專利名稱：用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的制備方法，尤其適應(yīng)于鈮酸鋰晶體的埋層條形和溝道波導(dǎo)的制備。屬于光電子器件領(lǐng)域中的波導(dǎo)制備方法。
條形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)是光電子器件的基本結(jié)構(gòu)，由此為基礎(chǔ)可以形成光開關(guān)、光調(diào)制器和濾波器等重要的光電子器件。根據(jù)公開鈮酸鋰晶體的波導(dǎo)的形成方法主要有高溫?cái)U(kuò)散、離子交換、和輕離子(氫(H)、氦(He))注入等。美國學(xué)術(shù)期刊雜志《Applied Physics Letter》等公開了離子交換方法制備鈮酸鋰晶體的光波導(dǎo)制備方法(Wei-Yung，et al.，(1993)2012)，但由于離子交換是一個(gè)化學(xué)過程，受到晶向的限制，所形成的波導(dǎo)的非線性光學(xué)性質(zhì)受到了影向；擴(kuò)散需要高溫(超過900℃)過程，不能良好的保持鈮酸鋰晶體的非線性特性；美國學(xué)術(shù)期刊雜志《Applied Optics》公開了氦(He)離子注入可以形成具有非線性光學(xué)性質(zhì)的光波導(dǎo)(Fei Lu，et al.，Vol38，No.24(1999)5122)，其中注入劑量為1×1016離子/平方厘米到3×1016離子/平方厘米，由于注入劑量較大，注入時(shí)間較長，波導(dǎo)的制作成本較高。利用上述方法制備的條形波導(dǎo)受到晶體表面掩膜線條的限制，只能做到微米量級(jí)，而且只能在晶體表面形成溝道光波導(dǎo)。
本發(fā)明用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的方法是常溫下采用重離子(指原子質(zhì)量大于氦(He)的原子產(chǎn)生的離子)注入鈮酸鋰晶體造成注入層中晶體的極化發(fā)生變化，其結(jié)果是注入層中的異常光折射率產(chǎn)生變化，然后利用聚焦電子束掃描折射率改變的區(qū)域進(jìn)行局域退火，可以使掃描區(qū)域的折射率高于未掃描區(qū)域，形成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體的光波導(dǎo)的工藝流程為首先對(duì)鈮酸鋰晶體進(jìn)行表面和相對(duì)的兩個(gè)端面光學(xué)拋光，進(jìn)行清洗處理；利用加速器進(jìn)行兆電子伏特(MeV)的離子注入；在注入?yún)^(qū)中造成了折射率的改變；用聚焦電子束按照需要的圖形進(jìn)行掃描退火；經(jīng)過聚焦電子束掃描后的區(qū)域折射率增高，就形成了光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，根據(jù)聚焦電子束掃描的區(qū)域不同能夠形成埋層條形或者溝道光波導(dǎo)。
在本發(fā)明的工藝中，注入離子為氮離子(N+)，氟離子(F+)，炭離子(C-)，銅離子(Cu+)和鎳離子(Ni+)；注入離子的能量為1MeV～6MeV；注入離子的劑量在1×1013離子/平方厘米到5×1015離子/平方厘米范圍內(nèi)，對(duì)于銅離子(Cu+)和炭離子(C-)較為理想的劑量為1014離子/平方厘米量級(jí)，這比用輕離子注入低兩個(gè)數(shù)量級(jí)，可以減小制造成本。為了增加離子注入的深度，可以采用上述離子的二價(jià)和三價(jià)態(tài)。
電子束掃描退火的電子束的能量范圍為0.3～1.5兆電子伏特，束流范圍為0.1～1000納安培，束斑直徑范圍為0.01～100微米，區(qū)域的注入劑量范圍為1×1010～1×1022電子/平方厘米。
通過控制電子束的掃描路徑，能夠形成所需要圖形的光波導(dǎo)，不需要制備掩膜，調(diào)整聚焦電子束束斑的大小，可以控制波導(dǎo)的線寬，調(diào)整聚焦電子束的掃描位置，能夠形成埋層條形或者溝道光波導(dǎo)，由于電子束的直徑可以聚焦到很小，可以造成納米量級(jí)的折射率改變，這是其它方法很難做到的。退火還可以消除由離子注入引起的吸收損耗，可以降低光波導(dǎo)的損耗。該方法可在常溫下進(jìn)行，光波導(dǎo)的導(dǎo)模特性可以由制造工藝很好的控制，能夠制作出具有很好非線性光學(xué)特性的多模和單模條形波導(dǎo)，根據(jù)該方法能夠制作基于條形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光調(diào)制器和光開關(guān)等光電子器件和折射率光柵。


圖1為本發(fā)明的用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的制作流程圖；圖2A-圖2C為用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)制作工藝示意圖；圖3為用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體制作的埋層條形波導(dǎo)端面示意圖；圖4為用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體制作的溝道波導(dǎo)端面示意圖；圖5為圖4的溝道波導(dǎo)俯視示意圖。
圖中1.X-切或Z-切的鈮酸鋰晶體，2.MeV離子注入，3.離子注入?yún)^(qū)折射率的改變層，4.聚焦電子束掃描，5.埋層條形波導(dǎo)，6.溝道波導(dǎo)。
離子注入把準(zhǔn)備好的樣品放在加速器的靶室中，抽真空至10-4帕斯卡(Pa)量級(jí)。進(jìn)行MeV離子注入(2)，注入條件為注入離子炭離子(C+)，離子能量3.0MeV(兆電子伏)，注入劑量5.0×1014離子/平方厘米。離子束流為20納安培，掃描面積為15厘米×20厘米。在這種條件下離子注入?yún)^(qū)的異常光折射率比注入前略為降低，形成離子注入?yún)^(qū)折射率的改變層(3)，該層的厚度為2.1微米。
電子束掃描聚焦電子束掃描(4)的電子束能量為0.8兆電子伏特，束流為2.0納安培，聚焦束斑為0.6微米，在據(jù)表面下1微米處掃描，在掃描區(qū)中可以使異常光的折射率增高，形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，該光波導(dǎo)是直徑為0.7微米的埋層條形光波導(dǎo)(5)；在上述條件下，當(dāng)把電子束斑調(diào)整為2.0微米在表面進(jìn)行掃描，同樣是掃描區(qū)的折射率增高，形成溝道光波導(dǎo)(6)。
權(quán)利要求
1.一種利用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的方法，包括離子注入和電子束退火。其特征在于用一定能量和劑量的離子注入形成注入?yún)^(qū)的折射率改變層，再用聚焦電子束進(jìn)行掃描退火，在掃描區(qū)形成埋層條形或溝道光波導(dǎo)。
2.按照權(quán)利要求1所述，其特征在于注入離子分別包括以下一種離子注入或兩種以上的離子組合注入氮離子(N+)，氟離子(F+)，炭離子(C+)，銅離子(Cu+)和鎳離子(Ni+)。注入離子還可利用離子的二價(jià)態(tài)或三價(jià)態(tài)。
3.按照權(quán)利要求1所述，其中所述的注入離子的能量范圍為1.0～6.0兆電子伏特。
4.按照權(quán)利要求1所述，其中所述的注入劑量范圍為1×1013～5×1015離子/平方厘米。
5.按照權(quán)利要求1所述，其中所述的用進(jìn)行掃描退火，電子束的能量范圍為0.3～1.5兆電子伏特，束流范圍為0.1～1000納安培，束斑直徑范圍為0.01～100微米，區(qū)域的注入劑量范圍為1×1010～1×1022電子/平方厘米。
全文摘要
本發(fā)明用離子注入和退火制備鈮酸鋰晶體波導(dǎo)的方法，至少應(yīng)包含離子注入和電子束退火等步驟。采用能量1MeV～6MeV的C
文檔編號(hào)C30B31/00GK1439750SQ03111918
公開日2003年9月3日 申請(qǐng)日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月4日
發(fā)明者盧霏, 胡卉, 陳 峰, 王雪林, 王克明 申請(qǐng)人:山東大學(xué)