本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，尤其是涉及一種具有激光以及發(fā)光二極管特性的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管被廣泛地用于固態(tài)照明光源。相較于傳統(tǒng)的白熾燈泡和熒光燈，發(fā)光二極管具有耗電量低以及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)光二極管已逐漸取代傳統(tǒng)光源，并且應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如交通號(hào)志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設(shè)備等。圖24為一既有的垂直腔面發(fā)射激光器(vertical-cavitysurface-emittinglaser，vcsel)的剖視圖。垂直腔面發(fā)射激光器可以發(fā)出同調(diào)光，其方向垂直于一活性區(qū)域。vcsel包含一結(jié)構(gòu)，其包含一基板300、一對(duì)位于基板300上且?jiàn)A設(shè)一活性區(qū)域230的分布布拉格反射鏡(distributedbraggreflector，dbr)疊層200、210，其中活性區(qū)域230為電子以及空穴相結(jié)合以產(chǎn)生光的地方。為了注射一電流于活性區(qū)域230用于產(chǎn)生光，設(shè)置一第一電極240以及一第二電極250，且光是自位于vcsel的上表面的孔洞(aperture)逃逸。在其中一dbr疊層210中，垂直腔面發(fā)射激光器可能具有一底切260。以圖24為例，底切260是通過(guò)選擇性地移除dbr疊層210中的其中一層的周?chē)课欢纬梢婚g隙，間隙可填入空氣，相較于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率，空氣的導(dǎo)電率明顯較低，因此相較于dbr疊層210中其他層的導(dǎo)電率，形成于dbr疊層210中的底切260具有較低的導(dǎo)電率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光元件。發(fā)光元件可發(fā)出一輻射且包含：一基板；一位于基板上的外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)依序包含一第一分布布拉格反射鏡(distributedbraggreflector，dbr)疊層、一發(fā)光疊層、一第二分布布拉格反射鏡疊層以及一接觸層；一電極；一介于接觸層以及電極之間的電流阻擋層；一形成于電流阻擋層中的第一開(kāi)口；以及一形成于電極中以及位于第一開(kāi)口之中的第二開(kāi)口，其中發(fā)光元件于第二分布布拉格反射鏡疊層之中，缺乏一氧化層以及缺乏一離子注入層。附圖說(shuō)明圖1a為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖1b為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖1a的a-a’線的剖視圖；圖2為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的光功率(opticaloutputpower)以及正向電流(forwardcurrent)的關(guān)系曲線圖；圖3a至圖4b為制造如圖1a以及圖1b所示的發(fā)光元件的方法的示意圖；圖5a為本發(fā)明的第二實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖5b為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖5a的a-a’線的剖視圖；圖6為本發(fā)明的第三實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；圖7為本發(fā)明的第四實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；圖8a為本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖8b為本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖8a的a-a’線的剖視圖；圖9a為本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖9b為本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖9a的a-a’線的剖視圖；圖10a為本發(fā)明的如圖9a所示的第六實(shí)施例的發(fā)光元件的電流阻擋層的俯視圖；圖10b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖10a的a-a’線的剖視圖；圖11a為本發(fā)明的第七實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖11b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖11a的a-a’線的剖視圖；圖12a為本發(fā)明的第七實(shí)施例的發(fā)光元件的光功率(opticaloutputpower)以及正向電流(forwardcurrent)的關(guān)系曲線圖；圖12b為圖12a中區(qū)域i的放大圖；圖13a至圖16b為制造如圖11a以及圖11b所示的發(fā)光元件的方法的示意圖；圖17a為本發(fā)明的第八實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖17b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖17a的a-a’線的剖視圖；圖18為本發(fā)明的第九實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖；圖19a至圖19d為制造如圖18所示的發(fā)光元件的方法的示意圖；圖20a為本發(fā)明的第十實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖20b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖20a的a-a’線的剖視圖；圖21a為本發(fā)明的第十一實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖21b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖21a的a-a’線的剖視圖；圖22為本發(fā)明的第十二實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖23為本發(fā)明的第十三實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；以及圖24為一既有的垂直腔面發(fā)射激光器(vertical-cavitysurface-emittinglaser，vcsel)的剖視圖。符號(hào)說(shuō)明10：基板20：外延結(jié)構(gòu)30：電流阻擋層40第一電極50：第二電極60：導(dǎo)電層21：第一dbr疊層31：第一開(kāi)口22：發(fā)光疊層23：第二dbr疊層24：接觸層25：第二開(kāi)口w1：第一最大寬度w2：第二最大寬度r：輻射41：打線部分42：電流注入部43：橋接部i：輻射發(fā)射區(qū)26：突出部261：平臺(tái)側(cè)壁301：內(nèi)部302：外部w3：第三寬度w4：第四寬度w5：第五寬度w3’：第三寬度ith：激光閾值電流110：鈍化層111：開(kāi)孔90：永久基板100：粘結(jié)層70：暫時(shí)基板44：第一延伸電極45：第二延伸電極46：第三延伸電極241：接觸區(qū)isat：飽和電流isat具體實(shí)施方式以下實(shí)施例將伴隨著附圖說(shuō)明本發(fā)明的概念，在附圖或說(shuō)明中，相似或相同的部分使用相同的標(biāo)號(hào)，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴(kuò)大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或說(shuō)明書(shū)未描述的元件，可以是熟悉此技術(shù)的人士所知的形式。在發(fā)明中，如果沒(méi)有特別的說(shuō)明，通式algaas代表alxga(1-x)as，其中0≤x≤1；通式alinp代表alxin(1-x)p，其中0≤x≤1；通式algainp代表(alyga(1-y))1-xinxp，其中0≤x≤1,0≤y≤1；通式algan代表alxga(1-x)n，其中0≤x≤1；通式alassb代表alas(1-x)sbx，其中0≤x≤1；以及通式ingap代表inxga1-xp,其中0≤x≤1。調(diào)整元素的含量可以達(dá)到不同的目的，例如調(diào)整能階或是調(diào)整主發(fā)光波長(zhǎng)。圖1a為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。圖1b為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖1a的a-a’線的剖視圖。在本實(shí)施例中，發(fā)光元件包含一基板10、一位于基板10上的外延結(jié)構(gòu)20、一電流阻擋層30、一第一電極40和一第二電極50。外延結(jié)構(gòu)20依序包含一第一分布布拉格反射鏡(distributedbraggreflector，dbr)疊層21、一發(fā)光疊層22、一第二dbr疊層23和一接觸層24。第一dbr疊層21的導(dǎo)電型態(tài)不同于第二dbr疊層23的導(dǎo)電型態(tài)。在本實(shí)施例中，第一dbr疊層21是n型，且第二dbr疊層23是p型。電流阻擋層30是在接觸層24和第一電極40之間。一第一開(kāi)口31形成在電流阻擋層30之中以暴露接觸層24，且第一開(kāi)口31具有一第一最大寬度w1。第一電極40的一部分填入第一開(kāi)口31里且與接觸層24直接接觸。一第二開(kāi)口25形成在第一電極40中以暴露接觸層24，且第二開(kāi)口25具有一小于第一最大寬度w1的第二最大寬度w2。第二電極50位于基板10相對(duì)外延結(jié)構(gòu)20的一側(cè)。發(fā)光元件可發(fā)出一輻射r，其具有600納米(nm)至1600納米之間的峰值波長(zhǎng)，且優(yōu)選的，峰值波長(zhǎng)介于830納米至1000納米之間。如圖1b所示，在本實(shí)施例中，基板10的寬度、外延結(jié)構(gòu)20的寬度和電流阻擋層30的寬度大致上相同。在本實(shí)施例中，第一開(kāi)口31的形狀為圓形，并且第一最大寬度w1是圓形的直徑。第一開(kāi)口31的形狀并不限定于本實(shí)施例，可以是橢圓形，矩形，正方形，菱形或任何其它形狀。第一最大寬度w1為，但不限于，介于20微米(μm)和50微米之間。電流阻擋層30包含絕緣材料，其包含氧化鋁(alox)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)、氮化硅(sixny)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、聚酰亞胺(polyimide)、全氟環(huán)丁烷(perfluorocyclobutane)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，bcb)或硅膠(silicone)。更佳地，發(fā)光疊層所發(fā)射的輻射大致上可穿透電流阻擋層30。電流阻擋層30具有一大于100nm的厚度，且優(yōu)選地，小于2μm，且更佳地，接近或等于nλ/4，其中λ為發(fā)光疊層22發(fā)射的輻射的峰值波長(zhǎng)，并且n為奇數(shù)正整數(shù)。在本實(shí)施例中，第二開(kāi)口25的形狀為圓形，并且第二最大寬度w2是圓形的直徑。第二開(kāi)口25的形狀并不限定于本實(shí)施例，可以是橢圓形，矩形，正方形，菱形或任何其它形狀。優(yōu)選地，第二開(kāi)口25的形狀大致上與第一開(kāi)口31的形狀相同。優(yōu)選地，第一開(kāi)口31和第二開(kāi)口25大致上為同心圓。如圖1a和圖1b所示，第一電極40是一個(gè)連續(xù)的層，并且包含一用于與一引線接合的打線部分41、一用于注入電流使其通過(guò)外延結(jié)構(gòu)20的電流注入部42以及一用于連接打線部分41和電流注入部42的橋接部43。打線部分41位于電流阻擋層30上。電流注入部42填入第一開(kāi)口31內(nèi)且與接觸層24接觸。在一實(shí)施例中，第二開(kāi)口25形成在電流注入部42內(nèi)，因此電流注入部42為環(huán)狀的形式。具體地，在本實(shí)施例中，如圖1a和圖1b所示，部分的電流注入部42與電流阻擋層30的側(cè)壁分離，因此，電流注入部42和電流阻擋層30的側(cè)壁之間形成一間隙，因而暴露外延結(jié)構(gòu)20的一部分。本實(shí)施例的第一電極40覆蓋小于50％電流阻擋層30的表面積。電流阻擋層30位于橋接部43和外延結(jié)構(gòu)20之間的部分以及位于打線部分41和外延結(jié)構(gòu)20之間的部分是為了防止電流直接從打線部分41和橋接部43流入外延結(jié)構(gòu)20。在本實(shí)施例中，發(fā)光元件于第二dbr疊層23中，缺乏一高電阻結(jié)構(gòu)，其中高電阻結(jié)構(gòu)是指第二dbr疊層23中位于第一電極下40的正下方因此被第一電極40覆蓋的一層，其相較于第二dbr疊層23中其他位于第一電極下40的正下方而被第一電極下40覆蓋的層，具有相對(duì)低的導(dǎo)電率。具體地，高電阻結(jié)構(gòu)為氧化層、離子注入層或如圖24所示的底切。優(yōu)選地，在第二dbr疊層23中位于電流阻擋層30的正下方和/或位于第一電極下40的正下方缺乏一氧化層、一離子注入層或一底切。亦即，第二dbr疊層23的位于第一開(kāi)口31正下方的部位的導(dǎo)電率整體來(lái)說(shuō)大致上相同于第二dbr疊層23的被電流阻擋層30覆蓋的部位的導(dǎo)電率。優(yōu)選地，第二dbr疊層23大致上由三五族半導(dǎo)體材料組成，例如algaas。第二dbr疊層23缺乏氧化物，例如刻意形成的氧化鋁，其中氧化鋁具有為alaob的實(shí)驗(yàn)式，其中a和b為不含0的自然數(shù)。此外，第二dbr疊層23缺乏任何降低導(dǎo)電率的離子，降低導(dǎo)電率的離子是刻意形成用于降低第二dbr疊層23部分部位的導(dǎo)電率，且相較于其他導(dǎo)電部位的第二dbr疊層23的導(dǎo)電率，降低超過(guò)3個(gè)數(shù)量級(jí)，且更佳地，超過(guò)5個(gè)數(shù)量級(jí)。降低導(dǎo)電率的離子包含氬(ar)離子，氦(he)離子或氫(h)離子。第二dbr疊層23可能包含環(huán)境中存在的不可避免的離子，然而，由于不可避免的離子大致上不改變第二dbr疊層23的導(dǎo)電率，例如，相較于其他導(dǎo)電部位的第二dbr疊層23的導(dǎo)電率，不可避免的離子大致上不減少超過(guò)1個(gè)數(shù)量級(jí)的導(dǎo)電率，因此不可避免的離子不應(yīng)該被考慮在本發(fā)明之中。在一實(shí)施例中，由于發(fā)光元件于第二dbr疊層23中缺乏一如圖24所示的底切，第二dbr疊層23的各層大致上由三五族半導(dǎo)體材料組成且不會(huì)有空氣間隙于第二dbr疊層23的任一層之中。當(dāng)一電流流入外延結(jié)構(gòu)20，因?yàn)樵诘谝婚_(kāi)口31中的電流注入部42直接接觸外延結(jié)構(gòu)20的接觸層24，而且由于打線部分41和橋接部43通過(guò)電流阻擋層30與外延結(jié)構(gòu)20分離且絕緣，電流主要流經(jīng)外延結(jié)構(gòu)20中未被電流阻擋層30覆蓋且直接接觸電流注入部42的部位。亦即，當(dāng)一電流流入外延結(jié)構(gòu)20時(shí)，第二dbr疊層23位于電流阻擋層30正下方的部位的電流密度遠(yuǎn)低于第二dbr疊層23未被電流阻擋層30覆蓋的部位的電流密度。因此，外延結(jié)構(gòu)20直接接觸電流注入部42且大致上位于第一開(kāi)口31的正下方的部位作為一輻射發(fā)射區(qū)i，其用于產(chǎn)生輻射r。輻射r通過(guò)第一開(kāi)口31自發(fā)光元件逃逸。具體地，外延結(jié)構(gòu)20的最上層，在本實(shí)施例中，即接觸層24，是外延結(jié)構(gòu)20中第一層傳導(dǎo)發(fā)光元件中限制后的電流的半導(dǎo)體層。圖2為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的光功率(opticaloutputpower，p0)以及正向電流(forwardcurrent，if)的關(guān)系曲線圖。在本實(shí)施例中，發(fā)光元件具有一正向電壓vf、一激光閾值電流ith以及一飽和電流isat。發(fā)光元件于正向電壓vf開(kāi)始傳導(dǎo)顯著的正向電流，例如，在本實(shí)施例中，顯著的正向電流為5毫安培(ma)。激光閾值電流ith是發(fā)光元件的輻射發(fā)射區(qū)發(fā)射的輻射中受激輻射(stimulatedemission)超過(guò)自發(fā)輻射(spontaneousemission)時(shí)的最小電流，因此于激光閾值電流ith下輻射為同調(diào)性。飽和電流isat是輻射輸出不再隨正向電流增加而增加的電流。發(fā)光元件在大于發(fā)光元件的正向電壓vf的操作電壓vop以及在正向電流小于激光閾值電流ith的下運(yùn)作時(shí)，本發(fā)明的發(fā)光元件的輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)射的輻射是非同調(diào)光。優(yōu)選地，當(dāng)發(fā)光元件在大于發(fā)光元件的正向電壓vf的操作電壓vop以及在正向電流小于激光閾值電流ith之下運(yùn)作時(shí)，非同調(diào)光具有大于60度的遠(yuǎn)場(chǎng)角。當(dāng)發(fā)光元件在正向電流大于激光閾值電流ith以及小于飽和電流isat之下運(yùn)作時(shí)，發(fā)光元件的輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射r為同調(diào)光，其遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度。具體地，當(dāng)發(fā)光元件在一正向電流大致上等于激光閾值電流ith時(shí)，外延結(jié)構(gòu)20中非輻射發(fā)射區(qū)的電流密度遠(yuǎn)小于輻射發(fā)射區(qū)i的電流密度，加上打線部分41以及橋接部43遮蔽外延結(jié)構(gòu)20發(fā)出的輻射，外延結(jié)構(gòu)20非輻射發(fā)射區(qū)且未被第一電極40覆蓋的區(qū)域發(fā)射出一非同調(diào)光r1。在本實(shí)施例中，激光閾值電流ith約為20毫安培。激光閾值電流ith、飽和電流isat和激光閾值電流ith和飽和電流isat之間的差異可以依不同的應(yīng)用需求通過(guò)第一開(kāi)口31的第一最大寬度w1調(diào)整。例如，如果需要較高的激光閾值電流ith、較高的飽和電流isat和較高的激光閾值電流ith和飽和電流isat的差異，第一最大寬度w1可以較大。具體地，激光閾值電流ith和第一最大寬度w1滿(mǎn)足以下公式：0.4w1(μm)-7≤ith(毫安培)≤0.4w1(μm)+7表1顯示出在不同的正向電流之下，發(fā)光元件的輻射的遠(yuǎn)場(chǎng)角。為了明確說(shuō)明光束發(fā)散度，本發(fā)明的遠(yuǎn)場(chǎng)角為半波寬的發(fā)散角。表1從表1可得知，當(dāng)一個(gè)正向電流比激光閾值電流ith高且低于飽和電流isat的情況下，輻射的遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度，且優(yōu)選地，介于5度和15度之間，更佳地，介于5度和13度之間。在本發(fā)明中，雖然發(fā)光元件于第二分布布拉格反射鏡疊層23中，缺乏一包含一氧化層以及一離子注入層的高電阻結(jié)構(gòu)，通過(guò)包含電流阻擋層30和第一電極40，使外延結(jié)構(gòu)20的最上層為外延結(jié)構(gòu)20中傳導(dǎo)發(fā)光元件中限制后的電流的第一層，當(dāng)正向電流介于激光閾值電流ith以及飽和電流isat之間時(shí)，發(fā)光元件具有小于15度的遠(yuǎn)場(chǎng)角。此外，既有技術(shù)的發(fā)光元件于第二分布布拉格反射鏡疊層23中包含如氧化層的高電阻的結(jié)構(gòu)，在正常的操作條件下，尤其在高的正向電流的操作下，既有技術(shù)的發(fā)光元件具有一大的遠(yuǎn)場(chǎng)角。然而，當(dāng)正向電流介于激光閾值電流ith以及飽和電流isat之間時(shí)，本發(fā)明中的發(fā)光元件具有一小于15度的遠(yuǎn)場(chǎng)角。發(fā)光元件可應(yīng)用于例如為接近感測(cè)器、夜視系統(tǒng)或血氧檢測(cè)器等的感測(cè)器。圖3a至圖4b為制造如圖1a以及圖1b所示的發(fā)光元件的方法。圖3b為本發(fā)明沿著如圖3a的a-a’線的剖視圖。圖4b為本發(fā)明沿著如圖4a的a-a’線的剖視圖。本方法包含以下步驟：a.請(qǐng)參閱圖3a以及圖3b，提供一基板10；b.通過(guò)外延成長(zhǎng)在基板10上形成外延結(jié)構(gòu)20；c.通過(guò)任何合適的方法，例如濺鍍或蒸鍍?cè)谕庋咏Y(jié)構(gòu)20上形成電流阻擋層30；d.通過(guò)光刻光掩模圖案化電流阻擋層30，以任何合適的方法形成第一開(kāi)口31而暴露一部分的外延結(jié)構(gòu)20；e.形成一金屬層(圖未示)在電流阻擋層30上且覆蓋如圖圖4a以及圖4b所示的第一開(kāi)口31；f.通過(guò)光刻光掩模圖案化金屬層以形成第一電極40，其中第一電極40包含一電流注入部42、打線部分41以及連接打線部分41和電流注入部42的橋接部43，其中打線部分41和橋接部43位于電流阻擋層30上，電流注入部42填入第一開(kāi)口31中，一第二開(kāi)口25形成在電流注入部42內(nèi)用于暴露外延結(jié)構(gòu)20；g.通過(guò)任何合適的方法在基板10相對(duì)于外延結(jié)構(gòu)20的另一側(cè)上形成第二電極50；以及h.切割在步驟g形成的結(jié)構(gòu)，以獲得如圖1a以及圖1b所示的個(gè)別完成的發(fā)光元件。本發(fā)明的方法不包含一降低在第二dbr疊層23的導(dǎo)電率的步驟，例如氧化第二dbr疊層23內(nèi)至少一層的氧化步驟、于第二dbr疊層23內(nèi)的至少一層，注入至少一降低導(dǎo)電率的離子的步驟和/或選擇性地蝕刻第二dbr疊層23內(nèi)至少一層的周?chē)课挥糜谛纬梢蝗鐖D24所示的底切，進(jìn)而使氧化區(qū)域的導(dǎo)電率、離子注入?yún)^(qū)域的導(dǎo)電率或是如圖24所示的底切的導(dǎo)電率低于第二dbr疊層23中除了被處理過(guò)的區(qū)域以外的其他部位的導(dǎo)電率。氧化步驟、離子注入步驟以及蝕刻第二dbr疊層23中其中一層的步驟是為了將第二dbr疊層23位于第一電極40正下方的部位轉(zhuǎn)變?yōu)榇笾律辖^緣的區(qū)域，用于在第二dbr疊層23中形成高電阻結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法于圖案化制作工藝中，使用不超過(guò)4種不同的光刻光掩模。在本實(shí)施例中，本方法于圖案化制作工藝中，只使用兩種不同的光刻光掩模。因此，本發(fā)明的制造發(fā)光元件的方法簡(jiǎn)單且符合成本效益。圖5a為本發(fā)明的第二實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。圖5b為本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖5a的a-a’線的剖視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第二實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第一實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，電流阻擋層30的寬度小于外延結(jié)構(gòu)20的寬度。因此，在一發(fā)光元件的俯視圖，外延結(jié)構(gòu)20的周?chē)课蛔噪娏髯钃鯇?0暴露出。此外，第一電極40具有與第一實(shí)施例不同的形狀。具體地，第一電極40覆蓋電流阻擋層30包圍第一開(kāi)口31的整個(gè)側(cè)壁，因此只有暴露接觸層24位于第二開(kāi)口25正下方的部位。故，外延結(jié)構(gòu)20直接接觸電流注入部42且大致上位于第一開(kāi)口31的正下方的部位作為一輻射發(fā)射區(qū)i，且輻射r主要通過(guò)第二開(kāi)口25自發(fā)光元件的表面逃逸。此外，第一電極40覆蓋超過(guò)50％的電流阻擋層30的表面積，且第一電極40具有一大致上與電流阻擋層30相同的形狀。優(yōu)選地，第一電極40覆蓋超過(guò)80％的電流阻擋層30的表面積，又更佳地，覆蓋超過(guò)90％的電流阻擋層30的表面積。第一電極40遠(yuǎn)離第二開(kāi)口25的部分用于與一引線接合。因?yàn)榈谝浑姌O40覆蓋超過(guò)50％的電流阻擋層30的表面積且覆蓋電流阻擋層30包圍第一開(kāi)口31的整個(gè)側(cè)壁，當(dāng)一正向電流比發(fā)光元件的激光閾值電流ith高時(shí)，大致位于第一電極40的正下方的發(fā)光疊層22所發(fā)光的非同調(diào)光會(huì)被第一電極40遮蔽，然而發(fā)光疊層22所發(fā)光的同調(diào)光會(huì)自第二開(kāi)口25逃逸。圖5a和圖5b所示的發(fā)光元件的制造方法大致上相同于圖1a和圖1b所示的發(fā)光元件的制造方法。不同的地方在于，用于圖案化金屬層的光刻光掩模不同，因此，在第二實(shí)施例中第一電極40的圖案不同于第一實(shí)施例中第一電極40的圖案。圖6為本發(fā)明的第三實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第三實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第二實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，外延結(jié)構(gòu)20的周?chē)课煌ㄟ^(guò)任何合適的方法被移除以形成一突出部26，其具有一寬度。突出部26的寬度小于基板10的寬度，且包含一裸露的平臺(tái)側(cè)壁261，其相較于基板10的最外側(cè)邊緣，較靠近第二開(kāi)口25。具體地，電流阻擋層30覆蓋平臺(tái)側(cè)壁261以及第一dbr疊層21的一上表面。在本實(shí)施例中，電流阻擋層30保護(hù)外延結(jié)構(gòu)20的突出部26的平臺(tái)側(cè)壁261。因此，提高外延結(jié)構(gòu)20的可靠性以及發(fā)光元件的可靠性。圖6所示的發(fā)光元件的制造方法大致上相同于圖5a和圖5b所示的發(fā)光元件的制造方法。不同的地方在于，在外延結(jié)構(gòu)20上形成電流阻擋層30之前，本方法還包含圖案化外延結(jié)構(gòu)20的步驟，其以任何合適的方式移除外延結(jié)構(gòu)20的第二dbr疊層23的周?chē)课?、發(fā)光疊層22的周?chē)课灰约暗谝籨br疊層21的周?chē)课灰孕纬砂脚_(tái)側(cè)壁261的突出部26。在本實(shí)施例中，本發(fā)明的方法于圖案化制作工藝中，使用不超過(guò)3個(gè)不同光刻光掩模。因此，本發(fā)明的制造發(fā)光元件的方法簡(jiǎn)單且符合成本效益。圖7為本發(fā)明的第四實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第四實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第三實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，第一電極40沿著平臺(tái)側(cè)壁261覆蓋，因此電流阻擋層30介于外延結(jié)構(gòu)20和第一電極40之間。第一電極40沿著平臺(tái)側(cè)壁261覆蓋電流阻擋層30可防止發(fā)光疊層22發(fā)出的輻射自平臺(tái)側(cè)壁261發(fā)出。圖7所示的發(fā)光元件的制造方法大致上相同于圖6所示的發(fā)光元件的制造方法。不同的地方在于，用于圖案化金屬層的光刻光掩模不同。圖8a為本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖8b為本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖8a的a-a’線的剖視圖。除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第四實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，第一開(kāi)口31是由電流阻擋層30界定的環(huán)形。電流阻擋層30包含一內(nèi)部301、一外部302，其中外部302包圍形成的圓形其直徑為第一最大寬度w1。第一開(kāi)口31將電流阻擋層30的內(nèi)部301以及電流阻擋層30的外部302分開(kāi)，用于使電流阻擋層30的內(nèi)部301保護(hù)輻射發(fā)射區(qū)。在本實(shí)施例中，電流阻擋層30具有一大致上等于nλ/4的厚度，其中λ為從發(fā)光疊層發(fā)射的輻射的峰值波長(zhǎng)，且n為奇數(shù)正整數(shù)。第一電極40填入第一開(kāi)口31，沿著電流阻擋層30的內(nèi)部301的側(cè)壁覆蓋且位于電流阻擋層30的內(nèi)部301的外圍區(qū)域上。第二開(kāi)口25暴露下面的電流阻擋層30的內(nèi)部301。圖8a以及圖8b所示的發(fā)光元件的制造方法大致上相同于圖7所示的發(fā)光元件的制造方法。不同的地方在于，用于圖案化電流阻擋層30的光刻光掩模不同。圖9a為本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖9b為本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光元件沿著如圖9a的a-a’線的剖視圖。圖10a為本發(fā)明的如圖9a所示的第六實(shí)施例的發(fā)光元件的電流阻擋層30的俯視圖；圖10b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖10a的a-a’線的剖視圖；除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第四實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件于單一管芯中，包含多個(gè)以二維陣列排列的輻射發(fā)射區(qū)i。具體地，多個(gè)第一開(kāi)口31形成在電流阻擋層30內(nèi)以暴露接觸層24。如圖10a所示，電流阻擋層30為一連續(xù)層。第一開(kāi)口31彼此通過(guò)電流阻擋層分離。多個(gè)以二維陣列排列的第二開(kāi)口25形成在第一電極40內(nèi)且彼此分離，其中每一第二開(kāi)口25相應(yīng)地形成在其中一第一開(kāi)口31內(nèi)以暴露接觸層24，因此相應(yīng)的第一開(kāi)口31以及第二開(kāi)口25為同心圓。第一電極40為一連續(xù)層且具有一打線部分41，其缺乏任何第二開(kāi)口25用于與一引線接合。第一電極40的一部分填入第一開(kāi)口31內(nèi)，沿著包圍第一開(kāi)口31的電流阻擋層30的側(cè)壁覆蓋且直接接觸外延結(jié)構(gòu)20的接觸層24。外延結(jié)構(gòu)20直接接觸第一電極40且大致上位于第一開(kāi)口31正下方的部位作為一輻射發(fā)射區(qū)。輻射發(fā)射區(qū)i的設(shè)置方式不限于本實(shí)施例，例如，輻射發(fā)射區(qū)i可以設(shè)置為交錯(cuò)排列或兩相鄰行和/或列的輻射發(fā)射區(qū)i的數(shù)目可以不同。圖11a為本發(fā)明的第七實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖11b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖11a的a-a’線的剖視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。在本實(shí)施例中，基板10、第一dbr疊層21、發(fā)光疊層22、第二dbr疊層23大致上和第二實(shí)施例相同。不同的地方在于，接觸層24具有一第三寬度w3，第二dbr疊層23具有一大于第三寬度w3的第四寬度w4。發(fā)光元件還包含一導(dǎo)電層60，其覆蓋接觸層24以及插設(shè)于第一電極40和接觸層24之間。導(dǎo)電層60具有第五寬度w5，其大致上與第二dbr疊層23的第四寬度w4相同。第一電極40覆蓋導(dǎo)電層60的50％以上的表面積。優(yōu)選地，第一電極40覆蓋導(dǎo)電層60的80％以上的表面積，更佳地，導(dǎo)電層60的90％以上的表面積。第一電極40的輪廓大致上與導(dǎo)電層60的輪廓相同。第一電極40直接接觸導(dǎo)電層60，而不是直接接觸接觸層24。一輻射發(fā)射區(qū)i包含位于接觸層24正下方的第二dbr疊層23、發(fā)光疊層22以及第一dbr疊層21。輻射r自第二開(kāi)口25逃逸出發(fā)光元件。第二開(kāi)口25位于接觸層24的正上方并暴露出下面的導(dǎo)電層60。接觸層24的第三寬度w3與第二開(kāi)口25的第二最大寬度w2的比值介于0.1至3之間，且優(yōu)選地，介于0.5至1.1之間，且更佳地，介于0.6至0.8之間。通過(guò)使第三寬度w3與第二最大寬度w2的比值小于1，第一電極40較不易遮蔽輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的光，因此較多光可以自第二開(kāi)口25逃逸。位于接觸層24正下方的第二dbr疊層23的部位的導(dǎo)電率大致上相同于第二dbr疊層23的未被接觸層24覆蓋的部位的導(dǎo)電率。導(dǎo)電層60具有一厚度，其接近或等于nλ/4，其中λ為發(fā)光疊層22發(fā)射的輻射的峰值波長(zhǎng)，并且n為奇數(shù)正整數(shù)。導(dǎo)電層60包含透明導(dǎo)電金屬氧化物材料，如氧化銦錫(ito)、氧化鋁鋅(azo)、氧化鎘錫(sncdo)、氧化銻錫(ato)、氧化鋅(zno)、氧化鋅錫(zto)或氧化銦鋅(izo)。導(dǎo)電層60大致上可讓發(fā)光疊層22發(fā)出的輻射穿透。當(dāng)一電流從第一電極40流入外延結(jié)構(gòu)20中，因?yàn)樵诮佑|層24和第二dbr堆疊23之間的接觸電阻相對(duì)地比導(dǎo)電層60和外延結(jié)構(gòu)20之間的接觸電阻低，大部分的電流自導(dǎo)電層60流向接觸層24，接著經(jīng)過(guò)接觸層24流入外延結(jié)構(gòu)20。也就是說(shuō)，位于接觸層24正下方的第二dbr疊層23的部位的電流密度高于第二dbr疊層23的未被接觸層24覆蓋的部位的電流密度。具體地，外延結(jié)構(gòu)20的最上層，在本實(shí)施例中，即接觸層24，是外延結(jié)構(gòu)20中，第一層傳導(dǎo)發(fā)光元件中限制后的電流的半導(dǎo)體層。圖12a為本發(fā)明的第七實(shí)施例的發(fā)光元件的光功率(opticaloutputpower)以及正向電流(forwardcurrent)的關(guān)系曲線圖，其中接觸層24的第三寬度w3和第二開(kāi)口25的第二最大寬度w2的比值約為1。圖12b為圖12a中區(qū)域i的放大圖。在本實(shí)施例中，激光閾值電流ith約為13毫安培，飽和電流isat約為79毫安培。激光閾值電流ith、飽和電流isat和激光閾值電流ith和飽和電流isat之間的差異可以依不同的應(yīng)用需求通過(guò)接觸層24的第三寬度w3調(diào)整。例如，如果需要較高的激光閾值電流ith、較高的飽和電流的isat和較高的激光閾值電流ith和飽和電流isat的差異，第三寬度w3可以較大。具體地，激光閾值電流ith和第三寬度w3滿(mǎn)足以下公式：0.4w3(μm)-7≤ith(毫安培)≤0.4w3(μm)+7在一實(shí)施例中，輻射具有一約為850±10納米的峰值波長(zhǎng)。在一實(shí)施例中，輻射具有一約為940±10納米的峰值波長(zhǎng)。表2顯示出在不同的正向電流之下，第七實(shí)施例的發(fā)光元件的輻射的遠(yuǎn)場(chǎng)角，輻射具有約為850±10納米的峰值波長(zhǎng)。表2正向電流(ma)遠(yuǎn)場(chǎng)角1510.54°1810.90°2210.9°表3顯示出在不同的正向電流之下，第七實(shí)施例的發(fā)光元件的輻射的遠(yuǎn)場(chǎng)角，輻射具有約為940±10納米的峰值波長(zhǎng)。在本實(shí)施例中，激光閾值電流ith約為13毫安培，飽和電流isat約為80毫安培。表3注入電流(毫安培)遠(yuǎn)場(chǎng)角功率(毫瓦)159.61°1.091811.03°1.952211.19°3.2依據(jù)表2和表3，當(dāng)一正向電流比激光閾值電流ith高且比飽和電流isat低時(shí)，輻射的遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度，且優(yōu)選地，介于5至15度之間，且更佳地，介于8至13度之間。在本發(fā)明中，雖然發(fā)光元件于第二dbr疊層23中，缺乏一包含氧化層以及離子注入層的高電阻結(jié)構(gòu)，通過(guò)接觸層24以及導(dǎo)電層60，使外延結(jié)構(gòu)20的最上層為外延結(jié)構(gòu)20中第一層傳導(dǎo)發(fā)光元件中限制后的電流的半導(dǎo)體層，當(dāng)正向電流介于激光閾值電流ith以及飽和電流isat之間時(shí)，發(fā)光元件的遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度。圖13a至圖16b為制造如圖11a以及圖11b所示的發(fā)光元件的方法。本方法包含以下步驟：a.請(qǐng)參閱圖13a以及圖13b，提供一基板10；b.通過(guò)外延成長(zhǎng)在基板10上形成外延結(jié)構(gòu)20；c.通過(guò)光刻光掩模圖案化接觸層24；d.請(qǐng)參閱圖14a以及圖14b，通過(guò)任何合適的方法，例如濺鍍或蒸鍍，形成一導(dǎo)電層60，其覆蓋圖案化的接觸層24；e.請(qǐng)參閱圖15a以及圖15b，在金屬層60上形成一金屬層(圖未示)；f.通過(guò)光刻光掩模圖案化金屬層以形成第一電極40以及形成一第二開(kāi)口25于第一電極40內(nèi)，其中第一電極40具有一圖案，其大致上與接觸層24的圖案互補(bǔ)，即，接觸層24的圖案大致等于第一電極40的第二開(kāi)口25的圖案，且第二開(kāi)口25大致上位于接觸層24的正上方；g.請(qǐng)參閱圖16a以及圖16b，移除外延結(jié)構(gòu)20的周?chē)课灰孕纬梢煌怀霾?6，突出部26包含裸露的平臺(tái)側(cè)壁261，其相較于基板10的最外側(cè)邊緣，較靠近第二開(kāi)口25；h.在基板10相對(duì)于外延結(jié)構(gòu)20的另一側(cè)上形成第二電極50；i.切割在步驟h形成的結(jié)構(gòu)，以獲得如圖11a以及圖11b所示的個(gè)別完成的發(fā)光元件。本發(fā)明的方法不包含一降低在第二dbr疊層23中部分區(qū)域的導(dǎo)電率的步驟，例如氧化第二dbr疊層23內(nèi)至少一層的氧化步驟、在第二dbr疊層23內(nèi)的至少一層，注入至少一降低導(dǎo)電率的離子的步驟和/或選擇性地蝕刻第二dbr疊層23內(nèi)至少一層的周?chē)课唬糜谛纬梢坏浊?，進(jìn)而使氧化區(qū)域的導(dǎo)電率、離子注入?yún)^(qū)域的導(dǎo)電率或是如圖24所示的底切的導(dǎo)電率低于第二dbr疊層23中除了被處理過(guò)的區(qū)域以外的其他部位的導(dǎo)電率。氧化步驟、離子注入步驟以及蝕刻第二dbr疊層23中其中一層的步驟是為了將第二dbr疊層23位于第一電極40正下方的部位轉(zhuǎn)變?yōu)榇笾律辖^緣的區(qū)域，用于在第二dbr疊層23中形成高電阻結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，本發(fā)明的方法于圖案化制作工藝中，使用不超過(guò)3種不同的光刻光掩模。因此，本發(fā)明的制造發(fā)光元件的方法簡(jiǎn)單且符合成本效益。圖17a為本發(fā)明的第八實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。圖17b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖17a的a-a’線的剖視圖；在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第八實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第七實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，發(fā)光元件還包含一鈍化層110，其大致上共形地覆蓋外延結(jié)構(gòu)20、導(dǎo)電層60以及第一電極40。鈍化層110包含一開(kāi)孔111，其暴露底下的第一電極40且遠(yuǎn)離接觸層24，以與一引線接合。制作如圖17a以及圖17b所示的發(fā)光元件的方法大致上相同于制作如圖16a以及圖16b所示的發(fā)光元件的方法。不同的地方在于，在形成包含裸露的平臺(tái)側(cè)壁261的突出部26之后，本方法還包含沿著外延結(jié)構(gòu)20的裸露的平臺(tái)側(cè)壁261、沿著導(dǎo)電層60的側(cè)壁、沿著第一電極40的側(cè)壁共形地形成一鈍化層110，且鈍化層110覆蓋導(dǎo)電層60以及第一電極40。接著，圖案化鈍化層110用于在鈍化層110內(nèi)形成一開(kāi)孔111進(jìn)而裸露底下的第一電極40。本發(fā)明的方法于圖案化制作工藝中，使用不超過(guò)4個(gè)不同光刻光掩模。因此，本發(fā)明的制造發(fā)光元件的方法簡(jiǎn)單且符合成本效益。圖18為本發(fā)明的第九實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖，其俯視圖大致上與圖11a相同。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第九實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第七實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件包含一永久基板90以及一介于永久基板90以及外延結(jié)構(gòu)20之間的粘結(jié)層100。在本實(shí)施例中，永久基板90具有一熱導(dǎo)率，其高于基板10的熱導(dǎo)率。粘結(jié)層100是用于連接永久基板90和外延結(jié)構(gòu)20。圖19a至圖19d為制造如圖18所示的發(fā)光元件的方法。制作如圖18所示的發(fā)光元件的方法大致上相同于制作如圖11a以及圖11b所示的發(fā)光元件的方法。不同的地方在于，在圖案化接觸層24之前，如圖19a所示，本方法還包含通過(guò)暫時(shí)粘結(jié)層80粘結(jié)外延結(jié)構(gòu)20至一暫時(shí)基板70，其中于本實(shí)施例中，暫時(shí)基板包含玻璃；如圖19b所示，通過(guò)任何合適的方法移除基板10；如圖19c所示，通過(guò)粘結(jié)層100粘結(jié)外延結(jié)構(gòu)20至一永久基板90；以及如圖19d所示，移除暫時(shí)基板70以及暫時(shí)粘結(jié)層80。在本實(shí)施例中，通過(guò)粘結(jié)步驟，發(fā)光元件包含具有較高的熱導(dǎo)率的永久基板90。因此，發(fā)光元件可達(dá)到較高的輸出功率。圖20a為本發(fā)明的第十實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖20b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖20a的a-a’線的剖視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第十實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第七實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件，在單一管芯中，包含多個(gè)以陣列排列的輻射發(fā)射區(qū)i。具體地，接觸層24包含多個(gè)分離的接觸區(qū)241，如圖20a所示，接觸區(qū)241以二維陣列排列。每一接觸區(qū)241具有一第三寬度w3。在本實(shí)施例中，多個(gè)接觸區(qū)241的第三寬度w3大致上彼此相等。如圖20b所示，導(dǎo)電層60是連續(xù)的層且覆蓋多個(gè)分離的接觸區(qū)241。第一電極40位于導(dǎo)電層60且為連續(xù)的層。多個(gè)第二開(kāi)口25形成在第一電極40內(nèi)且彼此分離，其中每一第二開(kāi)口25是對(duì)應(yīng)地形成以對(duì)齊其中一接觸區(qū)241。第二開(kāi)口25暴露出導(dǎo)電層60。其中一接觸區(qū)241的第三寬度w3與對(duì)應(yīng)地第二開(kāi)口25的第二寬度w2的比值介于0.1至3之間，且優(yōu)選地，介于0.9至1.1之間。在本實(shí)施例中，每個(gè)比值大致上相同。位于接觸層24正下方的第二dbr疊層23、發(fā)光疊層22以及第一dbr疊層21作為一輻射發(fā)射區(qū)i。接觸區(qū)241以及第二開(kāi)口25的數(shù)目不限于本實(shí)施例，且輻射發(fā)射區(qū)i的設(shè)置方式亦不限于本實(shí)施例。例如，輻射發(fā)射區(qū)i可設(shè)置為交錯(cuò)的排列方式，或是兩相鄰的行和/或列的輻射發(fā)射區(qū)i的數(shù)目可以不同。具體地，外延結(jié)構(gòu)20的最上層，在本實(shí)施例中，即接觸層24，是外延結(jié)構(gòu)20中第一層傳導(dǎo)發(fā)光元件中限制后的電流的半導(dǎo)體層。圖21a為本發(fā)明的第十一實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖；圖21b為本發(fā)明的發(fā)光元件沿著如圖21a的a-a’線的剖視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第十一實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第十實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件中，至少一接觸區(qū)241的第三寬度w3’不同于其他接觸區(qū)241的第三寬度w3，用于具有多個(gè)不同的激光閾值電流ith。在本實(shí)施例中，如圖21b所示，中間欄的接觸區(qū)241的第三寬度w3’小于其他接觸區(qū)241的第三寬度w3。中間欄的接觸區(qū)241的第三寬度w3’與其他兩欄的接觸區(qū)241的一的第三寬度w3的差異不小于3微米(μm)，且優(yōu)選地，大于8微米，且更佳地，小于40微米。如圖21a～圖21b所示，對(duì)齊中間欄的接觸區(qū)241的第二開(kāi)口25小于其他第二開(kāi)口25。接觸區(qū)241的第三寬度和各對(duì)應(yīng)接觸區(qū)241的第二開(kāi)口25的第二最大寬度w2的比值介于0.1至3之間，且優(yōu)選地，介于0.5至1.1之間，且更佳地，介于0.6至0.8之間。發(fā)光元件包含多個(gè)不同的激光閾值電流ith。每一激光閾值電流ith是用于使其中一輻射發(fā)射區(qū)i產(chǎn)生一同調(diào)光。具體地，因?yàn)橹虚g欄的接觸區(qū)241的第三寬度w3’小于其他接觸區(qū)241的第三寬度w3，因此使中間欄的其中一輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出同調(diào)光的激光閾值電流ith小于使其他兩欄的其中一輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出同調(diào)光的激光閾值電流ith。故，在本實(shí)施例中，在一正向電流大于使中間欄的其中一輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出同調(diào)光的激光閾值電流ith且小于使其他兩欄的其中一輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出同調(diào)光的激光閾值電流ith時(shí)，中間欄的輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為具有遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度的同調(diào)光，然而，從其他輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為具有遠(yuǎn)場(chǎng)角大于60度的非同調(diào)光。因此，發(fā)光元件適用于同時(shí)需要遠(yuǎn)距離以及近距離特性的應(yīng)用，例如監(jiān)視器。具有不同第三寬度的接觸區(qū)241的設(shè)置方式不限于本實(shí)施例。例如，相較于其他接觸區(qū)241的第三寬度，具有較小第三寬度的接觸區(qū)241可設(shè)置在第一欄?；蛘撸哂休^小第三寬度的接觸區(qū)241以及具有較大第三寬度的接觸區(qū)241于一欄和/或一列中可間隔地設(shè)置，用于形成交錯(cuò)排列的方式。圖22為本發(fā)明的第十二實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。在本說(shuō)明書(shū)中，除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第十二實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第十一實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件中包含多個(gè)彼此相同的激光閾值電流ith。每一激光閾值電流ith是用于使其中一輻射發(fā)射區(qū)i產(chǎn)生一同調(diào)光。通過(guò)第一電極40不同的布局而控制不同量的電流流入不同的接觸區(qū)241，當(dāng)一電流流入發(fā)光元件時(shí)，相較于其他接觸區(qū)241吸引的電流，其中一接觸區(qū)241吸引較多的電流。具體地，在本實(shí)施例中，中間欄的接觸區(qū)241的寬度大致上等于其他接觸區(qū)241的寬度。對(duì)齊中間欄的接觸區(qū)241的第二開(kāi)口25的寬度大致上等于其他第二開(kāi)口25的寬度。相較于圖21a所示的第一電極40，本實(shí)施例的位于導(dǎo)電層60上的第一電極40具有不同的布局。具體地，第一電極包含一打線部分41、多個(gè)第一延伸電極44以及第二延伸電極45。打線部分41用于與一引線接合。每一第一延伸電極44環(huán)繞其中一第二開(kāi)口25。每一第二延伸電極45大致上垂直地自打線部分41延伸且連接至少三個(gè)第一延伸電極44。在本實(shí)施例中，每一第一延伸電極44的寬度大致上彼此相同。每一第二延伸電極45的寬度大致上彼此相同。環(huán)繞位于中間欄的第二開(kāi)口25的第一延伸電極44連接兩個(gè)第二延伸電極45，環(huán)繞位于其他兩欄的第二開(kāi)口25的第一延伸電極44只連接一個(gè)第二延伸電極45。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，相較于其他接觸區(qū)241吸引的電流，位于中間欄的每一接觸區(qū)241吸引較多的電流。當(dāng)流經(jīng)中間欄的每一接觸區(qū)241的正向電流達(dá)到對(duì)應(yīng)的輻射發(fā)射區(qū)i的激光閾值電流ith時(shí)，流經(jīng)其他兩欄的每一接觸區(qū)241的正向電流仍低于對(duì)應(yīng)的輻射發(fā)射區(qū)i的激光閾值電流ith。因此，自中間欄的輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度的同調(diào)光，而其他輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為遠(yuǎn)場(chǎng)角大于60度的非同調(diào)光。故，發(fā)光元件適用于同時(shí)需要遠(yuǎn)距離以及近距離特性的應(yīng)用，例如監(jiān)視器。在另一實(shí)施例中，為了達(dá)到類(lèi)似的結(jié)果，中間欄的其中一第一延伸電極44的寬度可以大于其他兩欄的其中一第一延伸電極44的寬度。在另一實(shí)施例中，為了達(dá)到類(lèi)似的結(jié)果，中間欄的其中一第二延伸電極45的寬度可以大于其他兩欄的其中一第二延伸電極45的寬度，而并非包含兩個(gè)第二延伸電極45與中間欄的第一延伸電極44連接。第一延伸電極44和第二延伸電極45的設(shè)置方式不限于本實(shí)施例。例如，于第一欄中環(huán)繞第二開(kāi)口25的第一延伸電極44也可以連接兩個(gè)第二延伸電極45，且第一延伸電極44的寬度以及第二延伸電極45的寬度可以相應(yīng)地改變。圖23為本發(fā)明的第十三實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。除了特別指出說(shuō)明，相同的元件符號(hào)于不同的附圖中，具有與本發(fā)明任何一處說(shuō)明的相同或是大致上相同的結(jié)構(gòu)、材料、材料組成和/或制造方法。本發(fā)明的第十三實(shí)施例的發(fā)光元件包含與第十二實(shí)施例大致上相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于，本實(shí)施例的發(fā)光元件的位于導(dǎo)電層60上的第一電極40具有不同的圖案。第一電極40包含一第三延伸電極46，其具有一寬度，第三延伸電極46的寬度大于第一延伸電極44的寬度以及大于第二延伸電極45的寬度。因此，相較于第二開(kāi)口25的周?chē)坏谝谎由祀姌O44以及第二延伸電極45覆蓋的區(qū)域，第三延伸電極46覆蓋第二開(kāi)口25的周?chē)^大的區(qū)域。故，環(huán)繞中間欄的第二開(kāi)口25的導(dǎo)電層60和第一電極40之間的接觸面積大于環(huán)繞其他第二開(kāi)口25的導(dǎo)電層60和第一電極40之間的接觸面積。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，相較于其他的接觸區(qū)域241吸引的電流，位于中間欄的每一接觸區(qū)域241吸引較多的電流。當(dāng)流經(jīng)中間欄的每一接觸區(qū)241的正向電流達(dá)到對(duì)應(yīng)的輻射發(fā)射區(qū)i的激光閾值電流ith時(shí)，流經(jīng)其他兩欄的每一接觸區(qū)241的正向電流仍低于對(duì)應(yīng)的輻射發(fā)射區(qū)i的激光閾值電流ith。因此，自中間欄的輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為遠(yuǎn)場(chǎng)角小于15度的同調(diào)光，而其他輻射發(fā)射區(qū)i發(fā)出的輻射為遠(yuǎn)場(chǎng)角大于60度的非同調(diào)光。故，發(fā)光元件適用于同時(shí)需要遠(yuǎn)距離以及近距離特性的應(yīng)用，例如監(jiān)視器。第一延伸電極44和第二延伸電極45的圖案不限于本實(shí)施例。例如，第一電極40可以覆蓋第一欄的第二開(kāi)口25較多的周?chē)鷧^(qū)域，而并非中間欄的第二開(kāi)口25。發(fā)光疊層22包含活性區(qū)域，其包含單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(singleheterostructure，sh)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(doubleheterostructure，dh)或多重量子阱(mqw)。優(yōu)選的，活性區(qū)域包含多重量子阱(mqw)，其包含交替的阱層以及阻障層。每一阻障層的能階大于其中一阱層的能階?；钚詤^(qū)域發(fā)出的峰值波長(zhǎng)可以通過(guò)改變阱層的厚度或是材料而改變。優(yōu)選地，阱層的材料包含一三五族半導(dǎo)體材料，例如鋁砷化鎵(algaas)。阻障層的材料包含一三五族半導(dǎo)體材料，例如鋁砷化鎵(algaas)。發(fā)光疊層22可還包含一間隔層位于活性區(qū)域和第一dbr疊層21之間和/或位于活性區(qū)域和第二dbr疊層23之間，用于調(diào)整發(fā)光疊層22的厚度以大致上接近或等于為nλ/2的厚度，其中λ為發(fā)光疊層22發(fā)射的輻射的峰值波長(zhǎng)，并且n為正整數(shù)。間隔層材料為包含一三五族半導(dǎo)體材料，例如鋁砷化鎵(algaas)。第一dbr疊層21和第二dbr疊層23包含多個(gè)交替的高折射率半導(dǎo)體層以及低折射率半導(dǎo)體層。第一dbr疊層21和第二dbr疊層23的材料包含一三五族半導(dǎo)體材料，例如鋁砷化鎵alxga(1-x)as/alyga(1-y)as，其中x不等于y，且鋁和鎵的含量可以調(diào)整用于反射一預(yù)定的波長(zhǎng)范圍。每一半導(dǎo)體層具有一接近或等于λ/4n的厚度，其中λ為發(fā)光疊層22發(fā)射的輻射的峰值波長(zhǎng)，并且n為層的折射率。第一dbr疊層21在峰值波長(zhǎng)具有一超過(guò)99％的反射率。第二dbr疊層23在峰值波長(zhǎng)具有一超過(guò)98％的反射率。優(yōu)選地，第一dbr疊層21的反射率大于第二dbr疊層23的反射率。第一dbr疊層21的對(duì)數(shù)大于第二dbr疊層23的對(duì)數(shù)，其中一高折射率半導(dǎo)體層與一低折射率半導(dǎo)體層視為一對(duì)。優(yōu)選地，第一dbr疊層21的對(duì)數(shù)大于15，且更佳地，大于30且小于80。第一dbr疊層21的對(duì)數(shù)大于15，且更佳地，大于20且小于80。在本實(shí)施例中，基板10提供一上表面，其用于外延成長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)20?；?0具有一足夠的厚度以支撐之后成長(zhǎng)在基板10上的層或是結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，基板10的厚度不小于100微米，且優(yōu)選地，不超過(guò)250微米。基板10是單晶且包含半導(dǎo)體材料，例如，包含一個(gè)三五族半導(dǎo)體材料或是四族半導(dǎo)體材料。在一實(shí)施例中，基板10包含一具有一n型或p型的三五族半導(dǎo)體材料。在本實(shí)施例中，三五族半導(dǎo)體材料包含n型的砷化鎵(gaas)，n型摻雜物為硅(si)。永久基板80是導(dǎo)電的，用于在第一電極40以及第二電極50之間傳導(dǎo)一電流。永久基板80具有一足夠的厚度，用于支撐在其上的層或是結(jié)構(gòu)。例如，大于100微米。永久基板80包含導(dǎo)電材料，其包含硅(si)、鍺(ge)、銅(cu)、鉬(mo)、鎢鉬(mow)、氮化鋁(aln)、氧化鋅(zno)或銅鎢(cuw)。優(yōu)選地，永久基板80包含硅或銅鎢(cuw)。第一電極40以及第二電極50用于與一外接電源連接且傳導(dǎo)一在兩者之間的電流。第一電極40以及第二電極50的材料包含透明導(dǎo)電材料或是金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含透明導(dǎo)電氧化物，金屬材料包含金(au)、鉑(pt)、鍺金鎳(geauni)、鈦(ti)、鈹金(beau)、鍺金(geau)、鋁(al)、鋅金(znau)或鎳。第一電極40通過(guò)接觸層24與第二dbr疊層23形成一低電阻接觸或是歐姆接觸，其中第一電極40與第二dbr疊層23之間的電阻低于10-2ohm-cm。接觸層24的導(dǎo)電型態(tài)與第二dbr疊層23導(dǎo)電型態(tài)相同。在一實(shí)施例中，接觸層24為p型且具有一高p型摻雜濃度，例如高于1018/cm3，且優(yōu)選地，高于1019/cm3，且更佳地，介于1×1019/cm3以及5×1022/cm3之間(兩者皆含)。接觸層24的材料包含一三五族半導(dǎo)體材料，例如砷化鎵(gaas)或鋁砷化鎵(algaas)。粘結(jié)層100和/或暫時(shí)粘結(jié)層80包含透明導(dǎo)電氧化物、金屬材料、絕緣氧化物或高分子。透明導(dǎo)電氧化物包含氧化銦錫(ito)、氧化銦(ino)、氧化錫(sno)、氧化鎘錫(cto)、氧化銻錫(ato)、氧化鋁鋅(azo)、氧化鋅錫(zto)、氧化鎵鋅(gzo)、氧化銦鎢(iwo)、氧化鋅(zno)或氧化銦鋅(izo)。金屬材料包含銦、錫、金、鈦、鎳、鉑、鎢或其等的合金。絕緣氧化物包含氧化鋁(alox)、氧化硅(siox)或氮氧化硅(sioxny)。高分子材料包含環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、聚酰亞胺(polyimide)、八氟環(huán)丁烷(perfluorocyclobutane)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，bcb)或硅氧樹(shù)脂(silicone)。粘結(jié)層100具有一介于400納米至5000納米之間的厚度。外延的方法包含，但不限于，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(metal-organicchemicalvapordeposition，mocvd)、氫化物氣相外延法(hydridevaporphaseepitaxy，hvpe)、分子束外延(molecularbeamepitaxy，mbe)或液相外延法(liquid-phaseepitaxy，lpe)。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，前述實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)可以結(jié)合或是改變。舉例說(shuō)明，圖1a或圖1b所示的發(fā)光元件可包含鈍化層。需注意的是，本發(fā)明所列舉的各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何人對(duì)本發(fā)明所作顯而易見(jiàn)的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。不同實(shí)施例中相同或相似的構(gòu)件，或者不同實(shí)施例中具相同標(biāo)號(hào)的構(gòu)件皆具有相同的物理或化學(xué)特性。此外，本發(fā)明中上述的實(shí)施例在適當(dāng)?shù)那闆r下，是可互相組合或替換，而非僅限于所描述的特定實(shí)施例。在一實(shí)施例中詳細(xì)描述的特定構(gòu)件與其他構(gòu)件的連接關(guān)系亦可以應(yīng)用于其他實(shí)施例中，且均落于如上的本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍的范疇中。當(dāng)前第1頁(yè)12