專利名稱：高密集成線路的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線路板的制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及高密集成線路的加工方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代的電子產(chǎn)品朝著功能集成化，體積小型化，攜帶便攜化方向發(fā)展。這就要求， PCB (Printed Circuit Board，印制電路板)，作為電子產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件也朝著集成化，細(xì) 密化方向發(fā)展。隨著PCB線路板集成化的發(fā)展，這對(duì)PCB線路板中作為信號(hào)傳輸?shù)膱D形的 加工提出了越來(lái)越高的要求。目前，在PCB的加工工藝中，圖形的加工大多采用減銅法。在采用減銅法加工時(shí)， 通常采用蝕刻工藝，所謂蝕刻工藝是指將基板上不需要的金屬層(通常是銅層)，用蝕刻 溶液以化學(xué)的方式除去，形成所需要的電路圖形。而作為線路圖形中的線路金屬層，通常采 用感光圖形轉(zhuǎn)移或絲網(wǎng)印刷的方法在其表面覆蓋上一層有機(jī)抗蝕劑或金屬抗蝕層，來(lái)防止 其被蝕刻掉。在蝕刻工藝中側(cè)蝕是無(wú)法避免的問(wèn)題，側(cè)蝕是由于蝕刻藥水進(jìn)行深度方向的 蝕刻時(shí)，不可避免的要與水平方向的金屬層發(fā)生反應(yīng)，因此，在抗蝕層側(cè)下面的導(dǎo)線側(cè)壁被 蝕刻，使得線路的形狀發(fā)生改變，影響線路的精度。在現(xiàn)有工藝中通常采用補(bǔ)償工藝設(shè)計(jì)線 寬和間距，蝕刻工藝后再將多余的層切削掉。但是采用這一補(bǔ)償工藝，由于圖形整體加大一定的尺寸，導(dǎo)致圖形的間距減小，而 在實(shí)際加工過(guò)程中會(huì)受到間距的制約(間距具有一定的加工能力，間距過(guò)小將導(dǎo)致圖形加 工不出來(lái))，需要更大的間距才能滿足加工要求；而這與線路板朝著細(xì)線路，小間距方向發(fā) 展的趨勢(shì)是矛盾的。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供高密集成線路的加工方法，通過(guò)該方法加工出的印制電路 板能夠滿足加工尺寸。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案—種高密集成線路的加工方法包括步驟1 測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的最小間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b，其 中，b < a ；步驟2 當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金屬 層，其切削尺寸分別為Ab'和Ab，使得c≤b+Ab' +△b<a所述加工尺寸(為刀具的寬度。優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，在步驟1前進(jìn)一步包括對(duì)基板上的圖形的整體尺寸進(jìn)行補(bǔ)償，其補(bǔ)償尺寸為(a-b)/2，且b < a。優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，所述補(bǔ)償為均勻補(bǔ)償。優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，在所述步驟2之后進(jìn)一步包括通過(guò) 采用蝕刻工藝，去除所述實(shí)際圖形外的金屬。
優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，所所述步驟蝕刻工藝之后包括切削 補(bǔ)償圖形的補(bǔ)償部分得到實(shí)際圖形。優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，所述Ab' = Ah。優(yōu)選地，在上述高密集成線路的加工方法中，所述(3<&+八13' +Ab<a。通過(guò)采用上述加工方法，將補(bǔ)償工藝后的圖形局部切削掉，得到滿足加工過(guò)程中 的間距要求，使得加工刀具更好的切削圖形中多余的部分，提高了加工精度。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的高密集成線路上圖形結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的高密集成線路的加工方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的高密集成線路的加工方法流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的高密集成線路的加工方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提供高密集成線路的加工方法，通過(guò)該方法加工出的印制電路板能夠滿足 加工尺寸。如圖1所示，圖中包括實(shí)際圖形1和1'和補(bǔ)償圖形2和2'。所謂實(shí)際圖形就是 實(shí)際需要加工成的圖形，根據(jù)實(shí)際布圖將實(shí)際圖形刻在印制電路板PCB上，但是由于蝕刻 工藝中側(cè)蝕的存在，需要根據(jù)蝕刻藥水的補(bǔ)償參數(shù)以及金屬層的抗飾參數(shù)對(duì)實(shí)際圖形進(jìn)行 補(bǔ)償。實(shí)際圖形經(jīng)過(guò)補(bǔ)償后的就稱之為補(bǔ)償圖形。其中，實(shí)際圖形1和實(shí)際圖形1'為相鄰的圖形，補(bǔ)償圖形2和補(bǔ)償圖形2'是分 別為實(shí)際圖形1和實(shí)際圖形1'進(jìn)行補(bǔ)償后的圖形。實(shí)際圖形1和實(shí)際圖形1'的最小距 離為a，補(bǔ)償圖形2和補(bǔ)償圖形2'之間的最小距離為b，實(shí)際圖形1的補(bǔ)償尺寸為Aa，實(shí) 際圖形1'的補(bǔ)償尺寸為Aa'，加工時(shí)相鄰圖形中需要的加工尺寸是c，加工尺寸c是刀具 的寬度，加工間距只有大于加工尺寸c時(shí)才能更好的。Ab為切削補(bǔ)償圖形2的尺寸，Ab' 切削補(bǔ)償圖形2'的尺寸。實(shí)施例一一種高密集成線路的加工方法，包括步驟S101 測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的最小間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b， 其中，b < a ；步驟S102 當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金
4屬層，其切削尺寸分別為Ab'和Ab，使得c彡b+Ab' +Ab<a。實(shí)施例二步驟S201 對(duì)基板上的實(shí)際圖形的整體尺寸進(jìn)行補(bǔ)償，其補(bǔ)償尺寸為(a_b)/2，且 b < a ；步驟S202 測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b，其中， b ^ a ；步驟S203 當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金 屬層，其切削尺寸分別為Ab'和Ab，使得c彡b+Ab' +Ab<a。實(shí)施例三步驟S301 對(duì)基板上的實(shí)際圖形的整體尺寸進(jìn)行補(bǔ)償，其補(bǔ)償尺寸為(a_b)/2，且 b < a ；步驟S302 測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的最小間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b， 其中，b < a ；步驟S303 當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金 屬層，其切削尺寸分別為Ab'和Ab，使得c彡b+Ab' +Ab<a；步驟S304 通過(guò)采用蝕刻工藝，將所述實(shí)際圖形外補(bǔ)償部分。在上述實(shí)施例中，采用均勻補(bǔ)償?shù)墓に噷?duì)實(shí)際圖形1和實(shí)際圖形1'進(jìn)行補(bǔ)償處 理，在周圍增加相同的補(bǔ)償尺寸對(duì)于實(shí)際圖形1其補(bǔ)償尺寸為Aa;對(duì)于實(shí)際圖形1'其補(bǔ) 償尺寸為A a'。優(yōu)選地，在切削時(shí)最好滿足切削尺寸Ab' = Ab ;c <b+Ab' +Ab<a。通過(guò)采用上述加工方法，將補(bǔ)償工藝后的圖形局部切削掉，得到滿足加工過(guò)程中 的間距要求，使得加工刀具更好的切削圖形中多余的部分，提高了加工精度。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
一種高密集成線路的加工方法，其特征在于，包括步驟1測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的最小間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b，其中，b＜a；步驟2當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金屬層，其切削尺寸分別為Δb′和Δb，使得c≤b+Δb′+Δb＜a，所述加工尺寸c為刀具的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟1前進(jìn)一步包括 對(duì)基板上的圖形的整體尺寸進(jìn)行補(bǔ)償，其補(bǔ)償尺寸為(&- /2，且13 < a。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述補(bǔ)償為均勻補(bǔ)償。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟2之后進(jìn)一步包括通過(guò)采用 蝕刻工藝，去除所述實(shí)際圖形外的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所所述步驟蝕刻工藝之后包括切削補(bǔ)償 圖形的補(bǔ)償部分得到實(shí)際圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述Ab'= Ab。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述c<b+Ab' +Ab<a。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種高密集成線路的加工方法，包括步驟1測(cè)量相鄰實(shí)際圖形之間的間距a，和補(bǔ)償圖形之間的最小間距b，其中，b＜a；步驟2當(dāng)所述最小間距b小于加工尺寸c時(shí)，切削補(bǔ)償圖形最小間距處的金屬層，其切削尺寸分別為Δb′和Δb，使得c≤b+Δb′+Δb＜a。通過(guò)采用上述加工方法，將補(bǔ)償工藝后的圖形局部切削掉，得到滿足加工過(guò)程中的間距要求，使得加工刀具更好的切削圖形中多余的部分，提高了加工精度。
文檔編號(hào)H05K3/02GK101861056SQ201010193150
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者劉金峰, 李雷, 王南生, 魏厚斌 申請(qǐng)人:深南電路有限公司