專利名稱：陶瓷復(fù)合多層基板及其制造方法以及電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷復(fù)合多層基板及其制造方法以及電子元器件。
背景技術(shù)：
作為與陶瓷多層基板相關(guān)的技術(shù)，例如已知有專利文獻(xiàn)1 專利文獻(xiàn)3所記載的 技術(shù)。專利文獻(xiàn)1記載了關(guān)于多層陶瓷基板的制造方法，專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3分別記載 了復(fù)合多層基板。在專利文獻(xiàn)1所記載的多層陶瓷基板的制造方法中，制作在玻璃、陶瓷低溫?zé)Y(jié) 基板材料中至少包含有機(jī)粘接劑、增塑劑的生片(green sheet)，用導(dǎo)體糊料組合物形成電 極圖案，并將上述生片(row sheet)與其他已形成電極圖案的生片層疊所需層數(shù)。一定時(shí)間 之后，在由上述低溫?zé)Y(jié)玻璃、陶瓷構(gòu)成的生片層疊體的雙面或單面上，將由在上述玻璃、 陶瓷低溫?zé)Y(jié)基板材料的燒成溫度下不會(huì)燒結(jié)的無(wú)機(jī)組合物構(gòu)成的生片夾持的方式層疊， 從而對(duì)上述層疊體進(jìn)行燒成。一定時(shí)間之后，對(duì)未燒結(jié)的無(wú)機(jī)組合物填充樹(shù)脂，從而形成最 上層配線。專利文獻(xiàn)2所記載的復(fù)合多層基板包括陶瓷基板和樹(shù)脂層，陶瓷基板具有電路圖 案，而樹(shù)脂層在下表面具有外部端子電極，并且使陶瓷基板的下表面與樹(shù)脂層的上表面接 合且電路圖案與外部端子電極電連接，陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)在20 300°C時(shí)處于10. 0 20. 0ppm/°C的范圍。由于如上所述構(gòu)成復(fù)合多層基板，因此能防止陶瓷基板與樹(shù)脂層之間 的層間剝離。專利文獻(xiàn)3所記載的復(fù)合多層基板是包括陶瓷多層基板；以及由第一、第二、 第三樹(shù)脂層層疊而成的樹(shù)脂層疊體，是陶瓷多層基板的下表面與樹(shù)脂層疊體的上表面接合 的復(fù)合多層基板，第一、第二、第三樹(shù)脂層具有各自不同的熱膨脹系數(shù)。在這種復(fù)合多層基 板中，當(dāng)使復(fù)合樹(shù)脂材料層的熱膨脹系數(shù)與陶瓷基板和印刷配線基板中任意一方相符時(shí)， 由于在熱膨脹系數(shù)的差異很大的界面上可能會(huì)產(chǎn)生因熱沖擊而引起的層間剝離或裂紋，因 此使熱膨脹系數(shù)具有傾斜構(gòu)造。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開(kāi)平05-136572號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開(kāi)2005-210035號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利特開(kāi)2005-223226號(hào)公報(bào)發(fā)明的公開(kāi)發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題專利文獻(xiàn)1的技術(shù)方法通過(guò)用由在玻璃陶瓷低溫?zé)Y(jié)體基板材料的燒成溫度下 不燒結(jié)的無(wú)機(jī)組合物構(gòu)成、并具有規(guī)定電極圖案的約束層用陶瓷生片來(lái)夾持由基材層用陶 瓷生片構(gòu)成的層疊體，其中上述基材層用陶瓷生片由玻璃陶瓷低溫?zé)Y(jié)體基板材料構(gòu)成、 具有規(guī)定的電極圖案，在燒成之后，對(duì)未燒結(jié)的無(wú)機(jī)組合物填充樹(shù)脂，一定時(shí)間之后，形成 最表面配線，在上述這樣的方法中，由于多層陶瓷基板本身欲進(jìn)行燒成、收縮，因此在未燒 結(jié)的無(wú)機(jī)組合物層中，特別是多層陶瓷基板的界面附近的空隙率變小，因此在該部分無(wú)法 充分填充樹(shù)脂，會(huì)殘留有空隙，此外，樹(shù)脂的填充狀態(tài)容易產(chǎn)生偏差，使所得到的基板的可
4靠性變差。在專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3中，即使在將復(fù)合多層基板安裝于印刷配線基板上時(shí)印 刷配線基板與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)之差很大，通過(guò)樹(shù)脂層或樹(shù)脂層疊體也能防止因印刷 配線基板與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)之差而發(fā)生的裂紋。但是，例如在形成樹(shù)脂層之前陶瓷 基板已經(jīng)翹曲或由于形成樹(shù)脂層而使陶瓷基板翹曲的情況下，還是容易產(chǎn)生裂紋。此外，近 來(lái)，強(qiáng)烈要求陶瓷電子儀器的高度降低，陶瓷基板的厚度也要求越來(lái)越薄層化。由于這種薄 層化，更易于產(chǎn)生陶瓷基板的翹曲及樹(shù)脂硬化時(shí)的裂紋，在這種情況下，很難抑制裂紋的產(chǎn) 生。特別是在專利文獻(xiàn)3的技術(shù)中，需要形成至少兩層樹(shù)脂層、需要在每個(gè)樹(shù)脂層上 形成導(dǎo)體配線部等，需要進(jìn)行形成多個(gè)樹(shù)脂層的工序以外的工序。而且，由于要經(jīng)過(guò)多次形 成樹(shù)脂層，因此在將樹(shù)脂層層疊時(shí)在樹(shù)脂層間會(huì)產(chǎn)生位置偏移等、使層疊精度降低從而使 樹(shù)脂層的形態(tài)變差，在復(fù)合多層基板上容易產(chǎn)生變形。此外，對(duì)于復(fù)合多層基板，除了上述高度降低之外，還要求陶瓷基板上的凹凸變少 (低起伏的形狀)。在經(jīng)過(guò)多次形成樹(shù)脂層的方法中，在基板完成之后，除了不易使陶瓷基 板的厚度一定之外，還不易使基板表面的樹(shù)脂層平滑。此外，在經(jīng)過(guò)多次形成樹(shù)脂層時(shí)，每 次形成各樹(shù)脂層都需要形成配線結(jié)構(gòu)。因此，由于每次形成樹(shù)脂層時(shí)反復(fù)進(jìn)行相同的方法， 因此存在制造工序煩雜、形成配線結(jié)構(gòu)時(shí)易于產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷等問(wèn)題。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題發(fā)明而成，其目的在于提供一種能簡(jiǎn)化制造工序并能 以低成本制造平坦性好、空隙殘留少的基板、而且能防止層間剝離或從母板的剝離的可靠 性好的陶瓷復(fù)合多層基板及其制造方法以及電子元器件。解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的特征在于，包括層疊體，該層疊體由第一陶瓷層和 第二陶瓷層構(gòu)成，其中上述第二陶瓷層被配置成與上述第一陶瓷層接觸并能抑制上述第一 陶瓷層的平面方向上的燒成收縮，在上述層疊體的至少一個(gè)主面上形成有使樹(shù)脂浸漬于多 孔質(zhì)陶瓷中而成的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，較為理想的是，上述第二陶瓷層配置于多 個(gè)上述第一陶瓷層的層間。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，上述第二陶瓷層配置于上 述第一陶瓷層與上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的層間。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，在由上述第一陶瓷層與上 述第二陶瓷層構(gòu)成的層疊體的兩個(gè)主面上均設(shè)有上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，在由上述第一陶瓷層與上 述第二陶瓷層構(gòu)成的層疊體的一個(gè)主面上配置有上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，在上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的 表面上形成有以樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，在上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層與 上述樹(shù)脂層的界面上形成有表面電極，上述表面電極的一個(gè)主面朝外部露出。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，上述表面電極的邊緣部分 中的至少一部分被上述樹(shù)脂層覆蓋。
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此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，覆蓋上述表面電極的邊緣 部分的至少一部分的上述樹(shù)脂層是由與上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層中所含的上述樹(shù)脂相同的材 料構(gòu)成的樹(shù)脂形成的。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板中，更為理想的是，當(dāng)至少一個(gè)主面形成有空 腔(cavity)時(shí)，在上述第一陶瓷層、上述第二陶瓷層以及上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層中，至少上 述第二陶瓷層或上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層在上述空腔的側(cè)壁面或底面露出。本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法的特征在于，包括在第一陶瓷生坯層的 至少一個(gè)主面上配置能抑制上述第一陶瓷生坯層的平面方向上的燒成收縮的第二陶瓷生 坯層從而形成未燒成層疊體，在該未燒成層疊體的至少一個(gè)主面上設(shè)有在燒成后作為多孔 質(zhì)陶瓷層的第三陶瓷生坯層，從而制作未燒成復(fù)合層疊體的工序；在至少能使第一陶瓷生 坯層燒結(jié)的條件下對(duì)上述未燒成復(fù)合層疊體進(jìn)行燒成的工序；以及將樹(shù)脂浸漬于上述多孔 質(zhì)陶瓷層中從而形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的工序。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，較為理想的是，上述第二陶瓷 生坯層配置于多個(gè)第一陶瓷生坯層的層間。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，上述第二陶瓷 生坯層配置于上述第一陶瓷生坯層與上述第三陶瓷生坯層的層間。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，在由上述第一 陶瓷生坯層與上述第二陶瓷生坯層構(gòu)成的未燒成層疊體的兩個(gè)主面上均設(shè)有上述第三陶 瓷生坯層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，在由上述第一 陶瓷生坯層與上述第二陶瓷生坯層構(gòu)成的未燒成層疊體的一個(gè)主面上設(shè)有上述第三陶瓷 生坯層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，將上述樹(shù)脂浸 漬于上述多孔質(zhì)陶瓷層從而形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層，而且在上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的表面上形 成以上述樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，在上述樹(shù)脂陶 瓷層與上述樹(shù)脂層的界面上形成有表面電極，當(dāng)上述表面電極被上述樹(shù)脂層覆蓋時(shí)，則按 照使上述表面電極的一個(gè)主面朝外部露出這樣的要求除去上述樹(shù)脂層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，按照上述表面 電極的邊緣部分中的至少一部分被上述樹(shù)脂層覆蓋這樣的要求除去上述樹(shù)脂層。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，在上述未燒成 復(fù)合層疊體上形成空腔，并使上述第一陶瓷生坯層、上述第二陶瓷生坯層以及上述第三陶 瓷生坯層中的至少上述第二陶瓷生坯層和上述第三陶瓷生坯層在上述空腔的側(cè)壁面或底 面露出。此外，在本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法中，更為理想的是，將上述表面電 極與上述未燒成復(fù)合層疊體一體燒成。此外，本發(fā)明的電子元器件的特征在于，包括層疊體，該層疊體由第一陶瓷層和第 二陶瓷層構(gòu)成，其中上述第二陶瓷層被配置成與上述第一陶瓷層接觸并能抑制上述第一陶 瓷層的平面方向上的燒成收縮，在陶瓷復(fù)合多層基板的一個(gè)主面上裝載有安裝零件，其中上述陶瓷復(fù)合多層基板在上述層疊體的至少一個(gè)主面上具有使樹(shù)脂浸漬于多孔質(zhì)陶瓷中 而成的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能簡(jiǎn)化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙殘留少的基板、而且能防止層間剝離或從母板的剝離等可靠性好的陶瓷復(fù)合多層基板及其制造 方法以及電子元器件。


圖1是示意表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的一實(shí)施方式的剖視圖。圖2是示意表示圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板的制造工序的剖視圖。圖3是示意表示圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板的制造工序中，在圖2所示制造工 序之后的工序的剖視圖。圖4是示意表示圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板的制造工序中，在圖3所示制造工 序之后的工序的剖視圖。圖5是相當(dāng)于圖1的剖視圖，其表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的另一實(shí)施方式 中，在圖4所示的制造工序之后的工序。圖6是相當(dāng)于圖1的剖視圖，其表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的另一實(shí)施方式 中，在圖5所示的制造工序之后的工序。圖7是示意表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的另一實(shí)施方式的剖視圖。圖8是示意表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的又一實(shí)施方式的剖視圖。圖9是示意表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的又一實(shí)施方式的剖視圖。圖10是示意表示用于與圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板比較的陶瓷復(fù)合多層基板 的剖視圖。圖11是示意表示用于與圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板比較的陶瓷復(fù)合多層基板 的剖視圖。(符號(hào)說(shuō)明)10、10A、10BU0C陶瓷復(fù)合多層基板11第一陶瓷層12第二陶瓷層13樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13A多孔質(zhì)陶瓷層14樹(shù)脂層15表面電極19 空腔111，第一陶瓷生坯層112’第二陶瓷生坯層113，第三陶瓷生坯層
具體實(shí)施例方式以下，基于圖1 圖9所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。另外，在各圖中，圖1 是示意表示本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的一實(shí)施方式的剖視圖，圖2 圖6分別是示意表 示圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板的制造工序的剖視圖，圖7 圖9分別是示意表示本發(fā)明 的陶瓷復(fù)合多層基板的另一實(shí)施方式的剖視圖，圖10和圖11分別是示意表示陶瓷復(fù)合多 層基板的其他形態(tài)的剖視圖。第一實(shí)施方式例如，如圖1所示，本實(shí)施方式的陶瓷復(fù)合多層基板10包括第一陶瓷層11 ；第二 陶瓷層12，該第二陶瓷層12層疊成與第一陶瓷層的一個(gè)主面(上表面)接觸，并起到內(nèi)部 約束層的功能；以及樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13，該樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13層疊成與第二陶瓷層12的 主面(上表面)接觸，并浸漬有樹(shù)脂。此外，第一陶瓷層11的另一個(gè)主面(下表面)朝向 下方按順序?qū)盈B有第二陶瓷層12、第一陶瓷層11、第二陶瓷層12和樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13。在 此，若將第一陶瓷層11、第二陶瓷層12以及樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13考慮成一個(gè)復(fù)合層疊體的 話，陶瓷復(fù)合多層基板10在復(fù)合層疊體的下表面通過(guò)夾著第二陶瓷層12來(lái)層疊另外一個(gè) 復(fù)合層疊體從而一體化。因此，陶瓷復(fù)合多層基板10形成為以層疊方向中央的第二陶瓷層 12為中心而將兩個(gè)復(fù)合層疊體配置成近似上下對(duì)稱的層疊結(jié)構(gòu)。而且，下方的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的下表面形成有樹(shù)脂層14，該樹(shù)脂層14以由與浸 漬于上述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的樹(shù)脂為相同材料形成的樹(shù)脂為主要成分。更詳細(xì)而言，如圖1所示，在上下兩方的復(fù)合層疊體的第二陶瓷層12與樹(shù)脂陶瓷 復(fù)合層13的層間、以及層疊方向中央的第二陶瓷層12的下表面與第一陶瓷層11的層間分 別形成有內(nèi)層面內(nèi)導(dǎo)體(內(nèi)部導(dǎo)體)15。陶瓷復(fù)合多層基板10的上下兩面分別形成有表層 面內(nèi)導(dǎo)體(表面電極)16，以貫穿第一陶瓷層11和/或第二陶瓷層12的方式形成層間連接 導(dǎo)體(通孔導(dǎo)體)17，配置于不同層的內(nèi)部導(dǎo)體15和表面電極16根據(jù)需要通過(guò)通孔導(dǎo)體 17彼此電連接。此外，陶瓷復(fù)合多層基板10的一個(gè)主面(上表面)通過(guò)表面電極16裝載有表面 安裝零件18，該表面安裝零件18由半導(dǎo)體裸片、半導(dǎo)體封裝體等主動(dòng)電子元器件18A和層 疊陶瓷電容器等被動(dòng)電子元器件18B構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，主動(dòng)電子元器件18A與貫穿 復(fù)合層疊體的通孔導(dǎo)體17在樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的上表面露出的上端面電連接。此外，被 動(dòng)電子元器件18B與形成于陶瓷復(fù)合多層基板10的上表面的表面電極16電連接。另外， 主動(dòng)電子元器件18A也可與表面電極16連接，此外，被動(dòng)電子元器件18B也可與通孔導(dǎo)體 17的上端面連接。在陶瓷復(fù)合多層基板10的另一個(gè)主面(下表面)也形成有表面電極16。該表面 電極16形成于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的表面。表面電極16的邊緣部分(外周緣部)中的至 少一部分被樹(shù)脂層16覆蓋即可，較為理想的是，外周緣部全周被樹(shù)脂層14覆蓋。通過(guò)使表 面電極16被樹(shù)脂層14覆蓋，表面電極16可在不會(huì)剝離的情況下固定于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13 的表面。表面電極16的外周緣部的內(nèi)側(cè)中央附近朝外部露出，該露出面成為與印刷配線基 板等母板(未圖示)連接的連接用端子電極。 而且，第一陶瓷層11為對(duì)包含第一陶瓷材料的第一陶瓷生坯層(參照?qǐng)D2)進(jìn)行 燒結(jié)后的陶瓷層，具有實(shí)質(zhì)性控制陶瓷復(fù)合多層基板10的基板特性的功能。較為理想的是，第一陶瓷層11的厚度在例如8 100 μ m的范圍內(nèi)。上述第一陶瓷層11的厚度未必 限定于上述范圍內(nèi)，較為理想的是，控制在可被作為內(nèi)部約束層的第二陶瓷層12約束的最 大厚度以下。此外，第一陶瓷層11的厚度在當(dāng)包含多層的情況下，不一定需要各層均相 同。作為第一陶瓷材料，較為理想的是采用在燒成過(guò)程中，一部分(例如玻璃成分)浸透 至第二陶瓷層12或樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的陶瓷材料。作為第一陶瓷材料，能采用LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic 低溫共燒陶瓷)材料，該LTCC材料能與由Ag、Cu等低熔 點(diǎn)金屬構(gòu)成的導(dǎo)體同時(shí)燒成、并能在較低的溫度(例如1000°C以下)燒成。具體而言，能 采用將氧化鋁和硼硅酸鹽玻璃混合的玻璃陶瓷、在燒成過(guò)程中生成玻璃成分的Ba-Al-Si-B 系氧化物構(gòu)成的陶瓷等。第二陶瓷層12為由包含第二陶瓷材料的第二陶瓷生坯層形成的陶瓷層。第二陶 瓷層在其燒成時(shí)使第一陶瓷材料的一部分浸透等之后固接、固化，并且能抑制第一陶瓷層 11的平面方向上的收縮。作為第二陶瓷材料，較為理想的是采用例如A1203、ZrO這樣的高 溫?zé)商沾刹牧?，除此之外，還能采用Ti02、Si02、Nb203、Ta205。也就是說(shuō)，第二陶瓷層12以 實(shí)質(zhì)上未燒結(jié)的狀態(tài)包括陶瓷材料，該陶瓷材料具有比第一陶瓷材料更高的燒結(jié)溫度。因 此，第二陶瓷層12起到抑制第一陶瓷層11在燒成過(guò)程中的平面方向上的收縮的功能。此 外，如上所述，由于第二陶瓷材料通過(guò)使第一陶瓷材料的一部分浸透來(lái)固接、接合，因此嚴(yán) 格來(lái)說(shuō)，第二陶瓷層12的厚度也依賴于第一陶瓷層11、第二陶瓷層12的狀態(tài)、希望的約束 力、燒成條件，但較為理想的是，該厚度在燒成后大致在1 8 μ m的范圍內(nèi)。另外，在第二 陶瓷材料中也可以事先添加一定量的玻璃成分。通過(guò)在第二陶瓷材料中適當(dāng)添加玻璃成 分，從而不僅提高了第二陶瓷層12的密度、提高機(jī)械強(qiáng)度，還能維持約束力。例如，第二陶 瓷材料能采用氧化鋁(Al2O3)粒子作為主原料、軟化點(diǎn)600 780V的Si-B-Ba系玻璃成分 作為副原料。此時(shí)，較為理想的是，氧化鋁粒子與玻璃成分的分配比在例如氧化鋁玻璃= 50 50 70 30 (容量％)的范圍內(nèi)。樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，該復(fù)合結(jié)構(gòu)使樹(shù)脂浸漬至對(duì)包含第三陶瓷材 料的第三陶瓷生坯層進(jìn)行燒成之后的多孔的陶瓷層(多孔質(zhì)陶瓷層)13A(參照?qǐng)D4)中，特 別是使陶瓷粉末固接于樹(shù)脂的結(jié)構(gòu)。樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13以實(shí)質(zhì)上未燒結(jié)的狀態(tài)含有第三 陶瓷材料，該第三陶瓷材料具有比第一陶瓷材料更高的燒結(jié)溫度。因此，該樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層 也與第二陶瓷層12 —樣，起到抑制第一陶瓷層11在燒成過(guò)程中的平面方向上的收縮的功 能。較為理想的是，構(gòu)成該樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的第三陶瓷材料也是與第二陶瓷材料相同的 陶瓷材料。由于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13是以在陶瓷復(fù)合多層基板10的上下兩面露出的狀態(tài)配 置，因此從抑制燒成時(shí)的基板變形、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的樹(shù)脂浸漬層等目的而言，較為理想的是樹(shù)脂 陶瓷復(fù)合層13的厚度比上述第二陶瓷層12的厚度厚大約20 μ m以上，更為理想的是具有 40m以上的厚度。然而，由于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13過(guò)厚時(shí)不易使基板的高度降低，此外，使樹(shù) 脂的浸漬變得困難，因此較為理想的是，將其上限控制為100 μ m左右的厚度。這種樹(shù)脂陶 瓷復(fù)合層13具有在燒成過(guò)程中限制第一陶瓷層11的收縮運(yùn)動(dòng)的作用和作為后述的樹(shù)脂浸 漬媒介的作用。因此，在不妨礙這些作用的范圍內(nèi)，在第三陶瓷材料中也可預(yù)先添加一定量 的玻璃成分。通過(guò)在第三陶瓷材料中適量添加玻璃成分，在調(diào)整成可進(jìn)行樹(shù)脂浸漬的多孔 狀態(tài)的同時(shí)，能使機(jī)械強(qiáng)度提高至能容易維持基板形狀的程度。
多孔質(zhì)陶瓷層13A具有如上所述作為樹(shù)脂浸漬媒介的作用。多孔質(zhì)陶瓷層13A作 為樹(shù)脂浸漬媒介在將樹(shù)脂浸漬、硬化之后的熱膨脹系數(shù)的調(diào)整、即作為樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13 的熱膨脹系數(shù)的調(diào)整對(duì)于陶瓷復(fù)合多層基板10的平坦而言是很重要的。作為調(diào)整樹(shù)脂陶 瓷復(fù)合層13的熱膨脹系數(shù)的方法，主要通過(guò)調(diào)整用于多孔質(zhì)陶瓷層13A的諸如上述氧化鋁 的高溫?zé)Y(jié)陶瓷材料的粒徑及粒度分布來(lái)控制燒結(jié)后的多孔質(zhì)陶瓷層13A的孔隙率，從而 能適當(dāng)改變樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的熱膨脹系數(shù)。此外，通過(guò)在第三陶瓷材料中預(yù)先添加樹(shù)脂 顆粒等用于形成空隙的材料，從而能控制多孔質(zhì)陶瓷層13A的空隙率。而且，除了調(diào)整樹(shù)脂 顆粒和第三陶瓷材料的比率之外，也可通過(guò)改變所浸漬的樹(shù)脂本身的熱膨脹系數(shù)、混合采 用多種不同的高溫?zé)Y(jié)陶瓷材料作為第三陶瓷材料來(lái)進(jìn)行熱膨脹系數(shù)的調(diào)整。另外，第二陶瓷層12只要能實(shí)質(zhì)性控制第一陶瓷層11的燒成收縮即可。作為第 二陶瓷層12，除了上述形態(tài)之外，只要能確保與第一陶瓷層11的密接性，例如可以是由燒 成收縮運(yùn)動(dòng)與第一陶瓷層11不同的陶瓷材料構(gòu)成，此時(shí)第二陶瓷層12也可以實(shí)質(zhì)性燒結(jié)。此外，形成于陶瓷復(fù)合多層基板10的下表面的樹(shù)脂層14與浸漬于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合 層13的樹(shù)脂為相同樹(shù)脂，在樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13與樹(shù)脂層14的接合強(qiáng)度、生產(chǎn)性這點(diǎn)上較 為理想，但也可以為其他的樹(shù)脂。內(nèi)部導(dǎo)體15和表面電極16只要是以能與第一陶瓷層11同時(shí)燒成的導(dǎo)電性成分 為主要成分，能廣泛使用眾所周知的導(dǎo)電性成分。作為導(dǎo)電性成分，例如能使用Cu、Ag、M、 Pd及其氧化物、合金成分。作為通孔導(dǎo)體17，為了減少與陶瓷復(fù)合多層基板10的收縮運(yùn)動(dòng) 差，較為理想的是，除了添加Cu成分之外，還添加樹(shù)脂顆粒和玻璃成分。作為玻璃成分，較 為理想的是，采用與作為擴(kuò)散成分的玻璃大致相同組成的Si-B-Ba系玻璃成分，其中擴(kuò)散 成分從第一陶瓷層11朝向第二陶瓷層12擴(kuò)散且將第二陶瓷層12固接。接著，參照?qǐng)D2 圖6對(duì)本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn) 行說(shuō)明。首先，作為第一陶瓷材料，例如準(zhǔn)備Ba-Al-Si-B系氧化物陶瓷材料。此外，作為第 二陶瓷材料和第三陶瓷材料，準(zhǔn)備高溫?zé)Y(jié)陶瓷材料，該高溫?zé)Y(jié)陶瓷材料將作為主原料 的氧化鋁粒子與作為副原料的軟化點(diǎn)為600 780°C的Si-B-Ba系玻璃成分以氧化鋁玻 璃=50 50 70 30(容量％)的比例進(jìn)行混合。接著，在第一陶瓷材料中添加粘接劑、 溶劑、分散劑等以調(diào)制第一漿料，通過(guò)刮刀法等將第一漿料成形為片狀，從而得到作為第一 陶瓷生坯層111’的第一陶瓷生片111。同樣地，在高溫?zé)Y(jié)陶瓷材料中添加粘接劑、溶劑、 分散劑等以調(diào)制第二漿料、第三漿料，通過(guò)刮刀法等將第二漿料、第三漿料成形為片狀，從 而得到作為第二陶瓷生坯層112’、第三陶瓷生坯層113’的第二陶瓷生片112、第三陶瓷生 片 113。接著，如圖2示意所示，將面內(nèi)導(dǎo)體部115、通孔導(dǎo)體部117和表面電極部116分別 配置在第一陶瓷生片111、第二陶瓷生片112和第三陶瓷生片113的適當(dāng)位置。因此，當(dāng)?shù)?二陶瓷生片112如圖2所示為極薄的情況下，由于操作性容易降低，因此較為理想的是，如 圖3所示，采用在第一陶瓷生片111上涂刷第二漿料從而層疊了第二陶瓷生坯層112’的復(fù)
合陶瓷片o如上所述得到的陶瓷生片按圖2所示的順序和方向?qū)盈B、按壓，如圖3所示在將作 為第一陶瓷層11的第一陶瓷生坯層111’、作為第二陶瓷層12的第二陶瓷生坯層112’層疊后形成的未燒成層疊體的主面上層疊作為樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層(多孔質(zhì)陶瓷層)的第三陶瓷生 坯層113’，從而得到以上述方式層疊后形成的未燒成復(fù)合層疊體。在本實(shí)施方式中，如同圖 所示，一對(duì)未燒成復(fù)合層疊體在上下方向上與層疊方向中心的第二陶瓷生坯層112’近似對(duì) 稱地配置有第一陶瓷生坯層111’、第二陶瓷生坯層112’和第三陶瓷生坯層113’，且第三生 坯層113’配置成形成未燒成復(fù)合層疊體的上下兩面。此后，在將未燒成復(fù)合層疊體控制在規(guī)定的溫度和氣氛的條件下，例如在還原性 氣氛下、950 1000°C的TOP溫度條件下燒成，從而如圖4所示得到未燒成復(fù)合層疊體的燒 結(jié)體。此時(shí)的燒成氣氛可根據(jù)第一陶瓷材料的種類或作為內(nèi)部導(dǎo)體15、表面電極16和通孔 導(dǎo)體17的導(dǎo)電性糊料中各含有的導(dǎo)電性粉末的種類進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在此，未燒成復(fù)合層疊 體在第一陶瓷生坯層111’進(jìn)行燒結(jié)且第二陶瓷生坯層112’及第三陶瓷生坯層113’不進(jìn) 行燒結(jié)的溫度下進(jìn)行燒結(jié)。藉此，當(dāng)?shù)谝惶沾缮鲗?11’在燒成過(guò)程中欲發(fā)生收縮時(shí)，第 二陶瓷生坯層112’和第三陶瓷生坯層113’抑制第一陶瓷生坯層111’的收縮。此外，第一 陶瓷生坯層111’燒結(jié)后成為第一陶瓷層11，通過(guò)在第一陶瓷生坯層111’進(jìn)行燒結(jié)時(shí)朝向 第二陶瓷生坯層112’擴(kuò)散的玻璃成分，構(gòu)成配置于第一陶瓷生坯層111’之間的第二陶瓷 生坯層112’的第二陶瓷材料在被固接的狀態(tài)下進(jìn)行固化，從而使第二陶瓷生坯層112’成 為第二陶瓷層12，并且配置于第一陶瓷生坯層111’與第三陶瓷生坯層113’之間的第二陶 瓷生坯層112’也被固接。此外，第三陶瓷層113’在燒成后成為多孔質(zhì)陶瓷層13A。在上述 燒成中，由于未燒成復(fù)合層疊體被第二陶瓷生坯層112’、第三陶瓷生坯層113’抑制了平面 方向上的燒成收縮，因此能得到在平面方向上尺寸精度高的復(fù)合陶瓷層疊體10。而且，由于 作為基材層的第一陶瓷生坯層111’被第二陶瓷生坯層112’抑制了其燒成收縮，因此多孔 質(zhì)陶瓷層13A中的陶瓷粉末在整體上呈近似均勻分布，密度在整體上也變得均勻。接著，如圖5所示，對(duì)于所得到的復(fù)合陶瓷層疊體而言，在使樹(shù)脂成分浸漬于上述 多孔質(zhì)陶瓷層13A之后，使樹(shù)脂成分硬化。特別是在本實(shí)施方式中，由于來(lái)自第三陶瓷生坯 層113’的多孔質(zhì)陶瓷層13A的密度在整體上為近似均勻的，也就是說(shuō)由于空隙率(空孔) 的比率在整體上為近似均勻的，因此整體而言能高效地且將殘留的空隙的比率控制在最小 限度的情況下填充樹(shù)脂。作為樹(shù)脂成分，能采用現(xiàn)有眾所周知地樹(shù)脂成分。在本實(shí)施方式 中，作為代表性的樹(shù)脂成分，例如采用環(huán)氧類熱固性樹(shù)脂。較為理想的是，樹(shù)脂成分的浸漬 是在促進(jìn)樹(shù)脂的浸漬的減壓條件下或加熱條件下進(jìn)行的。特別地，由于在表面電極相對(duì)于 多孔質(zhì)陶瓷層13A的厚度而言較大的情況下，樹(shù)脂很難向表面電極16的內(nèi)表面?zhèn)扔鼗兀瑯?shù) 脂可能無(wú)法在該部分上充分浸漬，因此同時(shí)使用上述條件較為理想。此外，作為進(jìn)行浸漬的 樹(shù)脂，為了提高浸透性，較為理想的是盡可能不含有填料成分。然而，為了調(diào)整硬化后的熱 膨脹系數(shù)，較為理想的是含有填料成分，能在不影響浸漬性的范圍內(nèi)對(duì)填料成分及填料量 進(jìn)行大范圍調(diào)整。較為理想的是即使是此時(shí)填料的含有量也比通常含有填料的樹(shù)脂的填料 的含有量少，需要考慮在規(guī)定量的樹(shù)脂成分朝多孔質(zhì)陶瓷層13A擴(kuò)散、浸漬之后的組成比 率來(lái)調(diào)整填料成分。對(duì)于有的多孔質(zhì)陶瓷層13A的空隙尺寸與填料直徑，可采用含填料成 分的樹(shù)脂，即使只使樹(shù)脂成分浸漬于多孔質(zhì)陶瓷層13A，也能充分地調(diào)整熱膨脹系數(shù)。此外， 此時(shí)使浸漬于多孔質(zhì)陶瓷層13A的樹(shù)脂多一些，能在樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的表面形成3 30 μ m左右厚的樹(shù)脂層。接著，如圖6所示，當(dāng)通過(guò)上述樹(shù)脂成分的浸漬，在作為表面電極16的部分覆蓋過(guò)
11多的樹(shù)脂硬化后的樹(shù)脂層14時(shí)，除去該樹(shù)脂層14，使表面電極16露出。藉此，表面電極16 的邊緣部分(至少其中一部分，較為理想的是全周)被樹(shù)脂覆蓋，其結(jié)果是使樹(shù)脂陶瓷復(fù)合 層13與表面電極16的接合強(qiáng)度提高。作為表面電極16的露出方法，能采用諸如研磨這樣 的現(xiàn)有眾所周知的切削方法。特別是為了高精度地除去樹(shù)脂層14，較為理想的是采用激光。 此時(shí)，也為了不將樹(shù)脂層14除去到需要以上的深度，表面電極16的金屬密度高的話較為理 想，除了上述燒結(jié)金屬的厚膜導(dǎo)體之外，銅箔這樣的導(dǎo)體箔也較為理想。當(dāng)對(duì)表面電極16 采用銅箔時(shí)，較為理想的是利用對(duì)銅的吸收系數(shù)低的CO2激光進(jìn)行加工。在此，在浸漬樹(shù)脂 硬化后，采用了將希望的部分的樹(shù)脂除去的方法，但也可以在樹(shù)脂浸漬前預(yù)先對(duì)希望的部 分施加掩蔽劑，在浸漬樹(shù)脂硬化后通過(guò)除去掩蔽劑也能形成樹(shù)脂層14的開(kāi)口部。
當(dāng)陶瓷復(fù)合多層基板10需要高精度的平坦度時(shí)，在表面電極16的露出操作前后 也能通過(guò)研磨進(jìn)行平坦處理，也可以根據(jù)需要對(duì)表層的樹(shù)脂層14的全表面以不會(huì)除去表 面電極16的程度進(jìn)行磨削。此后，根據(jù)需要在對(duì)表面電極采用Ni、Au的無(wú)電解鍍等來(lái)進(jìn)行 表面處理之后，裝載各種安裝零件，能得到在陶瓷復(fù)合多層基板10上裝載各種表面安裝零 件18而成的電子元器件(模塊品)(參照?qǐng)D1)。更具體而言，在排列有許多陶瓷復(fù)合多層 基板10的集合基板上進(jìn)行上述各個(gè)處理之后，通過(guò)采用焊料材等來(lái)安裝表面安裝構(gòu)件18， 在規(guī)定位置將上述集合基板進(jìn)行分割，從而能得到各個(gè)陶瓷復(fù)合多層基板10，繼而能得到 復(fù)合電子元器件。作為表面安裝零件18的安裝方法和對(duì)各個(gè)基板的分割方法，能采用現(xiàn)有 眾所周知的方法。例如，通過(guò)利用切片機(jī)對(duì)集合基板進(jìn)行分割，從而能得到各個(gè)陶瓷復(fù)合多 層基板10。除此之外，可同時(shí)使用通過(guò)切片機(jī)形成的分割槽和通過(guò)激光加工形成的槽，通過(guò) 使用巧克力破碎(chocolate breaking)方法等進(jìn)行分割，在集合基板上形成分割槽時(shí)，不 僅在將表面安裝構(gòu)件18安裝之后，在安裝之前也能形成分割槽。所得到的各個(gè)電子元器件 被安裝于印刷配線基板等母板上。如上所說(shuō)明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在第一陶瓷生坯層111’的上表面配置 有能抑制第一陶瓷生坯層111’的平面方向上的燒成收縮的第二陶瓷生坯層112’和第三陶 瓷生坯層113’，因此能抑制燒成帶來(lái)的基板變形，在燒成后從第三陶瓷生坯層113’開(kāi)始形 成，通過(guò)在全區(qū)域大致均勻地具有空隙的多孔質(zhì)陶瓷層13A能得到平坦的陶瓷復(fù)合多層基 板10。由于上述陶瓷復(fù)合多層基板10在燒成時(shí)通過(guò)第二陶瓷生坯層112’和第三陶瓷生坯 層113’來(lái)抑制基板的變形從而成為平坦的狀態(tài)，因此例如在燒成后將來(lái)自第三陶瓷生坯層 113’的多孔質(zhì)陶瓷層13A除去，則會(huì)再次產(chǎn)生基板變形。因此，在本實(shí)施方式中，不是在燒 成后將作為陶瓷粉末集合體的多孔質(zhì)陶瓷層13A除去，而是在將樹(shù)脂成分浸漬到上述多孔 質(zhì)陶瓷層13A之后通過(guò)使樹(shù)脂成分硬化，從而能得到將第一陶瓷層11維持在平坦的狀態(tài)的 陶瓷復(fù)合多層基板10。此外，在本實(shí)施方式中，由于能使樹(shù)脂的填充穩(wěn)定，因此能得到翹曲 及起伏少、且空隙殘留少、可靠性好的陶瓷復(fù)合多層基板10。此外，對(duì)于樹(shù)脂形成后的基板的平坦化，當(dāng)表面電極16在燒成前形成的情況下在 燒成后進(jìn)行樹(shù)脂的浸漬，因此也能確?；迮c其表面電極16的平坦性，此外，由于基板表 面為平坦的，因此在使樹(shù)脂成分硬化后，通過(guò)高精度且平坦地研磨樹(shù)脂的表面從而能進(jìn)一 步提高基板的平坦性。當(dāng)在形成樹(shù)脂后形成表面電極16的情況下，形成樹(shù)脂層14后的樹(shù) 脂表面的平滑性很大程度取決于樹(shù)脂層14的平坦性，對(duì)有的樹(shù)脂層14的表面狀態(tài)，在研磨 表面時(shí)可能會(huì)除去表面電極16，因此較為理想的是，如上所述預(yù)先將所需的未燒成的表面電極16以規(guī)定圖案形成于未燒成復(fù)合層疊體。而且，根據(jù)本實(shí)施方式，由于多孔質(zhì)陶瓷層13A形成于由第一陶瓷層11和第二陶 瓷層12構(gòu)成的層疊體的至少一個(gè)主面，通過(guò)使樹(shù)脂成分浸漬于上述多孔質(zhì)陶瓷層13A的縫 隙并使其硬化從而形成為樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13，因此作為樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的機(jī)械強(qiáng)度提 高，能防止陶瓷復(fù)合層疊體10的變形、維持平坦的基板形狀。與此相對(duì)的是，例如在專利文 獻(xiàn)3的復(fù)合多層基板中，當(dāng)陶瓷基板的厚度較薄時(shí)，需要進(jìn)行在基板的單面來(lái)自多次形成 樹(shù)脂層的工序。在上述樹(shù)脂形成工序中，使樹(shù)脂層逐步硬化，因各樹(shù)脂層的硬化狀態(tài)而異， 有時(shí)各樹(shù)脂層的硬化收縮舉動(dòng)成為陶瓷基板變形的主要原因，有時(shí)無(wú)法將各樹(shù)脂層平坦地 層疊，可能會(huì)產(chǎn)生形成不良或基板裂痕等。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在至少一個(gè)主面?zhèn)鹊慕n有樹(shù)脂成分的多孔質(zhì)陶瓷 層13A的表面上具有表面電極16，且樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的表面中除了表面電極16以外的 部分上形成有由樹(shù)脂成分構(gòu)成的樹(shù)脂層14，因此在一般的陶瓷多層基板的制造工序中只要 增加樹(shù)脂浸漬、硬化工序就能得到陶瓷復(fù)合多層基板10，且其工序數(shù)幾乎與專利文獻(xiàn)1所 記載的技術(shù)相比沒(méi)有變化。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在通過(guò)陶瓷復(fù)合多層基板10的表 示電極16安裝于眾所周知的印刷配線基板時(shí)，陶瓷復(fù)合多層基板10為由第一陶瓷層11、 含有玻璃成分的第二陶瓷層12、含有樹(shù)脂成分的第三陶瓷層(樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層)13和樹(shù)脂 層14構(gòu)成的四層結(jié)構(gòu)，因此與專利文獻(xiàn)2所記載的復(fù)合多層基板一樣，能得到熱膨脹系數(shù) 從基板的層疊方向的中心部朝向印刷配線基板逐漸接近于由樹(shù)脂成分構(gòu)成的印刷配線基 板的熱膨脹系數(shù)這樣的傾斜結(jié)構(gòu)。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于通過(guò)將樹(shù)脂成分浸漬至未燒結(jié)的多孔質(zhì)陶瓷層13A 內(nèi)，從而同時(shí)形成樹(shù)脂層14，另外由于樹(shù)脂成分被浸漬到被從第一陶瓷層11擴(kuò)散的玻璃固 接的第二陶瓷層12，因此在接合界面上得到接合(日文>力一)效果，并能抑制層間剝 離。與此相對(duì)的是，由于專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3所記載的樹(shù)脂層14再次配置于燒成后的陶 瓷多層基板上，因此即使在潛在地形成有樹(shù)脂層14之后，也無(wú)法避免剝離的問(wèn)題。而且，根據(jù)本實(shí)施方式，若陶瓷復(fù)合多層基板10的多孔質(zhì)陶瓷層13A中的由內(nèi)部 導(dǎo)體15、表面電極16和通孔導(dǎo)體17構(gòu)成的配線導(dǎo)體部形成于燒成第一陶瓷層11、第二陶 瓷層12、第三陶瓷層13之前，則在燒成后的樹(shù)脂浸漬前后無(wú)需直接形成配線導(dǎo)體。因此，關(guān) 于作為樹(shù)脂浸漬層的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13的配線導(dǎo)體，能以形成第一陶瓷層11、第二陶瓷層 12時(shí)的精度為基準(zhǔn)來(lái)形成高精度的配線導(dǎo)體。此外，特別地由于在陶瓷復(fù)合多層基板10的 表層部配置有在燒成過(guò)程中不會(huì)燒結(jié)收縮的多孔質(zhì)陶瓷層13A，因此在不會(huì)發(fā)生因燒成而 引起的位置變動(dòng)這點(diǎn)上，也能高精度地控制表面電極的位置。與此相對(duì)的是，就連在專利文 獻(xiàn)1中也是這樣，但特別是在專利文獻(xiàn)3中，需要在形成樹(shù)脂層14之后對(duì)各層都形成將多 個(gè)樹(shù)脂層14之間電連接的配線結(jié)構(gòu)，不僅工序數(shù)大幅增加，還會(huì)引起形成精度的降低，在 形成高密度配線基板時(shí)不理想。第二實(shí)施方式如圖7所示，本實(shí)施方式的陶瓷復(fù)合多層基板10A除了沒(méi)有第一實(shí)施方式的陶瓷 復(fù)合多層基板10中的、配置于上表面?zhèn)鹊牡谝惶沾蓪?1與樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13之間的第二 陶瓷層12和下表面?zhèn)鹊臉?shù)脂陶瓷復(fù)合層13之外，與第一實(shí)施方式一樣構(gòu)成。因此，在本實(shí) 施方式中，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或相當(dāng)部分標(biāo)上相同符號(hào)進(jìn)行圖示。
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為了得到燒成后的平坦的基板，較為理想的是，起到樹(shù)脂浸漬層的作用的多孔質(zhì)陶 瓷層13A以相同的厚度配置在陶瓷基板的兩個(gè)表面，但因陶瓷復(fù)合多層基板的結(jié)構(gòu)而異，并 不局限于此。例如，陶瓷復(fù)合多層基板的結(jié)構(gòu)如本實(shí)施方式那樣，當(dāng)?shù)诙沾蓪?2偏于一個(gè) 主面?zhèn)?下表面?zhèn)?來(lái)配置時(shí)，上述基板在單獨(dú)的情況下第二陶瓷層12所偏向的一側(cè)(第二 陶瓷層的相對(duì)量多的主面?zhèn)?具有凸出的趨勢(shì)。此時(shí)，通過(guò)只在單側(cè)、即只在另一個(gè)主面?zhèn)?(上表面?zhèn)?配置多孔質(zhì)陶瓷層13A，從而能實(shí)現(xiàn)陶瓷復(fù)合多層基板IOA的平坦性。S卩、在本 實(shí)施方式中，通過(guò)調(diào)整陶瓷復(fù)合多層基板IOA的層結(jié)構(gòu)，從而能將樹(shù)脂浸漬層只配置于單側(cè)。 在本實(shí)施方式中，也能得到與第一實(shí)施方式一樣的作用效果。另外，通過(guò)使陶瓷復(fù)合多層基板 IOA中的配置于第二陶瓷層12所偏向側(cè)的主面上的多孔質(zhì)陶瓷層13A比配置于另一側(cè)的主 面上的多孔質(zhì)陶瓷層13A的厚度薄，從而能使燒成后的陶瓷基板的翹曲平坦。第三實(shí)施方式如圖8所示，本實(shí)施方式的陶瓷復(fù)合多層基板IOB除了省略了第一實(shí)施方式的陶 瓷復(fù)合多層基板10中的、上下配置的第一陶瓷層11與樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13之間分別設(shè)置的 第二陶瓷層12之外，與第一實(shí)施方式一樣構(gòu)成。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)于與第一實(shí)施方 式相同部分或相當(dāng)部分標(biāo)上相同符號(hào)進(jìn)行圖示。如第一實(shí)施方式的陶瓷復(fù)合多層基板10那樣，為了得到能抑制面內(nèi)方向上的燒 成收縮的高精度的陶瓷復(fù)合多層基板10，較為理想的是，對(duì)每個(gè)至少40 μ m的厚度在層疊 方向上配置所需厚度的第二陶瓷層12從而在層疊方向上沒(méi)有遺留地抑制平面方向上的燒 成收縮。然而，當(dāng)在陶瓷復(fù)合多層基板的面內(nèi)方向上不需要那么高的精度時(shí)或陶瓷復(fù)合多 層基板的厚度薄時(shí)，尤其是第一陶瓷層11的厚度薄時(shí)等，即使如本實(shí)施方式這樣的省略了 第一陶瓷層11與樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13之間的第二陶瓷層，也能維持作為陶瓷復(fù)合多層基板 IOB的平坦性，并能期待與第一實(shí)施方式實(shí)質(zhì)性相同的作用效果。第四實(shí)施方式如圖9所示，本實(shí)施方式的陶瓷復(fù)合多層基板IOC除了設(shè)有從樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13 的上表面中央部到達(dá)層疊方向中央的第二陶瓷層12的上表面的空腔19之外，與第一實(shí)施 方式一樣構(gòu)成。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或相當(dāng)部分標(biāo)上相同 符號(hào)進(jìn)行圖示。S卩、在本實(shí)施方式中，第一陶瓷層11、第二陶瓷層12和樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13從空腔 19的側(cè)壁面露出而形成。即使是這種結(jié)構(gòu)的陶瓷復(fù)合多層基板10C，第一陶瓷層11能通過(guò) 第二陶瓷層12抑制平面方向上的燒成收縮，且作為陶瓷復(fù)合多層基板IOC的變形量少，從 而能得到維持高精度的平坦性的帶空腔的陶瓷復(fù)合多層基板10C。也就是說(shuō)，由于從空腔 19的側(cè)壁面或底面露出第二陶瓷層12和樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13，因此通過(guò)這些層，在燒成中也 能維持空腔19的形狀，并能形成所希望形狀的空腔19。以下，對(duì)基于具體的陶瓷復(fù)合多層基板的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，根據(jù)下述要點(diǎn)制作圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基板。采用上述陶瓷 復(fù)合多層基板來(lái)對(duì)平坦性進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果在表1中表示。在本實(shí)施例中，在制作陶瓷復(fù)合多層基板時(shí)，作為第一陶瓷材料，采用Ba-Al-Si-B 系氧化物陶瓷材料，作為第二陶瓷材料、第三陶瓷材料，采用平均粒徑為1.5μπι的氧化鋁粒子。此外，第一陶瓷生坯層的厚度設(shè)定成在燒成后為20 ym，第二陶瓷生坯層的厚度設(shè)定 成在燒成后為3i!m，此外第三陶瓷生坯層的厚度設(shè)定成在燒成后為40m。另外，采用平均 粒徑為1. 5 ym的氧化鋁粒子作為第二陶瓷材料、第三陶瓷材料，將其單獨(dú)燒成，對(duì)所得到 的燒成材的熱膨脹系數(shù)進(jìn)行測(cè)定后，為大約8ppm/°C。此外，關(guān)于內(nèi)部導(dǎo)體、表面電極和通 孔導(dǎo)體，形成以Cu成分為主要成分的導(dǎo)體部。然而，作為通孔導(dǎo)體，為了預(yù)先減少與未燒 成復(fù)合層疊體的收縮舉動(dòng)差，在Cu成分中添加樹(shù)脂顆粒和玻璃成分。作為上述玻璃成分， 采用與作為擴(kuò)散成分的玻璃大致相同組成的Si-B-Ba系玻璃成分，其中擴(kuò)散成分從第一陶 瓷層朝向第二陶瓷層擴(kuò)散且將第二陶瓷層固接。此外，作為浸漬于由第三陶瓷材料構(gòu)成的 多孔質(zhì)陶瓷層的樹(shù)脂使用調(diào)整好的樹(shù)脂成分，具體而言，使以平均粒徑為2 y m、熱膨脹系數(shù) 為8ppm/°C的SiO為主要成分的填料與環(huán)氧樹(shù)脂成分的比例為填料樹(shù)脂=50 50重 量％，硬化后的樹(shù)脂層的熱膨脹系數(shù)為14ppm/°C。根據(jù)第一實(shí)施方式，采用上述各陶瓷生坯層來(lái)制作圖1所示的陶瓷復(fù)合多層基 板，并將基板尺寸最終調(diào)整為135mm見(jiàn)方。測(cè)定上述陶瓷復(fù)合多層基板的四角與中央的高 低差，其結(jié)果在表1中表示。將四點(diǎn)的平均值作為基板的翹曲量。此外，測(cè)定相當(dāng)于基板內(nèi) 的各個(gè)基板的部分的平坦性。另外，作為比較例1，未采用第三陶瓷生坯層，也就是說(shuō)，在未 形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的狀態(tài)下制作相同的基板。而且，作為比較例2，在實(shí)施例1中測(cè)定了 翹曲量之后，對(duì)通過(guò)研磨除去多孔質(zhì)陶瓷層后的基板的翹曲量進(jìn)行測(cè)定。在比較例2中，除 去多孔質(zhì)陶瓷層之前的翹曲量均為lOOym。另外，在表1中，復(fù)合層是指樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層， 陶瓷層是指陶瓷復(fù)合多層基板。表 1 根據(jù)表1所示的結(jié)果，在未形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的比較例1時(shí)，基板的翹曲大。特 別地，可知基板的厚度薄，則翹曲容易增大。通過(guò)如實(shí)施例1這樣形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層，便 可知能降低翹曲量。特別地，將樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層配置于兩主面對(duì)于降低翹曲而言是非常理 想的。此外，由于如比較例2那樣的在燒成后除去多孔質(zhì)陶瓷層則還會(huì)再次出現(xiàn)翹曲，因此 這種除去不理想。從這些可知，由于第三陶瓷生坯層在燒成時(shí)抑制基板的變形，因此得到平 坦的基板。此外，根據(jù)表1所示的結(jié)果，關(guān)于在各個(gè)基板上的起伏，由于樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層緩和 吸收了內(nèi)部電極等的高低差在基板表面的體現(xiàn)，因此能得到平坦的基板表面。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，按下述要點(diǎn)制作陶瓷復(fù)合多層基板，對(duì)上述陶瓷復(fù)合多層基板的 熱膨脹系數(shù)差、剝離性和尺寸精度進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果在表2中表示。此外，對(duì)于實(shí)施例1的 陶瓷復(fù)合多層基板也進(jìn)行同樣的評(píng)價(jià)，其結(jié)果在圖2中表示。在本實(shí)施例中，當(dāng)制作陶瓷復(fù)合多層基板時(shí)，作為第一陶瓷材料，采用將氧化鋁粒 子和軟化點(diǎn)為600°C的硼硅酸玻璃按照氧化鋁玻璃=60 40(重量％ )比例所形成的 陶瓷材料，作為第二陶瓷材料，采用將平均粒徑為1. 5 y m的氧化鋁粒子與Si-B-Ba系的玻 璃成分、軟化點(diǎn)為730°C的玻璃按照氧化鋁玻璃=60 40(容量％ )的比例添加、混合 而成的陶瓷材料。此外，選定第一陶瓷生坯層的厚度為在燒成后20 ym，選定第二陶瓷生坯 層的厚度為在燒成后3 ym。另外，關(guān)于第三陶瓷生坯層，采用將平均粒徑為1.5i!m的氧化 鋁粒子與平均粒徑為0. 5 y m的氧化鋁粒子按照平均粒徑為1. 5 y m的氧化鋁粒子平均粒 徑為0.5i!m的氧化鋁粒子=1 3(重量％)的比例調(diào)合而成的混合氧化鋁，選定燒成后 的厚度為40i!m。此外，浸漬于多孔質(zhì)陶瓷層并形成樹(shù)脂層的樹(shù)脂成分采用將以平均粒徑 為2.0 ym、熱膨脹系數(shù)為8ppm/°C的主要成分的填料與環(huán)氧樹(shù)脂成分按照填料樹(shù) 脂=30 70(重量％)的比例調(diào)整、僅在樹(shù)脂層中的熱膨脹系數(shù)為12ppm/°C的樹(shù)脂成分。 此外，與實(shí)施例1 一樣來(lái)制作陶瓷復(fù)合多層基板。接著，對(duì)實(shí)施例1、實(shí)施例2得到的陶瓷復(fù) 合多層基板中的各層的熱膨脹系數(shù)進(jìn)行測(cè)定，其結(jié)果在表2中表示。表2
16 根據(jù)表2所示的結(jié)果可知，在實(shí)施例1、實(shí)施例2所得到的陶瓷復(fù)合多層基板的各 層的熱膨脹系數(shù)具有逐漸接近以少的工序數(shù)所得到的印刷配線基板的熱膨脹系數(shù)的傾斜 結(jié)構(gòu)層。特別地，關(guān)于在本實(shí)施例中制作的基板，通過(guò)調(diào)整所使用的氧化鋁粒子的粒徑來(lái)控 制多孔質(zhì)陶瓷層的空隙率，藉此能調(diào)整樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層(在表2中為復(fù)合層)的熱膨脹系 數(shù)，即使采用與印刷配線基板有很大不同的熱膨脹系數(shù)的陶瓷層作為基材層的情況下，也 能形成分階段地接近印刷配線基板的熱膨脹系數(shù)的基板結(jié)構(gòu)。此外，為了對(duì)實(shí)施例1所采用的基板與對(duì)比較例1的基板兩面再次硬化后形成 40 μ m的樹(shù)脂層的基板進(jìn)行比較，將兩基板以120循環(huán)投入-40 85 °C的熱沖擊試驗(yàn)之后， 采用超聲波探傷試驗(yàn)來(lái)檢測(cè)剝離部，在比較例1的基板中，尤其是在基板表面的有高低的 部分處處可見(jiàn)有Φ20μπι左右的剝離。與此相對(duì)的是，在實(shí)施例1的基板上未發(fā)生有剝離 部。另外，采用不含有填料的樹(shù)脂作為在實(shí)施例1中所浸漬的樹(shù)脂，采用不含有填料的樹(shù)脂 作為涂布于比較例1的兩面的樹(shù)脂，發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生更大的剝離。在實(shí)施例1、實(shí)施例2中，確認(rèn)了若在陶瓷復(fù)合多層基板中彼此相鄰的層、也就是 說(shuō)第二陶瓷層與樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的層間的熱膨脹系數(shù)差和樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層與樹(shù)脂層間的 層間的熱膨脹系數(shù)之差為至少士3ppm/°C以內(nèi)的熱膨脹系數(shù)差，則不產(chǎn)生層間剝離。然而， 與在硬化后的樹(shù)脂層上再次形成樹(shù)脂層的現(xiàn)有的方法相比，在本發(fā)明中預(yù)先形成作為樹(shù)脂 浸漬層的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層，通過(guò)在其表面形成樹(shù)脂層的同時(shí)使樹(shù)脂浸漬來(lái)形成連續(xù)的界 面，因此各層間的熱膨脹系數(shù)差不限定于上述范圍。然而，在比較方法中，即使是單獨(dú)形成樹(shù)脂層的情況下，若過(guò)多增加填料成分的 量，盡管能調(diào)整熱膨脹系數(shù)，但這樣的硬化前的樹(shù)脂的流動(dòng)性差，不易形成完全浸潤(rùn)的、均 勻的樹(shù)脂層。特別地，由于在表面安裝部件附近的樹(shù)脂浸潤(rùn)差且樹(shù)脂層本身的樹(shù)脂強(qiáng)度也 大幅降低，因此會(huì)成為損害作為陶瓷電子元器件的可靠性的主要原因，不甚理想。此外，當(dāng)在比較例1的兩面上再次形成樹(shù)脂層時(shí)，需要在每個(gè)單面上形成樹(shù)脂層、 并使樹(shù)脂層硬化。此時(shí)，當(dāng)使單面?zhèn)鹊臉?shù)脂硬化時(shí)，因樹(shù)脂的硬化收縮舉動(dòng)而在基板上產(chǎn)生 翹曲，在基板為較薄的200μπι的基板中，會(huì)在一部分產(chǎn)生裂痕。這種翹曲通過(guò)在剩下的單 面上形成樹(shù)脂層、并使其硬化來(lái)加以緩和，但由于需要在翹曲變大后的基板上形成均勻的 樹(shù)脂層，因此會(huì)使形成樹(shù)脂層的工序的難易度增高。與此相對(duì)的是，在實(shí)施例2中，基板的形狀本身被第二陶瓷層和多孔質(zhì)陶瓷層這 兩層保持，且樹(shù)脂的硬化由于是在多孔質(zhì)陶瓷層內(nèi)的空隙部產(chǎn)生的，因此即使一個(gè)面一個(gè) 面地浸漬樹(shù)脂、并使其硬化，也不會(huì)在樹(shù)脂硬化過(guò)程的前后在基板上產(chǎn)生翹曲，作業(yè)性優(yōu)良O此外，在比較例1的基板上形成樹(shù)脂層之后，連接內(nèi)部導(dǎo)體和表面電極時(shí)，為了確 保與陶瓷基板的連接性，需要較大的設(shè)計(jì)余量。在上述各實(shí)施例的情況下，只有串聯(lián)配置的 通孔導(dǎo)體能與表面電極連接，但在比較例1的情況下，為了吸收因樹(shù)脂的配置或通孔導(dǎo)體 的配置引起的位置偏移，例如如圖10所示需要新的突起電極(日文〃’；/ K電極)P，該突 起電極P阻礙上下串聯(lián)配置的通孔導(dǎo)體之間的狹縫化。另外，在圖10中，對(duì)與第一實(shí)施方 式相應(yīng)的部分標(biāo)注相應(yīng)的符號(hào)“A”。
另外，當(dāng)然，在未要求有基板的配線精度的情況下，也可取代上述方法之外，可以 同時(shí)進(jìn)行對(duì)多孔質(zhì)陶瓷層的樹(shù)脂的浸漬和樹(shù)脂層的形成，并在進(jìn)行樹(shù)脂的硬化后，再次配 置表面電極。此時(shí)，例如圖11所示，在樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13B的表面上考慮到在樹(shù)脂層14B上 形成通孔導(dǎo)體18B時(shí)的精度，較為理想的是，預(yù)先形成突起電極P’。作為表面電極16B，較為 理想的是采用銅箔這樣的金屬箔，但在表面電極16B的配置時(shí)，較為理想的是，一旦樹(shù)脂層 14B進(jìn)入半硬化狀態(tài)之后，配置表面電極16B，再次使樹(shù)脂層14B正式硬化。在上述方法中， 如上所述基板的配線精度會(huì)降低，但由于是通過(guò)單一的樹(shù)脂浸漬操作形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層 13B和樹(shù)脂層14B、并使其同時(shí)硬化的，因此除了不容易產(chǎn)生這些界面上的剝離之外，由于 在作為基材的第一陶瓷層IlB之間配置有由玻璃和高溫?zé)Y(jié)陶瓷粒子構(gòu)成的第二陶瓷層 12B，因此對(duì)陶瓷層與含有玻璃的高溫?zé)Y(jié)陶瓷粒子層之間(第一陶瓷層IlB與第二陶瓷層 12B之間)、含有玻璃的高溫?zé)Y(jié)陶瓷粒子層與含有樹(shù)脂層的高溫?zé)Y(jié)陶瓷粒子層之間(第 二陶瓷層12B與樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13B之間)、含有樹(shù)脂層的高溫?zé)Y(jié)陶瓷粒子層與樹(shù)脂層之 間(樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層13B與樹(shù)脂層14B之間)的全部層間來(lái)說(shuō)都不易剝離。另外，在圖11 中，對(duì)與第一實(shí)施方式相應(yīng)的部分標(biāo)注相應(yīng)的符號(hào)“B”。根據(jù)如上所說(shuō)明的本發(fā)明，通過(guò)在第一陶瓷生坯層的至少一個(gè)主面上配置有可抑 制第一陶瓷生坯層的平面方向上的燒成收縮的第二陶瓷生坯層和第三陶瓷生坯層，從而能 抑制伴隨燒成所產(chǎn)生的變形，在燒成后，能通過(guò)由第三陶瓷生坯層形成的多孔質(zhì)陶瓷層來(lái) 得到更加平坦的陶瓷復(fù)合多層基板。由于通過(guò)利用第二陶瓷生坯層和第三陶瓷生坯層來(lái)抑 制變形從而使上述陶瓷復(fù)合多層基板處于平坦的狀態(tài)，因此例如若在燒成后除去來(lái)自第三 陶瓷生坯層的多孔質(zhì)陶瓷層，就會(huì)再次發(fā)生基板變形。因此，在本發(fā)明中，在燒成后，不除去 作為陶瓷粉末集合體的多孔質(zhì)陶瓷層，而通過(guò)將樹(shù)脂成分浸漬于上述多孔質(zhì)陶瓷層、并使 其硬化，從而能得到維持平坦的狀態(tài)下的陶瓷復(fù)合多層基板。特別地，由于利用第二陶瓷生 坯層上實(shí)質(zhì)性抑制了第一陶瓷生坯層的燒成收縮，因此施加于第三陶瓷生坯層、特別是施 加于其界面附近的應(yīng)力維持在最小限度，因此空隙率和密度分別在整個(gè)區(qū)域內(nèi)處于大致均 勻的狀態(tài)，能均勻且流暢地進(jìn)行樹(shù)脂的浸漬。此外，關(guān)于樹(shù)脂形成后的基板的平坦化，當(dāng)在燒成前形成表面電極時(shí)，在燒成后進(jìn) 行樹(shù)脂浸漬，因此能確?；寮捌浔砻骐姌O的平坦，由于基板表面為平坦的，因此在樹(shù)脂硬 化后通過(guò)將樹(shù)脂表面研磨平坦，從而能進(jìn)一步提高平坦性。當(dāng)在樹(shù)脂形成后形成表面電極 時(shí)，由于形成后的表面的平滑性很大程度依賴于樹(shù)脂層，會(huì)有除去表面電極的可能性，因此 較為理想的是，如上所述在未燒成復(fù)合層疊體上預(yù)先形成所需的導(dǎo)體圖案。而且，當(dāng)陶瓷基板的厚度薄時(shí)，特別是在專利文獻(xiàn)3中，需要在基板的單面上多次 來(lái)回的樹(shù)脂形成工序。在上述樹(shù)脂形成工序中，逐步進(jìn)行樹(shù)脂層的硬化，但根據(jù)樹(shù)脂層的硬化的不同，這種硬化收縮舉動(dòng)，成為陶瓷基板上變形的主要原因，從而產(chǎn)生樹(shù)脂層的形成不 良或基板裂痕。在本發(fā)明中，多孔質(zhì)陶瓷層這種高強(qiáng)度的變形抑制層為形成于由第一陶瓷 層和第二陶瓷層構(gòu)成的層疊體的至少一個(gè)主面的狀態(tài)，由于樹(shù)脂浸漬硬化也為在上述浸漬 層內(nèi)的樹(shù)脂硬化，因此不會(huì)產(chǎn)生陶瓷復(fù)合層疊體的變形，能維持平坦的基板形狀。此外，本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板，更為理想的是，在至少一方的主側(cè)浸漬有樹(shù)脂 成分的多孔質(zhì)陶瓷層的表面上具有表面電極，且在樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的表面中的表面電極以 外的部分上形成由樹(shù)脂成分構(gòu)成的樹(shù)脂層?？芍谝话愕奶沾啥鄬踊宓闹圃旃ば蛑校?要通過(guò)增加樹(shù)脂浸漬、硬化工序就能得到這種結(jié)構(gòu)的基板，在工序數(shù)上與專利文獻(xiàn)1相比 沒(méi)有多大變化。然而，根據(jù)本發(fā)明的上述構(gòu)造基板，在采用表面電極來(lái)安裝于眾所周知的印 刷配線基板上時(shí)，從陶瓷復(fù)合多層基板側(cè)觀察的基板結(jié)構(gòu)能得到作為“第一陶瓷層”、“陶瓷 玻璃的第二陶瓷層”、“陶瓷樹(shù)脂層的第三陶瓷層”和“樹(shù)脂層”的四層結(jié)構(gòu)，像專利文獻(xiàn)2所 示這樣的熱膨脹系數(shù)逐漸接近于由樹(shù)脂成分構(gòu)成的眾所周知的印刷配線基板這樣的傾斜 結(jié)構(gòu)能通過(guò)與專利文獻(xiàn)1一樣的工序來(lái)得到。專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3所見(jiàn)的樹(shù)脂層由于是再次配置于燒成后的陶瓷多層基板 上的，因此無(wú)法避免潛在的形成后的剝離不良的問(wèn)題。與此相對(duì)的是，在本發(fā)明中，較為理 想的是，通過(guò)將樹(shù)脂成分浸漬于未燒結(jié)的多孔質(zhì)陶瓷層內(nèi)，從而來(lái)形成樹(shù)脂層。當(dāng)從多孔質(zhì) 陶瓷層的樹(shù)脂浸漬側(cè)來(lái)觀察時(shí)，由于形成被來(lái)自陶瓷層的擴(kuò)散玻璃固接的高溫?zé)Y(jié)陶瓷生 坯層，且浸漬樹(shù)脂浸漬到被玻璃成分固接的陶瓷層，因此接合界面形成含有同種的陶瓷成 分的接合結(jié)構(gòu)，能抑制剝離不良。就連在專利文獻(xiàn)1中也是這樣，特別是在專利文獻(xiàn)3中，需要在形成樹(shù)脂層之后在 各層都形成將多個(gè)樹(shù)脂層間電連接的配線結(jié)構(gòu)，不僅工序數(shù)大幅增加，還會(huì)引起形成精度 的降低，在形成高密度基板上仍存在技術(shù)難題。本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板的多孔質(zhì)陶瓷 層中的配線導(dǎo)體只要在陶瓷層的燒成前形成，則在燒成后的樹(shù)脂浸漬前后無(wú)需直接形成配 線導(dǎo)體的工序。因此，關(guān)于樹(shù)脂浸漬層的配線導(dǎo)體的形成，能形成以陶瓷層的形成精度為標(biāo) 準(zhǔn)的高精度的配線導(dǎo)體。此外，特別是在表層面，由于配置了在燒成過(guò)程中不會(huì)燒結(jié)收縮的 層，因此在不會(huì)產(chǎn)生因燒成而引起的位置變動(dòng)這點(diǎn)上，也能促進(jìn)表面電極位置的高精度。另外，本發(fā)明不限定于上述各實(shí)施方式。根據(jù)需要，能對(duì)本發(fā)明的各構(gòu)成要素進(jìn)行 適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)變更。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明能很好地利用于移動(dòng)體通信設(shè)備等各種電子設(shè)備。
權(quán)利要求
一種陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，包括層疊體，該層疊體由第一陶瓷層和第二陶瓷層構(gòu)成，所述第二陶瓷層被配置成與所述第一陶瓷層接觸并能抑制所述第一陶瓷層的平面方向上的燒成收縮，在所述層疊體的至少一個(gè)主面上形成有使樹(shù)脂浸漬于多孔質(zhì)陶瓷中而成的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于， 所述第二陶瓷層配置于多個(gè)所述第一陶瓷層的層間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，所述第二陶瓷層配置于所述第一陶瓷層與所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的層間。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，在由所述第一陶瓷層和所述第二陶瓷層構(gòu)成的層疊體的兩個(gè)主面上均設(shè)有所述樹(shù)脂 陶瓷復(fù)合層。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，只在由所述第一陶瓷層和所述第二陶瓷層構(gòu)成的層疊體的一個(gè)主面上配置有所述樹(shù) 脂陶瓷復(fù)合層。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于， 在所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的表面上形成有以樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂層。
7.如權(quán)利要求6所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，在所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層與所述樹(shù)脂層的界面上形成有表面電極，所述表面電極的一個(gè) 主面朝外部露出。
8.如權(quán)利要求7所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于， 所述表面電極的邊緣部分中的至少一部分被所述樹(shù)脂層覆蓋。
9.如權(quán)利要求8所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于，覆蓋所述表面電極的邊緣部分的至少一部分的所述樹(shù)脂層是由與所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合 層中所含的所述樹(shù)脂相同的材料構(gòu)成的樹(shù)脂形成的。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板，其特征在于， 在至少一個(gè)主面形成有空腔，在所述第一陶瓷層、所述第二陶瓷層以及所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層中，至少所述第二陶瓷 層或所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層在所述空腔的底面或側(cè)壁面露出。
11.一種陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于，包括在第一陶瓷生坯層的至少一個(gè)主面上配置能抑制所述第一陶瓷生坯層的平面方向上 的燒成收縮的第二陶瓷生坯層從而形成未燒成層疊體，在該未燒成層疊體的至少一個(gè)主面 上設(shè)有在燒成后作為多孔質(zhì)陶瓷層的第三陶瓷生坯層，從而制作未燒成復(fù)合層疊體的工 序；在至少能使第一陶瓷生坯層燒結(jié)的條件下對(duì)所述未燒成復(fù)合層疊體進(jìn)行燒成的工序；以及將樹(shù)脂浸漬于所述多孔質(zhì)陶瓷層中從而形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 所述第二陶瓷生坯層配置于多個(gè)第一陶瓷生坯層的層間。
13.如權(quán)利要求11或12所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 所述第二陶瓷生坯層配置于所述第一陶瓷生坯層與所述第三陶瓷生坯層的層間。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 在由所述第一陶瓷生坯層與所述第二陶瓷生坯層構(gòu)成的未燒成層疊體的兩個(gè)主面上均設(shè)有所述第三陶瓷生坯層。
15.如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 只在由所述第一陶瓷生坯層和所述第二陶瓷生坯層構(gòu)成的未燒成層疊體的一個(gè)主面上設(shè)有所述第三陶瓷生坯層。
16.如權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 在將所述樹(shù)脂浸漬于所述多孔質(zhì)陶瓷層從而形成樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的同時(shí)，在所述樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層的表面上形成以所述樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂層。
17.如權(quán)利要求16所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于，在所述樹(shù)脂陶瓷層與所述樹(shù)脂層的界面上形成有表面電極，在形成所述樹(shù)脂層時(shí)，當(dāng) 所述表面電極被所述樹(shù)脂層覆蓋的話，則對(duì)所述樹(shù)脂層進(jìn)行除去從而使所述表面電極的一 個(gè)主面朝外部露出。
18.如權(quán)利要求17所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于，對(duì)所述樹(shù)脂層進(jìn)行除去從而使所述表面電極的邊緣部分中的至少一部分被所述樹(shù)脂 層覆蓋。
19.如權(quán)利要求11至18中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 在所述未燒成復(fù)合層疊體上形成有空腔，使所述第一陶瓷生坯層、所述第二陶瓷生坯層以及所述第三陶瓷生坯層中的至少所述 第二陶瓷生坯層和所述第三陶瓷生坯層在所述空腔的底面或側(cè)壁面露出。
20.如權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的陶瓷復(fù)合多層基板的制造方法，其特征在于， 一體地?zé)伤霰砻骐姌O與所述未燒成復(fù)合層疊體。
21.一種電子元器件，其特征在于， 包括層疊體，該層疊體由第一陶瓷層和第二陶瓷層構(gòu)成，所述第二陶瓷層被配置成與所述第一陶瓷層接觸并能抑制所述第一陶瓷層的平面方 向上的燒成收縮，陶瓷復(fù)合多層基板具有在所述層疊體的至少一個(gè)主面上使樹(shù)脂浸漬于多孔質(zhì)陶瓷中 而成的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層，在所述陶瓷復(fù)合多層基板的一個(gè)主面上裝載有安裝零件。
全文摘要
一種陶瓷復(fù)合多層基板，該陶瓷復(fù)合多層基板能簡(jiǎn)化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙殘留少的基板，而且能防止層間剝離或從母板的剝離等，可靠性好。本發(fā)明的陶瓷復(fù)合多層基板(10)，包括層疊體，該層疊體由第一陶瓷層(11)和第二陶瓷層(12)構(gòu)成，其中第二陶瓷層(12)被配置成與第一陶瓷層(11)接觸并能抑制第一陶瓷層(11)的平面方向上的燒成收縮，在層疊體的至少一個(gè)主面上形成有使樹(shù)脂浸漬于多孔質(zhì)陶瓷中而成的樹(shù)脂陶瓷復(fù)合層(13)。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101874429SQ20088011867
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日
發(fā)明者野宮正人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所