上形成高頻用LC等無源元件的情況下，仍可抑制阻 抗的偏差。下面對本發(fā)明的第2實施方式的多層基板制造方法進行具體說明。本實施方式的多層基板制造方法也可應(yīng)用于構(gòu)成多層基板的“核心基板”和設(shè)置于核心基板上的“增長層”這兩者。首先，參照作為概略截面圖的圖38 圖51，對本實施方 式的多層基板制造方法應(yīng)用于“增長層”的情況進行說明。另外，與前述的實施方式相同， 核心基板和增長層的基本工藝相同，由此，在本實施方式中，僅對“增長層”進行說明，省略 對核心基板的說明。此外，與前述的實施方式相同的部分采用相同的標(biāo)號，省略對其的具體 說明。本實施方式的方法既可應(yīng)用于通過借助圖1 16說明的方法制作的加工完成核 心基板26上層疊的增長層，也可應(yīng)用于層疊于通過其它方法制作的核心基板上的增長層， 但是，不管哪一種情況，最好都是應(yīng)用于通過本發(fā)明的多層基板制造方法制作的核心基板 上層疊的增長層。由此，對于在核心基板的表面上形成的配線圖形和在增長層的表面上形 成的配線圖形這兩者，由于厚度偏差變小，可在整體上提高圖形精度。下面以本實施方式應(yīng) 用于層疊于上述加工完成核心基板26 (參照圖16)上的增長層的情況為例進行說明。首先，準(zhǔn)備通過利用圖1 圖16說明的方法制作的加工完成核心基板26，在核心 基板26上層疊增長層30 (圖38)。加工前的增長層30由在B階環(huán)氧樹脂等所形成的熱硬 化樹脂31上設(shè)置金屬箔32而形成的片(樹脂貼附金屬箔)形成。按照熱硬化樹脂31側(cè) 朝向核心基板26的方式貼合該片，如果對該層疊體進行熱壓，由于熱硬化樹脂31硬化，故 增長層30與核心基板26形成一體(圖39)。由此，熱硬化樹脂31構(gòu)成增長層的絕緣層，金 屬箔32構(gòu)成導(dǎo)電層。接著，將由感光材料形成的干膜33粘貼于增長層30的表面上(圖40)。由此，形 成導(dǎo)電層32的幾乎整個面被干膜33覆蓋的狀態(tài)。另外，通過對干膜33進行曝光、顯影處 理，而對干膜33進行構(gòu)圖，使導(dǎo)電層32部分地露出(圖41)。接著，將干膜33作為掩模，對導(dǎo)電層32進行蝕刻，使絕緣層31部分地露出(圖 42)。絕緣層的露出區(qū)域的一部分31a形成通孔的開口部，另一部分31b形成圖形形成用槽 的開口部。另一方面，殘留的導(dǎo)電層32主要形成具有預(yù)定厚度的通常的配線圖形(第1配 線圖形)。即，本實施方式與前述的實施方式的不同之處在于用于形成第1配線圖形的圖 形蝕刻與用于確保通孔和圖形形成用槽的形成區(qū)域的蝕刻在同一工序進行。此時，由于構(gòu) 圖后的導(dǎo)電層32的厚度偏差被抑制得非常小，故可進行高精度的構(gòu)圖。于是，可使配線圖 形的寬度成為預(yù)期的寬度。接著，剝離干膜33 (圖43)，通過激光加工，在絕緣層31的露出區(qū)域的一部分31a 形成通孔34，并且在絕緣層31的露出區(qū)域的另一部分31b形成圖形形成用槽35 (圖44)。接著，在包括通孔34和圖形形成用槽35的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形 成基底導(dǎo)電層36(圖45)?；讓?dǎo)電層36的形成方法優(yōu)選采用無電解電鍍法、濺射法、蒸鍍法等。接著，將由感光材料形成的干膜37粘貼于增長層30的表面上(圖46)。由此，形 成基底導(dǎo)電層36的幾乎整個表面被干膜37覆蓋的狀態(tài)。然后，對干膜37進行曝光、顯影 處理，去除位于通孔34和圖形形成用槽35的開口部的干膜37 (圖47)。殘留的干膜37用 作此后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜37覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料38(圖48)。由 此，通孔34的內(nèi)部處于幾乎完全被導(dǎo)電性材料38填充的狀態(tài)。另外，圖形形成用槽35的 內(nèi)部也處于被導(dǎo)電性材料填充的狀態(tài)。
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接著，剝離干膜37之后(圖49)，按照與核心基板增長層30的表面平行的方式對 導(dǎo)電性材料38進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖50)。由此，處于形成了厚度大于 第1配線圖形39的第2配線圖形41和通孔上的電極圖形42的一部分的狀態(tài)。接著，采用 酸等蝕刻液，去除(軟蝕刻，soft etching)未形成配線圖形等的部分的不需要的基底導(dǎo)電 層36，由此，完成了對增長層的一系列加工，完成形成有相對較薄的第1配線圖形40、相對 較厚的第2配線圖形41和通孔上的電極圖形42的多層基板(圖51)。象以上說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配 的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比較 高、導(dǎo)體截面積較大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由圖形形成用槽所實現(xiàn)的第2配 線圖形構(gòu)成，可在同一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬度 和厚度偏差。即，可制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的增長層。另外，按照本實施方式，由于在與激光加工所實現(xiàn)的通孔形成相同的工序中形成 圖形形成用槽，然后，在用導(dǎo)電性材料填充通孔內(nèi)部的工序中，用導(dǎo)電性材料對圖形形成用 槽的內(nèi)部進行填充，形成第2配線圖形，故可在不增加工序的情況下，在通常的工序的范圍 內(nèi)，形成第2配線圖形。此外，按照本實施方式，由于通過導(dǎo)電層的一次蝕刻工序，一并進行用于形成第1 配線圖形的圖形蝕刻和用于確保通孔和圖形形成用槽的形成區(qū)域的蝕刻，故與前述的實施 方式相比，可減少工序數(shù)。還有，在上述各實施方式中，通過電解電鍍法等的添加法，形成圖形形成用槽所實 現(xiàn)的配線圖形(第2配線圖形)，通過蝕刻法等消去法，形成另一配線圖形(第1配線圖 形)，但是，也可通過添加法形成這兩個配線圖形。在此情況下，第1配線圖形的厚度精度稍 稍變差，但是，如果將其厚度設(shè)定得充分薄，則可抑制厚度精度變差。再有，在第1實施方式中，最初與通孔一同形成由圖形形成用槽實現(xiàn)的第2配線圖 形，然后，形成第1配線圖形，另外，在第2實施方式中，最初通過蝕刻而形成第1配線圖形， 然后，與通孔一起生成由圖形形成用槽實現(xiàn)的第2配線圖形，由此，在本發(fā)明中，這些配線 圖形的形成順序是沒有關(guān)系的。即，在多層基板的制造工序中，可與順序無關(guān)地包括在構(gòu)成 多層基板的一部分的絕緣層的表面上形成具有預(yù)定厚度的第1配線圖形的工序、以及在該 絕緣層上形成圖形形成用槽后，用導(dǎo)電性材料填充圖形形成用槽的內(nèi)部，從而形成厚度大 于第1配線圖形的第2配線圖形的工序。下面對本發(fā)明的第3優(yōu)選實施方式進行具體說明。本實施方式的多層基板制造方法也可應(yīng)用于構(gòu)成多層基板的“核心基板”和設(shè)置 于核心基板上的“增長層”這兩者。首先，參照作為概略截面圖的圖52 圖62，對本實施方 式的多層基板制造方法應(yīng)用于“核心基板”的情況進行說明。首先，與第1實施方式的情況同樣，準(zhǔn)備核心基板10，在核心基板10的兩個面上分 別粘貼由感光材料構(gòu)成的干膜14、15(圖1，圖2)。由此，形成導(dǎo)電層12、13的幾乎整個面 被干膜14、15覆蓋的狀態(tài)。另外，通過對干膜14、15進行曝光、顯影處理，對干膜14、15進 行構(gòu)圖，使導(dǎo)電層12、13部分地露出(圖52)。接著，將干膜14、15作為掩模，對導(dǎo)電層12、13進行蝕刻處理，使絕緣層11部分地露出(圖53)。絕緣層的露出區(qū)域的一部分Ila形成通孔的開口部，另一部分lib形成相對 較厚的配線圖形的形成區(qū)域。另一方面，殘留的導(dǎo)電層12、13主要形成具有預(yù)定厚度的通 常的配線圖形(第1配線圖形)。此時，由于構(gòu)圖后的導(dǎo)電層12、13的厚度偏差被抑制得非 常小，故可進行高精度的構(gòu)圖。于是，可使通過構(gòu)圖形成的第1配線圖形的寬度成為預(yù)期的寬度。接著，剝離干膜14、15(圖54)，通過激光加工，在絕緣層11露出的部分Ila形成 通孔16 (圖55)。該通孔16貫穿絕緣層11，但是，此時，導(dǎo)電層13的一部分用作終止部，由 此，該導(dǎo)電層13構(gòu)成通孔16的底部16a。對于通孔16的直徑?jīng)]有特別的限定，但是，最好 設(shè)定在30 200 μ m左右。接著，在包括通孔16的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形成基底導(dǎo)電層18(圖 56)?；讓?dǎo)電層18的形成方法優(yōu)選采用無電解電鍍法、濺射法、蒸鍍法等。由于基底 導(dǎo)電層18發(fā)揮此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常薄，例如，可在數(shù)百人 3. Oym的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。接著，將由感光材料形成的干膜19分別粘貼于核心基板10的兩個面上(圖57)。 由此，形成基底導(dǎo)電層18的幾乎整個面被干膜19覆蓋的狀態(tài)。由于干膜19用于形成后述 的第2配線圖形，故其厚度必須大于第1配線圖形。接著，通過對干膜19進行曝光、顯影處 理，去除位于通孔的開口部和打算形成厚度大于第1配線圖形的第2配線圖形的區(qū)域的干 膜19(圖58)。殘留的干膜19用作在后面進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜19覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料20 (圖59)。即， 不在核心基板10的整個面，而是有選擇地在未被干膜19覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材料20。 由此，通孔16的內(nèi)部處于幾乎完全被導(dǎo)電性材料20填充的狀態(tài)，另外，處于在第2配線圖 形的形成區(qū)域形成導(dǎo)電性材料20的狀態(tài)。電解電鍍優(yōu)選按照通孔16和第2配線圖形的形成區(qū)域的內(nèi)部完全被導(dǎo)電性材料 20填充的方式進行?？蓪﹄婂円旱姆N類進行適當(dāng)選擇，例如，在導(dǎo)電性材料為銅(Cu)的情 況下，電鍍液可采用硫酸銅。在通孔16的內(nèi)部殘留有空洞這樣的情況下，優(yōu)選用導(dǎo)電性樹 脂對通孔16的內(nèi)部進行填充。這樣做的原因在于，如果殘留有空洞，則在空洞的內(nèi)部殘留 有電鍍液等，其造成通孔的腐蝕。也可采用絕緣性樹脂來代替導(dǎo)電性樹脂，但是，優(yōu)選采用 導(dǎo)電性樹脂，以便可靠地通過通孔16實現(xiàn)上下層之間的電連接。接著，在未剝離干膜19的狀態(tài)下，按照與核心基板10的表面平行的方式對導(dǎo)電性 材料20進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖60)。即，在干膜19存在的狀態(tài)下，對導(dǎo) 電性材料20進行研磨。此時，由于干膜自身幾乎未受到研磨，故導(dǎo)電性材料20的表面與干 膜19的表面實質(zhì)上一致。研磨可以僅采用化學(xué)研磨和使用了拋光輪的機械研磨中的任何 一種，但是，優(yōu)選并用這些方式。特別是，如果在首先進行化學(xué)研磨后，進行采用拋光輪的機 械的研磨，則可確保非常高的平坦性。之后，如果剝離干膜19，則成為在基底導(dǎo)電層18的表面上形成了厚于第1配線圖 形23的第2配線圖形24和通孔上的電極圖形25的狀態(tài)(圖61)。接著，采用酸等蝕刻液， 去除(軟蝕刻)未形成配線圖形的部分的不需要的基底導(dǎo)電層18，由此，對核心基板的一系 列的加工結(jié)束，完成了形成有相對較薄的第1配線圖形23、相對較厚的第2配線圖形24和 通孔上的電極圖形25的加工完成核心基板26 (圖62)。另外，雖然在軟蝕刻工序中配線圖形自身也稍稍受到蝕刻，但是，由于蝕刻量小，故沒有問題。象上面說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配 的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比較 高、導(dǎo)體截面積較大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由通過電鍍形成的第2配線圖形 構(gòu)成，可在同一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬度和厚度 偏差。即，可制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的核心基板。另外，按照本實施方式，由于在用導(dǎo)電性材料對通孔的內(nèi)部進行填充的工序中形 成第2配線圖形，故可在不增加工序的情況下，在通常的工序的范圍內(nèi)，形成第2配線圖形。下面參照作為概略截面圖的圖63 圖75，對本實施方式的多層基板制造方法應(yīng) 用于“增長層”的情況進行說明。本實施方式的方法既可應(yīng)用于通過借助圖52 62說明的方法制作的加工完成核 心基板26上層疊的增長層，也可應(yīng)用于通過其它方法制作的核心基板上層疊的增長層，但 是，在任何一種情況中都最好應(yīng)用于通過本發(fā)明的多層基板制造方法制作的核心基板上層 疊的增長層。由此，由于在核心基板的表面上形成的配線圖形和在增長層的表面上形成的 配線圖形這兩者的厚度偏差變小，故可在整體上提高圖形精度。下面以本實施方式應(yīng)用于 層疊于上述加工完成核心基板26(參照圖62)上的增長層的情況為例而進行說明。首先，準(zhǔn)備通過采用圖52 圖62說明的方法制作的加工完成核心基板26，在核心 基板26上層疊增長層(圖63)。加工前的增長層30由在B階環(huán)氧樹脂等所形成的熱硬化 樹脂31上設(shè)置金屬箔32而形成的片(樹脂貼附金屬箔)形成。按照熱硬化樹脂31側(cè)朝 向核心基板26的方式貼合該片，如果對該層疊體進行熱壓，由于熱硬化樹脂31硬化，增長 層與核心基板26形成一體(圖64)。由此，熱硬化樹脂31構(gòu)成增長層的絕緣層，金屬箔32 構(gòu)成導(dǎo)電層。接著，將由感光材料形成的干膜33粘貼于增長層30的表面上(圖65)。由此，形 成導(dǎo)電層32的幾乎整個面被干膜33覆蓋的狀態(tài)。另外，通過對該干膜33進行曝光、顯影 處理，對薄膜33進行構(gòu)圖，使導(dǎo)電層32部分地露出(圖66)。接著，將干膜33作為掩模，對導(dǎo)電層32進行蝕刻，使絕緣層31部分地露出(圖 67)。絕緣層的露出區(qū)域的一部分31a形成通孔的開口部，另一部分31b形成相對較厚的配 線圖形的形成區(qū)域。另一方面，殘留的導(dǎo)電層32主要形成具有預(yù)定厚度的通常的配線圖形 (第1配線圖形)。此時，由于構(gòu)圖后的導(dǎo)電層32的厚度偏差被抑制得非常小，故可進行高 精度的構(gòu)圖。于是，可使通過構(gòu)圖而形成的第1配線圖形的寬度成為預(yù)期的寬度。接著，剝離干膜33 (圖68)，通過激光加工，在絕緣層31的露出部分31a形成通孔 34(圖69)。通孔34貫穿絕緣層31，但是，此時，核心基板26上的導(dǎo)電層的一部分(在這 里，為電極圖形23)起終止部的作用，由此，該導(dǎo)電層構(gòu)成通孔34的底部34a。對于通孔34 的直徑?jīng)]有特別的限定，但是，優(yōu)選設(shè)定在30 200 μ m左右。接著，在包括通孔34的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形成基底導(dǎo)電層36 (圖 70)?；讓?dǎo)電層36的形成方法優(yōu)選采用無電解電鍍法、濺射法、蒸鍍法等。由于基底 導(dǎo)電層36起到此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常薄，例如，可在數(shù)百人 3. Oym的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。
接著，將由感光材料形成的干膜37粘貼于增長層30的表面上(圖71)。由此，形 成基底導(dǎo)電層36的幾乎整個面被干膜覆蓋的狀態(tài)。由于干膜37用于形成后述的第2配線 圖形，故其厚度必須大于第1配線圖形。接著，對干膜37進行曝光、顯影處理，去除位于通孔 34的開口部和打算形成厚度大于第1配線圖形的第2配線圖形的區(qū)域的干膜37(圖72)。 殘留的干膜37用作此后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜37覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材料38 (圖73)。即， 不在增長層的整個面、而是在未被干膜37覆蓋的區(qū)域有選擇地形成導(dǎo)電性材料38。由此， 處于通孔34的內(nèi)部幾乎完全被導(dǎo)電性材料38填充的狀態(tài)，另外，處于在第2配線圖形的形 成區(qū)域形成了導(dǎo)電性材料38的狀態(tài)。接著，在未剝離干膜37的狀態(tài)下，按照與增長層30的表面平行的方式對導(dǎo)電性材 料38進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖74)。即，在干膜37存在的狀態(tài)下，對導(dǎo)電性 材料38進行研磨。此時，由于干膜自身幾乎未受到研磨，故導(dǎo)電性材料38的表面實質(zhì)上與 干膜37的表面一致。然后，如果將干膜37剝離，則成為在基底導(dǎo)電層36的表面上形成了厚于第1配線 圖形40的第2配線圖形41和通孔上的電極圖形42的狀態(tài)(圖75)。接著，采用酸等蝕刻 液，去除(軟蝕刻)未形成配線圖形等的部分的不需要的基底導(dǎo)電層36，由此，對增長層的 一系列的加工結(jié)束，完成形成有相對較薄的第1配線圖形40、相對較厚的第2配線圖形41 和通孔上的電極圖形42的多層基板43 (圖76)。另外，雖然在軟蝕刻工序中，配線圖形自身 也稍稍受到蝕刻，但是，由于蝕刻量小，故沒有問題。象上面說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配 的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比高、 導(dǎo)體截面積大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由通過電鍍形成的第2配線圖形構(gòu)成， 可在同一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬度和厚度偏差。 即，可制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的增長層。另外，按照本實施方式，由于在用導(dǎo)電性材料對通孔的內(nèi)部進行填充的工序中形 成第2配線圖形，故可在不增加工序的情況下，在通常的工序的范圍內(nèi)，形成第2配線圖形。下面對本發(fā)明的第4優(yōu)選實施方式進行具體說明。本實施方式的多層基板制造方法可應(yīng)用于構(gòu)成多層基板的“核心基板”和設(shè)置于 核心基板上的“增長層”這兩者。首先，參照作為概略截面圖的圖77 圖98，對本實施方式 的多層基板制造方法應(yīng)用于“核心基板”的情況進行說明。首先，準(zhǔn)備復(fù)合材料50(圖77)。加工前的復(fù)合材料50構(gòu)成為由蝕刻率不同的導(dǎo) 電性材料A和B按照A/B/A的順序?qū)盈B而成的3層的層疊體。即，第1導(dǎo)電層51和第3導(dǎo) 電層53由蝕刻材料A形成，其間的第2導(dǎo)電層52由蝕刻率慢于蝕刻材料A的蝕刻終止材 料 B 形成。(A/B)的組合優(yōu)選在(Cu/Al)、(Al/Cu)、(Cu/Ni)、(Ni/Cu)、(Cu/Pd)、(Cu/Ag)、 (SUS/Pd)、(SUS/Ag)、(Ag/SUS)、(Cu/SUS)的范圍內(nèi)選擇。特別優(yōu)選的組合為(A/B/A)分別 是(Cu/Ni/Cu)的情況。優(yōu)選為第1導(dǎo)電層51的厚度與第3導(dǎo)電層53的厚度不同，在本實 施方式中，第1導(dǎo)電層51的厚度大于第3導(dǎo)電層53。第1導(dǎo)電層51的厚度(tl)優(yōu)選為 第3導(dǎo)電層53的厚度(t3)的1. 5 20倍，具體來說，第1導(dǎo)電層51的厚度(tl)優(yōu)選在
2312 70μπι的范圍內(nèi)，第3導(dǎo)電層53的厚度(t3)優(yōu)選在1 18 μ m的范圍內(nèi)。接著，將由感光材料形成的干膜54、55分別粘貼于復(fù)合材料50的兩面上(圖78)。 由此，形成第1導(dǎo)電層51的表面被干膜54覆蓋，第3導(dǎo)電層53的表面被干膜55覆蓋的狀 態(tài)。另外，通過對干膜54進行曝光、顯影處理，對干膜進行構(gòu)圖，使第1導(dǎo)電層51露出(圖 79)。接著，將干膜54作為掩模，對復(fù)合材料50的第1導(dǎo)電層51進行蝕刻處理(圖80)。 由此，第1導(dǎo)電層51被構(gòu)圖，處于形成了相對較厚的配線圖形(第2配線圖形)的狀態(tài)。此 時，由于在第1導(dǎo)電層51和第3導(dǎo)電層53之間具有作為蝕刻終止材料的第2導(dǎo)電層52，故 即使有第2導(dǎo)電層52稍稍受到蝕刻的情況，也不會完全將復(fù)合材料50蝕刻到第3導(dǎo)電層 53處。另外，作為此時的蝕刻液，對于蝕刻材料和蝕刻終止材料的組合，最好選擇下述的類 型。即，優(yōu)選為，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Al)的情況下，蝕刻液采用 酸性蝕刻液(硫酸等)，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Al/Cu)的情況下，蝕刻 液采用堿性蝕刻液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Ni)的情況下，蝕刻液采 用硫酸+過氧化氫蝕刻液、過硫酸銨、或堿性蝕刻液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組 合為(Ni/Cu)的情況下，蝕刻液采用市場上銷售的Ni剝離液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材 料)的組合為(Cu/Pd)、(Cu/Ag)、(SUS/Pd)、(SUS/Ag)中任意一種的情況下，蝕刻液采用氯 化鐵，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Ag/SUS)、(Cu/SUS)中的某一種的情況下， 采用硝酸鐵。然后，將干膜54、55剝離(圖81)，結(jié)束復(fù)合材料50的構(gòu)圖。接著，準(zhǔn)備2個上述的構(gòu)圖完的復(fù)合材料50，并且準(zhǔn)備核心基板56，在核心基板56 的兩個面上分別粘合2個復(fù)合材料50 (在下面稱為復(fù)合材料50A、50B)(圖82)。核心基板 56起多層基板的絕緣層的作用，并且起在多層基板的制作中確保整體的機械強度的作用， 雖然其材料沒有特別的限定，但是，該核心基板56的材料優(yōu)選采用在由玻璃布、凱夫拉爾、 液晶聚合物等樹脂布、氟樹脂的多孔質(zhì)片等形成的芯材中浸漬熱硬化樹脂、熱塑性樹脂等 而形成的材料，其厚度優(yōu)選設(shè)定在20 μ m 200 μ m左右。另外，為了使激光加工條件均勻， 也可將沒有LCP、PPS、PES、PEEK、PI等芯材的片材用作核心基板。在該核心基板56上，按 照進行了圖形蝕刻處理的面(即，第1導(dǎo)電層51)朝向核心基板56側(cè)的方式貼合復(fù)合材料 50A、50B，對該疊層體進行按壓，此時，核心基板56硬化，由此，復(fù)合材料50A、50B與核心基 板56形成一體(圖83)。接著，在粘貼有復(fù)合材料50A、50B的核心基板56的兩個面上，分別粘貼干膜14、 15 (圖84)。由此，復(fù)合材料50A的第3導(dǎo)電層53的表面處于被干膜14覆蓋的狀態(tài)，復(fù)合 材料50B的第3導(dǎo)電層53的表面處于被干膜15覆蓋的狀態(tài)。接著，通過對干膜14、15進 行曝光、顯影處理，將其一部分去除，使復(fù)合材料50A的第3導(dǎo)電層的一部分53a露出(圖 85)。接著，將干膜14作為掩模，對復(fù)合材料50進行蝕刻，使核心基板56的一部分露出 (圖86)。露出的區(qū)域Ila形成通孔的開口部。此時，由于復(fù)合材料50A的第1導(dǎo)電層51 已經(jīng)在第1次的蝕刻工序中被去除，在核心基板56上殘留了作為蝕刻材料的第3導(dǎo)電層53 和作為蝕刻終止材料的第2導(dǎo)電層52，故通過采用蝕刻力強的蝕刻液，對它們進行蝕刻，將 第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層52完全去除，形成核心基板56的表面露出的狀態(tài)。另外，作 為此時的蝕刻液，針對蝕刻材料和蝕刻終止材料的組合，優(yōu)選選擇下述的類型。即，優(yōu)選為，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Al)的情況下，蝕刻液采用酸性蝕刻液(硫 酸等)，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Al/Cu)的情況下，蝕刻液采用堿性蝕刻 液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Ni)的情況下，蝕刻液采用硫酸+過氧化 氫蝕刻液、過硫酸銨、或堿性蝕刻液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Ni/Cu)的情 況下，蝕刻液采用市場上銷售的Ni剝離液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/ Pd)、(Cu/Ag)、(SUS/Pd)、(SUS/Ag)中任何一種的情況下，蝕刻液采用氯化鐵，在(蝕刻材料 /蝕刻終止材料)的組合為(Ag/SUS)、(Cu/SUS)中的某一種的情況下，蝕刻液采用硝酸鐵。接著，剝離干膜14、15 (圖87)，通過激光加工，在核心基板56露出的部分1 Ia形成 通孔16 (圖88)。通孔16貫穿核心基板56，但是，此時，與激光的入射側(cè)相反一側(cè)的復(fù)合材 料50B用作終止部，由此，復(fù)合材料50B的第2導(dǎo)電層52構(gòu)成通孔16的底部17a。通孔16 的直徑?jīng)]有特別的限定，但是，優(yōu)選設(shè)定在30 200μπι左右。接著，在包括通孔16的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形成基底導(dǎo)電層18(圖 89)?；讓?dǎo)電層18的形成方法優(yōu)選采用無電解電鍍法、濺射法、蒸鍍法等。由于基底導(dǎo)電 層18起此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常薄，例如，可在數(shù)百人 3.0μπι 的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。接著，將干膜19粘貼于核心基板10的兩個面上(圖90)。由此，形成基底導(dǎo)電層 18的幾乎整個面被干膜19覆蓋，復(fù)合材料50Β的表面被干膜19Β覆蓋的狀態(tài)。接著，通過 對干膜19進行曝光、顯影處理，去除位于通孔16的開口部的干膜19 (圖91)。殘留的干膜 19用作此后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜19覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料20 (圖92)。即， 不在核心基板56的整個表面，而是有選擇地在未被干膜19覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材料20。 由此，形成通孔16幾乎完全被導(dǎo)電性材料20填充的狀態(tài)。電解電鍍優(yōu)選按照通孔16的內(nèi) 部完全由導(dǎo)電性材料20填充的方式進行。可對電鍍液的種類進行適當(dāng)選擇，例如，在導(dǎo)電 性材料20為銅(Cu)的情況下，電鍍液可采用硫酸銅。在通孔16的內(nèi)部殘留有空洞這樣的 情況下，優(yōu)選為以導(dǎo)電性樹脂對通孔16的內(nèi)部進行填充。這樣做的原因在于，如果殘留有 空洞，則在空洞的內(nèi)部殘留有電鍍液等，其造成通孔的腐蝕。也可采用絕緣性樹脂來代替導(dǎo) 電性樹脂，但是，優(yōu)選采用導(dǎo)電性樹脂，以便可靠地通過通孔16實現(xiàn)上下層之間的電連接。接著，將干膜19剝離后(圖93)，按照與核心基板56的表面平行的方式對導(dǎo)電性 材料20進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖94)。此時，通過按照去除掉基底導(dǎo)電層 18，進而稍稍研磨到第3導(dǎo)電層53的表面的程度進行研磨，能夠可靠地使整個面平坦。研磨 可以僅采用化學(xué)研磨和使用了拋光輪的機械研磨中的任何一種，但是，優(yōu)選并用這些方式。 特別是，如果首先進行化學(xué)研磨后，進行采用拋光輪的機械的研磨，則能夠可靠地確保非常 高的平坦性。在上述研磨工序中，如果第3導(dǎo)電層53的表面被大幅度地研磨，則會有第3導(dǎo)電 層53的厚度偏差稍稍增加的可能性，但是，由于導(dǎo)電性材料20不是在整個面上，而是有選 擇地形成，故即使在伴隨導(dǎo)電性材料20的研磨，第3導(dǎo)電層53被研磨的情況下，其研磨量 仍非常小，由此，厚度偏差的增加也非常小。相對該情況，假設(shè)在不采用干膜19，而在整個面 上形成導(dǎo)電性材料20的情況下，由于必須在整個面對較厚的(例如，20μπι)導(dǎo)電性材料20 進行研磨，故第3導(dǎo)電層53的最終的厚度偏差變得很大。在本實施方式中，在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料20的區(qū)域形成由干膜19形成的掩模，就是考慮到了這一點。但是，在本發(fā)明中， 不是必須在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料20的區(qū)域形成掩模。接著，在核心基板56的兩個面上再粘貼新的干膜21 (圖95)。由此，形成復(fù)合材料 50A的第3導(dǎo)電層53和復(fù)合材料50B的第3導(dǎo)電層53的表面分別被干膜21覆蓋的狀態(tài)。 接著，通過對干膜21進行曝光、顯影處理，對干膜21進行構(gòu)圖，使復(fù)合材料50A、50B的第2 導(dǎo)電層52分別部分地露出(圖96)。接著，將干膜21A、21B作為掩模，對復(fù)合材料50A、50B的第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo) 電層52進行蝕刻(圖97)。由此，第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層52被進行構(gòu)圖，處于形成 了相對較薄的配線圖形(第1配線圖形)的狀態(tài)。此時，由于復(fù)合材料50A的第1導(dǎo)電層 51已在第1次的蝕刻工序中去除，在核心基板56上殘留作為蝕刻材料的第3導(dǎo)電層53和 作為蝕刻終止材料的第2導(dǎo)電層52，故通過采用蝕刻力強的蝕刻液，對復(fù)合材料進行蝕刻， 第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層52被完全地構(gòu)圖。另外，此時的蝕刻液可采用與第2次的蝕 刻工序時相同的蝕刻液。然后，剝離干膜21，對核心基板56的一系列的加工結(jié)束，完成形成有相對較薄的 第1配線圖形23、相對較厚的第2配線圖形24和通孔上下的電極圖形25的加工完成核心 基板26 (圖98)。象上面說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配 的通常的配線圖形，由通過導(dǎo)電層的構(gòu)圖而形成的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比高、 導(dǎo)體截面積較大(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由較厚的第2配線圖形構(gòu)成，可在同 一層內(nèi)形成它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬度和厚度偏差。即，可 制作出設(shè)計自由度高，適合高密度安裝的核心基板。另外，按照本實施方式，由于對復(fù)合材料進行構(gòu)圖而預(yù)先形成相對較厚的配線圖 形之后，將其粘貼于核心基板上，然后，對核心基板上的復(fù)合材料進一步進行構(gòu)圖，形成相 對較薄的配線圖形，故可僅通過消去法而形成配線圖形。由此，只要具有用于通過消去法進 行加工的設(shè)備就夠了，完全不需要用于通過添加法進行加工的設(shè)備。此外，按照本實施方式，由于在以導(dǎo)電性材料對通孔的內(nèi)部進行填充時，在形成導(dǎo) 電性材料的區(qū)域之外形成掩模，而有選擇地形成導(dǎo)電性材料，故可抑制因研磨產(chǎn)生的導(dǎo)電 層的厚度偏差，在通過消去法對導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成配線圖形的情況下，可大幅度地提 高其圖形精度。另外，由于主要對有選擇地形成的導(dǎo)電性材料的突起部分進行研磨，故與對 整個面進行研磨的情況相比，不易產(chǎn)生翹曲。由此，例如，即使在核心基板上形成高頻用LC 等無源元件的情況下，仍可抑制阻抗的偏差。即，按照本實施方式，由于此時構(gòu)圖后的第3 和第2導(dǎo)電層的厚度偏差被抑制得非常小，故可進行高精度的構(gòu)圖。于是，可使通過這些構(gòu) 圖而形成的相對較薄的第2配線圖形的寬度成為預(yù)期的寬度。下面參照作為概略截面圖的圖99 117，對本發(fā)明的實施方式的多層基板制造方 法應(yīng)用于“增長層”的情況的優(yōu)選實施方式進行說明。本實施方式的方法既可應(yīng)用于通過借助圖77 圖98說明的方法制作的加工完成 核心基板26上層疊的增長層，也可應(yīng)用于通過其它方法制作的核心基板上層疊的增長層， 但是，對于任何一種情況，最好都是應(yīng)用于通過本發(fā)明的多層基板制造方法制作的核心基板上層疊的增長層。由此，由于在核心基板的表面上形成的配線圖形和在增長層的表面上 形成的配線圖形這兩者的厚度偏差變小，故可在整體上提高圖形精度。下面以本實施方式 應(yīng)用于層疊于上述加工完成核心基板26(參照圖98)上的增長層的情況為例而進行說明。首先，準(zhǔn)備經(jīng)過圖77 圖81所示的工序制作出的構(gòu)圖完成復(fù)合材料50，將其粘合 于由B階環(huán)氧樹脂等形成的熱硬化樹脂片31上(圖99)。此時，按照復(fù)合材料50的構(gòu)圖面 朝向樹脂片31側(cè)的方式貼合，如果對該層疊體進行按壓，由于熱硬化樹脂硬化，故復(fù)合材 料50與樹脂片31形成一體，完成樹脂貼附金屬箔57 (圖100)。接著，準(zhǔn)備上述加工完成核心基板26，在核心基板26上層疊樹脂貼附金屬箔 57 (圖101)。此時，按照樹脂片31側(cè)朝向核心基板26的方式貼合，如果對該層疊體進行熱 壓，由于熱硬化樹脂硬化，故樹脂貼附金屬箔57與核心基板26形成一體(圖102)。由此， 形成在核心基板26上形成了增長層(在下面稱為增長層57)的狀態(tài)，樹脂片31形成增長 層57的絕緣層(在下面稱為絕緣層31)，復(fù)合材料50的第1導(dǎo)電層51、第2導(dǎo)電層52和 第3導(dǎo)電層53形成增長層57上的導(dǎo)電層。接著，在粘貼有復(fù)合材料50的絕緣層31的表面上粘貼干膜33 (圖103)。由此，形 成復(fù)合材料50的第3導(dǎo)電層53的表面被干膜33覆蓋的狀態(tài)。另外，通過對該干膜33進行 曝光、顯影處理，去除其一部分，使復(fù)合材料50的第3導(dǎo)電層的一部分53a露出(圖104)。接著，將干膜33作為掩模，對復(fù)合材料50進行蝕刻，使絕緣層31的一部分露出 (圖105)。露出的區(qū)域31a形成通孔的開口部。此時，由于復(fù)合材料50的第1導(dǎo)電層51已 經(jīng)在第1次的蝕刻工序中去除，在絕緣層31上殘留作為蝕刻材料的第3導(dǎo)電層53和作為 蝕刻終止材料的第2導(dǎo)電層52，故通過采用蝕刻力強的蝕刻液，對它們進行蝕刻，第3導(dǎo)電 層53和第2導(dǎo)電層52被完全去除，形成絕緣層31的表面露出的狀態(tài)。另外，作為此時的 蝕刻液，針對蝕刻材料和蝕刻終止材料的組合，優(yōu)選選擇下述的類型。即，優(yōu)選為，在(蝕刻 材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Al)的情況下，蝕刻液采用酸性蝕刻液(硫酸等)，在 (蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Al/Cu)的情況下，蝕刻液采用堿性蝕刻液，在(蝕 刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Ni)的情況下，蝕刻液采用硫酸+過氧化氫蝕刻液、 過硫酸銨、或堿性蝕刻液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Ni/Cu)的情況下，蝕 刻液采用市場上銷售的Ni剝離液，在(蝕刻材料/蝕刻終止材料)的組合為(Cu/Pd)、(Cu/ Ag)、(SUS/Pd)、(SUS/Ag)中的任何一種的情況下，蝕刻液采用氯化鐵，在(蝕刻材料/蝕刻 終止材料)的組合為(Ag/SUS)、(Cu/SUS)中的某一種的情況下，蝕刻液采用硝酸鐵。接著，剝離干膜33 (圖106)，通過激光加工，在絕緣層31的露出部分31a形成通 孔34(圖107)。通孔34貫穿絕緣層31，但是，此時，與激光的入射側(cè)相反一側(cè)的電極圖形 (在這里，為核心基板26的通孔上的電極圖形)用作終止部，由此，該電極圖形構(gòu)成通孔34 的底部17a。通孔34的直徑?jīng)]有特別的限定，但是，優(yōu)選設(shè)定在30 200 μ m左右。接著，在包括通孔34的內(nèi)壁在內(nèi)的露出面的幾乎整個面上形成基底導(dǎo)電層36 (圖 108)?；讓?dǎo)電層36的形成方法優(yōu)選采用無電解電鍍法、濺射法、蒸鍍法等。由于基底導(dǎo)電 層36起此后進行的電解電鍍的基底的作用，故其厚度非常薄，例如，可在數(shù)百人 3.0μπι 的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇。接著，將干膜37貼于增長層57的表面上(圖109)。由此，形成基底導(dǎo)電層36的 幾乎整個面被干膜37覆蓋的狀態(tài)。接著，通過對干膜37進行曝光、顯影處理，去除位于通孔34的開口部的干膜37(圖110)。殘留的干膜37用作此后進行的電解電鍍的掩模。接著，通過電解電鍍法，在未被干膜37覆蓋的區(qū)域生長導(dǎo)電性材料20 (圖111)。 即，不在增長層57的整個表面上，而是有選擇地在未被干薄37覆蓋的區(qū)域形成導(dǎo)電性材料 38。由此，形成通孔34幾乎完全被導(dǎo)電性材料38填充的狀態(tài)。電解電鍍優(yōu)選按照通孔34 的內(nèi)部完全由導(dǎo)電性材料38填充的方式進行?？蓪﹄婂円旱姆N類進行適當(dāng)選擇，例如，在 導(dǎo)電性材料38為銅(Cu)的情況下，電鍍液可采用硫酸銅。在通孔34的內(nèi)部殘留有空洞這 樣的情況下，優(yōu)選以導(dǎo)電性樹脂對通孔34的內(nèi)部進行填充。這樣做的原因在于，如果殘留 有空洞，則在空洞的內(nèi)部殘留有電鍍液等，其造成通孔的腐蝕。也可采用絕緣性樹脂來代替 導(dǎo)電性樹脂，但是，優(yōu)選采用導(dǎo)電性樹脂，以便可靠地通過通孔34實現(xiàn)上下層之間的電連 接。接著，剝離干膜37之后(圖112)，按照與增長層57的表面平行的方式對導(dǎo)電性 材料38進行研磨，對整個面進行平坦化處理(圖113)。此時，通過按照去除掉基底導(dǎo)電層 38，進而稍稍研磨到第3導(dǎo)電層53的表面的程度進行研磨，能夠可靠地使整個面平坦。研磨 可以僅采用化學(xué)研磨和使用了拋光輪的機械研磨中的任何一種，但是，優(yōu)選并用這些方式。 特別是，如果首先進行化學(xué)研磨之后，進行采用拋光輪的機械的研磨，可確保非常高的平坦 性。在上述研磨工序中，如果第3導(dǎo)電層53的表面被大幅度地研磨，則會有第3導(dǎo)電 層53的厚度偏差稍稍增加的可能性，但是，由于不在整個面上、而是有選擇地形成導(dǎo)電性 材料38，故即使伴隨導(dǎo)電性材料38的研磨，第3導(dǎo)電層53被研磨，其研磨量仍非常小，由 此，厚度偏差的增加也非常小。相對于該情況，假設(shè)在不采用干膜37而在整個面上形成導(dǎo) 電性材料38的情況下，由于必須在整個面對較厚的(例如，20μπι)導(dǎo)電性材料38進行研 磨，故第3導(dǎo)電層53的最終的厚度偏差變得很大。在本實施方式中，在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材 料38的區(qū)域形成由干膜37形成的掩模就是考慮到了這一點。但是，在本發(fā)明中，不是必須 在不應(yīng)形成導(dǎo)電性材料20的區(qū)域形成掩模。接著，在增長層57的表面上再粘貼新的干膜39 (圖114)。由此，形成復(fù)合材料50 的第3導(dǎo)電層53的表面被干膜39覆蓋的狀態(tài)。接著，通過對干膜39進行曝光、顯影處理， 對干膜39進行構(gòu)圖，使復(fù)合材料50的第3導(dǎo)電層53部分地露出(圖115)。接著，將干膜39作為掩模，對復(fù)合材料50的第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層52進行 蝕刻(圖116)。由此，第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層52被構(gòu)圖，處于形成了相對較薄的配線 圖形(第1配線圖形)的狀態(tài)。此時，由于復(fù)合材料50的第1導(dǎo)電層51已在第1次的蝕 刻工序去除，在增長層57上殘留作為蝕刻材料的第3導(dǎo)電層53和作為蝕刻終止材料的第 2導(dǎo)電層52，故通過采用蝕刻力強的蝕刻液，對它們進行蝕刻，第3導(dǎo)電層53和第2導(dǎo)電層 52被完全地構(gòu)圖。另外，此時的蝕刻液可采用與第2次的蝕刻工序時相同的蝕刻液。然后，將干膜39剝離，對增長層57的一系列的加工結(jié)束，完成形成有相對較薄的 第1配線圖形40、相對較厚的第2配線圖形41和通孔上下的電極圖形42的加工完成核心 基板43 (圖117)。象上面說明的那樣，按照本實施方式，由于可在同一層內(nèi)形成具有不同厚度的配 線圖形，故例如，對于要求圖形的寬度和厚度偏差小的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配 的通常的配線圖形，由相對較薄的第1配線圖形構(gòu)成，對于要求長寬比高、導(dǎo)體截面積較大
28(直流電阻較低)的扼流圈用L圖形，由相對較厚的第2配線圖形構(gòu)成，可在同一層內(nèi)形成 它們，可任意地選擇各元件所要求的最佳的圖形形狀、寬度和厚度偏差。即，可制作出設(shè)計 自由度高，適合高密度安裝的增長層。另外，按照本實施方式，由于在對復(fù)合材料進行構(gòu)圖而預(yù)先形成較厚的配線圖形 后，將其粘貼于形成增長層的熱硬化樹脂片上，接著，對增長層上的復(fù)合材料進一步進行構(gòu) 圖，形成相對較薄的第2配線圖形，故可僅通過消去法而形成配線圖形。由此，具有用于通 過消去法進行加工的設(shè)備就夠了，完全不需要用于通過添加法進行加工的設(shè)備。此外，按照本實施方式，由于在以導(dǎo)電性材料對通孔的內(nèi)部進行填充時，在形成導(dǎo) 電性材料的區(qū)域之外形成掩模，從而有選擇地形成導(dǎo)電性材料，故可抑制因研磨產(chǎn)生的導(dǎo) 電層的厚度偏差，在通過消去法對導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成配線圖形的情況下，可大幅度地 提高其圖形精度。另外，由于主要對有選擇地形成的導(dǎo)電性材料的突起部分進行研磨，故與 對整個面進行研磨的情況相比，不易產(chǎn)生翹曲。由此，例如，即使在增長層上形成高頻用LC 等無源元件的情況下，仍可抑制阻抗的偏差。即，按照本實施方式，由于此時構(gòu)圖后的第3 和第2導(dǎo)電層的厚度偏差被抑制得非常小，故可進行高精度的構(gòu)圖。于是，可使通過這些構(gòu) 圖而形成的第2配線圖形的寬度成為預(yù)期的寬度。還有，在第4實施方式中，在核心基板56的兩個面上粘貼復(fù)合材料50A、50B，由 此，分別在核心基板56的兩個面上形成第1和第2配線圖形，但是，也可僅在其中的某一面 上形成。在此情況下的核心基板采用在一面粘貼金屬箔的類型，在未粘貼有金屬箔的面上 粘貼復(fù)合材料。該金屬箔起激光加工時的終止部的作用，在電解電鍍時，構(gòu)成通孔的底部 17a，并且被進行構(gòu)圖，從而加工成相對較薄的配線圖形。此外，金屬箔優(yōu)選采用銅箔，其厚 度(tl)優(yōu)選設(shè)定在1 18μπι左右。在由金屬箔形成導(dǎo)電層52、53的情況下，如果采用用 作印刷配線板的電解銅箔(通過借助電解電鍍輥，對在硫酸銅水溶液中對銅進行溶解離子 化而形成的物質(zhì)連續(xù)進行電鍍處理，而形成銅箔)，或壓延銅箔，則可使厚度的偏差變得極 小。另外，也可根據(jù)需要，通過延展等方式，調(diào)整銅箔的厚度。此外，在第4實施方式中，對復(fù)合材料的一個面進行構(gòu)圖，從而最初形成相對較厚 的配線圖形之后，將該復(fù)合材料粘貼于核心基板上或增長層上，然后，對該復(fù)合材料的另一 個面進行構(gòu)圖，形成相對較薄的配線圖形，但是，也可與此相反，最初形成相對較薄的配線 圖形之后，形成相對較厚的配線圖形。在此情況下，第3導(dǎo)電層的厚度必須小于最初構(gòu)圖后 的復(fù)合材料的第1導(dǎo)電層的厚度。顯然，本發(fā)明不限于以上說明的實施方式，而可在技術(shù)方案所限定的發(fā)明范圍內(nèi) 進行各種變更，它們均包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在上述各實施方式中，通過激光加工，形成通孔或圖形形成用槽，但是，本發(fā) 明并不限于此，可考慮必要的磨削厚度、磨削寬度(直徑)、磨削速率等的各種條件，采用例 如，銑削、干法噴射(dry blast)、濕法噴射(wet blast)、鉆孔等適合的方法。還有，在上述各實施方式中，電解電鍍的掩模采用進行了構(gòu)圖的干膜，但是，也可 代替對干膜進行構(gòu)圖的方式，而通過絲網(wǎng)印刷法有選擇地形成絕緣性材料，將其用作掩模。另外，在上述各實施方式中，在將干膜剝離之后，對導(dǎo)電性材料進行研磨，但是，如 果在剝離干膜之前，暫時對導(dǎo)電性材料進行研磨，然后，將干膜剝離，之后再次進行研磨，則 雖然研磨的次數(shù)增加，但是，由于導(dǎo)電性材料的厚度基本一定，并且薄而一致，故可進行更
29高精度的構(gòu)圖。另外，在上述各實施方式中，未對導(dǎo)電層進行研磨，但是，在必須使導(dǎo)電層的 厚度一致的情況下，還可對導(dǎo)電層進行研磨。另外，在本發(fā)明中，研磨工序不是必需的。但 是，由于導(dǎo)電性材料的厚度基本一定而一致，故可更進一步地減小構(gòu)圖后的芯材、基底導(dǎo)電 層和導(dǎo)電性材料的厚度偏差。
權(quán)利要求
一種多層基板，其特征在于，包括層疊的多個絕緣層；和在所述多個絕緣層各個之間形成的、未貫穿該多個絕緣層中的任意一層的配線圖形，并且，所述配線圖形包括具有預(yù)定厚度的第1配線圖形和厚度大于所述第1配線圖形的第2配線圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其特征在于，所述第2配線圖形的至少一部分嵌入 所述多個絕緣層中的預(yù)定絕緣層內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其特征在于，還包括連接不同的層中存在的配線 圖形的通孔，在該通孔的內(nèi)部填充有導(dǎo)電性材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其特征在于，所述第1配線圖形的厚度在Iym 18 μ m的范圍內(nèi)選擇，所述第2配線圖形的厚度被選擇為使得所述第2配線圖形的厚度與所 述第1配線圖形的厚度之比處于1. 5 20的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其特征在于，所述第2配線圖形的至少一部分用作 為扼流圈。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其特征在于，所述第1和第2配線圖形構(gòu)成嵌入化 的電容元件或電感元件。
7.一種多層基板的制造方法，其特征在于，包括在構(gòu)成多層基板的一部分的絕緣層的表面上形成具有預(yù)定厚度的第1配線圖形的第1 工序；在所述絕緣層上形成未貫穿該絕緣層的圖形形成用槽的第2工序；和用導(dǎo)電性材料填充所述圖形形成用槽的內(nèi)部，從而形成厚度大于所述第1配線圖形的 第2配線圖形的第3工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述第2工序包括形成通孔的工序，所述第3工序包括用所述導(dǎo)電性材料填充所述通孔的內(nèi)部的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述第2工序按照另一絕 緣層中包含的導(dǎo)電層構(gòu)成所述通孔的底部的方式形成所述通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述第3工序有選擇地 形成填充所述通孔和所述圖形形成用槽的內(nèi)部的導(dǎo)電性材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層是核心基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層是設(shè)置于核 心基板上的增長層。
13.一種多層基板的制造方法，其特征在于，包括在構(gòu)成多層基板的一部分的絕緣層的表面上形成具有預(yù)定厚度的第1配線圖形的第1 工序；和在所述絕緣層的表面上形成厚度大于所述第1配線圖形、并且未貫穿該絕緣層的第2 配線圖形的第2工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述第2工序包括形成 通孔的工序和用所述導(dǎo)電性材料填充所述通孔的內(nèi)部的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述第2工序按照另一 絕緣層中包含的導(dǎo)電層構(gòu)成所述通孔的底部的方式，形成所述通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層是核心基板。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多層基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層是設(shè)置于 核心基板上的增長層。
全文摘要
多層基板及其制造方法。該多層基板的設(shè)計自由度高，適合高密度安裝且具有高性能。多層基板包括層疊的多個絕緣層；和在多個絕緣層各個之間形成的、未貫穿該多個絕緣層中的任意一層的配線圖形，配線圖形包括具有預(yù)定厚度的第1配線圖形和厚度大于第1配線圖形的第2配線圖形。通過消去法對厚度一定的導(dǎo)電層進行構(gòu)圖而形成第1配線圖形。在形成通孔的同一工序中，通過開孔加工，形成圖形形成用槽，然后用導(dǎo)電性材料同時填充通孔和圖形形成用槽的內(nèi)部，形成第2配線圖形。第1配線圖形優(yōu)選用作為圖形的寬度和厚度偏差小、要求相對于絕緣層的圖形厚度精度的高頻電路用LC圖形和要求阻抗匹配的通常的配線圖形。第2配線圖形優(yōu)選用作為扼流圈用L圖形。
文檔編號H05K3/46GK101896036SQ20101025029
公開日2010年11月24日 申請日期2005年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月16日
發(fā)明者川畑賢一, 勝俁正史, 阿部壽之 申請人:Tdk株式會社