本發(fā)明涉及半導體單晶技術領域，尤其涉及一種化合物半導體單晶生長裝置及方法。

背景技術：

GaAs(砷化鎵)是繼Ge(鍺)、Si(硅)之后的第二代半導體材料，半導體的發(fā)展歷程，伴隨不同時期新材料的出現(xiàn)，半導體的應用先后出現(xiàn)了幾次飛躍。90年代之前，在半導體領域里，以硅材料為主的半導體占有市場的絕對統(tǒng)治地位。但從技術上講，硅由于其材料本身性能的限制，在微電子領域的應用范圍已不能滿足現(xiàn)代信息技術發(fā)展的要求。隨著以硅為材料基礎的微電子技術的高度發(fā)展，超微細加工將它的集成度和速度推向極限。在微電子技術發(fā)展的歷史上，第二代半導體晶體砷化鎵作為一種性能優(yōu)良的半導體材料不斷向硅提出挑戰(zhàn)。硅本身有許多難以再改善的電子特性(如：電子的遷移速率，先天上只能制造出1GHz以下的低頻通訊組件)，已逐漸無法再充分滿足人類需求，而化合物半導體逐漸受到青睞，并且取而代之。其中砷化鎵憑借著高頻率、高電子遷移率、低噪音、輸出功率高、耗電量小、效益高以及線性度良好、不易失真等優(yōu)越的特性，開發(fā)前景令人鼓舞。

專利US2004/0187768A1中介紹了生產(chǎn)砷化鎵晶體的方法有傳統(tǒng)的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生產(chǎn)法)，同時目前也開發(fā)了兼具以上2種方法優(yōu)點的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里奇曼法)和VCG法(蒸汽壓控制直拉法)，成功制備出4-6英寸大直徑GaAs晶體。

專利200810089545.9介紹了目前普遍應用的一種VGF/VB法半導體材料單晶生長裝置及方法，該裝置是采用電阻絲分區(qū)加熱爐，用陶瓷纖維材料作為保溫系統(tǒng)。該種裝置由于是在敞開的環(huán)境下進行的加熱，所以存在保溫材料在高溫循環(huán)使用下性能發(fā)生變化，從而導致爐體內(nèi)的溫度場無法重現(xiàn)，因此溫度場調(diào)整工藝復雜，同爐生產(chǎn)的不同單晶品質(zhì)差異大，批量生產(chǎn)成品率低。

專利2004100086456.0所發(fā)明的一種砷化鎵單晶生長裝置，采用的是在一種密閉的壓力容器內(nèi)，充入惰性氣體做保護進行的一種砷化鎵晶體生長方法，有效的避免了溫度場無法重現(xiàn)的問題，同時不需要用石英材料進行封焊處理。所以該種生產(chǎn)方法單晶產(chǎn)品品質(zhì)一致性好，單晶率高，生產(chǎn)成本低。但由于砷化鎵單晶在高溫生長時，會產(chǎn)生較高的離解壓，為了避免砷化鎵的分解，通常需要在密閉的容器內(nèi)充入壓力為0.6-1.0MPa的惰性氣體。

但由于在密閉的高壓容器系統(tǒng)中進行加熱，高壓氣體的流動會對溫度場產(chǎn)生擾動，進而溫度場的溫度控制精度較低。

綜上所述，如何解決溫度場的溫度控制精度低的問題，已成為本領域技術人員亟待解決的技術難題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種化合物半導體單晶生長裝置及方法，以提高化合物半導體單晶生長過程中溫度場的溫度控制精度。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種化合物半導體單晶生長裝置，包括壓力容器和熱解氮化硼坩堝，還包括設置在所述壓力容器的內(nèi)部的石墨坩堝組件，所述壓力容器內(nèi)部設置有石墨熱場組件，且所述石墨熱場組件用于給所述石墨坩堝組件加熱；

所述石墨坩堝組件包括石墨坩堝本體、石墨坩堝蓋和與所述石墨坩堝本體的上口密封連接的石墨密封環(huán)，所述熱解氮化硼坩堝能夠放入所述石墨坩堝本體的內(nèi)部，且所述密封連接為可拆卸連接；

所述石墨密封環(huán)上方設置有用于放置密封物質(zhì)的凹槽，所述石墨坩堝蓋能夠嵌入所述凹槽，且所述密封物質(zhì)為熔點小于500℃的固態(tài)物質(zhì)。

優(yōu)選地，所述可拆卸連接為螺紋連接。

優(yōu)選地，所述密封物質(zhì)為氧化硼。

優(yōu)選地，所述壓力容器包括底盤、鐘罩和頂盤，所述底盤上連接有抽真空裝置、充氣管道、排氣管道和加熱電極，所述加熱電極與所述石墨熱場組件連接。

優(yōu)選地，所述鐘罩的外側設置有與所述石墨熱場組件的控溫熱偶連接的溫度顯示器，所述頂盤設有觀察窗。

優(yōu)選地，該裝置還包括與所述壓力容器連接的控制裝置，所述控制裝置包括旋轉裝置、水路冷卻裝置、攝像裝置、承重裝置、真空控制裝置和溫度控制裝置中的一種或多種；

所述旋轉裝置用于控制所述石墨坩堝組件的旋轉和升降；

所述水路冷卻裝置用于對壓力容器、旋轉軸、電源變壓器、電極柱進行水冷保護；

所述攝像裝置設置在所述壓力容器的內(nèi)部的上方用于監(jiān)控生產(chǎn)過程；

所述承重裝置與所述壓力容器吊裝連接；

所述真空控制裝置用于控制所述壓力容器內(nèi)部的真空度及惰性氣體的充入量；

所述溫度控制裝置用于控制所述石墨熱場組件的溫度。

優(yōu)選地，所述控制裝置與單片機連接，所述單片機與用于操控所述單片機的人機交互設備連接。

相比于背景技術中所介紹的內(nèi)容，上述化合物半導體單晶生長裝置，通過壓力容器提供高壓環(huán)境，并通過對石墨熱場組件進行加熱，進而對石墨坩堝組件加熱，由于熱解氮化硼坩堝能夠放入石墨坩堝組件的內(nèi)部，而石墨坩堝組件在加熱之前與壓力容器處于連通狀態(tài)，可以實現(xiàn)抽真空和充入惰性保護氣體(比如充氮等)，當經(jīng)過加熱時，石墨密封環(huán)的凹槽內(nèi)的密封物質(zhì)由固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)時，使得石墨坩堝組件處于密封狀態(tài)(即與壓力容器隔絕)，使得所有的物料都密封在石墨坩堝內(nèi)，進而在壓力容器內(nèi)進行化合物半導體的單晶生長時，有效的避免了高壓帶來的氣體流動對溫度的擾動。

另外由于熱解氮化硼坩堝充入了惰性保護氣體，避免了化合物半導體分解產(chǎn)生揮發(fā)物質(zhì)造成環(huán)境污染。

本發(fā)明還提供了一種化合物半導體單晶生長方法，該方法包括：

裝料，在熱解氮化硼坩堝內(nèi)裝入生產(chǎn)原料，并用液封劑對所述熱解氮化硼坩堝進行密封；

組裝，將所述熱解氮化硼坩堝放入石墨坩堝本體內(nèi)，安裝石墨密封環(huán)，在所述石墨密封環(huán)的凹槽內(nèi)放置熔點小于500℃的固態(tài)密封物質(zhì)，蓋上石墨坩堝蓋；

壓力控制，將組裝好的所述石墨坩堝組件放入密閉空間，對密閉空間循環(huán)抽真空充入惰性氣體多次后，控制壓力至0.05-0.06MPa；

啟動加熱程序，對所述石墨坩堝組件進行加熱，當所述密封物質(zhì)達到熔點后變成液態(tài)時，所述石墨密封蓋與所述石墨密封環(huán)之間實現(xiàn)密封；

接種及單晶生長，調(diào)整密閉空間內(nèi)壓力為0.2-0.3MPa，并調(diào)整熔融的化合物多晶料溫度梯度為2-5°/cm，并進行籽晶的接種，待溫度穩(wěn)定后，按1-8mm/h的速度進行VB法單晶生長；

取出晶體，從密閉空間中取出所述石墨坩堝組件，打開所述石墨坩堝蓋，取出所述熱解氮化硼坩堝，放入甲醇中浸泡，取出生長完成的單晶。

上述化合物半導體單晶生長方法應用了上述化合物半導體單晶生長裝置，由于該裝置具有上述技術效果，應用了該裝置的方法也應具有相應的技術效果，在此不再贅述。

優(yōu)選地，所述啟動加熱程序中，對所述石墨坩堝組件進行加熱是以溫升速度為200-300°/h的速率至多晶料融化。

優(yōu)選地，所述啟動加熱程序中還包括通過旋轉裝置帶動所述石墨坩堝組件不斷旋轉，且加熱與旋轉同時進行。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的化合物半導體單晶生長裝置的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的石墨坩堝本體的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的石墨密封環(huán)的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的化合物半導體單晶生長方法的流程圖。

上圖4中，裝料100、組裝200、壓力控制300、啟動加熱程序400、接種及單晶生長500、取出晶體600。

具體實施方式

本發(fā)明的核心是提供一種化合物半導體單晶生長裝置及方法，以提高化合物半導體單晶生長過程中溫度場的溫度控制精度。

為了使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明提供的技術方案，下面將結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

如圖1-3所示，本發(fā)明實施例提供的化合物半導體單晶生長裝置，包括壓力容器1和熱解氮化硼坩堝，還包括設置在壓力容器1的內(nèi)部的石墨坩堝組件3，壓力容器1內(nèi)部設置有石墨熱場組件2，且石墨熱場組件2用于給石墨坩堝組件3加熱；

石墨坩堝組件3包括石墨坩堝本體、石墨坩堝蓋和與石墨坩堝本體的上口密封連接的石墨密封環(huán)，熱解氮化硼坩堝能夠放入石墨坩堝本體的內(nèi)部，且密封連接為可拆卸連接；

石墨密封環(huán)上方設置有用于放置密封物質(zhì)的凹槽，石墨坩堝蓋能夠嵌入凹槽，且密封物質(zhì)為熔點小于500℃的固態(tài)物質(zhì)。

相比于背景技術中所介紹的內(nèi)容，上述化合物半導體單晶生長裝置，通過壓力容器提供高壓環(huán)境，并通過對石墨熱場組件進行加熱，進而對石墨坩堝組件加熱，由于熱解氮化硼坩堝能夠放入石墨坩堝組件的內(nèi)部，而石墨坩堝組件在加熱之前與壓力容器處于連通狀態(tài)，可以實現(xiàn)抽真空和充入惰性保護氣體(比如充氮等)，當經(jīng)過加熱時，石墨密封環(huán)的凹槽內(nèi)的密封物質(zhì)由固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)時，使得石墨坩堝組件處于密封狀態(tài)(即與壓力容器隔絕)，使得所有的物料都密封在石墨坩堝內(nèi)，進而在壓力容器內(nèi)進行化合物半導體的單晶生長時，有效的避免了高壓帶來的氣體流動對溫度的擾動。

另外由于熱解氮化硼坩堝充入了惰性保護氣體，避免了化合物半導體分解產(chǎn)生揮發(fā)物質(zhì)造成環(huán)境污染。

進一步地，上述可拆卸連接為螺紋連接。當然可以理解的是上述可拆卸連接方式還可以是本領域技術人員常用的其他可拆卸連接方式，只不過本發(fā)明實施例優(yōu)選采用上述螺紋連接的方式而已。

進一步地，上述密封物質(zhì)為氧化硼。當然可以理解的是上述密封物質(zhì)還可以是熔點小于500℃的其他固態(tài)物質(zhì)，比如石蠟等等，只不過本發(fā)明實施例優(yōu)選采用上述氧化硼而已。

進一步地，上述壓力容器1包括底盤、鐘罩和頂盤，底盤上連接有抽真空裝置、充氣管道、排氣管道和加熱電極，加熱電極與石墨熱場組件2連接。需要說明的是，上述抽真空裝置、充氣管道、排氣管道還可以是設置在頂盤上，只不過本發(fā)明實施例優(yōu)選采用設置在底盤上的方式。

進一步地，上述鐘罩的外側設置有與石墨熱場組件的控溫熱偶連接的溫度顯示器，頂盤設有觀察窗。通過上述溫度顯示器可以直觀的看到石墨熱場組件內(nèi)的溫度情況，通過頂盤設置觀察窗，可以觀看壓力容器內(nèi)的裝置是否有異常情況，若有異常情況可以及時處理。

進一步地，該裝置還包括與上述壓力容器1連接的控制裝置，該控制裝置包括旋轉裝置、水路冷卻裝置、攝像裝置、承重裝置、真空控制裝置和溫度控制裝置中的一種或多種，其中，旋轉裝置用于控制石墨坩堝組件的旋轉和升降，該裝置具體位于壓力容器下方，旋轉軸頂端深入壓力容器內(nèi)，上托石墨坩堝，底端與移動平臺上的軸承座連接，由獨立的伺服電機提供旋轉動力。另外一臺伺服電機則可通過絲桿帶動移動平臺在導軌上做上下運動。通過旋轉可對熔體產(chǎn)生良好的攪拌，達到減少徑向溫度梯度，阻止組分過冷的目的。通過升降使晶體生長界面不斷地向遠離凝固點等溫面的低溫方向移動，使晶體不斷地進行生長。當然可以理解的是上述旋轉裝置的布置方式僅僅是本發(fā)明實施例的一種優(yōu)選的舉例，還可以是本領域技術人員常用的旋轉裝置的其他布置方式。比如采用懸吊式的旋轉裝置(即不通過移動平臺)的布置方式。

水路冷卻裝置用于對壓力容器、旋轉軸、電源變壓器、電極柱進行水冷保護，具體可通過橡膠軟管將壓力容器的底盤、筒體、頂蓋、旋轉軸、電源變壓器、各電極柱的進出水管道并聯(lián)，軟管內(nèi)通循環(huán)工藝冷凍水。當然可以理解的是上述橡膠軟管連接的方式僅僅是本發(fā)明實施例的一種優(yōu)選的舉例，還可以是本領域技術人員常用的水路冷卻的其他布置方式。

攝像裝置設置在壓力容器的內(nèi)部的上方用于監(jiān)控生產(chǎn)過程。當然可以理解的是上述攝像裝置布置在壓力容器內(nèi)部上方僅僅是本發(fā)明實施例的一種優(yōu)選地舉例，還可以是布置在其他位置。

承重裝置與壓力容器吊裝連接。通過將承重裝置與壓力容器吊裝，從而方便實現(xiàn)對壓力容器內(nèi)部放置物料前后的重量差的比較。

真空控制裝置用于控制壓力容器內(nèi)部的真空度及惰性氣體的充入量。具體為通過將真空泵組、電磁閥、真空計、經(jīng)管道串聯(lián)后與壓力容器下部的排氣管相連接；減壓后的惰性氣體經(jīng)管道與壓力容器下部的沖氣管相連接；安全閥與真空機組并聯(lián)并始終經(jīng)排氣管與壓力容器保持聯(lián)通狀態(tài)。其作用主要是，抽出壓力容器內(nèi)的空氣后沖入氬氣，營造惰性氣體保護氛圍，有效的避免加熱原件及保溫材料的氧化。并且安全閥對壓力容器進行超壓保護。

溫度控制裝置用于控制石墨熱場組件的溫度。具體為將控溫熱電偶安裝在壓力容器側面，分別深入到對應的石墨加熱器(即石墨熱場組件)附近；測溫熱電偶則從壓力容器底部接入，分布于石墨坩堝附近。所有熱電偶經(jīng)過補償導線與控制柜內(nèi)的PLC模塊連接，將熱場內(nèi)溫度信息反饋在平板電腦顯示屏上，通過調(diào)節(jié)控溫溫度使熱場內(nèi)溫度達到工藝要求。

進一步地，上述控制裝置與單片機連接，該單片機與用于操控單片機的人機交互設備連接。操作者可以通過人機交互設備對上述控制裝置的操控，使得該裝置更加智能方便。通過人機交互設備操作上述控制裝置可以實現(xiàn)手動抽真空及檢漏，實時監(jiān)控設備運行狀態(tài)，如爐壓、壓力容器內(nèi)的石墨坩堝組件的位置及速度、電源功率及電壓電流、冷卻水溫度及流量、泵組閥組狀態(tài)、當前配方運行狀態(tài)等，設備工藝報警和異常報警信息及時提示以及壓力容器內(nèi)的壓力自動控制等功能。

另外本發(fā)明還提供了一種化合物半導體單晶生長方法，該方法包括：

裝料100，在熱解氮化硼坩堝內(nèi)裝入生產(chǎn)原料，并用液封劑對熱解氮化硼坩堝進行密封；

組裝200，將熱解氮化硼坩堝放入石墨坩堝本體內(nèi)，安裝石墨密封環(huán)，在石墨密封環(huán)的凹槽內(nèi)放置熔點小于500℃的固態(tài)密封物質(zhì)，蓋上石墨坩堝蓋；

壓力控制300，將組裝好的石墨坩堝組件放入密閉空間，對密閉空間循環(huán)抽真空充入惰性氣體多次后，控制壓力至0.05-0.06MPa；

啟動加熱程序400，對石墨坩堝組件進行加熱，當密封物質(zhì)達到熔點后變成液態(tài)時，石墨密封蓋與石墨密封環(huán)之間實現(xiàn)密封；

接種及單晶生長500，調(diào)整密閉空間內(nèi)壓力為0.2-0.3MPa，并調(diào)整熔融的化合物多晶料溫度梯度為2-5°/cm，并進行籽晶的接種，待溫度穩(wěn)定后，按1-8mm/h的速度進行VB法單晶生長；

取出晶體600，從密閉空間中取出石墨坩堝組件，打開石墨坩堝蓋，取出熱解氮化硼坩堝，放入甲醇中浸泡，取出生長完成的單晶。

上述化合物半導體單晶生長方法應用了上述化合物半導體單晶生長裝置，由于該裝置具有上述技術效果，應用了該裝置的方法也應具有相應的技術效果，在此不再贅述。

進一步地，上述啟動加熱程序中，對石墨坩堝組件進行加熱是以溫升速度為200-300°/h的速率至多晶料融化。當然可以理解的是上述溫升速率僅僅是本發(fā)明實施例的一種優(yōu)選的舉例還可以是其他溫升速率。

進一步地，上述啟動加熱程序中還包括通過旋轉裝置帶動石墨坩堝組件不斷旋轉，且加熱與旋轉同時進行。通過旋轉裝置使得石墨坩堝組件的加熱更加均勻，并且有效的改善了固液界面形狀，使生產(chǎn)的晶體性能徑向均勻性好。

需要說明的是，上述化合物半導體單晶生長裝置及方法主要應用于采用VGF/VB法生產(chǎn)砷化鎵(GaAs)的單晶，當然也可以用于其它化合物的單晶生長，比如InP，GaP，InAs等。

為了使本領域技術人員更好的理解本發(fā)明的技術方案，下面以砷化鎵的單晶生長為例進行說明。

步驟一：將清洗烘烤好的熱解氮化硼坩堝(PBN坩堝)的小嘴用氮化硼(BN)塞子進行封堵，并將籽晶放入PBN坩堝小嘴內(nèi)，裝好籽晶后將PBN坩堝放入石墨坩堝本體內(nèi)，然后依次往PBN坩堝中裝入15-300克的氧化硼做為液封劑，砷化鎵多晶料以及摻雜用的單晶硅片。

步驟二：裝料完畢后，將石墨密封環(huán)密封旋套在石墨坩堝本體的上方，并在石墨密封環(huán)的凹槽內(nèi)放置30-300克的氧化硼，再將石墨坩堝蓋壓在凹槽內(nèi)的氧化硼上。

步驟三：組裝完成后，將石墨保溫罩蓋在石墨熱場組件上方，并將壓力容器進行密封。

步驟四：開啟壓力控制，循環(huán)抽真空充氮氣2-3次后，充入氬氣至0.05-0.06MPa。

步驟五：開啟加熱程序，以200-300°/h的速率加熱至多晶料融化，同時開啟旋轉裝置控制石墨坩堝組件帶動PBN坩堝旋轉速度為5-25r/min。

步驟六：熔料完成后，調(diào)整容器內(nèi)壓力為0.2-0.3MPa，并調(diào)整熔融的砷化鎵多晶料溫度梯度為2-5°/cm，并進行籽晶的接種，待溫度穩(wěn)定后，按1-8mm/h的速度進行VB法單晶生長。

步驟七：單晶生長完成之后，關閉電源，抽真空后充入氮氣至常壓，打開爐蓋，將生長完成后的單晶連同石墨坩堝組件一起取出。

步驟八：擰開石墨密封環(huán)，將生長好的單晶連同PBN坩堝一起從石墨坩堝本體內(nèi)取出，進行甲醇浸泡，將晶體從PBN坩堝中取出，最后進行加工檢測。

為了驗證本發(fā)明為達成預定目的所采取的技術手段及功效，采取在同一爐上在不同時間內(nèi)生產(chǎn)4根4英寸晶棒進行實驗，實驗步驟同上方案，其實驗使用的典型實驗條件為：

條件一：PBN坩堝中裝入氧化硼量為32克，裝料12000克砷化鎵多晶料，摻硅雜量為1.6克；石墨密封環(huán)凹槽內(nèi)放置128克的氧化硼，做為石墨密封環(huán)與石墨坩堝本體及石墨坩堝蓋的密封。

條件二：循環(huán)抽真空充氮氣2次后，在常溫下充入的氬氣壓力為0.05MPa；多晶料熔融后PBN坩堝旋轉速度為10r/min。

條件三：熔料完成后，調(diào)整容器內(nèi)壓力為0.25MPa，并調(diào)整熔融的砷化鎵多晶料溫度梯度為3°/cm，并進行籽晶的接種。待溫度穩(wěn)定后，按3mm/h的速度進行VB法單晶生長。

上述同爐生產(chǎn)的4條晶棒的單晶成品率約75％，比目前普遍生產(chǎn)的單晶成品率要高出約15％；其生產(chǎn)的4條晶棒的性能參數(shù)如下表。

由于單晶生產(chǎn)時爐體內(nèi)的氣壓較低，單晶生產(chǎn)時可以進行精確的溫度控制；同時由于發(fā)熱材料和保溫材料是在惰性氣體保護下進行的加熱，材料性能經(jīng)高溫后發(fā)生的變化很小，因此同爐生產(chǎn)時單晶爐的溫場可以重現(xiàn)，單晶生產(chǎn)成品率高，從上表中也可以看出單晶產(chǎn)品品質(zhì)一致性好。在生產(chǎn)時由于采用了石墨坩堝組件將砷化鎵多晶料進行密封，晶體內(nèi)部砷鎵的配比一致，爐體內(nèi)沒有砷在容器內(nèi)壁凝結，生產(chǎn)時安全環(huán)保，同時由于采用的石墨組件進行密封，可以重復使用，因此有效的降低了物料材料的使用。另外，上述操作步驟中通過對熱解氮化硼坩堝旋轉的生長方法，有效的改善了固液界面形狀，使生產(chǎn)的砷化鎵晶體性能徑向均勻性好。

以上對本發(fā)明所提供的化合物半導體單晶生長裝置及方法進行了詳細介紹。需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者設備中還存在另外的相同要素。

本文中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權利要求的保護范圍內(nèi)。