專利名稱：晶片及表面彈性波元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在通信裝置，移動(dòng)電話等電子通信領(lǐng)域(無線電子工程及音響電子工程等領(lǐng)域)中，用于帶通濾波器、振蕩器、延遲線、疊加器件等篩選特定頻率的用途等的晶片及表面彈性波(SAW)元件。
以往，眾所周知，在電子通信領(lǐng)域中，為了篩選特定的頻率，使用SR-切割水晶的結(jié)晶元件的設(shè)備和使用鈮酸鋰晶體的結(jié)晶元件，鉭酸鋰晶體的結(jié)晶元件的設(shè)備。在使用ST-切割水晶的結(jié)晶元件的情況下，在X軸方向或與X軸成-20°角或+36°角方向激勵(lì)起表面彈性波。使用ST-切割水晶的結(jié)晶元件的設(shè)備具有1ppm/℃的較高的溫度穩(wěn)定性。
但是，該結(jié)晶元件存在以下缺點(diǎn)電氣機(jī)械結(jié)合系數(shù)低，因此不能作為中間頻帶的設(shè)備；表面彈性波的速度比較高，因此設(shè)備的尺寸比較大，從而結(jié)晶材料的消費(fèi)量比較多。
由于這些原因，鉭酸鋰晶體的晶體元件和鈮酸鋰晶體的晶體元件廣泛應(yīng)用于各種對(duì)溫度特性要求不太高、但又要求寬的帶通帶寬的無線電子設(shè)備。
但是，使用鈮酸鋰晶體的結(jié)晶元件，鉭酸鋰晶體的結(jié)晶元件的設(shè)備有以下缺點(diǎn)溫度穩(wěn)定性差，為40ppm/℃以上，因此，不能用于窄帶及中等帶寬的設(shè)備；表面彈性波的速度比較高，因此，設(shè)備的尺寸比較大，結(jié)晶材料的消費(fèi)量也比較多。
本發(fā)明的目的是提供一種新型的晶片，它用于在通信裝置、移動(dòng)電話等電子通信領(lǐng)域(無線電子工程及音響電子工程等領(lǐng)域)中，帶通濾波器、振蕩器、延遲線、疊加器件等篩選特定頻率的用途。
另外，本發(fā)明的目的是提供一種溫度穩(wěn)定性高、且可實(shí)現(xiàn)小型化的表面彈性波元件。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu)是將鑭·鎵硅酸鹽晶體(La3Ga5SiO14晶體)以一定的切割角α切割所得的晶片，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片如下切割該晶片的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)直至與Y軸的切割角為20°≤α≤40°，或該晶片的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，直至與Y軸的角度為-1.5°≤α≤15°。
本發(fā)明的第二種結(jié)構(gòu)是，將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割，而使用切割所得的晶片的表面彈性波元件，通過向上述晶片施加一定的電壓信號(hào)，在晶片上激勵(lì)起表面彈性波，并使其沿晶片傳播，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)，從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，直至與Y軸的角度為20°≤α≤40°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(s)在上述晶片的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，直至與X軸的角度為35°≤β≤70°。
根據(jù)本發(fā)明的第三種結(jié)構(gòu)是，將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割，而使用切割所得的晶片的表面彈性波元件，通過向上述晶片施加一定的電壓信號(hào)，在晶片激勵(lì)起表面彈性波，并使其沿晶片傳播，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)，從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成角度為-1.5°≤α≤15°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(S)在上述晶片表面內(nèi)，從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與X軸所成的角度為70°≤β≤120°。
根據(jù)本發(fā)明的第四種結(jié)構(gòu)，在第三種結(jié)構(gòu)中的表面彈性波元件中，在上述晶片上用于激勵(lì)表面彈性波的激勵(lì)電極對(duì)和用于將在晶片上傳播的表面彈性波轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并取出的取出電極對(duì)是沿上述表面彈性波的傳播方向(S)并排設(shè)置的。
根據(jù)本發(fā)明的第五種結(jié)構(gòu)是，在第四種結(jié)構(gòu)的表面彈性波元件中，在上述晶片上再形成為反射沿上述晶片傳播的表面彈性波的反射體。
附圖的簡(jiǎn)要說明

圖1是表示本發(fā)明的晶片結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是表示本發(fā)明的表面彈性波濾波器的另一實(shí)施例的斜視圖；圖3是表示本發(fā)明的表面彈性波濾波器的又一實(shí)施例的斜視圖；圖4是表示圖3的表面彈性波濾波器的平面圖；圖5是圖4的A-A線的剖面圖；圖6是圖4的B-B線的剖面圖；圖7是本發(fā)明的表面彈性波元件的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖(平面圖)；圖8是以圖7的表面彈性波元件的中心頻率的實(shí)驗(yàn)為基礎(chǔ)的溫度特性的一個(gè)例子的示意圖。
以下結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是本發(fā)明的晶片的實(shí)施例的示意圖。參照?qǐng)D1，上述晶片1是將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角α切割而得的，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片1的表面的法線(n)在Y-Z平面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為20°≤α≤40°，或者，晶片的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)，從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為-1.5°≤α≤15°而切割晶片。
在鑭·鎵硅酸鹽晶體按上述的切割角α切割而得的晶片1上，如后所述，將其用于表面彈性波元件時(shí)，通過將上述晶片1進(jìn)一步按一定的切割角β切割(具體來講，表面彈性波的傳播方向(S)為在上述晶片1的表面內(nèi)，從X軸逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)角為35°≤β≤70°，或者，表面彈性波的傳播方向(S)為在上述晶片1的表面內(nèi)，從X軸逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)的角度為70°≤β≤120°)，可提供溫度穩(wěn)定性高，且小型化的表面彈性波元件。
在圖1中，符號(hào)P是向晶片1的表面的Y-Z面的投影線，S-X-P平面在晶片1的表面內(nèi)，在S-X-P面內(nèi)，X軸與投影線P所成的夾角為90°。另外，在圖1中，Y-n-Z-P平面在Y-Z平面內(nèi)，在圖1的例中，表示了晶片1的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)而成為切割角α?xí)r的情況。
圖2表示了本發(fā)明的表面彈性波元件的實(shí)施例的斜視圖。在圖2的實(shí)施例中，表面彈性波元件是將鑭·鎵硅酸鹽晶體按一定的切割角(α、β)切割得到晶片(壓電板)1，并將該晶片1作為表面彈性波濾波器(壓電元件)，通過在上述晶片1上施加一定的電壓信號(hào)，在晶片1上激勵(lì)起表面彈性波，并使其沿晶片1傳播。
即，在圖2的實(shí)施例中，所述表面彈性波元件在由鑭·鎵硅酸鹽晶體構(gòu)成的晶片1的主面，將表面彈性波的傳播面的法線方向，即表面彈性波的相位速度方向(以下稱為表面彈性波的傳播方向)作為(S)時(shí)，沿該表面彈性波的傳播方向(S)隔有一定的間隔ΔX1，設(shè)置用于激勵(lì)表面彈性波的一組激勵(lì)電極對(duì)2a、2b，在一組激發(fā)電極對(duì)2a、2b上例如從電源50施加高頻電壓，而在晶片1表面激勵(lì)表面彈性波，并使其沿晶片1傳播。
另外，圖3、圖4表示了本發(fā)明的表面彈性波元件的另一實(shí)施例，圖3是斜視圖，圖4是平面圖。在圖3、圖4的實(shí)施例中，表面彈性波元件是將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割而得的晶片(壓電板)1，并將該晶片1作為表面彈性波濾波器(壓電元件)。通過對(duì)上述晶片1上施加一定的電壓信號(hào)，在晶片1上激勵(lì)起表面彈性波，并使其沿晶片1傳播，再將沿晶片1傳播的表面彈性波轉(zhuǎn)換為電信號(hào)而取出。
即，圖3、圖4的表面彈性波元件在由鑭·鎵硅酸鹽晶體構(gòu)成的晶片1的主面，將表面彈性波的傳播面的法線方向，即表面彈性波的相位速度方向(以下稱為表面彈性波的傳播方向)作為(S)時(shí)，沿該表面彈性波的傳播方向(S)隔有一定的間隔ΔX1，設(shè)置用于激勵(lì)表面彈性波的一組激勵(lì)電極對(duì)2a、2b，另外，在晶片1的主面，沿該表面彈性波的傳播方向(S)，隔有一定的間隔ΔX2，設(shè)置用于將沿晶片1傳播的表面彈性波變換成電信號(hào)而取出的一組取出電極對(duì)3a、3b。另外，激發(fā)電極對(duì)2a、2b與取出電極對(duì)3a、3b是沿表面彈性波的傳播方向(S)并列設(shè)置的。據(jù)此還得知，方向(S)可以定義為激勵(lì)電極對(duì)2a、2b的主軸方向，或者，可以定義為激勵(lì)電極對(duì)2a、2b的中心與取出電極對(duì)3a、3b的中心的連接線上的方向。
另外，在圖3、圖4的表面彈性波元件中，也可以在上述晶片1上再形成一對(duì)用于反射沿晶片傳播的表面彈性波的反射體4、5。在形成一對(duì)反射體4、5的情況下，此表面彈性波元件的功能是作為使激勵(lì)的表面彈性波在該反射體4、5之間振蕩(共振)的振蕩器。
本發(fā)明的目的是提供一種溫度穩(wěn)定性高的且小型化的表面彈性波元件，為實(shí)現(xiàn)該目的，本申請(qǐng)的發(fā)明者在圖2、圖3及圖4的實(shí)施例中，作為第一種結(jié)構(gòu)提出將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片1的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為20°≤α≤40°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(S)在晶片1的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與X軸所成的角度為35°≤β≤70°，可以看出將上述晶片1可如上述方式切割。
本申請(qǐng)的發(fā)明者在圖2、圖3及圖4的實(shí)施例中，作為第二種結(jié)構(gòu)提出將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片1的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為-15°≤α≤15°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(S)在晶片1的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與X軸所成角度為70°≤β≤120°，可以看出將上述晶片1可如上述方式切割。
由于使用了這樣的切割角(α、β)的晶片1可以得到溫度穩(wěn)定性高且小型化的表面彈性波元件。
以下說明圖2或圖3、圖4的表面彈性波元件的具體的結(jié)構(gòu)、尺寸。在上述第一、第二結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)，晶片1的大小(尺寸)可以小型化為長(zhǎng)度L為4.4mm左右、寬度W為1.9mm左右、厚度D為0.4mm。
圖5為圖4的A-A線的剖面圖，參照?qǐng)D5，一組激勵(lì)電極對(duì)2a、2b，一組取出電極對(duì)3a、3b，是由厚度E為1200左右的導(dǎo)電性材料制成的，并從表面埋入晶片1的深度為500左右。即，從晶片的表面僅突出700左右。于是，一組激發(fā)電極對(duì)2a、2b之間的間隔ΔX1、一組取出電極對(duì)3a、3b之間的間隔ΔX2設(shè)定為例如1.5μm左右。另外，一組激發(fā)電極對(duì)2a、2b的中心與一組取出電極對(duì)3a、3b的中心之間的間隔L1設(shè)定為例如3mm左右。
圖6是圖4的B-B線的剖面圖，參照?qǐng)D6，一側(cè)的反射體4是在晶片1上以0.3μm的間距周期地形成深500、寬1.5μm的溝4a。另外，另一側(cè)的反射體5(圖中未示出)也與上述一側(cè)的反射體4一樣，以3.0μm的間距周期地在晶片1上形成深500、寬1.5μm的溝。于是，一側(cè)的反射體4與另一側(cè)的反射體5對(duì)于在晶片1上傳播的表面彈性波來說，發(fā)揮一對(duì)反射系統(tǒng)(Two Grooves Reflectors)的功能。此時(shí)，反射體4、5之間的間隔L2設(shè)定為例如5mm左右。
圖2或圖3、圖4所示的表面彈性波濾波器上在激發(fā)電極對(duì)2a、2b之間從電源50施加作為輸入信號(hào)的高頻電壓(例如，400～600MHz左右的頻率、0.1V左右的電壓幅度)，則由激發(fā)電極對(duì)2a、2b，在鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶片1上激勵(lì)起表面彈性波。這樣激勵(lì)起的表面彈性波以2.5～2.9Km/s的傳播速沿晶片1傳播。此時(shí)的表面彈性波的傳播速度(即，設(shè)備的特性頻率的溫度依賴性小，在溫度范圍-24～+44℃內(nèi)，表面彈性波的頻率的變化為1×10-6MHz/℃左右。在圖3、圖4的實(shí)施例中，可以將沿晶片1傳播的表面彈性波從取出電極對(duì)3a、3b上作為電信號(hào)取出。即，表面彈性波到達(dá)取出電極對(duì)3a、3b時(shí)，在取出電極對(duì)3a、3b之間引起電壓，可將該引起電壓作為輸出信號(hào)取出。此時(shí)，在取出電極3a、3b之間取出的輸出信號(hào)頻率為400～600MHz左右，電壓幅度為0.07V左右。
這樣，使用以第一或第二種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割的晶片1的表面彈性波元件中，可以得到沿晶片1傳播的表面彈性波的傳播速度與原來的2.5～2.9km/s的傳播速度相比較小的速度，因而元件(設(shè)備)的尺寸也可比現(xiàn)有的小。
另外，以第一或第二種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割出的晶片1的表面彈性波元件中，表面彈性波的傳播速度(即，設(shè)備的特性頻率)的溫度依賴性小，在溫度范圍-24～+44℃中，表面彈性波的頻率變化為1×10-6Hz/℃，與現(xiàn)有技術(shù)相比，溫度穩(wěn)定性提高了。
在本發(fā)明的表面彈性波元件中，激發(fā)電極對(duì)2a、2b，取出電極對(duì)3a、3b的形狀和大小等可以任意設(shè)定。另外，就一對(duì)反射體4、5而言，其形狀和大小也可以任意設(shè)定，再者，一對(duì)反射體4、5除在晶片1上形成溝外，也可通過蒸鍍形成。
作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本申請(qǐng)的發(fā)明者制成如圖7所示的表面彈性波元件(振蕩器)，并對(duì)其特性進(jìn)行研究。在此，在晶片1中，將La3Ga5SiO14晶體以上述的第一種結(jié)構(gòu)或第二種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割而得。另外，以該切割角(α、β)切割，在經(jīng)研磨的表面上通過光刻法蒸鍍，形成兩組電極對(duì)(2a，2b)、(3a，3b)，即，IDT(Inter Digital Transduser)系統(tǒng)，另外形成兩組反射體4、5，即溝道一反射體系統(tǒng)。
而且，作為晶片1的大小(尺寸)，可以設(shè)定為長(zhǎng)L為4.4mm，寬度W為1.9mm，厚度D為0.4mm的小型尺寸。另外，一組激發(fā)電極對(duì)2a、2b之間的間隔ΔX1、一組取出電極對(duì)3a、3b之間的間隔ΔX2設(shè)定為1.5μm。于是，從電源50向激發(fā)電極對(duì)2a、2b之間外加作為輸入信號(hào)的高頻電壓(例如，400～600MHz左右的頻率，0.1V左右的電壓幅度)，通過激勵(lì)電極對(duì)2a、2b，在鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶片1上激勵(lì)起表面彈性波。
在圖8中，表示了基于這種構(gòu)成的表面彈性波元件的中心頻率數(shù)的實(shí)驗(yàn)的溫度特性的一例。
即，在上述表面彈性波元件中，激發(fā)的表面彈性波以2.5～2.9km/s的傳播速度沿晶片傳播，此時(shí)的表面彈性波的傳播速度(即，設(shè)備的特征頻率)的溫度依賴性小，在溫度范圍-24～+44℃之間，振蕩頻率數(shù)的變化為1×10-5MHz/℃。該特性與現(xiàn)有類型的表面彈性波元件的相同特性相比要好得多。
再者，本申請(qǐng)的發(fā)明者準(zhǔn)備了兩個(gè)(SP1、SP2)以第一種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割的晶片的表面彈性波元件的試驗(yàn)材料，另外，準(zhǔn)備了兩個(gè)(SP3、SP4)以第二種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割的晶片的表面彈性波元件的試驗(yàn)材料。于是，對(duì)于每個(gè)試驗(yàn)材料SP1、SP2、SP3、SP4，研究了幾個(gè)溫度點(diǎn)的振蕩頻率(中心頻率)(MHz)下表(表1)表示了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
振蕩頻率數(shù)(中心頻率數(shù))(MHz)從表1中可以看出，每個(gè)試驗(yàn)材料SP1、SP2、SP3、SP4與現(xiàn)有類型的表面彈性波元件相比都有很好的溫度穩(wěn)定性。另外，由于表面彈性波的傳播速度小，所以設(shè)備的尺寸也可小型化。
另外，本申請(qǐng)的發(fā)明者也準(zhǔn)備了以上述第一、第二種結(jié)構(gòu)以外的切割角(α、β)切割的晶片(即，以20°≤α≤40°，35°≤β≤70°的角度范圍、-1.5°≤α≤15°，70°≤β≤120°的角度范圍的每個(gè)范圍以外的角度切割的晶片)的表面彈性波元件的試驗(yàn)材料，同樣，研究其在各溫度點(diǎn)的振蕩頻率(中心頻率)(MHz)。其結(jié)果表明，在使用上述第一、第二種結(jié)構(gòu)以外的切割角(α、β)切割的晶片的試驗(yàn)材料中，溫度穩(wěn)定性顯著下降(最高為30ppm/℃)。
以此看出，與現(xiàn)有類型的表面彈性波元件相比顯著地提高了溫度穩(wěn)定性，另外，為了進(jìn)一步降低表面彈性波的傳播速度、使設(shè)備的尺寸小型化，最好將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶片按上述第一或第二種結(jié)構(gòu)的切割角(α、β)切割。
如以上說明，根據(jù)本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu)，是將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角α切割而得的晶片，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為20°≤α≤40°，或者，該晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為-1.5°≤α≤15°。這樣切割后，使用此晶片制造表面彈性波元件時(shí)，溫度穩(wěn)定性高，且可提供小型化的表面彈性波元件。
根據(jù)本發(fā)明的第一～第五種結(jié)構(gòu)；是將鑭·鎵硅酸鹽晶體按一定的切割角(α、β)切割而得的晶片的表面彈性波元件，通過向上述晶片施加一定的電壓信號(hào)而在晶片上激勵(lì)起表面彈性波并使其沿晶片傳播，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為20°≤α≤40°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(S)在晶片的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與X軸所成的角度為35°≤β≤70°而切割晶片，或者晶片的表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)與Y軸所成的角度為-1.5°≤α≤15°，另外，上述表面彈性波的傳播方向(S)在晶片的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)與X軸所成的角度為70°≤β≤120°而切割晶片，所以可得到溫度穩(wěn)定性高且小型化的表面彈性波元件。
權(quán)利要求
1.一種晶片，其特征在于，所述晶片是將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角α切割而得的晶片，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，上述晶片是以其表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度為20°≤α≤40°，或者所述晶片的表面的法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為-1.5°≤α≤15°的方式切割而得。
2.一種表面彈性波元件，其特征在于，所述彈性波元件是采用將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割所得的晶片的表面彈性波元件，通過向所述晶片施加一定的電壓信號(hào)，在晶片上激勵(lì)起表面彈性波并使其沿晶片傳播，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，所述晶片是以其表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度為20°≤α≤40°，或者，所述表面彈性波的傳播方向(S)在所述晶片的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為35°≤β≤70°的方式切割。
3.一種表面彈性波元件，其特征在于，所述表面彈性波元件是采用將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割所得的晶片的表面彈性波元件，通過向所述晶片施加一定的電壓信號(hào)，在晶片上激勵(lì)起表面彈性波并使其沿晶片傳播，將鑭·鎵硅酸鹽晶體的晶軸分別作為X軸(電氣軸)、Y軸(機(jī)械軸)、Z軸(光學(xué)軸)時(shí)，所述晶片是以其表面法線(n)在Y-Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度為-1.5°≤α≤15°，或者，所述表面彈性波的傳播方向(S)在所述晶片的表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為70°≤β≤150°的方式切割。
4.如權(quán)利要求2或3所述的表面彈性波元件，其特征在于，在所述晶片上，用于激勵(lì)表面彈性波的激勵(lì)電極對(duì)和用于將沿晶片傳播的表面彈性波轉(zhuǎn)換為電信號(hào)而取出的取出電極對(duì)是沿所述表面彈性波的傳播方向(S)并列設(shè)置的。
5.如權(quán)利要求4所述的表面彈性波元件，其特征在于，在所述晶片上還形成有用于反射沿晶片傳播的表面彈性波的反射體。
全文摘要
一種溫度穩(wěn)定性好,且可小型化的表面彈性波元件,是采用將鑭·鎵硅酸鹽晶體以一定的切割角(α、β)切割所得的晶片的表面彈性波元件,通過在晶片上外加一定的電壓信號(hào),在晶片的表面激勵(lì)起表面彈性波,并使其沿晶片傳播,將其晶軸分別作為X、Y、Z軸時(shí),晶片的表面法線在Y－Z面內(nèi)從Y軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為20°≤α≤40°,彈性波的傳播方向在晶電表面內(nèi)從X軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的角度為35°≤β≤70°。
文檔編號(hào)H03H9/02GK1173040SQ9711312
公開日1998年2月11日 申請(qǐng)日期1997年5月26日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月29日
發(fā)明者朱里·V·皮薩里夫斯基, 弗拉迪米爾·N·佩德里茨, 弗拉迪米爾·A·潘科夫 申請(qǐng)人:桑太克株式會(huì)社, 棒奇有限公司