專利名稱：SMD5032-48MHz型晶體諧振器用晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
SMD5032-48MHz型晶體諧振器用晶片技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種SMD5032-48MHZ型晶體諧振器用晶片。
背景技術(shù)：
[0002]SMD晶體諧振器的主體是其中的石英晶片，為了增加抗振性和防止氧化，將晶片置于基座內(nèi)密封。未加工的晶片由于其導(dǎo)電性能差，在晶體諧振器制造中都要在晶片部分表面鍍上一層銀，作為晶片的電極，使晶體在電場(chǎng)的作用下形成逆壓電效應(yīng)。[0003]對(duì)諧振器生產(chǎn)廠家來說，選擇合適的晶片后要搭配相應(yīng)的電極，才能保證產(chǎn)品的電性能(電阻、頻率溫度特性、寄生)正常。一般鍍膜面積越大，電阻越小，但對(duì)于高頻產(chǎn)品，電極面積大容易造成寄生不良。因此，聞?lì)l晶體制作難度較聞，關(guān)鍵在于鍛I旲電極的設(shè)計(jì)。[0004]目前常用的SMD5032-48MHZ產(chǎn)品，其晶片鍍膜電極的長(zhǎng)度為2.15^2.25mm,寬度為1.15 1.25_，寄生振蕩較大，晶體諧振器上機(jī)后，可能導(dǎo)致頻率跳變而引起整機(jī)工作狀態(tài)不良的后果。發(fā)明內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型的目的是提供一種SMD5032-48MHZ型晶體諧振器用晶片，改善了高頻晶體諧振器寄生不良。[0006]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:晶片表面設(shè)有鍍膜電極，所述鍍膜電極的長(zhǎng)度為1.45 1.55mm,寬度為 0.75 0.85 mm。[0007]如前所述，晶體電性能主要決定于晶片本身和鍍膜電極的尺寸兩個(gè)方面，雖然減小鍍膜電極尺寸，可以降低產(chǎn)品的寄生振蕩，但鍍膜電極過小，會(huì)引起電阻值的嚴(yán)重增加。同時(shí)，隨意改變鍍膜電極面積，會(huì)導(dǎo)致溫度特性嚴(yán)重不良。本發(fā)明人通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，電極在上述尺寸時(shí)，SMD5032-48MHz型晶體諧振器的寄生振蕩(即主振頻率附近的干擾振蕩)能從前期的-1OdB降低到-20dB。隨著寄生振蕩的有效被抑制，完全符合客戶要求。本實(shí)用新型晶體諧振器溫度特性也能滿足要求。


[0008]圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型SMD5032-48MHZ型晶體諧振器所用晶片I表面設(shè)有鍍膜電極2，鍍膜電極2的長(zhǎng)度L為1.45 1.55mm,寬度W為0.75 0.85mm。
權(quán)利要求1.SMD5032-48MHZ型晶體諧振器用晶片，晶片(I)表面設(shè)有鍍膜電極(2)，其特征在于:所述鍍膜電極(2)的長(zhǎng)度為1.45 1.55mm,寬度為0.75 0.85mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種SMD5032-48MHz型晶體諧振器用晶片，晶片表面設(shè)有鍍膜電極，所述鍍膜電極的長(zhǎng)度為1.45~1.55mm，寬度為0.75~0.85mm。本實(shí)用新型極大的改善了高頻晶體諧振器寄生不良的現(xiàn)象，同時(shí)，晶體諧振器的頻率(電阻)溫度特性較傳統(tǒng)的SMD5032-48MHz型晶體諧振器的頻率溫度特性更集中。
文檔編號(hào)H03H9/17GK202978853SQ201220681028
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者唐兵, 吳成秀, 吳亞華 申請(qǐng)人:安徽銅峰電子股份有限公司