專(zhuān)利名稱(chēng)：可變電容元件及內(nèi)置可變電容元件的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可變電容元件，特別涉及用于高頻電路的集成電路中所內(nèi)置的可變電容元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著攜帶電話等移動(dòng)通信市場(chǎng)的發(fā)展，以電路的小型化、低成本化為目的，電感器、電容器等以往是分立部件的元件的IC集成化十分重要。這樣的元件之一是可變電容元件?？勺冸娙菰糜诟淖冋袷庪娐返恼袷庮l率用途等。
在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中，有包含具備電容器切換單元的VCO電路的頻率合成器(例如參照日本特開(kāi)2001-339301號(hào)公報(bào))、頻帶轉(zhuǎn)換的集成電壓控制振蕩器(例如參照日本特開(kāi)2001-196853號(hào)公報(bào))、附帶使用可變電容元件的頻率校正功能的電壓控制振蕩器(例如參照日本特開(kāi)2001-352218號(hào)公報(bào))。
圖6A表示在現(xiàn)有IC上構(gòu)成的可變電容元件的平面結(jié)構(gòu)。圖6B表示圖6A的B-B剖面。在圖6A、圖6B中，301是p型硅襯底，302是n型埋入電極層，303是n型表面電極層，304、309是第1、第2柵電極層，305、310是第1、第2柵極氧化膜。306、311是第1、第2柵電極側(cè)的通孔(via)，307、312是第1、第2柵電極側(cè)的布線層，308是絕緣體層，313是n型埋入電極側(cè)的通孔，314是n型埋入電極側(cè)的布線層。
n型埋入電極層302形成在不同導(dǎo)電型的p型硅襯底301的上層。第1、第2柵極氧化膜305、310分別為長(zhǎng)方形，將各自一個(gè)長(zhǎng)邊相對(duì)置并且鄰近地形成。第1、第2柵極氧化膜305、310的短邊靠近絕緣體層308形成。在第1、第2柵極氧化膜305、310的上層、以及絕緣體層308的上層，分別形成第1、第2柵電極層304、309。第1、第2柵電極層304、309的引出部通過(guò)通孔306、311與除第1、第2柵極氧化膜305、310以外的區(qū)域的絕緣體層308上方的布線層307、312連接。n型表面電極層303形成在除第1、第2柵極氧化膜305、310以外的n型埋入電極層302的上面。n型埋入電極層302的引出部靠近第1、第2柵極氧化膜305、310的另一長(zhǎng)邊配置，通過(guò)通孔313與n型埋入電極側(cè)的布線層314連接。
通過(guò)分別改變第1、第2柵電極層304、309和n型埋入電極層302間的電位差，來(lái)分別改變第1、第2柵電極層304、309和n型埋入電極層302間的MOS接合的耗盡層厚度。由此，分別改變第1、第2柵電極層304、309和n型埋入電極層302間的電容值，作為可變電容元件工作。此外，n型埋入電極層302和硅襯底301之間通過(guò)pn接合的耗盡層來(lái)分離。
同樣的可變電容元件使用第1、第2柵電極層304、309和p型埋入電極層之間的MOS接合來(lái)構(gòu)成。
在上述結(jié)構(gòu)中，第1柵電極層304和第2柵電極層309各自的一個(gè)長(zhǎng)邊相對(duì)且鄰近而形成，所以可以減小因各自的可變電容元件間的n型埋入電極層302造成的寄生電阻。但是，由于第1、第2柵電極層304、306為長(zhǎng)方形，從第1、第2柵電極側(cè)的通孔306、311至各自的可變電容元件的距離變長(zhǎng)，所以因第1、第2柵電極層304、309產(chǎn)生的寄生電阻增大。因此，各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻增大，存在高頻信號(hào)的功率損失大的課題。特別是在用于振蕩電路的諧振電路時(shí)，因各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻而使振蕩輸出的噪聲特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種可變電容元件，可減小第1、第2柵電極層的寄生電阻，降低高頻信號(hào)的功率損失。
本發(fā)明的可變電容元件包括埋入電極層，在半導(dǎo)體襯底的上表面區(qū)域部分由導(dǎo)電型與所述半導(dǎo)體襯底不同的半導(dǎo)體層形成；布線層，與在所述埋入電極層的上方形成的所述埋入電極層的引出部連接；一對(duì)電容絕緣膜，分別在所述埋入電極層的除所述引出部以外區(qū)域部分之上形成，所述區(qū)域部分在一個(gè)平面上具有相對(duì)且鄰近的側(cè)面；絕緣體層，在所述一對(duì)電容絕緣膜的與上述鄰近的側(cè)面相垂直的各個(gè)外側(cè)面相連接的區(qū)域形成；一對(duì)導(dǎo)電體層，分別在各自的電容絕緣膜和各自的絕緣體層上形成；及布線層，分別與所述絕緣體層上的所述一對(duì)導(dǎo)電體層的引出部連接；通過(guò)分別改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電壓，可分別改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值。
本發(fā)明的可變電容元件，在半導(dǎo)體襯底的上表面區(qū)域部分形成的埋入電極層的上層，形成第1、第2電容絕緣膜，各電容絕緣膜在其鄰近的側(cè)面相對(duì)配置，在這一點(diǎn)上，本發(fā)明的可變電容元件與以往例相同。本發(fā)明的可變電容元件的特征在于，在所述一對(duì)電容絕緣膜的與上述鄰近的側(cè)面相垂直的各個(gè)外側(cè)面相連接的區(qū)域形成絕緣體層，分別在各自的電容絕緣膜和各自的絕緣體層上形成第1和第2導(dǎo)電體層，布線層分別與所述絕緣體層上的所述一對(duì)導(dǎo)電體層的引出部連接。
由此，不增大由各個(gè)可變電容元件間的埋入電極層產(chǎn)生的寄生電阻，而縮短從第1、第2導(dǎo)電體層的通孔至各個(gè)可變電容元件的距離，所以由第1、第2導(dǎo)電體層產(chǎn)生的寄生電阻變小。
因此，可以實(shí)現(xiàn)各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻小的可變電容元件。特別是在用于振蕩電路的諧振電路時(shí)，可以減小各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻，從而改善振蕩輸出的噪聲特性。
在所述可變電容元件中，一對(duì)電容絕緣膜各自的平面形狀為長(zhǎng)方形。
本發(fā)明的內(nèi)置可變電容元件的集成電路使用上述結(jié)構(gòu)的可變電容元件。該電路包括含有上述結(jié)構(gòu)的可變電容元件的諧振電路，通過(guò)改變所述可變電容元件的埋入電極層上所施加的電壓，可改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值，并作為振蕩電路工作。
在另一結(jié)構(gòu)的內(nèi)置可變電容元件的集成電路中，包括包含至少兩個(gè)并聯(lián)連接的上述結(jié)構(gòu)的可變電容元件的諧振電路；以及將由電平變換電路獲得的不同電壓加在各個(gè)所述可變電容元件的埋入電極層上的部件；可改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值，并作為振蕩電路工作。
上述任何一個(gè)內(nèi)置可變電容元件的集成電路中最好包括與上述諧振電路并聯(lián)連接的至少一個(gè)具有上述結(jié)構(gòu)的用于頻率范圍切換的可變電容元件；以及對(duì)加在用于各個(gè)所述頻率范圍切換的可變電容元件的埋入電極層上的電壓進(jìn)行多級(jí)切換的切換部件；可多級(jí)地改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值。
對(duì)用于所述頻率范圍切換的可變電容元件的埋入電極層上所施加的電壓進(jìn)行切換的部件，可兩級(jí)切換所述電壓。


圖1A是實(shí)施方式1的可變電容元件的俯視圖，圖1B是圖1A的可變電容元件的A-A剖面圖；圖2A是實(shí)施方式2的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖，圖2B是圖2A的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的特性圖；圖3A是實(shí)施方式3的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖，圖3B是圖3A的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的特性圖；圖4A是實(shí)施方式4的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖，圖4B是圖4A的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的特性圖；
圖5A是實(shí)施方式5的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖，圖5B是圖5A的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的特性圖；圖6A是現(xiàn)有例的可變電容元件的俯視圖，圖6B是圖6A的可變電容元件的B-B剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
(實(shí)施方式1)圖1A表示實(shí)施方式1的可變電容元件的平面結(jié)構(gòu)。圖1B表示圖1A的A-A剖面。在該圖中，101是p型硅襯底，102是n型埋入電極層，103是n型表面電極層，105、110是第1、第2柵極氧化膜，108是絕緣體層，104、109是第1、第2柵電極層，106、111是第1、第2柵電極側(cè)的通孔，107、112是第1、第2柵電極側(cè)的布線層，113是n型埋入電極側(cè)的通孔，114是n型埋入電極側(cè)的布線層。
n型埋入電極層102形成在導(dǎo)電型不同的p型硅襯底101的上層。第1、第2柵極氧化膜105、110分別為長(zhǎng)方形，在一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相互相對(duì)且鄰近形成。與第1、第2柵極氧化膜105、110的另一長(zhǎng)邊側(cè)相連接形成絕緣體層108?？邕^(guò)第1、第2柵極氧化膜105、110的上層以及絕緣體層108的上層，形成第1、第2柵電極層104、109。在除第1、第2柵極氧化膜105、110以外的絕緣體層108的上方，配置第1、第2柵電極側(cè)布線層107、112。第1、第2柵電極層104、109的引出部通過(guò)第1、第2柵電極側(cè)的通孔106、111，與第1、第2柵電極側(cè)布線層107、112連接。
n型表面電極層103在除第1、第2柵極氧化膜105、110以外的區(qū)域的n型埋入電極層102的上層形成。n型埋入電極層102的引出部通過(guò)n型埋入電極側(cè)的通孔113與n型埋入電極側(cè)布線層114連接，該n型埋入電極側(cè)布線層114被配置成與第1、第2柵極氧化膜105、110的短邊側(cè)鄰近。
第1、第2柵極氧化膜105、110具有作為電容絕緣膜的功能。通過(guò)分別改變n型埋入電極層102和第1、第2柵電極層104、109之間的電壓，來(lái)分別改變n型埋入電極層102和第1、第2柵電極層104、109之間的電容值。
這里，假設(shè)本實(shí)施方式的第1、第2柵極氧化膜105、110與現(xiàn)有例的第1、第2柵極氧化膜305、310的寬度和長(zhǎng)度、及對(duì)置的邊之間的距離相同。這種情況下，本實(shí)施方式的可變電容元件與現(xiàn)有例比較，可以減小第1、第2柵電極層104、109產(chǎn)生的寄生電阻，而不增大各個(gè)可變電容元件間的n型埋入電極層102產(chǎn)生的寄生電阻。
這里，n型埋入電極層102和n型埋入電極側(cè)的通孔113間的寄生電阻變大。但是，例如在用于差動(dòng)式振蕩電路的諧振電路的情況下，可以減小各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻，僅假設(shè)接地點(diǎn)的寄生電阻增大，所以對(duì)作為振蕩輸出的噪聲特性的特性惡化沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的影響。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)減小各個(gè)可變電容元件間的寄生電阻的可變電容元件。
作為一對(duì)電容絕緣膜使用的第1、第2柵極氧化膜105、110在形成為長(zhǎng)方形之外，例如還可以形成為正方形、不規(guī)則四邊形、平行四邊形等。無(wú)論何種形狀，第1、第2柵極氧化膜105、110都需要形成一個(gè)區(qū)域，該區(qū)域的平面具有相對(duì)且鄰近的側(cè)面，并且絕緣體層108在與該鄰近的側(cè)面垂直的方向上形成在該區(qū)域的各個(gè)外側(cè)面的邊界區(qū)域上。在這種結(jié)構(gòu)中，第1、第2柵電極層104、109的在絕緣體層108上的部分作為引出部使用。
此外，在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，也可以使用p型埋入電極層取代n型埋入電極層102，用p型表面電極層取代n型埋入電極103。
(實(shí)施方式2)圖2A是表示實(shí)施方式2的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖。該電路是將本發(fā)明的可變電容元件應(yīng)用于振蕩電路的第一例。在該圖中，201是具有實(shí)施方式1所示結(jié)構(gòu)的可變電容元件，202、203是第1、第2諧振用線圈，204、205是第1、第2CMOS晶體管，206是電流源，207是頻率控制端子，208、209是第1、第2振蕩輸出端子。
第1振蕩輸出端子208與可變電容元件201的第1柵電極層端子201a、第1CMOS晶體管204的漏極端子、以及第2CMOS晶體管205的柵極端子連接，而且通過(guò)第1諧振用線圈202與電源端子VDD連接。第2振蕩輸出端子209與可變電容元件201的第2柵電極層端子201b、第2 CMOS晶體管205的漏極端子、以及第1CMOS晶體管204的柵極端子連接，而且通過(guò)第2諧振用線圈203與電源端子VDD連接。第1CMOS晶體管204的源極端子與第2CMOS晶體管205的源極端子連接，通過(guò)電流源206接地。頻率控制端子207連接至可變電容元件201的n型埋入電極層端子201c。第1、第2柵電極層端子201a、201b分別對(duì)應(yīng)于圖1A、圖1B的第1、第2柵電極側(cè)布線層107、112。n型埋入電極層端子201c對(duì)應(yīng)于圖1A、圖1B的n型埋入電極側(cè)布線層114。
圖2B是表示可變電容元件201的電容值與振蕩頻率控制端子207的控制電壓的關(guān)系的特性圖。
在上述結(jié)構(gòu)中，通過(guò)使用具有實(shí)施方式1結(jié)構(gòu)的可變電容元件作為改變振蕩頻率的可變電容元件201，可以實(shí)現(xiàn)噪聲特性良好的振蕩電路。
再有，本電路是NMOS型互耦(cross-coupled)振蕩電路，但在PMOS型互耦振蕩電路的情況下，也可以應(yīng)用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)同樣的效果。
(實(shí)施方式3)圖3A是表示實(shí)施方式3的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖。該電路是將本發(fā)明的可變電容元件應(yīng)用于振蕩電路的第2例。在該圖中，201A、201B、201C是具有實(shí)施方式1所示結(jié)構(gòu)的可變電容元件，202、203是第1、第2諧振用線圈，204、205是第1、第2CMOS晶體管，206電流源，207是頻率控制端子，208、209是第1、第2振蕩輸出端子，210是電平變換電路。
第1振蕩輸出端子208與可變電容元件201A、201B、201C的各第1柵電極層端子201a、第1CMOS晶體管204的漏極端子、以及第2 CMOS晶體管205的柵極端子連接，而且，通過(guò)第1諧振用線圈202與電源端子VDD連接。第2振蕩輸出端子209與可變電容元件201A、202B、201C的各第2柵電極層端子201b、第2 CMOS晶體管205的漏極端子、以及第1CMOS晶體管204的柵極端子連接，而且，通過(guò)第2諧振用線圈與電源端子VDD連接。第1CMOS晶體管204的源極端子與第2 CMOS晶體管205的源極端子連接，通過(guò)電流源206接地。頻率控制端子207通過(guò)電平變換電路210與可變電容元件201A、201B、201C的各n型埋入電極層端子201c連接。
圖3B表示可變電容元件201A、201B、201C的各電容值及合成的電容值與振蕩頻率控制端子207的控制電壓的關(guān)系的特性圖。
在上述結(jié)構(gòu)中，使用具有實(shí)施方式1結(jié)構(gòu)的三個(gè)可變電容元件作為改變振蕩輸出頻率的可變電容元件201A、201B、201C，增加電平變換電路210來(lái)提供各自不同的控制電壓，由此可以實(shí)現(xiàn)具有寬控制電壓范圍并且噪聲特性良好的振蕩電路。
再有，本電路是NMOS型互耦振蕩電路，但在PMOS型互耦振蕩電路的情況下，也可以應(yīng)用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)同樣的效果。
(實(shí)施方式4)圖4A是表示實(shí)施方式4的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖。該電路是將本發(fā)明的可變電容元件應(yīng)用于振蕩電路的第3例。在該圖中，201A、201D是具有實(shí)施方式1所示結(jié)構(gòu)的可變電容元件，202、203是第1、第2諧振用線圈，204、205是第1、第2CMOS晶體管，206是電流源，207是頻率控制端子，211是頻率范圍切換控制端子，208、209是第1、第2振蕩輸出端子。
第1振蕩輸出端子208與可變電容元件201A、201D的各第1柵電極層端子201a、第1 CMOS晶體管204的漏極端子、以及第2CMOS晶體管205的柵極端子連接，而且，通過(guò)第1諧振用線圈202與電源端子VDD連接。第2振蕩輸出端子209與可變電容元件201A、201D的各第2柵電極層端子201b、第2 CMOS晶體管205的漏極端子、以及第1CMOS晶體管204的柵極端子連接，而且，通過(guò)第2諧振用線圈203與電源端子VDD連接。第1CMOS晶體管204的源極端子與第2 CMOS晶體管205的源極端子連接，通過(guò)電流源206接地。頻率控制端子207與可變電容元件201A的n型埋入電極層端子201c連接，頻率范圍切換控制端子211與可變電容元件201D的n型埋入電極層端子201c連接。
圖4B表示對(duì)頻率范圍控制端子211進(jìn)行切換的各個(gè)情況下的將可變電容元件201A、201D合成后的電容值與振蕩頻率控制端子207的控制電壓的關(guān)系的特性圖。
在上述結(jié)構(gòu)中，使用具有實(shí)施方式1結(jié)構(gòu)的兩個(gè)可變電容元件作為改變振蕩輸出頻率的可變電容元件201A、201D，進(jìn)行頻率范圍切換來(lái)賦予控制電壓，由此可以實(shí)現(xiàn)具有由曲線a、b所示的兩個(gè)頻率范圍且噪聲特性良好的振蕩電路。
再有，本電路是NMOS型互耦振蕩電路，但在PMOS型互耦振蕩電路的情況下，也可以應(yīng)用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)同樣的效果。
(實(shí)施方式5)圖5A是表示實(shí)施方式5的內(nèi)置可變電容元件的集成電路的電路圖。該電路是將本發(fā)明的可變電容元件應(yīng)用于振蕩電路的第4例。在該圖中，201A、201B、201C、201D是具有實(shí)施方式所示結(jié)構(gòu)的可變電容元件，202、203是第1、第2諧振用線圈，204、205是第1、第2CMOS晶體管，206的電流源，207是頻率控制端子，211是頻率范圍切換控制端子，208、209是第1、第2振蕩輸出端子，210是電平變換電路。
第1振蕩輸出端子208與可變電容元件201A、201B、201C、201D的各第1柵電極層端子201a、第1CMOS晶體管204的漏極端子、以及第2 CMOS晶體管205的柵極端子連接，而且，通過(guò)第1諧振用線圈202與電源端子VDD連接。第2振蕩輸出端子209與可變電容元件201A、201B、201C、201D的各第2柵電極層端子201b、第2CMOS晶體管205的漏極端子、以及第1CMOS晶體管204的柵極端子連接，而且，通過(guò)第2諧振用線圈203與電源端子VDD連接。第1CMOS晶體管204的源極端子與第2 CMOS晶體管205的源極端子連接，通過(guò)電流源206接地。頻率控制端子207通過(guò)電平變換電路210與可變電容元件201A、201B、201C的各n型埋入電極層端子201c連接，頻率范圍切換控制端子211與可變電容元件201D的n型埋入電極層端子201c連接。
圖5B表示對(duì)頻率范圍控制端子211進(jìn)行切換的各個(gè)情況下的、將可變電容元件201A、201B、201C、201D合成后的電容值與振蕩頻率控制端子207的控制電壓的關(guān)系的特性圖。
在上述結(jié)構(gòu)中，使用具有實(shí)施方式1結(jié)構(gòu)的四個(gè)可變電容元件作為改變振蕩輸出的頻率的可變電容元件201A、201B、201C、201D，附加電平切換電路210來(lái)提供各自不同的控制電壓，進(jìn)行曲線c、d所示的頻率范圍切換來(lái)賦予控制電壓，由此可以實(shí)現(xiàn)具有寬的控制電壓范圍和兩個(gè)頻率范圍、且噪聲特性良好的振蕩電路。
再有，本電路是NMOS型互耦振蕩電路，但在PMOS型互耦振蕩電路的情況下，也可以應(yīng)用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)同樣的效果。
權(quán)利要求
1.一種可變電容元件，包括埋入電極層，在半導(dǎo)體襯底的上表面區(qū)域部分由導(dǎo)電型與所述半導(dǎo)體襯底不同的半導(dǎo)體層形成；布線層，與在所述埋入電極層的上方形成的所述埋入電極層的引出部連接；一對(duì)電容絕緣膜，分別在所述埋入電極層的除所述引出部以外的區(qū)域部分之上形成，所述區(qū)域部分在一個(gè)平面上具有相對(duì)且鄰近的側(cè)面；絕緣體層，在所述一對(duì)電容絕緣膜的與上述鄰近的側(cè)面相垂直的各個(gè)外側(cè)面相連接的區(qū)域形成；一對(duì)導(dǎo)電體層，分別在各自的電容絕緣膜和各自的絕緣體層上形成；及布線層，分別與所述絕緣體層上的所述一對(duì)導(dǎo)電體層的引出部連接；通過(guò)分別改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電壓，可分別改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值。
2.如權(quán)利要求1所述的可變電容元件，其中，一對(duì)電容絕緣膜各自的平面形狀為長(zhǎng)方形。
3.一種內(nèi)置可變電容元件的集成電路，包括具有權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)的可變電容元件的諧振電路，通過(guò)改變加在所述可變電容元件的埋入電極層上的電壓，可改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值，并作為振蕩電路工作。
4.一種內(nèi)置可變電容元件的集成電路，包括至少包含兩個(gè)并聯(lián)連接的具有權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)的可變電容元件的諧振電路；以及將由電平變換電路得到的不同電壓加在各個(gè)所述可變電容元件的埋入電極層上的部件；可改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值，并作為振蕩電路工作。
5.如權(quán)利要求3或4所述的內(nèi)置可變電容元件的集成電路，其中，具備與所述諧振電路并聯(lián)連接的至少一個(gè)具有權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)的用于頻率范圍切換的可變電容元件；以及對(duì)加在用于各個(gè)所述頻率范圍切換的可變電容元件的埋入電極層上的電壓進(jìn)行多級(jí)切換的切換部件；可多級(jí)地改變所述埋入電極層和所述一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值。
6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)置可變電容元件的集成電路，其中，對(duì)用于所述頻率范圍切換的可變電容元件的埋入電極層上所施加的電壓進(jìn)行切換的部件，可對(duì)所述電壓進(jìn)行兩級(jí)切換。
全文摘要
一種可變電容元件，包括埋入電極層(102)，在半導(dǎo)體襯底的上表面區(qū)域部分由導(dǎo)電型與半導(dǎo)體襯底不同的半導(dǎo)體層形成；布線層(114)，與在埋入電極層上方形成的埋入電極層的引出部連接；一對(duì)電容絕緣膜(105、110)，分別在埋入電極層的除引出部以外的區(qū)域部分之上形成，區(qū)域部分在一個(gè)平面上有相對(duì)且鄰近的側(cè)面；絕緣體層(108)，在一對(duì)電容絕緣膜的與上述鄰近的側(cè)面垂直的各外側(cè)面相連接的區(qū)域形成；一對(duì)導(dǎo)電體層(104、109)，分別在各電容絕緣膜和各絕緣體層上形成；及布線層(107、112)，分別與絕緣體層上的一對(duì)導(dǎo)電體層的引出部連接。通過(guò)分別改變埋入電極層和一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電壓，可改變埋入電極層和一對(duì)導(dǎo)電體層之間的電容值。
文檔編號(hào)H03L7/08GK1503454SQ200310116350
公開(kāi)日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月20日
發(fā)明者平岡幸生, 兒島裕貴, 貴 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社