專利名稱：表面波元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面波元件的制造方法，在該表面波元件基片上覆蓋的鋁電極膜上形成氮化膜或氧化膜，表面波元件用于像濾波器、諧振器或類以的電子器件。
傳統(tǒng)的密封型表面波元件出現(xiàn)的問(wèn)題是1)金屬粉末的涂層從放置表面波元件的金屬罩背面剝落造成不良的絕緣電阻；2)金屬罩與基座焊接時(shí)產(chǎn)生的飛揚(yáng)金屬顆粒造成不良的絕緣電阻；3)AI-IDT(鋁-叉指變換器)電極在切割過(guò)程中會(huì)被腐蝕掉，尤其發(fā)生在基片由LiTaO3或LiNbO3構(gòu)成的情況。
解決上述問(wèn)題的傳統(tǒng)作法是針對(duì)上述問(wèn)題1)在金屬罩背面加入樹(shù)脂以防止金屬粉末剝落；針對(duì)上述問(wèn)題2)采用SiO2或類似材料在表面波元件上形成保護(hù)膜；針對(duì)上述問(wèn)題3)在切割基片過(guò)程中把NO3或類似的材料摻入純水中以防止IDT電極的腐蝕。
這些傳統(tǒng)作法在經(jīng)濟(jì)上是很不合算的，因?yàn)榉婪渡鲜鰡?wèn)題1)，2)，3)的對(duì)策分別需要施加樹(shù)脂設(shè)備和工藝，SiO2保護(hù)膜形成設(shè)備和工藝的NO3混合設(shè)備和工藝。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種表面波元件的制造方法，它能夠在芯片切割過(guò)程中防止AI-IDT電極腐蝕，并能在不需要對(duì)金屬罩背面施加樹(shù)脂工藝以及在不需要保護(hù)膜形成工藝和NO3形成工藝的情況下防止出現(xiàn)不良絕緣電阻。
為實(shí)現(xiàn)這一目的，本發(fā)明的表面波元件的制造方法包括以下步驟在鐘形罩內(nèi)的表面波元件基片上形成鋁電極膜；把氮?dú)夂脱鯕庵械囊环N氣體充入鐘形罩；用充入的氮?dú)夂脱鯕庵环N氣體在已經(jīng)形成的鋁電極上形成氮化膜和氧化膜之一種膜。
也就是說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明，在作用在表面波基片上的鋁電極膜形成后把氮?dú)饣蜓鯕獬淙腌娦握謨?nèi)，以便在鋁電極膜上產(chǎn)生像氮化膜(鋁氮化膜)或氧化膜(鋁氧化膜)那樣的絕緣膜，接著，復(fù)合IDT電極由附加絕緣膜的鋁電極膜制成并為制造表面波元件而切割表面波元件基片。此時(shí)，絕緣膜就作為了防止IDT電極受到腐蝕的保護(hù)膜。另一方面，保護(hù)膜可以消除在金屬罩背面上的涂層剝落和把金屬罩焊接到基座上的過(guò)程中產(chǎn)生的金屬顆粒的有害影響。這樣就減少了絕緣電阻的損失。
本發(fā)明的上述內(nèi)容和其它的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖的說(shuō)明將會(huì)清楚的理解。


圖1是在本發(fā)明實(shí)施例中用于表面波元件制造方法的濺射裝置示意圖；圖2是顯示具有復(fù)合IDT電極的表面波元件基片的透視圖，該復(fù)合IDT電極在具有采用圖1方式形成的絕緣膜的鋁電極膜上制造；圖3是含有放置表面波元件成品品種的金屬罩的電子器件分解透視圖。
本發(fā)明的實(shí)施例將參照?qǐng)D1進(jìn)行說(shuō)明，圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例中用于表面波元件制造方法的濺射裝置。
圖1所示的濺射裝置具有與傳統(tǒng)的濺射裝置相同的外形，圖1中的鐘形罩1內(nèi)設(shè)有由LiNbO3或LiNbO3制作的表面波元件基片2和由鋁制作的靶極3，在給定的真空壓力下的氬氣體中，鋁電極膜在表面波元件基片2上形成，此后，氮?dú)鈴倪M(jìn)氣口4充入，以便為在鋁電極膜的表面附加形成氮化膜(鋁氮化膜)持續(xù)進(jìn)行膜的形成工序。盡管在這個(gè)實(shí)施例中，鋁電極膜在表面波元件基片2上形成，并通過(guò)氮?dú)獾某淙胪扛驳?鋁氮化膜)，但也可以充入替換氮?dú)獾难鯕?，以便氧化膜在鋁電極膜表面上形成。在上述任一種情況中，膜的形成工序持續(xù)進(jìn)行直到膜的厚度達(dá)到0.2μm-1.5μm。
由于鋁電極膜上具有作為絕緣膜的氮化膜(鋁氮化膜)或氧化膜(氧化鋁膜)，復(fù)合IDT電極5如圖2所示采用光刻技術(shù)制成，隨后，具有已形成電極5的表面波元件基片2沿著圖2中的虛線切割，這樣就產(chǎn)生了表面波元件。絕緣膜覆蓋的AI-IDT電極5制有令人滿意的連接引線已經(jīng)證明是能夠?qū)崿F(xiàn)的。
圖3示出了含有放置表面波元件成品品種的金屬罩的電子器件。表面波元件成品品種2a放置在基座6上，絕緣膜覆蓋的AI-IDT電極5制有連接引線，金屬罩7與基座6焊接。
根據(jù)本發(fā)明，除了在表面波元件基片2上形成鋁電極膜5外，氮?dú)饣蜓鯕庖脖怀淙腌娦握謨?nèi)以便在鋁電極5上形成像氮化膜(氮化鋁膜)或氧化膜(氧化鋁膜)那樣的絕緣膜，因而當(dāng)IDT電極在鋁電極膜5內(nèi)制成時(shí)，絕緣膜作為保護(hù)膜，以防止在為生產(chǎn)表面波元件而進(jìn)行切割的過(guò)程中，AI-IDT電極受到腐蝕。此外保護(hù)膜還可以消除由于金屬罩背面涂層剝落和金屬罩與基座焊接而產(chǎn)生的金屬顆粒的有害影響，這樣就減小了絕緣膜電阻的損失。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，不需要像現(xiàn)有技術(shù)那樣為金屬罩背面進(jìn)行SiO2膜形成工藝和樹(shù)脂應(yīng)用工藝，因而降低了制造成本。
應(yīng)該理解的是，盡管上述內(nèi)容只涉及本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例，但本發(fā)明的范圍包括用于公開(kāi)目的的本發(fā)明實(shí)施例的一切變化和變形，而偏離本發(fā)明精神和范圍的內(nèi)容則不包括在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.表面波元件的制造方法包括以下步驟在鐘形罩內(nèi)的表面波元件基片上形成鋁電極膜；向鐘形罩內(nèi)充入氮?dú)饣蜓鯕猓玫獨(dú)饣蜓鯕庠谝研纬傻匿X電極膜上形成氮化膜或氧化膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面波元件的制造方法，進(jìn)一步包括使用光刻技術(shù)從鋁電極膜上形成電極的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面波元件的制造方法，進(jìn)一步包括在電極之間切割表面波元件基片的步驟。
全文摘要
鋁電極膜在鐘形罩內(nèi)的表面波元件基片上形成，并在鋁電極膜形成后通過(guò)向鐘形罩充入氮?dú)饣蜓鯕獾姆椒ǜ采w氮化膜(鋁氮化膜)或氧化膜(氧化鋁膜)以作為絕緣膜，絕緣膜可以消除由于金屬罩背面上的涂層剝落和金屬罩與基座焊接造成的金屬顆粒的有害影響。這樣就減少了絕緣電阻的損失并避免了在切割過(guò)程中的電極腐蝕。
文檔編號(hào)H03H9/64GK1127955SQ9511522
公開(kāi)日1996年7月31日 申請(qǐng)日期1995年7月19日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月20日
發(fā)明者門田道雄, 米田年麿 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所