專利名稱：Led器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及用于便攜信息終端等的液晶顯示器背后照明和各種指示器的LED器件。尤其是具有由LED發(fā)射的光激勵(lì)而發(fā)出波長與該光的波長不同的光的熒光體并且用作白色或中色的光的LED光源的LED器件。
背景技術(shù)：
近年來，使用彩色LCD的便攜電話機(jī)等的需求不斷擴(kuò)大。作為這種彩色LCD的背后照明光源，使用白色LED。圖14所示的白色LED器件100例如具有AMODEL(アモデル)、VECTRA(ベクトラ)材料等的白色反射樹脂構(gòu)成的基座101和金屬框架102。在基座101的研缽狀(即錐狀)內(nèi)側(cè)底部而且金屬框架102上安裝LED芯片103(發(fā)光二極管)。此LED芯片103是發(fā)波長近460nm的光的藍(lán)色LED。通過Au線和導(dǎo)電接合劑實(shí)施LED芯片103的導(dǎo)通。有時(shí)還根據(jù)LED芯片103的結(jié)構(gòu)，利用倒焊工藝的Au-Au連接達(dá)到導(dǎo)通，或通過2根Au線進(jìn)行導(dǎo)通連接。LED芯片103利用基座101的研缽狀內(nèi)側(cè)封裝的諸如環(huán)氧類樹脂或硅類樹脂等透射型樹脂106加以固定。
該樹脂106為了得到規(guī)定的色調(diào)、色度坐標(biāo)，包含YAG類的熒光體107，發(fā)出波長與LED芯片103所發(fā)光的波長不同的光，即吸收LED芯103發(fā)的部分光并且進(jìn)行波長變換后發(fā)光。這樣，一般使用的白色LED器件100利用藍(lán)色LED芯片103與YAG熒光體107的組合，進(jìn)行虛擬的白色發(fā)光。即，利用藍(lán)色LED芯片103發(fā)的藍(lán)光與YAG類熒光體107受激而發(fā)的黃光的色互補(bǔ)或組合帶來的混色光，以虛擬方式達(dá)到該發(fā)白光(例如參考日本專利公開公報(bào)2000-223750號(hào)(圖2))。
然而，該虛擬白色不是一般紅、綠、藍(lán)3原色進(jìn)行混色而得到的白色，尤其存在紅色的色再現(xiàn)性差的缺點(diǎn)，因而考慮藍(lán)色LED103與發(fā)紅、藍(lán)、綠光的熒光體組合的色質(zhì)良好的白色LED器件(圖中未示出)。然而，該發(fā)紅、藍(lán)、綠光的熒光體，激勵(lì)效率或波長變換效率低，所以白色LED器件在亮度低，不能實(shí)際應(yīng)用上存在問題。
為了解決此問題，考慮用發(fā)出具有430nm以下的藍(lán)紫區(qū)的短波長的光的LED代替發(fā)出具有460nm的藍(lán)區(qū)波長的光的藍(lán)色LED103，以改善熒光體的激勵(lì)效率。然而，發(fā)光波長成為430nm以下的藍(lán)紫至紫外區(qū)時(shí)，即使作為可見光區(qū)的LED器件100的基座101使用的所述高效光發(fā)射樹脂(AMODEL、VECTRA材料等)，在短波長區(qū)的光反射率也急劇下降，得不到基座101上的反射(基座101的研缽狀內(nèi)壁面的反射)，成為LED器件100亮度低的原因。圖15示出基座101用的AMODEL A-4122NL材料的反射率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明把提供作為色再現(xiàn)性良好的高亮度光源的LED器件當(dāng)作課題。
作為本發(fā)明解決上述課題的手段，其組成部分包括上表面開口具有凹部并且將該凹部的內(nèi)壁面作為反射面的基座、配置在所述凹部的內(nèi)底面的LED芯片、包含吸收該LED芯片發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體并且填充在所述凹部內(nèi)的樹脂、以及形成在所述反射面并且包含熒光體的熒光體層。
根據(jù)所述發(fā)明，LED出射的光到達(dá)熒光體層時(shí)，該熒光體層包含的熒光體將來自LED芯片的光變換波長后發(fā)光，因而可有效變換出射光，提高反射效率和亮度。
所述LED芯片的發(fā)光波長最好是430nm以下。這樣，通過用藍(lán)紫區(qū)的發(fā)光源，用藍(lán)區(qū)波長的光能高效激勵(lì)變換效率低的紅、綠、藍(lán)3原色發(fā)光熒光體。
所述熒光體層最好由發(fā)不同波長的光的多個(gè)熒光體層組成。本實(shí)施形態(tài)中，所述熒光體層由3層組成，各熒光體層受來自LED芯片的光激勵(lì)，分別發(fā)紅、綠、藍(lán)光。由此，使LED器件的發(fā)光強(qiáng)度飛躍提高，能提供含紅、綠、藍(lán)分量的彩色顯現(xiàn)性良好的LED器件。
這時(shí)，所述多個(gè)熒光體層最好配置成靠近外側(cè)的熒光體層發(fā)波長較短的光。本實(shí)施形態(tài)中，所述熒光體層配置成從內(nèi)側(cè)往外側(cè)依次受來自LED芯片的光激勵(lì)，發(fā)出紅、綠、藍(lán)的光。由此，使熒光體的入射光增加，謀求提高發(fā)光強(qiáng)度。
所述熒光體層最好利用從真空蒸鍍、印刷和噴墨涂覆法構(gòu)成的組中選擇的方法形成。
所述熒光體最好用以Si為主成分的微薄殼覆蓋。由此，防止LED芯片的出射光穿透，能提高出射光的反射效率。
所述基座最好由玻璃材料或金屬材料構(gòu)成。由玻璃材料構(gòu)成基座時(shí)，減少到達(dá)凹部內(nèi)壁面(反射面)的光從內(nèi)壁面透射。由金屬材料構(gòu)成基座，則能改善凹部內(nèi)壁面(反射面)中各光波長反射率的下降。
最好在所述反射面被施加的金屬鍍層上疊置并形成所述熒光體層。
最好利用使所述熒光體散布在所述金屬鍍層的電鍍液中，同時(shí)還進(jìn)行電沉積的復(fù)合電鍍法施加所述金屬層。
作為本發(fā)明解決上述課題用的手段，其組成部分包括上表面開口具有凹部并且將該凹部的內(nèi)壁面作為反射面的基座、配置在所述凹部的內(nèi)底面的LED芯片、包含吸收該LED芯片發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體并且填充在所述凹部內(nèi)的樹脂、以及涂覆在所述反射面的紫外線反射材料。
最好所述凹部內(nèi)填充的樹脂的表層部含有按表面積的10％以下的比率散布的、表面為鏡面的鏡面粒子。由此，從LED芯片到達(dá)樹脂表層部的光受該鏡面粒子反射，再次回到器件內(nèi)部，激勵(lì)樹脂內(nèi)部的熒光體，從而提高來自LED芯片的光的波長變換效率。
所述LED器件還可具有與所述樹脂分開地另行設(shè)置在所述凹部的開口部并且包含形成或附著在所述樹脂上的、表面為鏡面的鏡面粒子的反射樹脂層。由此，從LED芯片到達(dá)樹脂表層部的光受該鏡面粒子反射，再次回到器件內(nèi)部，激勵(lì)樹脂內(nèi)部的熒光體，從而提高光的波長變換效率。
所述樹脂可混合色素。由此，即使長時(shí)間使用LED器件造成LED芯片劣化時(shí)，色素產(chǎn)生褪色也會(huì)使樹脂的透射率提高，因而能防止表觀上LED器件的亮度降低。
所述LED器件在所述凹部的開口部具有截除400nm以下的紫外線的紫外線截除濾波器或紫外線反射材料。因此，能減小紫外線對用戶的影響。
最好所述LED器件在所述凹部的開口部設(shè)置包含所述熒光體并且用激光修整法修整表面過的熒光體薄層。由此，能在LED器件中得到期望的波長，可抑制LED器件發(fā)光色調(diào)偏差。
最好所述基座內(nèi)部具有熱管。
最好使所述基座的下部中央部分往下方突出。


從以下參照附圖并結(jié)合實(shí)施例進(jìn)行的說明會(huì)明白本發(fā)明的進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)。附圖中圖1是本發(fā)明LED器件的立體圖；圖2是圖1的LED器件的剖面圖；圖3是圖2的LED器件的局部放大圖；圖4是示出圖1的LED器件的變換例的局部放大圖；圖5是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖6是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖7是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖8是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖9是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖10是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖11是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖12是示出圖1的LED器件的變換例的剖面圖；圖13是示出圖1的LED器件的變換例的立體圖；圖14是示出已有的LED器件的剖面圖；圖15是示出基座用的AMODEL A-4122N材料的反射率的曲線。
具體實(shí)施形態(tài)圖1是本發(fā)明的LED器件的立體圖，圖2是其剖面圖。此LED器件具有矩形的基座2和電連接用的金屬框架3。該基座2例如由AMODEL或VECTRA材料等可見光反射率高的樹脂材料構(gòu)成，基座2的中央部分形成上表面開口的研缽狀(即錐狀)的凹部4。在該凹部4的內(nèi)底面而且所述金屬框架3上配置LED芯片5(發(fā)光二極管)。所述研缽狀凹部4的內(nèi)壁面(反射面)4a反射所述LED芯片5發(fā)射的出射光，以防止基座2吸收出射光。嵌入成形所述基座2時(shí)在所述基座2的內(nèi)部配置所述金屬框架3，構(gòu)成端子電極3a、3b。
所述凹部4的內(nèi)壁面4a形成熒光體層6。如圖3所示，此熒光體層6由發(fā)不同波長的光的多層熒光體層組成，具體是從內(nèi)側(cè)到外側(cè)，由第1層6a、第2層6b和第3層6c組成。所述第1層6a、第2層6b和第3層6c分別包含將所述LED芯片5發(fā)的光的波長變換成紅、綠、藍(lán)(吸收LED芯片5發(fā)的部分光變換波長后發(fā)光)的熒光體7a、b、c。作為所述熒光體層6的形成方法，可按第3層6c、第2層6b、第1層6a的順序進(jìn)行真空蒸鍍，或利用噴墨涂覆法進(jìn)行印刷涂覆，并按第3層6c、第2層6b、第1層6a的順序進(jìn)行印刷埋入后，去除不需要的部分?；蛘撸稍诎疾?的內(nèi)壁面4a粘接預(yù)先成形的熒光體層6，使其與研缽狀的凹部4的內(nèi)壁面4a嵌合。本實(shí)施形態(tài)中，設(shè)置分別包含各熒光體7a、b、c的3種熒光體層6a、b、c，但也可僅設(shè)置某一種熒光體層6，防止吸收研缽狀凹部4的內(nèi)壁面4a的LED芯片5的出射光。
所述LED芯片5被所述金屬框架3的端子電極3a和Au線8壓接，通過端子電極3b和導(dǎo)電接合劑9達(dá)到電連接。此LED芯片5通電時(shí)，出射光波長為430nm以下的藍(lán)紫至紫外區(qū)的光。
所述凹部4內(nèi)部加上所述LED芯片5的周圍填充并密封透光性樹脂10，諸如環(huán)氧類樹酯、硅類樹脂、丙烯酸類樹脂等，達(dá)到固定并保護(hù)LED芯片5。此透光性樹脂10中混入所述熒光體7a、b、c。
下面說明上述結(jié)構(gòu)組成的LED器件1的作用。
端子電極3a、3b之間通電，使LED芯片5發(fā)光時(shí)，LED芯片5出射的出射光在透光性樹脂10內(nèi)通過，并從LED器件1的發(fā)光面(即凹部4)的開口部往上方出射。LED芯片5出射的部分出射光由透光性樹脂10中混入的熒光體7a、b、c變換到比LED出射光波長長的波長一側(cè)，具體而言，變換成紅波長、綠波長、藍(lán)波長，并且在透光性樹脂10內(nèi)被混合成期望的色度坐標(biāo)后，從LED器件1的發(fā)光面出射。這時(shí)，LED器件1出射的出射光的波長為430nm以下，因而與利用具有藍(lán)色區(qū)波長(例如460nm的波長)的光激勵(lì)熒光體7a、b、c時(shí)相比，激勵(lì)效率提高，使LED器件1的發(fā)光面出射的亮度和發(fā)光強(qiáng)度提高。又由于取得作為彩色3原色的紅、綠、藍(lán)的混合色，能得到色質(zhì)高的白色LED。
LED芯片5出射的部分出射光在透光性樹脂10內(nèi)部通過，并到達(dá)內(nèi)壁面涂覆的熒光體層6。這時(shí)，LED芯片5的出射光由熒光體層6的熒光體7a、b、c進(jìn)行波長變換，將其變換到比LED出射光波長長的波長一側(cè)。具體而言，首先，在熒光體層6的第1層6a包含的熒光體7a將LED出射光波長變換到紅波長一側(cè)。其次，穿透第1層6a的殘留出射光在第2層6b包含的熒光體7b波長變換到綠波長側(cè)。再次，穿透第2層的殘留出射光在熒光體層6的第3層6c包含的熒光體7c波長變換到藍(lán)波長一側(cè)。這樣，出射光依次到達(dá)熒光體層6的第1層6a、第2層6b和第3層6c，在各自的部位波長變換成具有紅、綠、藍(lán)波長的光。這時(shí)，熒光體層6配置成靠近外側(cè)的熒光體層發(fā)出較短的波長的光，因而可利用折射率的不同有效變換出射光，能提高反射效率。而且，對熒光體層6的各層的入射光增多，可謀求提高亮度和發(fā)光度。
然后，在所述熒光體層6進(jìn)行變換，并且最終到達(dá)作為凹部4的反射面的內(nèi)壁面4a的光(可見光區(qū)的光)利用構(gòu)成基座2的樹脂的反射特性高效反射，到達(dá)透光性樹脂10內(nèi)或器件1的發(fā)光面。因此，能大幅度減少內(nèi)壁面4a的透射光。總之，最終到達(dá)器件1的發(fā)光面的光量提高，使發(fā)光強(qiáng)度和亮度提高。
作為所述實(shí)施形態(tài)的變換例，如圖4所示，可形成包含3種熒光體7a、b、c的熒光體層6’。此熒光體層6’在上下方向依次配置熒光體7a、b、c。這樣的熒光體層6’也與上述作用相同，能有效變換出射光，使反射效率能提高。
又，如圖5所示，用以Si為主成分的微薄殼11覆蓋與透光性樹脂10一起密封的熒光體7a、b、c，從而防止LED芯片5的出射光透射，使反射效率提高。
作為所述實(shí)施形態(tài)的另一變換例，基座2可由玻璃材料構(gòu)成，而不用樹脂材料構(gòu)成。玻璃材料減少最終到達(dá)凹部4的內(nèi)壁面4a的光穿透內(nèi)壁面4a?；?還可由金屬材料構(gòu)成。這時(shí)，能改善凹部4的內(nèi)壁面4a(反射面)中各波長反射率的降低。
又，作為其它變換例，可在凹部4的內(nèi)壁面4a(反射面)施加鍍鎳層、鍍銅層等金屬鍍層。與上述情況相同，利用此金屬鍍層能改善反射面中各波長反射率的降低。這時(shí)，最好在反射面施加金屬鍍層后，疊置設(shè)置所述熒光體層6。可利用金屬鍍層的鍍液中散布熒光體7a、b、c，同時(shí)還進(jìn)行電沉積的復(fù)合電鍍法，施加金屬鍍層。利用這樣進(jìn)行金屬電鍍，能同時(shí)得到熒光體激勵(lì)的波長變換和金屬膜的反射效果，簡化制造工序。
如圖6所示，可不在反射面涂覆熒光體層6，而代之涂覆防止在凹部4的內(nèi)壁面4a吸收光的氧化鈦等紫外線反射層12。
又，可在研缽狀的凹部4內(nèi)模塑的透光性樹脂10中，以透光性樹脂10的1％以下的比率混合比重小于該樹脂10的比重，而且表面是鏡面的鏡面粒子13。這時(shí)，如圖7所示，LED器件1的發(fā)光面(即凹部4)內(nèi)填充的樹脂10硬化后，在樹脂10的表層部按表面積的10％以下的比率散布鏡面粒子13。由此，從LED芯片5到達(dá)樹脂10的表層部的光被鏡面粒子13反射，再次回到器件1的內(nèi)部，由透光性樹脂10內(nèi)的熒光體7a、b、c進(jìn)行變換。因而，對熒光體7a、b、c的入射效率高，并且波長變換率提高，使LED器件1的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光效率得到改善。
如圖8所示，也可以不在凹部4內(nèi)模塑透光性樹脂10中混合所述鏡面粒子13的層，而在凹部4的開口部另行設(shè)置透光性樹脂10與鏡面粒子13混合的反射樹脂層14，形成雙重模塑結(jié)構(gòu)?；蛘撸部蓪⑵瑺罘瓷錁渲瑢?4貼到LED器件1的發(fā)光面(即凹部4)的表層部。
再者，作為所述實(shí)施形態(tài)的變換例，可在所述透光性樹脂10中混合任意色素，以抑制初始狀態(tài)下的表觀亮度。長時(shí)間使用此LED器件時(shí)，LED芯片5劣化，使LED芯片5的輸出降低，但色素同時(shí)產(chǎn)生褪色，使透光性樹脂10的透射率提高。因而，即使長時(shí)間使用，也能防止表觀上LED器件1的亮度降低，提供工作壽命長的器件。
又如圖9所示，可通過在LED器件1的發(fā)光面(即凹部4)的開口部設(shè)置截?cái)嗖ㄩL400nm以下的紫外線的紫外線截?cái)酁V波器或紫外線反射材料15，減小LED芯片5出射的430nm以下的短波長(紫外線波長區(qū)域)光的影響，保護(hù)眼睛安全。
還可在LED器件1的發(fā)光面設(shè)置含有紅、綠、藍(lán)的熒光體7a、b、c中的任意熒光體7a、b、c的熒光體薄層(圖中未示出)，監(jiān)視LED器件1的發(fā)光波長，并且用激光修整法修整設(shè)置在發(fā)光面上的所述熒光體薄層的表面，以取得期望的波長。通過這樣將LED器件1的發(fā)光波長校正為期望波長，能對整個(gè)LED器件1取得單一的色調(diào)，可抑制LED器件發(fā)光色調(diào)的偏差。
所述實(shí)施形態(tài)的變換例中，基座2由金屬材料構(gòu)成，這時(shí)也可在基座2的內(nèi)部配置熱管(圖中未示出)。由此，能減小LED器件1的熱阻，可用大電流驅(qū)動(dòng)LED芯片5，提高LED器件1的亮度。
再者，如圖10所示，還可使所述基座2的下部中央部分向下突出，并且使該突出部分2a與安裝LED器件1的安裝底板16(Al底板等散熱用底板)嵌合。由此，可通過基座2的突出部分2a將LED芯片5發(fā)的熱散發(fā)到安裝底板16(外部)，使熱阻降低，能加大LED芯片的驅(qū)動(dòng)電流，從而LED器件1的發(fā)光強(qiáng)度更加明亮。所述基座2的突出部分2a還可設(shè)計(jì)成處在低于金屬框架3的低部17的位置。
所述實(shí)施形態(tài)的LED芯片5的與端子電極3a、3b的電連接方法不限于所述的方法。例如也可如圖11所示，通過用Au線8a、8b壓接金屬框架3的端子電極3a、3b達(dá)到電連接。又可如圖12所示，利用倒焊工藝焊接端子電極3a、3b與LED芯片5達(dá)到電連接。
所述實(shí)施形態(tài)中，采用的LED芯片5的安裝部用模制樹脂的嵌入成形件(基座2)和金屬框架3構(gòu)成，但也可如圖13所示，例如設(shè)置用玻璃環(huán)氧材料、陶瓷材料等形成的底板18，并且在其上合為一體地進(jìn)行基座2的成形代替金屬框架3。還可通過粘貼玻璃環(huán)氧材料等構(gòu)成的板，形成基座2。
從以上的說明可知，本發(fā)明的LED器件，包括有上表面開口的研缽狀凹部并且將凹部的內(nèi)壁面作為反射面的基座、配置在凹部的內(nèi)底面的LED芯片、以及包含吸收LED芯片發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體并且填充在凹部內(nèi)的樹脂，其中在反射面上形成包含熒光體的熒光體層，因而熒光體層包含的熒光體能有效變換來自LED芯片的光，具有提高反射效率和亮度的效果。
而且，即使LED芯片的發(fā)光波長為430nm以下，也具有能防止反射面上的透射率加大和光反射率降低的效果。
雖然已通過一些實(shí)例參照附圖充分說明了本發(fā)明，但其各種變換和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。因此，除非偏離本發(fā)明的精神和范圍，這些變換和修改應(yīng)理解為屬于本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種LED器件，其特征在于，組成部分包括上表面開口具有凹部并且將該凹部的內(nèi)壁面作為反射面的基座、配置在所述凹部的內(nèi)底面的LED芯片、包含吸收該LED芯片發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體并且填充在所述凹部內(nèi)的樹脂、以及形成在所述反射面并且包含熒光體的熒光體層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED芯片的發(fā)光波長為430nm以下。
3.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述熒光體層由發(fā)不同波長的光的多個(gè)熒光體層組成。
4.如權(quán)利要求3所述的LED器件，其特征在于，所述多個(gè)熒光體層配置成較靠近外側(cè)的熒光體層發(fā)波長較短的光。
5.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，利用從真空蒸鍍、印刷和噴墨涂覆法構(gòu)成的組中選擇的方法形成所述熒光體層。
6.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，用以Si為主成分的微薄殼覆蓋所述熒光體。
7.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述基座由玻璃或金屬材料構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于，在所述反射面被施加的金屬鍍層上疊置并形成所述熒光體層。
9.如權(quán)利要求8所述的LED器件，其特征在于，用使所述熒光體散布在所述金屬鍍層的比較液中，同時(shí)還進(jìn)行電沉積的復(fù)合電鍍法施加所述金屬鍍層。
10.一種LED器件，其特征在于，組成部分包括上表面開口具有凹部并且將該凹部的內(nèi)壁面作為反射面的基座、配置在所述凹部的內(nèi)底面的LED芯片、包含吸收該LED芯片發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體并且填充在所述凹部內(nèi)的樹脂、以及涂覆在所述反射面的紫外線反射材料。
11，如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述凹部內(nèi)填充的樹脂的表層部含有按表面積的10％以下的比率散布的、表面為鏡面的鏡面粒子。
12.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件還具有與所述樹脂分開地另行設(shè)置在所述凹部的開口部并且包含形成或附著在所述樹脂上的、表面為鏡面的鏡面粒子的反射樹脂層。
13.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述樹脂中混合色素。
14.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件在所述凹部的開口部具有截除波長400nm以下的紫外線的紫外線截除濾波器或紫外線反射材料。
15.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件在所述凹部的開口部設(shè)置包含所述熒光體并且用激光修整法修整表面過的熒光體薄層。
16.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，所述基座內(nèi)部具有熱管。
17.如權(quán)利要求1或10所述的LED器件，其特征在于，使所述基座的下部中央部分往下方突出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種作為彩色再現(xiàn)性良好的高亮度光源的LED器件。該LED器件(1)由上表面開口具有凹部(4)并且將凹部(4)的內(nèi)壁面作為反射面(4a)的基座(2)、配置在凹部(4)的內(nèi)底面的LED芯片(5)、包含吸收LED芯片(5)發(fā)的部分光進(jìn)行波長變換后發(fā)光的熒光體(7a、b、c)并且填充在凹部(4)內(nèi)的透光樹脂(10)、和形成在反射面(4a)并且包含熒光體(7a、b、c)的熒光體層(6a、b、c)組成。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1497742SQ03143490
公開日2004年5月19日 申請日期2003年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月7日
發(fā)明者尾本雅俊 申請人:夏普株式會(huì)社