一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，包括以下步驟：S01、砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)進(jìn)刀，且砂輪的進(jìn)刀止點位于所述半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上；S02、旋轉(zhuǎn)的砂輪對旋轉(zhuǎn)一周的半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨；S03、砂輪從所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)退刀后沿所述半導(dǎo)體晶體的直線邊緣移動并旋轉(zhuǎn)，對所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。本磨邊工藝分成兩段進(jìn)行，先對半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨，再對半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。且在砂輪進(jìn)退刀時，砂輪不會觸碰到半導(dǎo)體晶片的邊緣，從而避免了砂輪進(jìn)退刀時對半導(dǎo)體晶片邊緣的觸碰，不會產(chǎn)生缺口，提高了半導(dǎo)體晶片邊緣的打磨光滑度。
【專利說明】
一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶片通過對半導(dǎo)體晶棒進(jìn)行切割得到，切割完成后，根據(jù)客戶要求，需要對晶片的邊緣進(jìn)行打磨，得到特定形狀尺寸的晶片。
[0003]現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶片在進(jìn)行磨邊工藝時，晶片通常為圓形，晶片的邊緣設(shè)置有一個直線邊緣，用于對晶片進(jìn)行定位，具體磨邊工藝為:將切好的晶片固定在磨邊機(jī)的吸盤上，并進(jìn)行調(diào)心，使晶片繞圓心旋轉(zhuǎn);采用高速運轉(zhuǎn)的金剛石磨輪對進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片的邊緣進(jìn)行打磨，磨輪的打磨軌跡通過特定的靠模來實現(xiàn)，從而獲得特定形狀尺寸的晶片，完成對晶片邊緣的打磨。具體磨邊過程可參見圖1，利用靠鐵對晶片進(jìn)行定位，使晶片的直線邊緣與靠鐵貼合定位，定位之后，移開靠鐵，砂輪進(jìn)刀，使砂輪與晶片的直線邊緣反向正對的一側(cè)圓形邊緣靠緊，砂輪旋轉(zhuǎn)，同時使晶片旋轉(zhuǎn)360度，砂輪在靠模的引導(dǎo)下在直線方向上移動，晶片旋轉(zhuǎn)一周便一次性完成晶片形狀的打磨成型，最后，砂輪在晶片的圓形邊緣處退刀，結(jié)束磨邊工藝。
[0004]上述現(xiàn)有的磨邊工藝由于砂輪的進(jìn)刀位置和退刀位置均位于晶片的圓形邊緣處，因為砂輪進(jìn)刀和退刀時，與晶片邊緣接觸，容易在晶片邊緣產(chǎn)生缺口，如果進(jìn)退刀位置不同，還會導(dǎo)致晶片邊緣凹凸不平滑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，以消除砂輪進(jìn)退刀時與晶片邊緣接觸形成的缺口，提高晶片磨邊的平滑度。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]—種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，包括以下步驟:
[0008]S01、砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)進(jìn)刀，且砂輪的進(jìn)刀止點位于所述半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上；
[0009]S02、旋轉(zhuǎn)的砂輪對旋轉(zhuǎn)一周的半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨；
[0010]S03、砂輪從所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)退刀后沿所述半導(dǎo)體晶體的直線邊緣移動并旋轉(zhuǎn)，對所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。
[0011]優(yōu)選的，在上述的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝中，在所述步驟SOl中的砂輪進(jìn)刀之前，通過靠鐵與所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣貼合，完成所述半導(dǎo)體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片180°，使所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣面向所述砂輪。
[0012]優(yōu)選的，在上述的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝中，所述半導(dǎo)體晶片通過吸盤吸附固定。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0014]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝中，砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)進(jìn)刀，到達(dá)半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上停止進(jìn)刀，通過旋轉(zhuǎn)的砂輪對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行打磨，半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)一周，砂輪只對其圓形邊緣進(jìn)行打磨，而不接觸直線邊緣；圓形邊緣打磨完成后，砂輪從直線邊緣一側(cè)退刀，之后沿直線邊緣移動并旋轉(zhuǎn)，對直線邊緣進(jìn)行打磨。可見本發(fā)明中的磨邊工藝分成兩段進(jìn)行，先對半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨，再分開對半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。在砂輪進(jìn)刀時，砂輪到達(dá)進(jìn)刀位置后不會觸碰到半導(dǎo)體晶片的邊緣，但是半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)一周后，砂輪能夠?qū)A形邊緣進(jìn)行打磨，退刀時，砂輪還是從直線邊緣的一側(cè)退刀，不會接觸到直線邊緣，從而消除了砂輪進(jìn)退刀時對半導(dǎo)體晶片的觸碰，不會產(chǎn)生缺口，提高了半導(dǎo)體晶片邊緣的打磨光滑度。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體晶片磨邊工藝的流程圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝的流程圖。
【具體實施方式】
[0018]本發(fā)明的核心是提供了一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，消除了砂輪進(jìn)退刀時與晶片邊緣接觸形成的缺口，提高了晶片磨邊的平滑度。
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]請參考圖2，本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，包括以下步驟:
[0021]步驟S01、進(jìn)刀工序，砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)向半導(dǎo)體晶片靠近進(jìn)刀，且砂輪的進(jìn)刀止點位于半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上，即砂輪的邊緣不接觸半導(dǎo)體晶片的直線邊緣，但是砂輪用于打磨的一側(cè)輪面位于半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上。
[0022]步驟S02、圓形邊緣打磨工序，砂輪旋轉(zhuǎn)，同時半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)一周，砂輪對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行打磨，由于砂輪的進(jìn)刀位置不與半導(dǎo)體晶體接觸，因此，砂輪只對半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨。
[0023]步驟S03、直線邊緣打磨工序，砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)退刀，退刀位置依然位于半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)，退刀后，砂輪沿半導(dǎo)體晶體的直線邊緣移動并旋轉(zhuǎn)，此時，半導(dǎo)體晶片不旋轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體晶片的直線邊緣豎直放置，則砂輪從直線邊緣上方沿直線邊緣上下移動，對半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨，直至要求的直線邊緣的長度位置，完成直線邊緣的打磨后，退刀。
[0024]上述的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝分成兩段進(jìn)行，第一段先對半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨，第二段再對半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。在砂輪進(jìn)刀時，砂輪到達(dá)進(jìn)刀位置后不會觸碰到半導(dǎo)體晶片的邊緣，但是半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)一周后，砂輪能夠?qū)A形邊緣進(jìn)行打磨，退刀時，砂輪還是從直線邊緣的一側(cè)退刀，不會接觸到直線邊緣，從而避免了砂輪進(jìn)退刀時對半導(dǎo)體晶片的觸碰，不會產(chǎn)生缺口，提高了半導(dǎo)體晶片邊緣的打磨光滑度。
[0025]如圖2所示，本實施例對半導(dǎo)體晶片磨邊工藝進(jìn)行優(yōu)化，在步驟SOl中的砂輪進(jìn)刀之前，通過靠鐵與半導(dǎo)體晶片的直線邊緣貼合，完成半導(dǎo)體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片180°，使半導(dǎo)體晶片的直線邊緣面向砂輪。通過半導(dǎo)體晶片的定位，提高了打磨精度。當(dāng)然，還可以不進(jìn)行定位，半導(dǎo)體晶片在初始位置時，半導(dǎo)體晶片的直線邊緣面向砂輪，因此可以直接進(jìn)行進(jìn)刀，不需要將半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)180°。只是，定位后的打磨精度更尚O
[0026]在本實施例中，半導(dǎo)體晶片通過吸盤吸附固定，能夠減少對半導(dǎo)體晶片的固定損壞。完成半導(dǎo)體晶片打磨后，吸盤卸壓，將半導(dǎo)體晶片取下。當(dāng)然還可以通過其它裝置進(jìn)行固定。
[0027]本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0028]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，其特征在于，包括以下步驟: 501、砂輪從半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)進(jìn)刀，且砂輪的進(jìn)刀止點位于所述半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上； 502、旋轉(zhuǎn)的砂輪對旋轉(zhuǎn)一周的半導(dǎo)體晶片的圓形邊緣進(jìn)行打磨； 503、砂輪從所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣一側(cè)退刀后沿所述半導(dǎo)體晶體的直線邊緣移動并旋轉(zhuǎn)，對所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣進(jìn)行打磨。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，其特征在于，在所述步驟SOl中的砂輪進(jìn)刀之前，通過靠鐵與所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣貼合，完成所述半導(dǎo)體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片180°，使所述半導(dǎo)體晶片的直線邊緣面向所述砂輪。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片磨邊工藝，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片通過吸盤吸附固定。
【文檔編號】H01L21/02GK106057646SQ201610528101
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月6日
【發(fā)明人】吳曉桂, 朱劉, 劉留
【申請人】廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司